JPH0621264Y2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、マルチビーム型の半導体レーザチツプの前
端面および後端面から出射されるレーザビームのうち、
後端面からの後方出射ビームを受光素子により受光して
レーザ出力を制御する半導体レーザ装置に関する。

〔従来の技術〕

一般に、書換型光デイスク用の光ヘツドの光学系は、半
導体レーザ等の光源からのビームを消去用，書込用，再
生用に使用するため、その構成が非常に複雑になり、し
かも書換時間が長くなるなどの不都合がある。

そこで従来、１個のレーザチツプから，たとえばデイス
クの消去，書込，再生用として３本のレーザビームをそ
れぞれ独立に出射できるようにしたマルチビームタイプ
の半導体レーザ装置が考えられており、このように各レ
ーザビームを独立に制御する場合、使用状況に応じて各
レーザビームの強度を制御する必要があるが、通常半導
体レーザの出力特性が駆動電流や温度の変化に極めて敏
感で，周囲の環境条件に左右され易いため、レーザチツ
プの前端面および後端面から出射されるレーザビームの
うち後端面からの後方出射ビームを受光素子により受光
してその強度を測定し、レーザビームの強度が所定強度
になるように供給電力を制御する，いわゆるＡＰＣ〔Au
tomatic Power Control〕と呼ばれる手法が採用されて
おり、このようなＡＰＣ方式を採用したマルチビームタ
イプの半導体レーザ装置の例として、実願昭61−185273
号の出願明細書および図面に記載のものがあり、この種
レーザ装置はたとえば第５図に示すように構成されてい
る。

すなわち、第５図において、(1)は銅などからなる基台
(2a)および基台(2a)に立設された立設体(2b)により構成
されたレーザステム、(3)はステム(1)上に固着されたシ
リコンなどからなるヒートシンク、(4)はヒートシンク
(3)上の前端部に載置された半導体レーザチツプであ
り、前端面，後端面からそれぞれ３本のレーザビームを
出射する。

(5)はシリコンからなる光導波体であり、ヒートシンク
(3)上の中央部から後端部にかけて載置され、下面にレ
ーザチツプ(4)の後端面からの後方出射ビームの光導波
路としての前後方向の３本の溝(6)が形成されている。
このとき、レーザチツプ(4)からの出射レーザビームが
広がるため、隣接ビームが重複する所謂クロストークを
防止するのに光導波体(5)は有効であるが、出力モニタ
用の後方出射ビームのクロストークをいつそう効果的に
防止するために、光導波体(5)をレーザチツプ(4)の後方
に近接して配設し、しかも後述の受光素子の受光面積の
大きさに合うように、光導波体(5)の前端面における各
溝(6)の間隔に比べて光導波体(5)の後端面における各溝
(6)の間隔が広くなるように、各溝(6)を形成すればよ
い。

(7)は３個の受光素子であり、それぞれ１個のマウント
(8)に組み込まれ、光導波体(5)の各溝(6)の後方に配設
されて立設体(2b)に取り付けられており、各溝(6)を介
した後方出射レーザビームをそれぞれ受光してレーザビ
ーム強度を検出し、検出した各レーザビームの強度がそ
れぞれ所定の値になるよう、レーザチツプ(4)への供給
電力が制御される。

〔考案が解決しようとする問題点〕

ところが、この種の半導体レーザ装置では、各溝(6)が
光導波体(5)の下面に形成されており、レーザチツプ
(4)，光導波体(5)，受光素子(7)の取り付けの際、これ
らを顕微鏡により上方から見た場合、光導波体(5)の各
溝(6)の位置を知ることができないため、レーザチツプ
(4)からの各後方出射ビームの光軸と各溝(6)の上方から
見た中心線，さらには各受光素子(7)の中心線と各溝(6)
の中心線とを一致させることができず、レーザビーム強
度を正確に検出することができなくなり、精度よくレー
ザチツプの出力制御を行なうことができないという問題
点がある。

そこで、この考案では、半導体レーザチツプの後方出射
ビームの光軸と光導波体の光導波路の中心線との軸合わ
せを容易に行なえるようにすることを技術的課題とす
る。

〔問題点を解決するための手段〕

この考案は、前記の点に留意してなされたものであり、
前方向および後方向にそれぞれ複数本のレーザビームを
出射する半導体レーザ手段と、前記レーザ手段の後方に
配設された前記各後方出射ビームの光導波路が形成され
た光導波体レーザ手段と、前記光導波体に形成され前記
光導波路の端部の位置を示す位置表示手段と、前記光導
波体の後方に配設され前記各光導波路を介した前記各後
方出射ビームを受光する受光素子とを備えた半導体レー
ザ装置である。

〔作用〕

したがつて、この考案によると、半導体レーザ手段と各
受光素子との間に配設される光導波体の前部および後部
に、各光導波路の端部の位置を示す位置表示手段が設け
られ、半導体レーザ手段，光導波体，各受光素子を顕微
鏡により上方から観察しつつ，クテム等に取り付けを行
なう際に、各光導波路の端部の位置を知ることができる
ため、半導体レーザ手段の後方出射ビームの光軸と各光
導波路，さらには各光導波路と各受光素子との光軸合わ
せを容易に行なえ、レーザビーム強度を正確に検出でき
ることになる。

〔実施例〕

つぎに、この考案を、その実施例を示した第１図ないし
第４図とともに詳細に説明する。

まず、１実施例を示した第１図ないし第３図について説
明する。

第１図において、第５図と同一記号は同一のものもしく
は相当するものを示し、第５図と異なる点は、光導波体
(5)に代わり、レーザチツプ(4)からの後方出射ビームの
光導波路としての３本の溝(9)が下面に形成された光導
波体(10)をレーザチツプ(4)と各受光素子(7)との間に配
設し、光導波体(10)の前端面および後端面に各溝(9)の
端部の位置をそれぞれ示す位置表示手段としての凹部(1
1)を一体に形成した点である。

ところで、このような光導波体(10)を作成する場合、ま
ず第３図(a)に示すように、シリコン基板(12)の上面に
ダイシングにより複数の左右方向の第１の溝(13)を所定
の間隔で平行に形成したのち、同図(b)に示すように、
基板(12)の下面にダイシングにより第１の溝(13)に交差
して各溝(9)を形成し、かつ各溝(9)の上端部と第１の溝
(13)の下端部とを連通し、その後同図(c)に示すよう
に、基板(12)の各第１の溝(13)の下側に第１の溝(13)よ
り幅の狭い左右方向の第２の溝(14)を形成し、かつ第２
の溝(14)と第１の溝(13)とを連通することにより、基板
(12)が分離切断されて光導波体(10)が得られる。

このとき、第２の溝(14)の幅を第１の溝(13)の幅より狭
くしたため、第２の溝(14)により基板(12)を切断したと
きに、切断面に段部が生じ、この段部が前記した凹部(1
1)の上面となり、光導波体(10)を上方から見ると、凹部
(11)の上面である前記段部が見えることになり、各段部
間に各溝(9)の端部が位置していることが容易にわか
る。ただし、凹部(11)の突出の度合，すなわち前記段部
の前後方向の長さは、10〜100μｍ程度でよい。

なお、他の実施例として、第４図に示すように、側方か
ら見て台形状の光導波体(15)の下面に光導波路としての
複数の溝(16)を形成しても、この考案を同様に実施する
ことができ、この場合、光導波体(15)の前面下端部およ
び後面下端部それぞれの前方および後方への突出部(17)
が，位置表示手段として機能することになる。

さらに、位置表示手段は光導波体の上面の前部および後
部にあつてもよく、前記した凹状のものに限らない。

また、光導波路として、光フアイバのような柱状の樹脂
材などを埋設してもよい。

〔考案の効果〕

以上のように、この考案の半導体レーザ装置によると、
光導波体の前部および後部に各光導波路の端部の位置を
示す位置表示手段を設けたため、半導体レーザチツプ，
光導波体，各受光素子を顕微鏡により上方から観察しつ
つ，レーザステム等に取り付けを行なう際に、各光導波
路の端部の位置を知ることができ、半導体レーザチツプ
の後方出射ビームの光軸と各光導波路，さらには各光導
波路と各受光素子との光軸合わせを容易に行なうことが
可能となり、各レーザビームの強度を正確に検出して半
導体レーザチツプの出力制御を精度よく行なうことがで
き、その効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図はこの考案の半導体レーザ装置の実
施例を示し、第１図ないし第３図は１実施例を示し、第
１図は平面図、第２図は光導波体の斜視図、第３図(a)
〜(c)はそれぞれ光導波体の作成途中における側面図、
第４図は他の実施例の側面図、第５図は従来例の右側面
図である。 (4)…半導体レーザチツプ、(7)…受光素子、(9)，(16)
…溝、(10)，(15)…光導波体、(11)…凸部、(17)…突出
部。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】前方向および後方向にそれぞれ複数本のレ
   ーザビームを出射する半導体レーザ手段と、 前記レーザ手段の後方に配設され前記各後方出射ビーム
   の光導波路が形成された光導波体と、 前記光導波体に形成され前記光導波路の端部の位置を示
   す位置表示手段と、 前記光導波体の後方に配設され前記各光導波路を介した
   前記各後方出射ビームを受光する受光素子と を備えた半導体レーザ装置。