JPH02106989A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH02106989A JPH02106989A JP26188388A JP26188388A JPH02106989A JP H02106989 A JPH02106989 A JP H02106989A JP 26188388 A JP26188388 A JP 26188388A JP 26188388 A JP26188388 A JP 26188388A JP H02106989 A JPH02106989 A JP H02106989A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- monitor
- beams
- chip
- stepped
- face
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この自明は多点゛ｒレイレーザ装置の独立モニターとし
た半導体レーザ装置に関するものである。
た半導体レーザ装置に関するものである。
第２図は従来の２点アレイレーザ装ｍを示す概略説明斜
視図であり１図において、（１）は２点アレイレーザチ
ップ（以下、 ＬＤチップと略す’） 、 （２）はサ
ブマウント、 （３）はヒートシンク、（４）ｉ！ステ
ム。
視図であり１図において、（１）は２点アレイレーザチ
ップ（以下、 ＬＤチップと略す’） 、 （２）はサ
ブマウント、 （３）はヒートシンク、（４）ｉ！ステ
ム。
（５ａ） Ｖｉレーザ光Ａ、（５ｂ）はレーザ光Ｂ＆（
６ａ）はモニター光Ａ、（６ｂ）Ｖｉモニター光Ｂ、（
７）はモニター用ＰＤ、（８）はＬＤチップ（１）の前
端面、（９）はＬＤチップ（１）の後端面、 ＱＯはス
テム（４）上に形成された傾斜部である。
６ａ）はモニター光Ａ、（６ｂ）Ｖｉモニター光Ｂ、（
７）はモニター用ＰＤ、（８）はＬＤチップ（１）の前
端面、（９）はＬＤチップ（１）の後端面、 ＱＯはス
テム（４）上に形成された傾斜部である。
次に動作について説明する。ステム（４）上にヒートシ
ンク（３）、サブマウント（２） 、 Ｌ Ｏチップ（
１） ？積層接合させ、モニター光（６ａ）、（６ｂ）
が入射される位置のステム（４）上にモニタ用Ｐ Ｄ
（７）を設置する□ＬＤチップ（１）は、ＰＭ接合に垂
直に電流を流すことＫより＆ＴＪＤチップ（１）の前端
面（８）よりレーザ光Ａ （５ａ）。
ンク（３）、サブマウント（２） 、 Ｌ Ｏチップ（
１） ？積層接合させ、モニター光（６ａ）、（６ｂ）
が入射される位置のステム（４）上にモニタ用Ｐ Ｄ
（７）を設置する□ＬＤチップ（１）は、ＰＭ接合に垂
直に電流を流すことＫより＆ＴＪＤチップ（１）の前端
面（８）よりレーザ光Ａ （５ａ）。
Ｂ （５ｂ）が出射され、同時に、後端面（９）よりモ
ニター光Ａ （６ａ）、 Ｂ （６ｂ）が出射される。
ニター光Ａ （６ａ）、 Ｂ （６ｂ）が出射される。
モニター光Ａ（６ａ）、 Ｂ （６ｂ）はモニター用Ｐ
Ｄ（７）へ入射し、′電気信号に変換され、外部のＡＰ
Ｏ回路により、レーザ光Ａ （５ａ）、 Ｂ （５ｂ）
の光出力をｆｖＩ御するため用＾られる。また、モニタ
ー用ＰＤ（７）は、モニター光Ａ（６ａ）、 Ｂ （６
ｂ）のＰＤ衣表面らの反射光によるレーザ光Ａ （５ａ
）、 Ｂ （５１））の戻り光ノイズを防ぐため、ステ
ム（４）に形成された傾斜部ＱＯ上にダイボンドされ。
Ｄ（７）へ入射し、′電気信号に変換され、外部のＡＰ
Ｏ回路により、レーザ光Ａ （５ａ）、 Ｂ （５ｂ）
の光出力をｆｖＩ御するため用＾られる。また、モニタ
ー用ＰＤ（７）は、モニター光Ａ（６ａ）、 Ｂ （６
ｂ）のＰＤ衣表面らの反射光によるレーザ光Ａ （５ａ
）、 Ｂ （５１））の戻り光ノイズを防ぐため、ステ
ム（４）に形成された傾斜部ＱＯ上にダイボンドされ。
ＬＤチップ（１）Ｋ対し適度な角度を設けるように設置
されている。
されている。
〔自明が解決しようとするＩｌ１題〕
従来の多点テレイレーザ装置は１以上のように耐酸され
ていたので、各々のモニター光は同一のモニター用ＰＤ
で受光され、各４のレーザ光を独立にＡＰＯ駆動するこ
とができないという問題点があった。
ていたので、各々のモニター光は同一のモニター用ＰＤ
で受光され、各４のレーザ光を独立にＡＰＯ駆動するこ
とができないという問題点があった。
この自明け、上記のような問題点全解決するためになさ
れたもので、′４点アレイレーザ装置の各々のモニター
光を１つずつ別のモニター用ＰＤで受光し、各々のレー
ザ光を、１′）１つ別のＡＰＯ回路により独立制御でき
る半導体レーザ装置を得ること？目的とする０ 〔Ｂ題を解決するだめの手段〕 この発明に係る多点アレイレーザ装置は８１サブマウン
トに段部を形成し、この段部境界面に各々のモニター光
を、別々にモニターするＰＤを拡散により形成し、各モ
ニター光が各々干渉しない様に。
れたもので、′４点アレイレーザ装置の各々のモニター
光を１つずつ別のモニター用ＰＤで受光し、各々のレー
ザ光を、１′）１つ別のＡＰＯ回路により独立制御でき
る半導体レーザ装置を得ること？目的とする０ 〔Ｂ題を解決するだめの手段〕 この発明に係る多点アレイレーザ装置は８１サブマウン
トに段部を形成し、この段部境界面に各々のモニター光
を、別々にモニターするＰＤを拡散により形成し、各モ
ニター光が各々干渉しない様に。
各々のモニター用ＰＤ間に突起部を設け、同時Ｋ。
段部境界面をＬＤチップ後端而面対し適度な角度を設け
る様にしたものである。
る様にしたものである。
この自明における多点テレイレーザ装置は、各々のモニ
ター光が干渉することなく別々のモニター用ＰＤで受光
され、各レーザ光を独立に制御良くＡＰＯ駆動できると
ともに、モニター用ＰＤ表面からの戻り光によるノイズ
を防ぐ〇 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。＠１
図において、（１）はＬＤチップ、 （５ａ）はレー
ザ光Ａ、（５ｂ）＃：ｔレーザ光Ｂ、（６ａ）ｕモニタ
ー光Ａ、（６１））はモニター光Ｂ 、 （８）はＬＤ
チップ（１）の前端面、（９）ＶｉＬＤチップ（１）の
後４面、αＤは段付Ｓ１サブマウント、（２）は段付Ｂ
１サブマウントαＢの低面部、ＣＪＪｊは段部境界面、
（１４１Ｌ）は段部境界面に形成したモニター用ＰＤ
Ａ、 （１４ｂ） Ｖｉ同面に形成したモニター用ＰＤ
Ｂ、ＱｆＳはモ＝４−用ｐｐＡ（１４ａ） 、Ｂ （１
ａｂ）の間に形成した突起部である。
ター光が干渉することなく別々のモニター用ＰＤで受光
され、各レーザ光を独立に制御良くＡＰＯ駆動できると
ともに、モニター用ＰＤ表面からの戻り光によるノイズ
を防ぐ〇 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。＠１
図において、（１）はＬＤチップ、 （５ａ）はレー
ザ光Ａ、（５ｂ）＃：ｔレーザ光Ｂ、（６ａ）ｕモニタ
ー光Ａ、（６１））はモニター光Ｂ 、 （８）はＬＤ
チップ（１）の前端面、（９）ＶｉＬＤチップ（１）の
後４面、αＤは段付Ｓ１サブマウント、（２）は段付Ｂ
１サブマウントαＢの低面部、ＣＪＪｊは段部境界面、
（１４１Ｌ）は段部境界面に形成したモニター用ＰＤ
Ａ、 （１４ｂ） Ｖｉ同面に形成したモニター用ＰＤ
Ｂ、ＱｆＳはモ＝４−用ｐｐＡ（１４ａ） 、Ｂ （１
ａｂ）の間に形成した突起部である。
次に動作について説明するＯＬＤチップ（１）は段付８
１サブマウントαＢの低面部（２）Ｋダイボンドされ。
１サブマウントαＢの低面部（２）Ｋダイボンドされ。
ＬＤチップ（１）ＶｉｐＮ接合に垂直に電流を流すこと
Ｋより、 ＬＤチップ（１）の前端面（８）よりレーザ
光Ａ （５ａ）。
Ｋより、 ＬＤチップ（１）の前端面（８）よりレーザ
光Ａ （５ａ）。
Ｂ（５ｂ）が出射され、同時に後端面（９）よりモニタ
ー光Ａ （６ａ）、Ｂ （６ｂ）が出射される。モニタ
ー光Ａ（６ａ）、 Ｂ（６ｂ）は、各々、突起部α９に
より、相互干渉することなく１段部境界面αｊに形成し
たモニター用ＰＤ Ａ （１４ａ）、 Ｂ （１４１：
＋）に各々受光される０レーザ光Ａ （５ａ）、 Ｂ
（５ｂ）は各々モニター用ＰＤ Ａ （１４ａ）。
ー光Ａ （６ａ）、Ｂ （６ｂ）が出射される。モニタ
ー光Ａ（６ａ）、 Ｂ（６ｂ）は、各々、突起部α９に
より、相互干渉することなく１段部境界面αｊに形成し
たモニター用ＰＤ Ａ （１４ａ）、 Ｂ （１４１：
＋）に各々受光される０レーザ光Ａ （５ａ）、 Ｂ
（５ｂ）は各々モニター用ＰＤ Ａ （１４ａ）。
Ｂ（１４ｂ）によってモニター光を別々の電気信号に変
換され別々のＡＰＯ回路により、光出力を制ωすする。
換され別々のＡＰＯ回路により、光出力を制ωすする。
同時に１段部境界面Ｑ３ｔｆｂＤチップ（１）の後幅面
（９）に対し、モニ／ｊ−朗ＰＤからの反射光による戻
り光ノイズを防止するため、適度な傾斜角が設けられて
いる。
（９）に対し、モニ／ｊ−朗ＰＤからの反射光による戻
り光ノイズを防止するため、適度な傾斜角が設けられて
いる。
なお、上記実施例でＶｉ２点丁レイレーザ装置の場合に
ついて説明したが２点以北の多点ルイレーザ装置で１段
部境界面（至）に、独立駆動心髄な数のモニター用ＰＤ
を形成し、各ＰＤ間に各レーザ光が干渉しない様に、突
起部を設けてもよい０（自明の効果〕 以上のようにこの自明によれば、多点アレイレーザ装置
において、各モニター光を別々のモニター、用ＰＤで受
光し、別々のＡＰＯ駆動できるので、各々のレーザ光を
独立に制御でき、また戻り光によるノイズの防止が可能
で、同時に、小型で簡単な精度の高い量産性に優れた半
導体レーザ装置が得られる効果がある。
ついて説明したが２点以北の多点ルイレーザ装置で１段
部境界面（至）に、独立駆動心髄な数のモニター用ＰＤ
を形成し、各ＰＤ間に各レーザ光が干渉しない様に、突
起部を設けてもよい０（自明の効果〕 以上のようにこの自明によれば、多点アレイレーザ装置
において、各モニター光を別々のモニター、用ＰＤで受
光し、別々のＡＰＯ駆動できるので、各々のレーザ光を
独立に制御でき、また戻り光によるノイズの防止が可能
で、同時に、小型で簡単な精度の高い量産性に優れた半
導体レーザ装置が得られる効果がある。
＠１図は、この発明の一実施例による２点アレイレーザ
装置を示す概略説明斜視図、第２図は。 従来の２点アレイレーザ装＠を示す概略説明斜視図であ
る。 図において、（ｉ）ｈＬＤチップ、 （５ａ）、（５
ｂ）はレーザ光、 （６ａ）、（６ｂ）はモニター光、
αｎＶ′ｉ段付Ｓ１サブマウント、Ｑ３は段部境界面、
（１４ａ）、（１４ｂ）けモニター用ＰＤ、Ｑ６け突起
部〇 なお１図中、同一符号は同一 又は相当部分を示す。
装置を示す概略説明斜視図、第２図は。 従来の２点アレイレーザ装＠を示す概略説明斜視図であ
る。 図において、（ｉ）ｈＬＤチップ、 （５ａ）、（５
ｂ）はレーザ光、 （６ａ）、（６ｂ）はモニター光、
αｎＶ′ｉ段付Ｓ１サブマウント、Ｑ３は段部境界面、
（１４ａ）、（１４ｂ）けモニター用ＰＤ、Ｑ６け突起
部〇 なお１図中、同一符号は同一 又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 多点アレイレーザ装置において、段付Ｓｉサブマウント
の段部境界面にレーザチップより出射されるモニター光
が各々干渉しないように形成された突起部により分離し
たＰＤを形成し、各モニター光を独立モニターとするこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26188388A JPH02106989A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26188388A JPH02106989A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106989A true JPH02106989A (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=17368089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26188388A Pending JPH02106989A (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02106989A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05343809A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ装置システム |
| US5438586A (en) * | 1992-11-30 | 1995-08-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus with light-emitting element and method for producing it |
| EP0786838A2 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-30 | Hewlett-Packard Company | Laser based light source using diffraction, scattering or transmission |
| US5771254A (en) * | 1996-01-25 | 1998-06-23 | Hewlett-Packard Company | Integrated controlled intensity laser-based light source |
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
| US6932522B2 (en) | 1998-12-30 | 2005-08-23 | Finisar Corporation | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
| KR100556457B1 (ko) * | 1998-10-07 | 2006-04-21 | 엘지전자 주식회사 | 레이저 다이오드 단면의 코팅 특성 측정 장치 및 그의 측정 방법 |
-
1988
- 1988-10-17 JP JP26188388A patent/JPH02106989A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05343809A (ja) * | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ装置システム |
| US5438586A (en) * | 1992-11-30 | 1995-08-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus with light-emitting element and method for producing it |
| EP0786838A2 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-30 | Hewlett-Packard Company | Laser based light source using diffraction, scattering or transmission |
| EP0786838A3 (en) * | 1996-01-25 | 1997-10-08 | Hewlett Packard Co | Laser light source with a diffractive, scattering or transmissive element |
| US5771254A (en) * | 1996-01-25 | 1998-06-23 | Hewlett-Packard Company | Integrated controlled intensity laser-based light source |
| US5809050A (en) * | 1996-01-25 | 1998-09-15 | Hewlett-Packard Company | Integrated controlled intensity laser-based light source using diffraction, scattering and transmission |
| KR100556457B1 (ko) * | 1998-10-07 | 2006-04-21 | 엘지전자 주식회사 | 레이저 다이오드 단면의 코팅 특성 측정 장치 및 그의 측정 방법 |
| US6932522B2 (en) | 1998-12-30 | 2005-08-23 | Finisar Corporation | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8000360B2 (en) | Laser diode assemblies | |
| US5218223A (en) | Opto-electronic semiconductor component | |
| US20050082550A1 (en) | Semiconductor laser device | |
| US5022035A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPS62260384A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02106989A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US7729402B2 (en) | Semiconductor laser assembly | |
| JPH08148756A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2001208939A (ja) | 光素子モジュール、モニタ付レーザチップの製造方法、積層チップの実装方法、光素子モジュールの製造方法 | |
| JP2540298Y2 (ja) | マルチビーム半導体レーザ装置 | |
| JPH05183239A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH04352377A (ja) | 半導体レーザ素子用サブマウント | |
| JP3464921B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| KR102239822B1 (ko) | 다채널 구동 표면실장 타입 레이저 다이오드 | |
| JPH0429582Y2 (ja) | ||
| JP3318083B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH01253983A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH04359582A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0316290A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0635493Y2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH01160073A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0621264Y2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH11284273A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2002232051A (ja) | 光送信器及びその製造方法 | |
| JPH04352376A (ja) | 半導体レーザ素子用サブマウント |