JP3642535B2 - 半導体レーザアレイ - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は半導体レーザアレイ、特に並列に発光される各レーザ光をモニタする受光素子をそれぞれ有する半導体レーザアレイに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体レーザは、光ファイバ通信を中心にした通信分野、あるいは光ディスクファイル,ディジタルオーディオディスク,ビデオディスク,レーザビームプリンタ等を中心とする情報端末分野等の光源として使用されている。
【0003】
光磁気ディスク等の光メモリディスクを内蔵する情報端末機器にあっては、組み込まれる半導体レーザは、システムの高速化のため、書き込み用に高出力レーザ、読み出し用に低雑音レーザが用いられている。たとえば、オプトロニクス社発行「オプトロニクス」1986年5月号、5月10日発行、P73〜P79に記載されているように、ビデオディスクにあっては、組み込まれる半導体レーザ(レーザダイオード:LD)は、高出力化,低雑音化が要請されている旨記載されている。また、この文献には、二つの平行なリッジ上に極めて薄い結晶層、すなわち、クラッド層と活性層を形成するとともに、前記クラッド層と活性層との屈折率差を調整して半導体レーザの高出力化を図る技術が開示されている。
【0004】
また、工業調査会発行「電子材料」1987年6月号、同年6月1日発行、P107〜P111には、3 ビーム半導体レーザについて記載されている。この文献には、モノリシック形3ビーム半導体レーザにおいて、LDの出射角が非常に大きいことから、ビーム間のクロストーク(ビームが他の受光素子に漏れる量)を防止するため、レーザチップとホトダイオードとの間にアイソレータを配置した構造が開示されている。
【0005】
一方、特開平5-359582号公報には、2ビームアレイLDチップから出射される2つのモニタ光をそれぞれ独立したモニタ用フオトダイオードで受光し,それぞれ独立したAPC駆動を行える半導体レーザ装置が開示されている。この半導体レーザ装置では、LDチップを支持する支持板(サブマウント)の面に対して受光面が垂直となるとともに、受光面はレーザ光の光軸に対して傾斜した面となっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本出願人においても光ディスシステムの光源として半導体レーザアレイを使用している。この場合、半導体レーザチップを搭載するサブマウントの面の一部に受光素子を設ける構造としていることから、前記文献の場合と同様に、レーザ光のビーム間のクロストークが問題となる場合がある。
【0007】
そこで、本発明者はレーザ光のビーム間のクロストークが起きないように、受光素子間に遮光体となるリッジを形成することを思い立ち本発明をなした。
【0008】
本発明の目的は、レーザ光のビーム間のクロストークが発生しない半導体レーザアレイを提供することにある。
【0009】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。すなわち、本発明の半導体レーザアレイは、サブマウントと、前記サブマウントの主面の一部に固定されかつ半導体レーザ部を複数並列した半導体レーザアレイチップと、前記半導体レーザアレイチップの各半導体レーザ部から発光される後方レーザ光を受光するように前記サブマウントの主面表層部に形成された受光素子部とを有する半導体レーザアレイであって、前記各受光素子と受光素子との間のサブマウント主面には隣接する半導体レーザ部から発光されたレーザ光の交わりを防止する突条(リッジ)からなる遮光体が配設されている。また、遮光体は棒状となり、前記半導体レーザアレイ部から受光素子の外れにまで延在している。このため、前記半導体レーザアレイチップには溝が設けられ、前記溝に前記遮光体が嵌合されている。
【0011】
【作用】
上記した手段によれば、本発明の半導体レーザアレイは、前記サブマウント上の一部に複数の半導体レーザアレイ部を有する半導体レーザチップが搭載されるとともに、前記サブマウントの表層部に受光素子を有する構造となり、かつ前記半導体レーザアレイ部から受光素子の外れにまで延在する遮光体を有していることから、前記半導体レーザアレイ部の一つから出射された後方出射光は、前記サブマウントの主面に沿って広がっても、前記リッジに阻まれて隣の受光素子面には到達しなくなり、レーザ光のビーム間のクロストークが防止できる。
【0012】
また、本発明の半導体レーザアレイにおいては、前記遮光体はリッジからなるとともに、このリッジは半導体レーザアレイチップに設けられた溝に嵌合される構造となり、半導体レーザアレイチップをサブマウントに固定する際の位置決めとして使用でき、組立が容易となる。
【0013】
【実施例】
以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する。図1は本発明の一実施例による半導体レーザアレイの要部を示す模式的斜視図、図2は同じく半導体レーザアレイの一部を切り欠いた状態を示す斜視図、図3は同じくサブマウントと半導体レーザアレイチップとを示す分解斜視図、図4は半導体レーザチップの模式的断面図、図5は同じく半導体レーザアレイの要部を示す模式的断面図である。
【0014】
本実施例では、光素子として、2本のレーザ光(2ビーム)を発光する半導体レーザ部を有する半導体レーザアレイチップを組み込んだ半導体レーザアレイ(半導体レーザ装置)に本発明を適用した例について説明する。
【0015】
半導体レーザアレイ1は、図4に示されるような半導体レーザアレイチップ6を有している。前記半導体レーザアレイチップ6は、p型のGaAsからなるp型半導体基板20と、このp型半導体基板20上に設けられた多層成長層21と、前記多層成長層21を区画(アイソレート)する溝22とからなっている。また、この溝22は半導体レーザアレイチップ6を組み立てる際使用される。
【0016】
図1に示すように、前記溝22によって2つの半導体レーザ部4a,4bが並列状態で形成されることになり、各半導体レーザ部4a,4bからそれぞれレーザ光19a,19bを発光するようになっている。なお、図4において、前記溝22の表面および表面に連なる半導体基板20の主面側の一部は絶縁膜23で覆われている。
【0017】
ここで、両半導体レーザ部4a,4b(図4において右側が半導体レーザ部4a、左側が半導体レーザ部4b)の構成について説明する。半導体レーザ部4a,4bは、それぞれ内部電流狭窄型のCSP(Channeld-Substrate-Planar)構造となっている。CSP構造は、厚さ90μm程度のp型半導体基板20の主面中央にはチャネル(溝)25を有する構造となっている。そして、前記チャネル25の両側には、前記p型半導体基板20の主面に設けられたn型GaAsからなる電流狭窄層26が位置している。前記電流狭窄層26の厚さは1μm程度となっている。前記チャネル25は、p型半導体基板20の表層部にまで到達している。また、前記電流狭窄層26の上には、厚さ0.2μm程度のp型のGaAlAsからなるp型クラッド層27が設けられている。このp型クラッド層27は、前記チャネル25を埋め尽くす構造となっている。したがって、前記チャネル25の部分では、前記p型クラッド層27の厚さは厚くなっている。
【0018】
前記p型クラッド層27の上には、p型のGaAlAsからなる厚さ0.5μm程度の活性層28が設けられている。レーザ光19a,19bは、前記チャネル25上の活性層28部分の両端から発光されるようになる。
【0019】
前記活性層28の上には、厚さ1.5μm程度のn型のGaAlAsからなるn型クラッド層29が設けられているとともに、このn型クラッド層29上には、厚さ5μm程度のn型のGaAsからなるn型キャップ層30が設けられている。
【0020】
前記多層成長層21は、前記電流狭窄層26,p型クラッド層27,活性層28,n型クラッド層29,n型キャップ層30によって構成されている。ただし、これら各層は連続して形成されるわけではなく、前記p型半導体基板20上に電流狭窄層26を形成した後チャネル25が設けられ、その後p型クラッド層27,活性層28,n型クラッド層29,n型キャップ層30を連続して形成される。
【0021】
また、前記n型キャップ層30の表面には、たとえば、Ti/Pt/Auからなるn型電極31a,31bが設けられている。また、n型電極31a,31bが設けられない領域は、前述のように絶縁膜23で被われている。また、図4において、p型半導体基板20の下面には、Mo/Auからなるp型電極32が形成されている。
【0022】
一方、前記半導体レーザアレイチップ6は、図1に示すように、2つの受光素子部2a,2bを主面表層部に有するサブマウント5の主面に固定される。前記サブマウント5は、前記半導体レーザアレイチップ6を載置固定する領域と、前記半導体レーザアレイチップ6の後方レーザ光(モニタ光7a,7b)を受光する受光素子部2a,2bが設けられた領域とを有している。また、前記半導体レーザアレイチップ6を搭載固定する領域から、受光素子部2a,2bが設けられる領域全長に亘って突条(リッジ)3が設けられている。
【0023】
前記リッジ3は、サブマウント5の中央に沿って設けられるとともに、前記半導体レーザアレイチップ6の中央部分に沿って設けられた溝22に丁度一致して嵌合するように形成されている。
【0024】
前記リッジ3は、図1に示すように、半導体レーザアレイチップ6から発光されるモニタ光7a,7bを隣接する受光素子部2a,2bに到達させない遮光体として作用する。これにより、半導体レーザ部4a,4bから発光されるレーザ光19a,19bにおけるビーム間のクロストークが防止される。
【0025】
また、前記サブマウント5は、200μm程度の厚さのp型のシリコン板で形成され、主面には、図5に示すように絶縁膜40が形成されている。前記半導体レーザアレイチップ6が搭載される部分は、前記絶縁膜40が全面に設けられるとともに、AuおよびPb−Snからなる電極10a,10bが設けられている。この電極10a,10b上には、図5に示すように、前記半導体レーザアレイチップ6のn型電極31a,31bが重ねられて固定される。
【0026】
前記受光素子部2a,2bは、前記p型のサブマウント5と、サブマウント5の主面に部分的に設けられたn型領域41とによるpn接合によって形成される。また、前記サブマウント5の主面側には、図1および図5に示すように、前記n型領域41に電気的に繋がるn型電極13a,13bが設けられている。また、前記サブマウント5の裏面には、図5に示すように、p型電極42が設けられている。
【0027】
前記p型電極42部分は、後述するヒートシンク9の先端側面に設けられた導電性からなる接合層43に機械的かつ電気的に接続される。
【0028】
つぎに、前記半導体レーザアレイチップ6を組み込んだ半導体レーザアレイ(半導体レーザ装置)1について、図1および図2を参照しながら説明する。半導体レーザアレイ1は、熱放散性の良好な金属で形成される矩形のステム8の主面中央部に、熱放散性の良好な金属で形成されるヒートシンク9を鑞材で固定した構造となっている。
【0029】
前記ヒートシンク9の先端側面には、図5に示すように、半導体レーザアレイチップ6を搭載したサブマウント5が、接合層43を介して接続される。前記受光素子部2a,2bのp型電極42は、ヒートシンク9およびステム8と電気的に接続される。
【0030】
一方、前記ステム8には、5本のリードが接続されている。2本のリードはレーザダイオード用リード(LD用リード11a,11b)であり、他の2本のリードは受光素子用リード(PD用リード14a,14b)となる。また、残りの1本のリード16は、直接ステム8に電気的かつ機械的に接続され、前記受光素子部2a,2bのp型電極42および半導体レーザアレイチップ6の共用電極となるp型電極32と同電位となる。前記LD用リード11a,11bおよびPD用リード14a,14bは、電気的独立性を維持するため、絶縁性のガラス45を介してステム8に固定されている。
【0031】
他方、図2(図1参照)に示すように、前記半導体レーザアレイチップ6のn型電極31a,31bが接続された電極10a,10b(図1では図面が微細となるため省略)と、LD用リード11a,11bとは、それぞれワイヤ12a,12bによって電気的に接続されている。また、半導体レーザアレイチップ6のp型電極32と、ヒートシンク9とは、ワイヤ17によって電気的に接続されている。また、n型電極13a,13b(図1では図面が微細となるため省略)と、PD用リード14a,14bとはワイヤ15a,15bによって電気的に接続されている。これにより、LD用リード11a,11bとリード16間に所定の電圧を印加することによって、半導体レーザ部4a,4bからレーザ光19a,19bが発光される。前記LD用リード11a,11bのいずれかを選択することによって半導体レーザ部4a,4bのいずれかが発光する。
【0032】
また、前記半導体レーザ部4a,4bの発光によって、受光素子部2a,2bのいずれかあるいは両方部分はモニタ光7a,7bを受光するため、PD用リード14a,14bとリード16間には所定の電流が流れる。したがって、この電流値を検出することによって、半導体レーザ部4a,4bから発光されるレーザ光19a,19bの光強度を検出することができる。したがって、この検出情報(モニタ情報)をフィードバックすることによって、所望強度のレーザ光19a,19bを発光させることができる。すなわち、APC駆動が可能となる。
【0033】
前記ステム8の主面側のヒートシンク9,半導体レーザアレイチップ6および各リードの先端部分は、帽子型のキャップ18で被われる。前記キャップ18はリングウエルド等によってステム8に気密的に封止される。また、前記キャップ18の天井部分には、円形の穴が設けられているとともに、この穴部分は透明板50で塞がれるように取り付けられている。レーザ光19a,19bは、この透明板50を透過してステム8と透明板50とからなるパッケージの外に放射される。
【0034】
また、前記ステム8には、半導体レーザアレイ1を所定箇所に取り付けるために用いられる取付孔51が設けられている。
【0035】
このような半導体レーザアレイ1では、たとえば、半導体レーザ部4aを動作させて光ディスクシステムにおいて高出力のレーザ光によって書き込みを行い、半導体レーザ部4bの低出力のレーザ光によって読み取りを行う。
【0036】
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、図6に示すように、サブマウント5に多数のリッジ3を配置し、多数の半導体レーザアレイチップ6を取り付ける構造とすれば、さらにレーザ光のビーム数の増大を図ることができる。図6は模式図であり、点々を施した領域が受光領域53であり、図中受光領域53の上方が半導体レーザアレイチップを搭載するためのLD用電極部54、図中受光領域53の下方が受光素子用電極部55である。
【0037】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。本発明の半導体レーザアレイによれば、モニタ光側に配置された受光素子部間には、突条となるリッジが設けられ、側方に進むモニタ光は前記リッジで遮光されるため、レーザ光のビーム間のクロストークが防止でき、各半導体レーザ部は高精度で制御可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による半導体レーザアレイの要部を示す模式的斜視図である。
【図2】本実施例による半導体レーザアレイの一部を切り欠いた状態を示す斜視図である。
【図3】本実施例におけるサブマウントと半導体レーザアレイチップとを示す分解斜視図である。
【図4】本実施例における半導体レーザチップの模式的断面図である。
【図5】本実施例における半導体レーザアレイの要部を示す模式的断面図である。
【図6】本発明の他の実施例によるサブマウントを示す模式的斜視図である。
【符号の説明】
1…半導体レーザアレイ(半導体レーザ装置)、2a,2b…受光素子部、3…リッジ、4a,4b…半導体レーザ部、5…サブマウント、6…半導体レーザアレイチップ、7a,7b…モニタ光、8…ステム、9…ヒートシンク、10a,10b…電極、11a,11b…LD用リード、12a,12b…ワイヤ、13a,13b…n型電極、14a,14b…PD用リード、15a,15b…ワイヤ、16…リード、17…ワイヤ、18…キャップ、19a,19b…レーザ光、20…p型半導体基板、21…多層成長層、22…溝、23…絶縁膜、25…チャネル、26…電流狭窄層、27…p型クラッド層、28…活性層、29…n型クラッド層、30…n型キャップ層、31a,31b…n型電極、32…p型電極、40…絶縁膜、41…n型領域、42…p型電極、43…接合層、45…ガラス、50…透明板、51…取付孔。
Claims (1)
- サブマウントと、前記サブマウントの主面の一部に固定されかつ半導体レーザ部を複数並列した半導体レーザアレイチップと、前記半導体レーザアレイチップの各半導体レーザ部から発光される後方レーザ光を受光するように前記サブマウントの主面表層部に形成された受光素子部とを有する半導体レーザアレイであって、
前記各受光素子と受光素子との間のサブマウント主面には隣接する半導体レーザ部から発光されたレーザ光の交わりを防止する遮光体が配設され、
前記遮光体は棒状となり、少なくとも前記半導体レーザアレイ部から受光素子の外れにまで延在し、
半導体レーザアレイチップには溝が設けられるとともに、前記溝には前記遮光体が嵌合されていることを特徴とする半導体レーザアレイ。
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