JPH0878772A - スタック型半導体レーザ装置の組立方法及び半導体レーザチップ - Google Patents
スタック型半導体レーザ装置の組立方法及び半導体レーザチップInfo
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- JPH0878772A JPH0878772A JP21131094A JP21131094A JPH0878772A JP H0878772 A JPH0878772 A JP H0878772A JP 21131094 A JP21131094 A JP 21131094A JP 21131094 A JP21131094 A JP 21131094A JP H0878772 A JPH0878772 A JP H0878772A
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- stack type
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スタック型半導体レーザ装置の半導体レーザ
チップ同士の接合のための位置合わせを容易に精度良く
行うことを目的とする。 【構成】 各半導体レーザチップ１，２に、位置合わせ
用穴７をそれぞれ設ける。半導体レーザチップ１，２の
位置合わせにおいて、半導体レーザチップ１，２を複数
重ねて、位置合わせ用穴７を通して反対側の光源９から
出た光を観測することによって位置合わせをする。 【効果】 位置合わせ用穴７を通した光を観測すること
で、正確なスタック組立が可能になる。また、位置が合
っていることを確認する方法が単純なので組立作業を容
易に効率化できる。
チップ同士の接合のための位置合わせを容易に精度良く
行うことを目的とする。 【構成】 各半導体レーザチップ１，２に、位置合わせ
用穴７をそれぞれ設ける。半導体レーザチップ１，２の
位置合わせにおいて、半導体レーザチップ１，２を複数
重ねて、位置合わせ用穴７を通して反対側の光源９から
出た光を観測することによって位置合わせをする。 【効果】 位置合わせ用穴７を通した光を観測すること
で、正確なスタック組立が可能になる。また、位置が合
っていることを確認する方法が単純なので組立作業を容
易に効率化できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は２個以上の半導体レー
ザチップをスタック型に集積化して製造される集積型半
導体レーザ装置の組立方法に関するものである。また、
その組立方法に適した半導体レーザチップに関するもの
である。
ザチップをスタック型に集積化して製造される集積型半
導体レーザ装置の組立方法に関するものである。また、
その組立方法に適した半導体レーザチップに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体レーザの高機能化に伴い、
高出力を得るためにレーザチップを縦に積み重ねたスタ
ック（積層）型レーザ装置が開発されている。図８は従
来のスタック型レーザ装置の構成の一部を示す斜視図で
ある。図において、１は１番目の半導体レーザチップ、
２は１番目の半導体レーザチップ１上に重ねられた２番
目の半導体レーザチップ、３は２番目の半導体レーザチ
ップ２上に重ねられた３番目の半導体レーザチップ、４
は１番目の半導体レーザチップ１を支持するとともに動
作時に半導体レーザチップ１〜３の冷却を行うためのヒ
ートシンク、５は各半導体レーザチップ１〜３を電気的
機械的に接合するための半田材、６は半導体レーザチッ
プ１〜３に外部から電気を供給するためのワイヤ、８は
各半導体レーザチップ１〜３内部に形成された活性層で
ある。
高出力を得るためにレーザチップを縦に積み重ねたスタ
ック（積層）型レーザ装置が開発されている。図８は従
来のスタック型レーザ装置の構成の一部を示す斜視図で
ある。図において、１は１番目の半導体レーザチップ、
２は１番目の半導体レーザチップ１上に重ねられた２番
目の半導体レーザチップ、３は２番目の半導体レーザチ
ップ２上に重ねられた３番目の半導体レーザチップ、４
は１番目の半導体レーザチップ１を支持するとともに動
作時に半導体レーザチップ１〜３の冷却を行うためのヒ
ートシンク、５は各半導体レーザチップ１〜３を電気的
機械的に接合するための半田材、６は半導体レーザチッ
プ１〜３に外部から電気を供給するためのワイヤ、８は
各半導体レーザチップ１〜３内部に形成された活性層で
ある。
【０００３】従来のスタック型半導体レーザ装置は、パ
ルス動作でワット級の光出力が必要な用途に用いられて
いる。このようなスタック型レーザでは個々の半導体レ
ーザから射出されるレーザ光をレンズで集光する必要が
あるため、レーザ光の発光スポットが広がるような組立
方法（例えば横一列に並べる）を用いる事が出来ない。
このため、レーザチップを縦に積み重ねたスタック型組
立を用いる。このスタック型レーザの組立時の位置合わ
せは各々の半導体レーザチップの外壁、端面などを一致
させることで行っていた。
ルス動作でワット級の光出力が必要な用途に用いられて
いる。このようなスタック型レーザでは個々の半導体レ
ーザから射出されるレーザ光をレンズで集光する必要が
あるため、レーザ光の発光スポットが広がるような組立
方法（例えば横一列に並べる）を用いる事が出来ない。
このため、レーザチップを縦に積み重ねたスタック型組
立を用いる。このスタック型レーザの組立時の位置合わ
せは各々の半導体レーザチップの外壁、端面などを一致
させることで行っていた。
【０００４】従来のスタック型半導体レーザチップの組
立方法の一例を図９を用いて説明する。図９において、
１ａ〜３ａはそれぞれ半導体レーザチップ１〜３の端
面、１ｂ〜３ｂはそれぞれ半導体レーザチップ１〜３の
外壁であり、図８と同一符号は図８と同一または相当す
る部分を示す。従来は、顕微鏡の視野内で２つの半導体
レーザチップ、例えば半導体レーザチップ１，２をピン
セットで摘み、半導体レーザチップ１，２の端面１ａ，
２ａを肉眼１０で確認して、２つの半導体レーザチップ
１，２の端面１ａ，２ａが上から見て一致するように位
置を合わせて組立を行っていた。
立方法の一例を図９を用いて説明する。図９において、
１ａ〜３ａはそれぞれ半導体レーザチップ１〜３の端
面、１ｂ〜３ｂはそれぞれ半導体レーザチップ１〜３の
外壁であり、図８と同一符号は図８と同一または相当す
る部分を示す。従来は、顕微鏡の視野内で２つの半導体
レーザチップ、例えば半導体レーザチップ１，２をピン
セットで摘み、半導体レーザチップ１，２の端面１ａ，
２ａを肉眼１０で確認して、２つの半導体レーザチップ
１，２の端面１ａ，２ａが上から見て一致するように位
置を合わせて組立を行っていた。
【０００５】そして、電極形成時に同時に蒸着しておく
などして半田材５を各々の半導体レーザチップ１〜３の
片面に予め形成しておき、２つの半導体レーザチップ１
〜３の位置を合わせて重ねて加熱することによって半田
を溶かして接合している。
などして半田材５を各々の半導体レーザチップ１〜３の
片面に予め形成しておき、２つの半導体レーザチップ１
〜３の位置を合わせて重ねて加熱することによって半田
を溶かして接合している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来のスタック型レーザ装置の組立方法には、約３００
μm角のレーザチップを積み上げる時に、チップの形状
にたよるため、各々のチップの向きが微妙にずれ、その
結果レーザのビーム方向がずれるという問題点があっ
た。
従来のスタック型レーザ装置の組立方法には、約３００
μm角のレーザチップを積み上げる時に、チップの形状
にたよるため、各々のチップの向きが微妙にずれ、その
結果レーザのビーム方向がずれるという問題点があっ
た。
【０００７】また、従来のスタック型レーザ装置の組立
方法には、組立作業が煩雑になり、自動化が困難になる
という問題点があった。
方法には、組立作業が煩雑になり、自動化が困難になる
という問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、半導体レーザ装置のスタック型
組立時の作業を容易かつ迅速にし、しかもビーム方向が
正確に一致したスタック型レーザ装置を組み立てる方法
を提供することを目的としている。
ためになされたもので、半導体レーザ装置のスタック型
組立時の作業を容易かつ迅速にし、しかもビーム方向が
正確に一致したスタック型レーザ装置を組み立てる方法
を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係るスタッ
ク型半導体レーザ装置の組立方法は、２個以上の半導体
レーザチップを用いたスタック型半導体レーザの組立方
法であって、全ての前記半導体レーザチップの表面から
裏面へ貫通する少なくとも一つの位置合わせ用穴をそれ
ぞれの前記半導体レーザチップに形成する位置合わせ用
穴形成工程と、前記半導体レーザチップを複数重ねて、
前記位置合わせ用穴を通して反対側の光を観測すること
によって位置合わせをする位置合わせ工程とを備えて構
成される。
ク型半導体レーザ装置の組立方法は、２個以上の半導体
レーザチップを用いたスタック型半導体レーザの組立方
法であって、全ての前記半導体レーザチップの表面から
裏面へ貫通する少なくとも一つの位置合わせ用穴をそれ
ぞれの前記半導体レーザチップに形成する位置合わせ用
穴形成工程と、前記半導体レーザチップを複数重ねて、
前記位置合わせ用穴を通して反対側の光を観測すること
によって位置合わせをする位置合わせ工程とを備えて構
成される。
【００１０】第２の発明に係るスタック型半導体レーザ
装置の組立方法は、第１の発明のスタック型半導体レー
ザ組立方法において、前記少なくとも一つの位置合わせ
用穴は、複数の位置合わせ用穴を含み、前記位置合わせ
工程において、前記複数の位置合わせ用穴のそれぞれを
通して反対側の光を観測することによって位置合わせを
行うようにする。
装置の組立方法は、第１の発明のスタック型半導体レー
ザ組立方法において、前記少なくとも一つの位置合わせ
用穴は、複数の位置合わせ用穴を含み、前記位置合わせ
工程において、前記複数の位置合わせ用穴のそれぞれを
通して反対側の光を観測することによって位置合わせを
行うようにする。
【００１１】第３の発明に係るスタック型半導体レーザ
装置の組立方法は、第１の発明のスタック型半導体レー
ザ装置の組立方法において、前記位置合わせ工程は、前
記位置合わせ用穴以外の前記半導体レーザチップの形状
の一致の観測も合わせて位置合わせに用いるようにす
る。
装置の組立方法は、第１の発明のスタック型半導体レー
ザ装置の組立方法において、前記位置合わせ工程は、前
記位置合わせ用穴以外の前記半導体レーザチップの形状
の一致の観測も合わせて位置合わせに用いるようにす
る。
【００１２】第４の発明に係るスタック型半導体レーザ
装置の組立方法は、第１の発明のスタック型半導体レー
ザ装置の組立方法において、前記位置合わせ用穴は、透
過光に対して内壁が幾何学的形状を持った位置合わせ用
穴を含み、前記位置合わせ工程における光の観測は、重
なり合った前記位置合わせ用穴の形状の観測を含むこと
を特徴とする。
装置の組立方法は、第１の発明のスタック型半導体レー
ザ装置の組立方法において、前記位置合わせ用穴は、透
過光に対して内壁が幾何学的形状を持った位置合わせ用
穴を含み、前記位置合わせ工程における光の観測は、重
なり合った前記位置合わせ用穴の形状の観測を含むこと
を特徴とする。
【００１３】第５の発明に係るスタック型半導体レーザ
装置の組立方法は、２個以上の半導体レーザチップを用
いたスタック型半導体レーザ装置の組立方法であって、
少なくとも一つの第１の半導体レーザチップの表面から
裏面へ貫通する少なくとも一つの位置合わせ用穴を形成
する位置合わせ用穴形成工程と、少なくとも一つの第２
の半導体レーザチップの表面または裏面に前記位置合わ
せ用穴に対応するマークを形成するマーキング工程と、
前記第１及び第２の半導体レーザチップを重ねて、前記
位置合わせ用穴を通して前記マークを観測することによ
って位置合わせをする位置合わせ工程とを備えて構成さ
れる。
装置の組立方法は、２個以上の半導体レーザチップを用
いたスタック型半導体レーザ装置の組立方法であって、
少なくとも一つの第１の半導体レーザチップの表面から
裏面へ貫通する少なくとも一つの位置合わせ用穴を形成
する位置合わせ用穴形成工程と、少なくとも一つの第２
の半導体レーザチップの表面または裏面に前記位置合わ
せ用穴に対応するマークを形成するマーキング工程と、
前記第１及び第２の半導体レーザチップを重ねて、前記
位置合わせ用穴を通して前記マークを観測することによ
って位置合わせをする位置合わせ工程とを備えて構成さ
れる。
【００１４】第６の発明に係る半導体レーザチップは、
スタック型半導体レーザ装置を構成する半導体レーザチ
ップであって、位置合わせ用の貫通穴を有するものであ
る。
スタック型半導体レーザ装置を構成する半導体レーザチ
ップであって、位置合わせ用の貫通穴を有するものであ
る。
【００１５】
【作用】第１の発明における位置合わせ工程は、半導体
レーザチップを複数重ねて、位置合わせ用穴を通して反
対側の光を観測することによって、位置合わせを容易に
かつ正確に行うことができる。
レーザチップを複数重ねて、位置合わせ用穴を通して反
対側の光を観測することによって、位置合わせを容易に
かつ正確に行うことができる。
【００１６】第２の発明における位置合わせ工程におい
て、複数の位置合わせ用穴のそれぞれを通して反対側の
光を観測することによって、一つの位置合わせ用穴を中
心とした回転を起こさないようにして正確に位置合わせ
を行うことができる。
て、複数の位置合わせ用穴のそれぞれを通して反対側の
光を観測することによって、一つの位置合わせ用穴を中
心とした回転を起こさないようにして正確に位置合わせ
を行うことができる。
【００１７】第３の発明における位置合わせ工程は、位
置合わせ用穴以外の半導体レーザチップの形状も位置合
わせの指標として用い、位置合わせのための指標を増や
すことができる。
置合わせ用穴以外の半導体レーザチップの形状も位置合
わせの指標として用い、位置合わせのための指標を増や
すことができる。
【００１８】第４の発明における透過光に対して内壁が
幾何学的形状を持った位置合わせ用穴は、複数の半導体
レーザチップに設けられていることから、重なり合った
位置合わせ用穴の形状の観測することで、穴が一致する
ように重なっているかずれて重なっているかの判定が容
易になる。
幾何学的形状を持った位置合わせ用穴は、複数の半導体
レーザチップに設けられていることから、重なり合った
位置合わせ用穴の形状の観測することで、穴が一致する
ように重なっているかずれて重なっているかの判定が容
易になる。
【００１９】第５の発明における位置合わせ工程は、第
１及び第２の半導体レーザチップを重ねて、位置合わせ
用穴を通してマークを観測することによって位置合わせ
を容易にかつ正確にすることができる。
１及び第２の半導体レーザチップを重ねて、位置合わせ
用穴を通してマークを観測することによって位置合わせ
を容易にかつ正確にすることができる。
【００２０】第６の発明における位置合わせ用の貫通穴
を使って組み立てることで、容易にスタック型半導体レ
ーザ装置を製造できる。
を使って組み立てることで、容易にスタック型半導体レ
ーザ装置を製造できる。
【００２１】
実施例１．以下、この発明の第１実施例を図１乃至図６
を用いて説明する。図１乃至図６において従来例と同一
の番号は同一または相当部分を示す。図１において、１
は１番目の半導体レーザチップ、２はその上に組み立て
られた２番目の半導体レーザチップ、３はその更に上に
組み立てられた３番目の半導体レーザチップ、４はスタ
ック状に組み上げられた複数の半導体レーザチップ１〜
３をマウントするヒートシンク、５は半導体レーザチッ
プ１と２及び２と３及び半導体レーザチップ１とヒート
シンク４を接着する半田材、６は半導体レーザチップ３
上にボンディングされたワイヤ、７は複数の半導体レー
ザチップ１〜３をスタック状に組み立てるときの位置合
わせに用いるために各々の半導体レーザチップ１〜３に
半導体レーザチップ１〜３を表から裏に貫通するように
形成され位置合わせ用穴である。スタック型レーザ装置
の発光部分は半導体レーザチップ１〜３の活性層８であ
る。
を用いて説明する。図１乃至図６において従来例と同一
の番号は同一または相当部分を示す。図１において、１
は１番目の半導体レーザチップ、２はその上に組み立て
られた２番目の半導体レーザチップ、３はその更に上に
組み立てられた３番目の半導体レーザチップ、４はスタ
ック状に組み上げられた複数の半導体レーザチップ１〜
３をマウントするヒートシンク、５は半導体レーザチッ
プ１と２及び２と３及び半導体レーザチップ１とヒート
シンク４を接着する半田材、６は半導体レーザチップ３
上にボンディングされたワイヤ、７は複数の半導体レー
ザチップ１〜３をスタック状に組み立てるときの位置合
わせに用いるために各々の半導体レーザチップ１〜３に
半導体レーザチップ１〜３を表から裏に貫通するように
形成され位置合わせ用穴である。スタック型レーザ装置
の発光部分は半導体レーザチップ１〜３の活性層８であ
る。
【００２２】図１は、この発明に基づいてスタック型に
組み立てられた半導体レーザの完成時の様子を表す。従
来のスタック組立では位置合わせ用穴７は存在しない。
位置合わせ用穴７を一致させることによって、活性層８
の方向を揃えることができ、ビーム方向が正確に一致し
たスタック型レーザ装置を組み立てることができる。
組み立てられた半導体レーザの完成時の様子を表す。従
来のスタック組立では位置合わせ用穴７は存在しない。
位置合わせ用穴７を一致させることによって、活性層８
の方向を揃えることができ、ビーム方向が正確に一致し
たスタック型レーザ装置を組み立てることができる。
【００２３】図２は、複数の半導体レーザチップが形成
された半導体ウエハを示す図である。図２（ａ）には複
数の半導体レーザチップが形成された半導体ウエハの斜
視図を示す。図２（ｂ）には、図２（ａ）に示したＸ−
Ｘ斜視断面図を示す。図２において、２０は半導体ウエ
ハ、２１は半導体ウエハ２０上に形成された半導体レー
ザチップ、２４は表面電極である。位置合わせ用穴７
は、活性層８を避けて構成されている。位置合わせ用穴
７は、ドライあるいはウエットエッチング等を用いて形
成される。
された半導体ウエハを示す図である。図２（ａ）には複
数の半導体レーザチップが形成された半導体ウエハの斜
視図を示す。図２（ｂ）には、図２（ａ）に示したＸ−
Ｘ斜視断面図を示す。図２において、２０は半導体ウエ
ハ、２１は半導体ウエハ２０上に形成された半導体レー
ザチップ、２４は表面電極である。位置合わせ用穴７
は、活性層８を避けて構成されている。位置合わせ用穴
７は、ドライあるいはウエットエッチング等を用いて形
成される。
【００２４】図３は、裏面に電極及び半田材が形成され
た半導体ウエハを示す図である。図３（ａ）には、裏面
に電極及び半田材が形成された半導体ウエハの斜視図を
示す。図３（ｂ）には、図３（ａ）に示したＹ−Ｙ斜視
断面図を示す。図３において、２１は裏面に電極及び半
田材が形成された半導体レーザチップ、２５は半導体レ
ーザチップ２１の裏面に形成された裏面電極、５は半導
体レーザチップ２１の裏面に形成された半田材である。
位置合わせ用穴７は、裏面電極２５及び半田材５によっ
て塞がれている。
た半導体ウエハを示す図である。図３（ａ）には、裏面
に電極及び半田材が形成された半導体ウエハの斜視図を
示す。図３（ｂ）には、図３（ａ）に示したＹ−Ｙ斜視
断面図を示す。図３において、２１は裏面に電極及び半
田材が形成された半導体レーザチップ、２５は半導体レ
ーザチップ２１の裏面に形成された裏面電極、５は半導
体レーザチップ２１の裏面に形成された半田材である。
位置合わせ用穴７は、裏面電極２５及び半田材５によっ
て塞がれている。
【００２５】図４は、裏面の電極及び半田材にエッチン
グ等で穴をあけた半導体ウエハを示す図である。図４
（ａ）には、裏面に電極及び半田材が形成された半導体
ウエハの斜視図を示す、図４（ｂ）には、図４（ａ）に
示したＺ−Ｚ斜視断面図を示す。図４において、２１は
裏面電極２５及び半田材５のうちの位置合わせ用穴７を
塞いでいた部分をドライエッチング等によって除去した
半導体レーザチップ、２７は裏面電極２５及び半田材５
に開いた貫通穴である。
グ等で穴をあけた半導体ウエハを示す図である。図４
（ａ）には、裏面に電極及び半田材が形成された半導体
ウエハの斜視図を示す、図４（ｂ）には、図４（ａ）に
示したＺ−Ｚ斜視断面図を示す。図４において、２１は
裏面電極２５及び半田材５のうちの位置合わせ用穴７を
塞いでいた部分をドライエッチング等によって除去した
半導体レーザチップ、２７は裏面電極２５及び半田材５
に開いた貫通穴である。
【００２６】図５は、へき開等によって半導体ウエハを
分割した様子を示す図である。図において、２１は分割
された半導体レーザチップである。この半導体レーザチ
ップ２１を重ねることによってスタック型半導体レーザ
装置を製造する。
分割した様子を示す図である。図において、２１は分割
された半導体レーザチップである。この半導体レーザチ
ップ２１を重ねることによってスタック型半導体レーザ
装置を製造する。
【００２７】図６は、半導体レーザチップを重ねて位置
合わせを行う工程を示す図である。図６において１はス
タック型に組み立てられる半導体レーザチップ、２はス
タック型に組み立てられるもう一つの半導体レーザチッ
プ、７は複数の半導体レーザを組み立てるときに半導体
レーザの位置合わせを行うための位置合わせ用穴、９は
位置合わせ用穴７を通過する光を出す光源、１０は光検
出器または人間の肉眼である。例えば、光検出器または
肉眼１０と位置合わせ用穴７との間に顕微鏡などの光学
器を設置しても良いのは従来と同様である。また、光源
は直接光でも間接光でもよい。
合わせを行う工程を示す図である。図６において１はス
タック型に組み立てられる半導体レーザチップ、２はス
タック型に組み立てられるもう一つの半導体レーザチッ
プ、７は複数の半導体レーザを組み立てるときに半導体
レーザの位置合わせを行うための位置合わせ用穴、９は
位置合わせ用穴７を通過する光を出す光源、１０は光検
出器または人間の肉眼である。例えば、光検出器または
肉眼１０と位置合わせ用穴７との間に顕微鏡などの光学
器を設置しても良いのは従来と同様である。また、光源
は直接光でも間接光でもよい。
【００２８】一つの半導体レーザチップ１にもう一つの
半導体レーザチップ２を取り付ける時に各々の半導体レ
ーザチップ１，２に形成した位置合わせ用穴７を用い
る。位置合わせ用穴７は半導体レーザチップ１，２を表
側から裏側へ貫通している。そして、反対側の光源９か
らその位置合わせ用穴７を通して半導体レーザチップ
１，２を通過する光を観測、例えば具体的には光の通過
の有無や複数の穴のずれや光が通過する複数の穴の重な
り部分の大きさや透過する光の量を見ることができる。
このように位置合わせ用穴７を用いて位置合わせをする
ことで、位置合わせが正確になる。特に、光の通過の有
無によって判断する場合には、光検出器による自動化が
容易になる。
半導体レーザチップ２を取り付ける時に各々の半導体レ
ーザチップ１，２に形成した位置合わせ用穴７を用い
る。位置合わせ用穴７は半導体レーザチップ１，２を表
側から裏側へ貫通している。そして、反対側の光源９か
らその位置合わせ用穴７を通して半導体レーザチップ
１，２を通過する光を観測、例えば具体的には光の通過
の有無や複数の穴のずれや光が通過する複数の穴の重な
り部分の大きさや透過する光の量を見ることができる。
このように位置合わせ用穴７を用いて位置合わせをする
ことで、位置合わせが正確になる。特に、光の通過の有
無によって判断する場合には、光検出器による自動化が
容易になる。
【００２９】この実施例では２つの半導体レーザチップ
の一方に光源を置いて、半導体レーザチップを貫通する
位置合わせ用穴を通して２つの半導体レーザチップの反
対側からくる光を光検出器または肉眼１０で観測するこ
とにより半導体レーザチップ同士の位置合わせを行い、
半導体レーザをスタック型に組み立てる。また、この方
法では各々の半導体レーザの変わりにすでにスタック状
に接着されたレーザを複数用いても同様に位置合わせが
可能である。
の一方に光源を置いて、半導体レーザチップを貫通する
位置合わせ用穴を通して２つの半導体レーザチップの反
対側からくる光を光検出器または肉眼１０で観測するこ
とにより半導体レーザチップ同士の位置合わせを行い、
半導体レーザをスタック型に組み立てる。また、この方
法では各々の半導体レーザの変わりにすでにスタック状
に接着されたレーザを複数用いても同様に位置合わせが
可能である。
【００３０】なお、半導体レーザチップ１，２にそれぞ
れ複数の位置合わせ用穴７を設けても良い。そして、複
数の位置合わせ用穴７を通して反対側の光をそれぞれに
観測することによって、一つの位置合わせ用穴７の一致
を確認した後、その位置合わせ用穴７を中心とした回転
を起こしていないかどうかを他の位置合わせ用穴７の一
致を確認することで判別することができる。
れ複数の位置合わせ用穴７を設けても良い。そして、複
数の位置合わせ用穴７を通して反対側の光をそれぞれに
観測することによって、一つの位置合わせ用穴７の一致
を確認した後、その位置合わせ用穴７を中心とした回転
を起こしていないかどうかを他の位置合わせ用穴７の一
致を確認することで判別することができる。
【００３１】また、半導体レーザチップ１，２の位置合
わせ用穴７の内壁７ａの形状を同一の幾何学的形状、例
えば三角形や四角形にすることによって、透過した光が
その幾何学的形状になっているか否かの観測が可能にな
り、位置合わせのずれを検出し易くなる。
わせ用穴７の内壁７ａの形状を同一の幾何学的形状、例
えば三角形や四角形にすることによって、透過した光が
その幾何学的形状になっているか否かの観測が可能にな
り、位置合わせのずれを検出し易くなる。
【００３２】また、半導体レーザチップ１，２の位置合
わせ用穴７の一致だけでなく、半導体レーザチップ１，
２の端面や外壁その他の形状の一致を、例えば従来と同
様に顕微鏡を使用するなどして観測することによってさ
らに正確な位置合わせを行うことが可能になる。
わせ用穴７の一致だけでなく、半導体レーザチップ１，
２の端面や外壁その他の形状の一致を、例えば従来と同
様に顕微鏡を使用するなどして観測することによってさ
らに正確な位置合わせを行うことが可能になる。
【００３３】実施例２．上記実施例では、２つの半導体
レーザチップ１，２の位置合わせを行う際に、２つの半
導体レーザチップ１，２がともに貫通穴を有している場
合について説明したが、位置合わせ用穴７を持つ半導体
レーザチップ１の代わりに、マーク１２を有する半導体
レーザチップ３１を用いて、位置合わせをしても同様で
ある。マークされた半導体レーザチップ３１はマーキン
グ工程によって予めマークを施されたものである。この
マーク１２を半導体レーザチップ２の位置合わせ用穴７
を通して観測することによって位置合わせが容易にかつ
正確になる。
レーザチップ１，２の位置合わせを行う際に、２つの半
導体レーザチップ１，２がともに貫通穴を有している場
合について説明したが、位置合わせ用穴７を持つ半導体
レーザチップ１の代わりに、マーク１２を有する半導体
レーザチップ３１を用いて、位置合わせをしても同様で
ある。マークされた半導体レーザチップ３１はマーキン
グ工程によって予めマークを施されたものである。この
マーク１２を半導体レーザチップ２の位置合わせ用穴７
を通して観測することによって位置合わせが容易にかつ
正確になる。
【００３４】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明のス
タック型半導体レーザ装置の組立方法によれば、半導体
レーザチップの周辺等を使って位置合わせするよりも正
確なスタック組立が可能になるという効果がある。ま
た、位置が合っていることを確認する方法が単純なので
組立作業を容易に効率化することができるという効果が
ある。例えば、光を確認するのに光検出器を使うことに
よって組立の自動化も可能になるという効果がある。
タック型半導体レーザ装置の組立方法によれば、半導体
レーザチップの周辺等を使って位置合わせするよりも正
確なスタック組立が可能になるという効果がある。ま
た、位置が合っていることを確認する方法が単純なので
組立作業を容易に効率化することができるという効果が
ある。例えば、光を確認するのに光検出器を使うことに
よって組立の自動化も可能になるという効果がある。
【００３５】請求項２記載の発明のスタック型半導体レ
ーザ装置の組立方法によれば、複数の位置合わせ用穴を
用いて、位置合わせを行うので、より正確な位置合わせ
を行うことができるという効果がある。
ーザ装置の組立方法によれば、複数の位置合わせ用穴を
用いて、位置合わせを行うので、より正確な位置合わせ
を行うことができるという効果がある。
【００３６】請求項３記載の発明のスタック型半導体レ
ーザ装置の組立方法によれば、位置合わせ用穴以外の半
導体レーザチップの形状の一致の観測も合わせて位置合
わせに用いるので、より正確な位置合わせを行うことが
できるという効果がある。
ーザ装置の組立方法によれば、位置合わせ用穴以外の半
導体レーザチップの形状の一致の観測も合わせて位置合
わせに用いるので、より正確な位置合わせを行うことが
できるという効果がある。
【００３７】請求項４記載の発明のスタック型半導体レ
ーザ装置の組立方法によれば、透過光に対して内壁が幾
何学的形状を持った位置合わせ用穴を用いて位置合わせ
を行うので、重なった位置合わせ用穴の形状によって、
より正確な位置合わせが可能になるという効果がある。
ーザ装置の組立方法によれば、透過光に対して内壁が幾
何学的形状を持った位置合わせ用穴を用いて位置合わせ
を行うので、重なった位置合わせ用穴の形状によって、
より正確な位置合わせが可能になるという効果がある。
【００３８】請求項５記載の発明のスタック型半導体レ
ーザ装置の組立方法によれば、第１及び第２の半導体レ
ーザチップを重ねて、位置合わせ用穴を通してマークを
観測することによって位置合わせをするので、半導体レ
ーザチップの周辺等を使って位置合わせするよりもより
正確なスタック組立が可能になるという効果がある。ま
た、位置が合っていることを確認する方法が単純なので
組立作業を容易に効率化することができるという効果が
ある。
ーザ装置の組立方法によれば、第１及び第２の半導体レ
ーザチップを重ねて、位置合わせ用穴を通してマークを
観測することによって位置合わせをするので、半導体レ
ーザチップの周辺等を使って位置合わせするよりもより
正確なスタック組立が可能になるという効果がある。ま
た、位置が合っていることを確認する方法が単純なので
組立作業を容易に効率化することができるという効果が
ある。
【００３９】請求項６記載の発明の半導体レーザチップ
によれば、位置合わせ用の貫通穴を有するので、スタッ
ク型半導体レーザ装置を製造する際に、複数の半導体レ
ーザチップを精度良く接合することが容易になるという
効果がある。
によれば、位置合わせ用の貫通穴を有するので、スタッ
ク型半導体レーザ装置を製造する際に、複数の半導体レ
ーザチップを精度良く接合することが容易になるという
効果がある。
【図１】 この発明の第１実施例によるスタック型半導
体レーザ装置の一部を示す斜視図である。
体レーザ装置の一部を示す斜視図である。
【図２】 この発明の第１実施例によるスタック型半導
体レーザ装置の組立ての一工程を示す模式図である。
体レーザ装置の組立ての一工程を示す模式図である。
【図３】 この発明の第１実施例によるスタック型半導
体レーザ装置の組立ての一工程を示す模式図である。
体レーザ装置の組立ての一工程を示す模式図である。
【図４】 この発明の第１実施例によるスタック型半導
体レーザ装置の組立ての一工程を示す模式図である。
体レーザ装置の組立ての一工程を示す模式図である。
【図５】 この発明の第１実施例によるスタック型半導
体レーザ装置の組立ての一工程を示す模式図である。
体レーザ装置の組立ての一工程を示す模式図である。
【図６】 この発明の第１実施例によるスタック型半導
体レーザ装置の半導体レーザチップの位置合わせの工程
を示す図である。
体レーザ装置の半導体レーザチップの位置合わせの工程
を示す図である。
【図７】 この発明の第２実施例によるスタック型半導
体レーザ装置の半導体レーザチップの位置合わせの工程
を示す図である。
体レーザ装置の半導体レーザチップの位置合わせの工程
を示す図である。
【図８】 従来のスタック型半導体レーザ装置の一部を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図９】 従来のスタック型半導体レーザ装置の組立て
の一工程を示す図である。
の一工程を示す図である。
１〜３ 半導体レーザチップ、４ ヒートシンク、５
半田材、６ ワイヤ、７ 位置合わせ用穴、８ 活性
層、９ 光源、１０ 光検出器または肉眼。
半田材、６ ワイヤ、７ 位置合わせ用穴、８ 活性
層、９ 光源、１０ 光検出器または肉眼。
Claims (6)
- 【請求項１】 ２個以上の半導体レーザチップを用いた
スタック型半導体レーザ装置の組立方法において、 全ての前記半導体レーザチップの表面から裏面へ貫通す
る少なくとも一つの位置合わせ用穴をそれぞれの前記半
導体レーザチップに形成する位置合わせ用穴形成工程
と、 前記半導体レーザチップを複数重ねて、前記位置合わせ
用穴を通して反対側の光を観測することによって位置合
わせをする位置合わせ工程とを備える、スタック型半導
体レーザ装置の組立方法。 - 【請求項２】 前記少なくとも一つの位置合わせ用穴
は、複数の位置合わせ用穴を含み、 前記位置合わせ工程において、前記複数の位置合わせ用
穴のそれぞれを通して反対側の光を観測することによっ
て位置合わせを行うことを特徴とする、請求項１記載の
スタック型半導体レーザ装置の組立方法。 - 【請求項３】 前記位置合わせ工程において、 前記位置合わせ用穴以外の前記半導体レーザチップの形
状の一致の観測も合わせて位置合わせに用いることを特
徴とする、請求項１記載のスタック型半導体レーザ装置
の組立方法。 - 【請求項４】 前記位置合わせ用穴は、透過光に対して
内壁が幾何学的形状を持った位置合わせ用穴を含み、 前記位置合わせ工程における光の観測は、重なり合った
前記位置合わせ用穴の形状の観測を含む、請求項１記載
のスタック型半導体レーザ装置の組立方法。 - 【請求項５】 ２個以上の半導体レーザチップを用いた
スタック型半導体レーザ装置の組立方法において、 少なくとも一つの第１の半導体レーザチップの表面から
裏面へ貫通する少なくとも一つの位置合わせ用穴を形成
する位置合わせ用穴形成工程と、 少なくとも一つの第２の半導体レーザチップの表面また
は裏面に前記位置合わせ用穴に対応するマークを形成す
るマーキング工程と、 前記第１及び第２の半導体レーザチップを重ねて、前記
位置合わせ用穴を通して前記マークを観測することによ
って位置合わせをする位置合わせ工程とを備える、スタ
ック型半導体レーザ装置の組立方法。 - 【請求項６】 スタック型半導体レーザ装置を構成する
半導体レーザチップにおいて、位置合わせ用の貫通穴を
有することを特徴とする、半導体レーザチップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21131094A JPH0878772A (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | スタック型半導体レーザ装置の組立方法及び半導体レーザチップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21131094A JPH0878772A (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | スタック型半導体レーザ装置の組立方法及び半導体レーザチップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878772A true JPH0878772A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16603829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21131094A Pending JPH0878772A (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | スタック型半導体レーザ装置の組立方法及び半導体レーザチップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878772A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2334144A (en) * | 1998-02-04 | 1999-08-11 | Mitel Semiconductor Ab | Multiple function optical module |
| GB2334142A (en) * | 1998-02-04 | 1999-08-11 | Mitel Semiconductor Ab | Multiple function optical module |
| KR20010082662A (ko) * | 2000-02-15 | 2001-08-30 | 이데이 노부유끼 | 발광 디바이스 및 그것을 사용하는 광학 디바이스 |
| JP2007053410A (ja) * | 2006-11-28 | 2007-03-01 | Sony Corp | 発光装置の製造方法 |
| JP2015070123A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 沖電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール及びその製造方法 |
| US9171742B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-10-27 | Globalfoundries U.S. 2 Llc | Alignment of integrated circuit chip stack |
-
1994
- 1994-09-05 JP JP21131094A patent/JPH0878772A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2334144A (en) * | 1998-02-04 | 1999-08-11 | Mitel Semiconductor Ab | Multiple function optical module |
| GB2334142A (en) * | 1998-02-04 | 1999-08-11 | Mitel Semiconductor Ab | Multiple function optical module |
| GB2334144B (en) * | 1998-02-04 | 2002-11-27 | Mitel Semiconductor Ab | Multiple function optical module having electromagnetic shielding |
| KR20010082662A (ko) * | 2000-02-15 | 2001-08-30 | 이데이 노부유끼 | 발광 디바이스 및 그것을 사용하는 광학 디바이스 |
| US6956322B2 (en) | 2000-02-15 | 2005-10-18 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device with stacked light emitting elements |
| US7119487B2 (en) | 2000-02-15 | 2006-10-10 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device with stacked light emitting elements |
| CN100395927C (zh) * | 2000-02-15 | 2008-06-18 | 索尼株式会社 | 发光器件及使用该发光器件的光学装置 |
| JP2007053410A (ja) * | 2006-11-28 | 2007-03-01 | Sony Corp | 発光装置の製造方法 |
| US9171742B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-10-27 | Globalfoundries U.S. 2 Llc | Alignment of integrated circuit chip stack |
| JP2015070123A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 沖電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール及びその製造方法 |
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