JP2540298Y2 - マルチビーム半導体レーザ装置 - Google Patents
マルチビーム半導体レーザ装置Info
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- JP2540298Y2 JP2540298Y2 JP1990006062U JP606290U JP2540298Y2 JP 2540298 Y2 JP2540298 Y2 JP 2540298Y2 JP 1990006062 U JP1990006062 U JP 1990006062U JP 606290 U JP606290 U JP 606290U JP 2540298 Y2 JP2540298 Y2 JP 2540298Y2
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- JP
- Japan
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- chips
- semiconductor laser
- chip
- heat sink
- laser device
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Description
【考案の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本考案は、ヒートシンク上に、複数の半導体レーザチ
ップをハイブリッドに集積した半導体レーザ装置に関す
る。
ップをハイブリッドに集積した半導体レーザ装置に関す
る。
（ロ）従来の技術 現在、光情報処理用機器の光源として半導体レーザが
多く用いられている。この中で書換可能な光情報処理用
機器の光源として、２つの異なる特性を有する２ビーム
半導体レーザ装置が提案されている。異なる特性の組み
合わせとしては、高出力レーザと低雑音レーザ、あるい
は夫々波長の異なるレーザなどがある。例えば、高出力
レーザと低雑音レーザを同一半導体基板上に集積した所
謂モノリシック型のものは1986年春季応用物理学会予稿
集2P−Ｋ−12に開示されている。
多く用いられている。この中で書換可能な光情報処理用
機器の光源として、２つの異なる特性を有する２ビーム
半導体レーザ装置が提案されている。異なる特性の組み
合わせとしては、高出力レーザと低雑音レーザ、あるい
は夫々波長の異なるレーザなどがある。例えば、高出力
レーザと低雑音レーザを同一半導体基板上に集積した所
謂モノリシック型のものは1986年春季応用物理学会予稿
集2P−Ｋ−12に開示されている。
しかし乍ら、斯る先行技術のようなモノリシック型の
２ビーム半導体レーザ装置ではその構造が複雑なため、
製造が困難である。そこで、このような複数のレーザビ
ームを出射する半導体レーザ装置には、ヒートシンク上
に各出力のレーザチップを個別に並置したハイブリッド
型の構造が用いられている。斯るハイブリッド型の半導
体レーザ装置の構造については、例えば、SANYO TECHNI
CAL REVIEW VOL.20,NO.1（1988）,P.8を参照されたい。
２ビーム半導体レーザ装置ではその構造が複雑なため、
製造が困難である。そこで、このような複数のレーザビ
ームを出射する半導体レーザ装置には、ヒートシンク上
に各出力のレーザチップを個別に並置したハイブリッド
型の構造が用いられている。斯るハイブリッド型の半導
体レーザ装置の構造については、例えば、SANYO TECHNI
CAL REVIEW VOL.20,NO.1（1988）,P.8を参照されたい。
（ハ）考案が解決しようとする課題 然るに、斯る２ビーム半導体レーザ装置においては、
一方のチップで発生する熱がヒートシンクを通じて他方
のチップに伝わり、その出力特性に影響を与えるといっ
た問題を有している。また、ハイブリッド型の半導体レ
ーザ装置においては、その製造の際に、通常２〜300μ
ｍ角、厚さ100μｍの微小なレーザチップを並設する工
程が必要なため、レーザビームの間隔を小さくするほど
チップの位置合わせが難しくなり、組立工程の作業が煩
雑となる。
一方のチップで発生する熱がヒートシンクを通じて他方
のチップに伝わり、その出力特性に影響を与えるといっ
た問題を有している。また、ハイブリッド型の半導体レ
ーザ装置においては、その製造の際に、通常２〜300μ
ｍ角、厚さ100μｍの微小なレーザチップを並設する工
程が必要なため、レーザビームの間隔を小さくするほど
チップの位置合わせが難しくなり、組立工程の作業が煩
雑となる。
（ニ）課題を解決するための手段 本考案は、複数個の半導体レーザチップがヒートシン
ク上に載置されたマルチビーム半導体レーザ装置におい
て、上記各チップで発生する熱が他のチップに伝わるの
を低減し、該各チップから安定した出力が得られるよう
に、上記ヒートシンクの上記チップ載置面が上記各チッ
プ間に設けられた溝によって分離されていることを特徴
とする。
ク上に載置されたマルチビーム半導体レーザ装置におい
て、上記各チップで発生する熱が他のチップに伝わるの
を低減し、該各チップから安定した出力が得られるよう
に、上記ヒートシンクの上記チップ載置面が上記各チッ
プ間に設けられた溝によって分離されていることを特徴
とする。
（ホ）作用 本考案によれば、ヒートシンクのチップ載置面の各半
導体レーザチップ間に溝を設け、各チップ毎に載置面を
分離することによって、各チップで発生する熱が他のチ
ップに伝わりにくくなり、熱によるチップ相互の影響が
低減される。また、チップ載置面の、上記溝を挟む端辺
に合わせて、レーザチップを載置すれば、容易に各レー
ザチップの位置合わせが行える。
導体レーザチップ間に溝を設け、各チップ毎に載置面を
分離することによって、各チップで発生する熱が他のチ
ップに伝わりにくくなり、熱によるチップ相互の影響が
低減される。また、チップ載置面の、上記溝を挟む端辺
に合わせて、レーザチップを載置すれば、容易に各レー
ザチップの位置合わせが行える。
（ヘ）実施例 第１図に本考案の一実施例を示す。
図において、（１）は1mm角、厚さ400μｍのSiからな
るヒートシンクで、その表面の中央部には幅20μｍ、深
さ200μｍのストライプ状の溝（２）が形成されてい
る。（３）（４）は夫々幅300μｍ、共振器長250μｍ、
厚さ100μｍの半導体レーザチップで、チップ（３）は
波長830nm、最大動作出力50mWのシングルモード特性を
有し、チップ（４）は波長780nm、最大動作出力5mWのマ
ルチモード特性を有する。また、各チップ（３）（４）
はそのレーザ共振器方向を溝（２）のストライプ方向に
一致させると共に、夫々の一側面を、溝（２）によって
形成される端辺（11）（12）に合わせて、ヒートシンク
（１）表面に載置固着される。ここで、各チップの発光
点は上記一側面から夫々40μｍの距離にあり、各レーザ
ビームの間隔は100μｍである。
るヒートシンクで、その表面の中央部には幅20μｍ、深
さ200μｍのストライプ状の溝（２）が形成されてい
る。（３）（４）は夫々幅300μｍ、共振器長250μｍ、
厚さ100μｍの半導体レーザチップで、チップ（３）は
波長830nm、最大動作出力50mWのシングルモード特性を
有し、チップ（４）は波長780nm、最大動作出力5mWのマ
ルチモード特性を有する。また、各チップ（３）（４）
はそのレーザ共振器方向を溝（２）のストライプ方向に
一致させると共に、夫々の一側面を、溝（２）によって
形成される端辺（11）（12）に合わせて、ヒートシンク
（１）表面に載置固着される。ここで、各チップの発光
点は上記一側面から夫々40μｍの距離にあり、各レーザ
ビームの間隔は100μｍである。
而して、本実施例装置においては、溝（２）によっ
て、各チップ（３）（４）間における熱の伝導経路長が
長くなり、熱エネルギーが伝導経路途中で十分減衰され
るため、各チップ（３）（４）で発生した熱は他方のチ
ップに伝わりにくくなる。したがって、本実施例装置で
は、チップ間相互の熱干渉が低減され、各チップ（３）
（４）から安定した出力特性が得られる。また、各チッ
プ（３）（４）間の光軸等の位置合わせは、溝（２）に
よって形成される端辺（11）（12）に合わせて、ヒート
シンク（１）表面に載置するだけで容易に行えることが
でき、さらに溝（２）の幅を変えることによって、各チ
ップから出射されるレーザビームの間隔を任意に設定で
きる。
て、各チップ（３）（４）間における熱の伝導経路長が
長くなり、熱エネルギーが伝導経路途中で十分減衰され
るため、各チップ（３）（４）で発生した熱は他方のチ
ップに伝わりにくくなる。したがって、本実施例装置で
は、チップ間相互の熱干渉が低減され、各チップ（３）
（４）から安定した出力特性が得られる。また、各チッ
プ（３）（４）間の光軸等の位置合わせは、溝（２）に
よって形成される端辺（11）（12）に合わせて、ヒート
シンク（１）表面に載置するだけで容易に行えることが
でき、さらに溝（２）の幅を変えることによって、各チ
ップから出射されるレーザビームの間隔を任意に設定で
きる。
以上、本実施例では２つのチップを並設した２ビーム
レーザについて説明したが、これに限ることなく３つ以
上のチップを並設したマルチビームレーザにおいても同
様の効果があることは勿論である。また、ヒートシンク
（１）の材料もSiに限ることなく、より放熱性の良いCB
N（キュービックボロンナイトライド）やSiC（シリコン
カーバイド）等を用いても良い。
レーザについて説明したが、これに限ることなく３つ以
上のチップを並設したマルチビームレーザにおいても同
様の効果があることは勿論である。また、ヒートシンク
（１）の材料もSiに限ることなく、より放熱性の良いCB
N（キュービックボロンナイトライド）やSiC（シリコン
カーバイド）等を用いても良い。
第２図は本考案の他の実施例を示し、第１図と同じ物
には同番号を付し、説明を省略する。本実施例装置の第
１図と異なるところは、ヒートシンクが２つ（1a）（1
b）に分割され、ステム（５）上に20μｍの間隔をもっ
て並設されていることである。即ち、本実施例において
もヒートシンク（1a）（1b）間に形成される溝（２）に
よって、各チップ（３）（４）間の熱干渉は低減され
る。また、この場合、その組立て工程において、ヒート
シンク（1a）（1b）を並設する工程が必要であるが、各
ヒートシンクの大きさがチップ（３）（４）に比して十
分に大きいため、その位置合わせは容易に行える。さら
に本実施例においては、高出力型のレーザチップ（３）
が載置されるヒートシンク（1a）にのみ、CBN、SiC等の
高価であるが放熱性の高い材料を用いれば、製造コスト
の上昇を極力抑えつつ、チップ（３）の安定した高出力
動作を得ることができる。
には同番号を付し、説明を省略する。本実施例装置の第
１図と異なるところは、ヒートシンクが２つ（1a）（1
b）に分割され、ステム（５）上に20μｍの間隔をもっ
て並設されていることである。即ち、本実施例において
もヒートシンク（1a）（1b）間に形成される溝（２）に
よって、各チップ（３）（４）間の熱干渉は低減され
る。また、この場合、その組立て工程において、ヒート
シンク（1a）（1b）を並設する工程が必要であるが、各
ヒートシンクの大きさがチップ（３）（４）に比して十
分に大きいため、その位置合わせは容易に行える。さら
に本実施例においては、高出力型のレーザチップ（３）
が載置されるヒートシンク（1a）にのみ、CBN、SiC等の
高価であるが放熱性の高い材料を用いれば、製造コスト
の上昇を極力抑えつつ、チップ（３）の安定した高出力
動作を得ることができる。
（ト）考案の効果 本考案によれば、ヒートシンクのチップ載置面の各半
導体レーザチップ間に溝を設け、各チップ毎に載置面を
分離することによって、一方のチップで発生した熱が他
方のチップに伝わりにくくなり、各チップ間の熱干渉が
低減され、安定した出力特性が得られる。また本考案に
おいては、上記熱干渉の低減に有益なヒートシンクの溝
を利用してレーザチップを載置することにより、容易に
各チップの位置合わせを行うこともできるので、製造効
率の向上が図れる。
導体レーザチップ間に溝を設け、各チップ毎に載置面を
分離することによって、一方のチップで発生した熱が他
方のチップに伝わりにくくなり、各チップ間の熱干渉が
低減され、安定した出力特性が得られる。また本考案に
おいては、上記熱干渉の低減に有益なヒートシンクの溝
を利用してレーザチップを載置することにより、容易に
各チップの位置合わせを行うこともできるので、製造効
率の向上が図れる。
第１図（ａ）及び（ｂ）は夫々本考案装置の一実施例を
示す平面図及び正面図、第２図は本考案の他の実施例を
示す正面図である。
示す平面図及び正面図、第２図は本考案の他の実施例を
示す正面図である。
Claims (1)
- 【請求項１】複数個の半導体レーザチップがヒートシン
ク上に載置されたマルチビーム半導体レーザ装置におい
て、上記各チップで発生する熱が他のチップに伝わるの
を低減し、該各チップから安定した出力が得られるよう
に、上記ヒートシンクの上記チップ載置面が上記各チッ
プ間に設けられた溝によって分離されていることを特徴
とするマルチビーム半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990006062U JP2540298Y2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | マルチビーム半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990006062U JP2540298Y2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | マルチビーム半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397952U JPH0397952U (ja) | 1991-10-09 |
| JP2540298Y2 true JP2540298Y2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=31509745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990006062U Expired - Lifetime JP2540298Y2 (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | マルチビーム半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2540298Y2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5631918A (en) * | 1993-11-22 | 1997-05-20 | Xerox Corporation | Laser diode arrays with close beam offsets |
| JP4778627B2 (ja) * | 2001-04-04 | 2011-09-21 | シチズンファインテックミヨタ株式会社 | レーザダイオード用サブマウント及びその製造方法 |
| JP2006253391A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP5165541B2 (ja) * | 2008-11-21 | 2013-03-21 | ダイトロンテクノロジー株式会社 | 検査治具及び検査装置 |
| JP6220577B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2017-10-25 | 湖北工業株式会社 | 光デバイス用の金属製筐体および光デバイス |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0334385A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-14 | Nec Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP1990006062U patent/JP2540298Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0397952U (ja) | 1991-10-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |