JPH0642356Y2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPH0642356Y2 JPH0642356Y2 JP1987038031U JP3803187U JPH0642356Y2 JP H0642356 Y2 JPH0642356 Y2 JP H0642356Y2 JP 1987038031 U JP1987038031 U JP 1987038031U JP 3803187 U JP3803187 U JP 3803187U JP H0642356 Y2 JPH0642356 Y2 JP H0642356Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- semiconductor laser
- laser
- waveguide
- laser beams
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Optical Head (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本考案は光学デイスク読取装置等の光源として最適な半
導体レーザ装置に関する。
導体レーザ装置に関する。
（ロ）従来の技術 現在、光学デイスク読取用の装置としては、消去用、読
出用、書込用の各ビームを個々に出力できるように３つ
の独立した共振器を約100μｍの間隔で並列させてなる
３ビーム型の半導体レーザ装置が提案されている（実願
昭61−40952号）。
出用、書込用の各ビームを個々に出力できるように３つ
の独立した共振器を約100μｍの間隔で並列させてなる
３ビーム型の半導体レーザ装置が提案されている（実願
昭61−40952号）。
（ハ）考案が解決しようとする問題点 このように近接した共振器から出射されるレーザ光を夫
々独立にモニタするためには特開昭58−102590号公報に
開示されている如く共振器近傍に共振器個々に対応して
モニタ用の受光素子を配する方法が考えられる。
々独立にモニタするためには特開昭58−102590号公報に
開示されている如く共振器近傍に共振器個々に対応して
モニタ用の受光素子を配する方法が考えられる。
然るに、半導体レーザチツプ（共振器）から出力される
レーザ光のビーム広がり角 は少なくとも10°程度あるため、上記チツプと受光素子
との間隔は500μｍ以下としない限り正確にモニタする
ことはできない。
レーザ光のビーム広がり角 は少なくとも10°程度あるため、上記チツプと受光素子
との間隔は500μｍ以下としない限り正確にモニタする
ことはできない。
即ち、第３図に示す如く、100μｍ間隔（具体的には各
チツプから出力されるレーザ光の光軸（４）間距離）で
並列された半導レーザチツプ（１）〜（３）の各々の出
射面に対向して複数の受光領域（５）〜（７）を有する
受光素子が配され、更に上記各チツプから出力されるレ
ーザ光（1a）〜（3a）の各広がり角が10°でかつ各チツ
プ（１）〜（３）と受光素子（５）〜（７）との距離が
500μｍ以上である際、受光素子側において各レーザ光
が重畳することとなる。従って各受光領域（５）〜
（７）は夫々対向するレーザチツプ以外のチツプから出
力されるレーザ光をも受光することとなり、個々のレー
ザチツプ毎のモニタが不可能となる。
チツプから出力されるレーザ光の光軸（４）間距離）で
並列された半導レーザチツプ（１）〜（３）の各々の出
射面に対向して複数の受光領域（５）〜（７）を有する
受光素子が配され、更に上記各チツプから出力されるレ
ーザ光（1a）〜（3a）の各広がり角が10°でかつ各チツ
プ（１）〜（３）と受光素子（５）〜（７）との距離が
500μｍ以上である際、受光素子側において各レーザ光
が重畳することとなる。従って各受光領域（５）〜
（７）は夫々対向するレーザチツプ以外のチツプから出
力されるレーザ光をも受光することとなり、個々のレー
ザチツプ毎のモニタが不可能となる。
尚、各チツプ（１）〜（３）と受光領域（５）〜（７）
との距離を500μｍ以下とすると上記問題は解決できる
が、このように近接させることはレーザチツプと受光素
子との光軸合せ及びワイヤボンドによる配線等が繁雑と
なり実用的ではない。
との距離を500μｍ以下とすると上記問題は解決できる
が、このように近接させることはレーザチツプと受光素
子との光軸合せ及びワイヤボンドによる配線等が繁雑と
なり実用的ではない。
そこで、本願出願人は実願昭61−185273号においてシリ
コン基板上に溝幅が同一の複数の導波溝が末広がり状に
形成された導波部材を各レーザチツプと受光素子との間
に配し、上記導波溝により各レーザチツプから出力され
るレーザ光を完全に分離する構成を提案した。
コン基板上に溝幅が同一の複数の導波溝が末広がり状に
形成された導波部材を各レーザチツプと受光素子との間
に配し、上記導波溝により各レーザチツプから出力され
るレーザ光を完全に分離する構成を提案した。
第４図は実願昭61−185273号において提案された装置を
示し（８）は導波部材であり、（９）〜（11）は該導波
部材に形成された導波溝である。尚、第４図中、第３図
と同一箇所には同一番号を付し、説明を省略する。
示し（８）は導波部材であり、（９）〜（11）は該導波
部材に形成された導波溝である。尚、第４図中、第３図
と同一箇所には同一番号を付し、説明を省略する。
然るに、斯る構成では、導波部材（８）と受光素子との
位置決めに、基準となる適当な手段がないため、斯る位
置決めに手間がかかるという問題があった。
位置決めに、基準となる適当な手段がないため、斯る位
置決めに手間がかかるという問題があった。
（ニ）問題点を解決するための手段 本考案は斯る点に鑑みてなされたもので、その構成的特
徴は、複数の平行な軸に沿って、夫々前後２方向にレー
ザビームを出射する半導体レーザ手段と、前記半導体レ
ーザ手段から１方向に出射される各レーザビームを夫々
個々に検出する複数の受光領域を有する受光手段と、前
記半導体レーザ手段と前記受光手段との間に配置され、
前記各レーザビームを該レーザビーム間相互のクロスト
ークを防止して前記各受光領域へ導く複数の導波溝を有
する導波部材と、を備え、上記導波溝の少なくとも一つ
の受光手段側開口幅と該開口に対向する受光領域の幅と
を略同一としたことにある。
徴は、複数の平行な軸に沿って、夫々前後２方向にレー
ザビームを出射する半導体レーザ手段と、前記半導体レ
ーザ手段から１方向に出射される各レーザビームを夫々
個々に検出する複数の受光領域を有する受光手段と、前
記半導体レーザ手段と前記受光手段との間に配置され、
前記各レーザビームを該レーザビーム間相互のクロスト
ークを防止して前記各受光領域へ導く複数の導波溝を有
する導波部材と、を備え、上記導波溝の少なくとも一つ
の受光手段側開口幅と該開口に対向する受光領域の幅と
を略同一としたことにある。
斯る構成では、導波溝の開口と受光領域との位置合せを
簡単に行なえる。
簡単に行なえる。
（ヘ）実施例 第１図及び第２図は本考案の一実施例を示し、（21）は
ヒートシンクであり、シリコン等の半導体もしくは金属
等の良放熱体からなる。（22）はヒートシンク（21）の
一主面上に積層されたIn層（23）は１対のレーザ光出射
面を有する第１〜第３半導体レーザチツプ（24）〜（2
6）からなるレーザアレイ半導体レーザ手段であり、該
アレイはヒートシンク（21）の一主面の左端側に各チツ
プ（24）〜（26）から出力されるレーザ光（24a）〜（2
6a）の光軸（24b）〜（26b）が平行となるように整列配
置される。（27）はシリコンからなる受光素子（受光手
段）、（28）〜（30）は該受光素子の一主面に形成され
た第１〜第３受光領域であり、上記受光素子（27）はそ
の一主面が各レーザチツプ（24）〜（26）の１方のレー
ザ光出射面と対向するようにヒートシンク（21）の右側
に配される。尚、上記領域（28）〜（30）の間隔は上記
光軸（24b）〜（26b）の間隔より大である。（31）はシ
リコンからなる導波手段であり、該手段は上記レーザチ
ツプ（24）〜（26）に隣接してヒートシンク（21）上に
固着される。（32）〜（34）は上記導波手段（31）の固
着面側にダイシングもしくはエツチングにより形成され
た第１〜第３導波溝であり、該溝は上記レーザアレイ
（23）側から受光素子（27）側へ延在し、その開口はレ
ーザアレイ（23）側では上記光軸（24b）〜（26b）の間
隔と、また受光素子（23）側では受光領域（28）〜（3
0）の間隔と夫々同一となるように形成される。従っ
て、第２図に示す如く第２レーザチツプ（25）のレーザ
光出射面と第２受光領域（29）とが対向する場合、第２
導波溝（33）は光軸（24b）〜（26b）と平行に延在し、
第１、第３導波溝（32）（34）は光軸（24b）〜（26b）
と平行に延在しないこととなる。また、上記第１、第３
導波溝（32）（34）の溝幅は第１導波溝（33）のそれの
約２倍とすると共に各溝（32）〜（34）の内面には金等
を蒸着し、光反射性を高めている。更に、上記第２導波
溝（33）の溝幅B1と第２受光領域（29）の幅B2とは略同
一としてある。
ヒートシンクであり、シリコン等の半導体もしくは金属
等の良放熱体からなる。（22）はヒートシンク（21）の
一主面上に積層されたIn層（23）は１対のレーザ光出射
面を有する第１〜第３半導体レーザチツプ（24）〜（2
6）からなるレーザアレイ半導体レーザ手段であり、該
アレイはヒートシンク（21）の一主面の左端側に各チツ
プ（24）〜（26）から出力されるレーザ光（24a）〜（2
6a）の光軸（24b）〜（26b）が平行となるように整列配
置される。（27）はシリコンからなる受光素子（受光手
段）、（28）〜（30）は該受光素子の一主面に形成され
た第１〜第３受光領域であり、上記受光素子（27）はそ
の一主面が各レーザチツプ（24）〜（26）の１方のレー
ザ光出射面と対向するようにヒートシンク（21）の右側
に配される。尚、上記領域（28）〜（30）の間隔は上記
光軸（24b）〜（26b）の間隔より大である。（31）はシ
リコンからなる導波手段であり、該手段は上記レーザチ
ツプ（24）〜（26）に隣接してヒートシンク（21）上に
固着される。（32）〜（34）は上記導波手段（31）の固
着面側にダイシングもしくはエツチングにより形成され
た第１〜第３導波溝であり、該溝は上記レーザアレイ
（23）側から受光素子（27）側へ延在し、その開口はレ
ーザアレイ（23）側では上記光軸（24b）〜（26b）の間
隔と、また受光素子（23）側では受光領域（28）〜（3
0）の間隔と夫々同一となるように形成される。従っ
て、第２図に示す如く第２レーザチツプ（25）のレーザ
光出射面と第２受光領域（29）とが対向する場合、第２
導波溝（33）は光軸（24b）〜（26b）と平行に延在し、
第１、第３導波溝（32）（34）は光軸（24b）〜（26b）
と平行に延在しないこととなる。また、上記第１、第３
導波溝（32）（34）の溝幅は第１導波溝（33）のそれの
約２倍とすると共に各溝（32）〜（34）の内面には金等
を蒸着し、光反射性を高めている。更に、上記第２導波
溝（33）の溝幅B1と第２受光領域（29）の幅B2とは略同
一としてある。
斯る装置では、第１〜第３レーザチツプ（24）〜（26）
から出射されるレーザ光（24a）〜（26a）は夫々第１〜
第３導波溝（32）〜（34）を伝わって第１〜第３受光領
域（28）〜（30）に入射することとなる。
から出射されるレーザ光（24a）〜（26a）は夫々第１〜
第３導波溝（32）〜（34）を伝わって第１〜第３受光領
域（28）〜（30）に入射することとなる。
また、このような構成では、第２導波溝（33）の開口幅
B1と第３受光領域（29）の幅B2とが略同一となっている
ため、上記第２導波溝（33）の開口と第３受光領域（2
9）とをその幅方向の両端が夫々一致するように対向配
置させることにより導波手段（31）と受光素子（27）と
の位置合わせ簡単に行なえる。
B1と第３受光領域（29）の幅B2とが略同一となっている
ため、上記第２導波溝（33）の開口と第３受光領域（2
9）とをその幅方向の両端が夫々一致するように対向配
置させることにより導波手段（31）と受光素子（27）と
の位置合わせ簡単に行なえる。
（ト）考案の効果 本考案によれば、隣接した１方向に出射されるレーザビ
ームのクロストークを防止でき、且つ導波手段と受光手
段との位置合わせが簡単に行えるので、量産性に富む。
ームのクロストークを防止でき、且つ導波手段と受光手
段との位置合わせが簡単に行えるので、量産性に富む。
第１図及び第２図は本考案の実施例を示し、第１図は第
２図のＢ−Ｂ′線断面図、第２図は第１図のＡ−Ａ′線
断面図、第３図及び第４図は夫々従来例を説明するため
の模式図及び断面図である。 （23）…半導体レーザアレイ、（24）〜（26）…第１〜
第３半導体レーザチツプ、（27）…受光素子、（28）〜
（30）…第１〜第３受光領域、（31）…導波部材、（3
2）〜（34）…第１〜第３導波溝
２図のＢ−Ｂ′線断面図、第２図は第１図のＡ−Ａ′線
断面図、第３図及び第４図は夫々従来例を説明するため
の模式図及び断面図である。 （23）…半導体レーザアレイ、（24）〜（26）…第１〜
第３半導体レーザチツプ、（27）…受光素子、（28）〜
（30）…第１〜第３受光領域、（31）…導波部材、（3
2）〜（34）…第１〜第３導波溝
Claims (1)
- 【請求項１】複数の平行な軸に沿って、夫々前後２方向
にレーザビームを出射する半導体レーザ手段と、前記半
導体レーザ手段から１方向に出射される各レーザビーム
を夫々個々に検出する複数の受光領域を有する受光手段
と、前記半導体レーザ手段と前記受光手段との間に配置
され、前記各レーザビームを該レーザビーム間相互のク
ロストークを防止して前記各受光領域へ導く複数の導波
溝を有する導波部材と、を備え、 上記導波溝の少なくとも一つの受光手段側開口幅と該開
口に対向する受光領域の幅とを略同一としたことを特徴
とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987038031U JPH0642356Y2 (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987038031U JPH0642356Y2 (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63145359U JPS63145359U (ja) | 1988-09-26 |
| JPH0642356Y2 true JPH0642356Y2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=30849894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987038031U Expired - Lifetime JPH0642356Y2 (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0642356Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59217380A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-07 | Fujitsu Ltd | 発光素子アレイの実装方法 |
-
1987
- 1987-03-16 JP JP1987038031U patent/JPH0642356Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63145359U (ja) | 1988-09-26 |
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