JPS63248191A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
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- JPS63248191A JPS63248191A JP8315587A JP8315587A JPS63248191A JP S63248191 A JPS63248191 A JP S63248191A JP 8315587 A JP8315587 A JP 8315587A JP 8315587 A JP8315587 A JP 8315587A JP S63248191 A JPS63248191 A JP S63248191A
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- semiconductor laser
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- receiving surface
- chip
- waveguide
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザチップの一方の出射端面から
の各モニタ用レーザ光をそれぞれ個々の7第1・ダイオ
ードの受光面で受光することを可能にした半導体レーザ
アレイ装置に関するものである。
の各モニタ用レーザ光をそれぞれ個々の7第1・ダイオ
ードの受光面で受光することを可能にした半導体レーザ
アレイ装置に関するものである。
第2図は従来の2点発光型の半導体し・−ザアL・イ装
置の構造を示す斜視図である。
置の構造を示す斜視図である。
この図において、1は半導体L・−ザアレイを構成する
だめの半導体レーザチップ、2,3は前記半導体レーザ
チップ1内に形成された導波路、4゜5は前記導波路2
,3上にそれぞれ形成された電極、6は11]記導波路
2,3のpn接合を電気的に分離ずろためのアレイ分離
溝、7は前記半導体し7−ザチツプ1を取り付けた金属
放熱ブロック、8は前記導波路2,3の出射端面より下
方に放出された裏面光、すなわらモニタ用レーザ光を受
光するためのフォトダイオードチップ、9は前記7rト
ダイオードチップ8上に形成されている受光面、10は
前記金属放熱ブロック7と前記フt)・タイオー トチ
ツブ8を斉:且み立てろためのステムである。。
だめの半導体レーザチップ、2,3は前記半導体レーザ
チップ1内に形成された導波路、4゜5は前記導波路2
,3上にそれぞれ形成された電極、6は11]記導波路
2,3のpn接合を電気的に分離ずろためのアレイ分離
溝、7は前記半導体し7−ザチツプ1を取り付けた金属
放熱ブロック、8は前記導波路2,3の出射端面より下
方に放出された裏面光、すなわらモニタ用レーザ光を受
光するためのフォトダイオードチップ、9は前記7rト
ダイオードチップ8上に形成されている受光面、10は
前記金属放熱ブロック7と前記フt)・タイオー トチ
ツブ8を斉:且み立てろためのステムである。。
なお、この図では、簡略化のため半導体レーザデツプ1
の一方の電極27オ1−ダイオードチップ8の電極、半
導体レーザチップ1およびフォトダイオードチップ8の
p−n接合、リード線、半田材等が省略されている。
の一方の電極27オ1−ダイオードチップ8の電極、半
導体レーザチップ1およびフォトダイオードチップ8の
p−n接合、リード線、半田材等が省略されている。
次に動作について説明する、1
電極4,5を通して半導体レーザチップ1に電流を流す
ことにより導波路2,3のそれぞれについてレーザ発振
する。Jこのし・−ザ光(よ、電極4゜5を流れろ電流
をそれぞれ制御することにより別々に制御され、2点発
光型のレー・プアレイ装置としてず走用できる。
ことにより導波路2,3のそれぞれについてレーザ発振
する。Jこのし・−ザ光(よ、電極4゜5を流れろ電流
をそれぞれ制御することにより別々に制御され、2点発
光型のレー・プアレイ装置としてず走用できる。
通常、レーザ光は第2図で示した半導体レーザ千ツブ1
の上側の共振器端面より上方に取り出されて主ビームと
して使用され、一方、その下側の共振器端面より下方に
放出されたレーザ光は、その出力を制御するためのモニ
タ光として(走用され、7第1・ダイオードチップ8の
受光面9で受光される。
の上側の共振器端面より上方に取り出されて主ビームと
して使用され、一方、その下側の共振器端面より下方に
放出されたレーザ光は、その出力を制御するためのモニ
タ光として(走用され、7第1・ダイオードチップ8の
受光面9で受光される。
上記のような従来の半導体レーザアレイ装置では、両方
の導波路2,3の出射端面より放出されたモニタ用レー
ザ光が1つのフォトダイオードチップ8の受光面9で受
光されるため、2つのモニタ用レーザ光を別々に制御す
ることができないという間:a点があっlこ。
の導波路2,3の出射端面より放出されたモニタ用レー
ザ光が1つのフォトダイオードチップ8の受光面9で受
光されるため、2つのモニタ用レーザ光を別々に制御す
ることができないという間:a点があっlこ。
乙の発明は、かかる問題点をR’4決するためになされ
たもので、半導体レーザチ・ツブの各レーザ光をそれぞ
れ別々のモニタ光で制御できる半導体し・−サアレイ装
置を得ることを口約とする。
たもので、半導体レーザチ・ツブの各レーザ光をそれぞ
れ別々のモニタ光で制御できる半導体し・−サアレイ装
置を得ることを口約とする。
この発明に係る半導体レーザアレイ装置は、フォトダイ
オードの受光面を、各モニタ用L・−ザ光をそれぞれI
sI々に受光する構成とするとともに、少なくともその
1つを段違いに配置し、これに対応する半導体レーザ千
ツブの出射端面を、同様に段違いに形成したものである
。
オードの受光面を、各モニタ用L・−ザ光をそれぞれI
sI々に受光する構成とするとともに、少なくともその
1つを段違いに配置し、これに対応する半導体レーザ千
ツブの出射端面を、同様に段違いに形成したものである
。
この発明においては、半導体レーザチップの段遅いに形
成された出射端面より放出される各モニタ用レーザ光が
、その出射端面と段違いの受光面に(よ受光されずに同
一段の受光面でそれぞれ受光される。
成された出射端面より放出される各モニタ用レーザ光が
、その出射端面と段違いの受光面に(よ受光されずに同
一段の受光面でそれぞれ受光される。
第1図はこの発明の半導体し・−ザアレイ装置の一実施
例の構造を示す斜視図である。
例の構造を示す斜視図である。
この図において、第2図と同一符号は同一部分を示し、
1uは半導体レーザアレイを構成するための半導体レー
ザチップで、4波N2.3(7)モニタ用レーザ光が出
射される出射端面が段違いに形成されている。11は前
記電極4,5に対する他方の電極で、電極4,5のよう
に分離されておらず、両導波路2.3が構成されている
半導体レーザチップ1に対して共通電極となっている。
1uは半導体レーザアレイを構成するための半導体レー
ザチップで、4波N2.3(7)モニタ用レーザ光が出
射される出射端面が段違いに形成されている。11は前
記電極4,5に対する他方の電極で、電極4,5のよう
に分離されておらず、両導波路2.3が構成されている
半導体レーザチップ1に対して共通電極となっている。
12a。
12bはフォトダイオ−トチ・7ブ、13a、13bは
受光面で、7第1・ダイオードチップ12a。
受光面で、7第1・ダイオードチップ12a。
12bの表面に形成されている。14は前記フォ1−ダ
イオードチップ12a、12bを段違いに配置して組み
立てるための台座である。
イオードチップ12a、12bを段違いに配置して組み
立てるための台座である。
次に動作について説明する。
それぞれ別々に形成された導波路2,3を含むp −−
n接合には、各電極4,5.11を通じて電流が流され
ると、導波路2,3のそれぞれについて、第1図で示し
た半導体レーザチップ1aの左側の共振器5.′411
fiiと右側の共振器端面との間でレーザ発振する。そ
して、右側の共振器端面は、段違いに形成されて段差が
付けられているので、右側の出射端面の位置は前後にず
れており、共振器の長さが導波路2よりも導波路3が形
成されている部分で長くなっているシ 主レーザビームは導波路2,3の左側の出射、、Ill
向より放出されて1史用される。一方、導波路2゜3の
右側の出射端面から放出されたモニタ用レーザ光のうち
、導波路2の出射端面から放出されたモニタ用レーザ光
はフォトダイオードデツプ12aの受光面13aで、ま
た、導波路3の出射端面から放出されたモニタ用レーザ
光はフォトダイオードチップ12bの受光面13bでと
、それぞれ分離して受光されろ。この時、右側の出射D
J面には段差が付けられているため、導波路2からのモ
ニタ用レーザ光はその出射端面と同一段の受光面13a
でのみ有効に受光され、もう一方の7第1・ダイオード
12bの段違いの受光面13bにはほとんど入射しない
。
n接合には、各電極4,5.11を通じて電流が流され
ると、導波路2,3のそれぞれについて、第1図で示し
た半導体レーザチップ1aの左側の共振器5.′411
fiiと右側の共振器端面との間でレーザ発振する。そ
して、右側の共振器端面は、段違いに形成されて段差が
付けられているので、右側の出射端面の位置は前後にず
れており、共振器の長さが導波路2よりも導波路3が形
成されている部分で長くなっているシ 主レーザビームは導波路2,3の左側の出射、、Ill
向より放出されて1史用される。一方、導波路2゜3の
右側の出射端面から放出されたモニタ用レーザ光のうち
、導波路2の出射端面から放出されたモニタ用レーザ光
はフォトダイオードデツプ12aの受光面13aで、ま
た、導波路3の出射端面から放出されたモニタ用レーザ
光はフォトダイオードチップ12bの受光面13bでと
、それぞれ分離して受光されろ。この時、右側の出射D
J面には段差が付けられているため、導波路2からのモ
ニタ用レーザ光はその出射端面と同一段の受光面13a
でのみ有効に受光され、もう一方の7第1・ダイオード
12bの段違いの受光面13bにはほとんど入射しない
。
また、同様に導波路3からのモニタ用レーザ光も、その
出射端面と段違いの受光面13aにほぼと7しど入射し
ない。
出射端面と段違いの受光面13aにほぼと7しど入射し
ない。
したがって、導波路2,3からのモニタ用L・−ザ光は
、互いに膨管を受ける独立したフォトダイオードデツプ
12a、12bの受光面13a。
、互いに膨管を受ける独立したフォトダイオードデツプ
12a、12bの受光面13a。
13bによってそれぞれ受光されて光電流に変換される
ため、これらのフォトダイオ−):チップ120.12
bの出力を制御用に使えばこの2つの半導体レーザアL
−、(の光出力を別々に制御することができる、。
ため、これらのフォトダイオ−):チップ120.12
bの出力を制御用に使えばこの2つの半導体レーザアL
−、(の光出力を別々に制御することができる、。
なお、上記実施例では2点発光型の半導体レーザアレイ
装置を用いた構成の場合について説明したが、この発明
はこれより多い、例えば3点発光型、4点発光型等の多
点発光型の半導体レーザアレイ装置についても同様に適
用できる。
装置を用いた構成の場合について説明したが、この発明
はこれより多い、例えば3点発光型、4点発光型等の多
点発光型の半導体レーザアレイ装置についても同様に適
用できる。
また、上記実施例では段違いに形成された台座に−)第
1・タイオードを別々に配置した構成としたが、同−千
・ソイ上に段違いの受光面を有する7、l−トタイオー
ドアし・イを設けた構成としてもよい。
1・タイオードを別々に配置した構成としたが、同−千
・ソイ上に段違いの受光面を有する7、l−トタイオー
ドアし・イを設けた構成としてもよい。
この発明は以上説明したとおり、フォトダイオ−1:の
受光面を、各モニタ用レーザ光をそれぞれi、+J々に
受光する構成とするとともに、少な(ともその1つを段
違いに配置し、これに対応する半導体L・−ザチ・・ノ
ブの出射端面を、同様に段違いに形成したので、各モニ
タ用レーザ光を互いに干ルさせろ乙となく個別に受光で
き、その出力によって各レーザ光を独立して制御するこ
とができるという効果がある。
受光面を、各モニタ用レーザ光をそれぞれi、+J々に
受光する構成とするとともに、少な(ともその1つを段
違いに配置し、これに対応する半導体L・−ザチ・・ノ
ブの出射端面を、同様に段違いに形成したので、各モニ
タ用レーザ光を互いに干ルさせろ乙となく個別に受光で
き、その出力によって各レーザ光を独立して制御するこ
とができるという効果がある。
第1図はこの発明の半導体レーザアシ・イ装置の一実施
例を示す斜視図、第2図は従来の半導体レーザアレイ装
置の構造を示す斜視図である。 図において、1aは半導体レーザチップ、2゜3ば導波
路、d、5,11は電極、6ばアレイ分離溝、12a、
12bは)第1・ダイオードチップ、13a、13bは
受光面、14は台座である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 111’a 513′a1’2a 第2図
例を示す斜視図、第2図は従来の半導体レーザアレイ装
置の構造を示す斜視図である。 図において、1aは半導体レーザチップ、2゜3ば導波
路、d、5,11は電極、6ばアレイ分離溝、12a、
12bは)第1・ダイオードチップ、13a、13bは
受光面、14は台座である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 111’a 513′a1’2a 第2図
Claims (1)
- 複数の導波路を有し、これらの各導波路がアレイ分離溝
により電気的に分離された半導体レーザアレイを構成す
る半導体レーザチップと、この半導体レーザチップの各
導波路の一方の出射端面に近接して配置され、前記出射
端面より放出されるモニタ用レーザ光をその受光面で受
光するフォトダイオードとを備えた半導体レーザアレイ
装置において、前記フォトダイオードの受光面を、各モ
ニタ用レーザ光をそれぞれ個々に受光する構成とすると
ともに、少なくともその1つを段違いに配置し、これに
対応する前記半導体レーザチップの出射端面を、同様に
段違いに形成したことを特徴とする半導体レーザアレイ
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8315587A JPS63248191A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8315587A JPS63248191A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63248191A true JPS63248191A (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=13794353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8315587A Pending JPS63248191A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63248191A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003088436A1 (fr) * | 2002-04-15 | 2003-10-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Appareil de controle de longueur d'onde |
-
1987
- 1987-04-03 JP JP8315587A patent/JPS63248191A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003088436A1 (fr) * | 2002-04-15 | 2003-10-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Appareil de controle de longueur d'onde |
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