JPH063649B2 - 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 - Google Patents
光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置Info
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- JPH063649B2 JPH063649B2 JP59145766A JP14576684A JPH063649B2 JP H063649 B2 JPH063649 B2 JP H063649B2 JP 59145766 A JP59145766 A JP 59145766A JP 14576684 A JP14576684 A JP 14576684A JP H063649 B2 JPH063649 B2 JP H063649B2
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- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/13—Optical detectors therefor
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- G—PHYSICS
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- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
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- G11B7/09—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B7/095—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following specially adapted for discs, e.g. for compensation of eccentricity or wobble
- G11B7/0956—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following specially adapted for discs, e.g. for compensation of eccentricity or wobble to compensate for tilt, skew, warp or inclination of the disc, i.e. maintain the optical axis at right angles to the disc
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光学式記録装置、再生装置及び記録再生装置に
適用して好適な光学式ヘッドのトラッキング誤差検出装
置に関する。
適用して好適な光学式ヘッドのトラッキング誤差検出装
置に関する。
背景技術とその問題点 先ず第３図を参照して、従来の光学式ヘッドのトラッキ
ング誤差検出装置について説明する。ＯＨは光学式ヘッ
ドを全体として示す。(1)は半導体レーザ素子（レーザ
ダイオード）で、これのレーザビーム出射端面(1A)側よ
り出射した、断面が楕円の発散レーザビームＬはコリメ
ータレンズ（不用の場合もある）(2)に入射せしめられ
て平行ビームとなされた後、回折格子（グレーティン
グ）(3)に入射せしめられる。回折格子(3)より出射した
０次ビームＬ0及び±１次ビームＬ+1，Ｌ-1（尚、＋２
次上、−２次以下のビームは無視する）は無偏光ビーム
スプリッタ（ハーフミラー）（偏向ビームスプリッタの
場合は、対物レンズ(5)との間に1/4波長板を設ける）
(4)を通過した後、対物レンズ(5)に入射せしめられて集
束せしめられ、その集束された０次ビームＬ0及び±１
次ビームＬ+1，Ｌ-1は光学式記録媒体（光磁気記録媒体
も含む）(6)の記録面に所定間隔（例えば10μm）を置い
て入射せしめられる。
ング誤差検出装置について説明する。ＯＨは光学式ヘッ
ドを全体として示す。(1)は半導体レーザ素子（レーザ
ダイオード）で、これのレーザビーム出射端面(1A)側よ
り出射した、断面が楕円の発散レーザビームＬはコリメ
ータレンズ（不用の場合もある）(2)に入射せしめられ
て平行ビームとなされた後、回折格子（グレーティン
グ）(3)に入射せしめられる。回折格子(3)より出射した
０次ビームＬ0及び±１次ビームＬ+1，Ｌ-1（尚、＋２
次上、−２次以下のビームは無視する）は無偏光ビーム
スプリッタ（ハーフミラー）（偏向ビームスプリッタの
場合は、対物レンズ(5)との間に1/4波長板を設ける）
(4)を通過した後、対物レンズ(5)に入射せしめられて集
束せしめられ、その集束された０次ビームＬ0及び±１
次ビームＬ+1，Ｌ-1は光学式記録媒体（光磁気記録媒体
も含む）(6)の記録面に所定間隔（例えば10μm）を置い
て入射せしめられる。
光学式記録媒体(6)で反射した０次ビームＬ0及び±１次
ビームＬ+1，Ｌ-1は対物レンズ(5)を通過した後、ビー
ムスプリッタ(4)に入射せしめられ、その一部はその反
射面(4a)で反射して光検出器(7)に入射せしめられる。
この光検出器(7)は、０次ビームＬ0及び±１次ビームＬ
+1，Ｌ-1が各別に入射せしめられる３個の光検出部にて
構成される。そして、±１次ビームが夫々入射せしめら
れる一対の光検出部からの一対の光検出出力の差を採る
ことにより、０次ビームＬ0の光学式記録媒体(6)の記録
面上でのトラッキング状態に応じたトラッキング誤差信
号が得られる。又、０次ビームの入射せしめられた光検
出部からは、再生信号、フォーカスエラー信号等が得ら
れる。
ビームＬ+1，Ｌ-1は対物レンズ(5)を通過した後、ビー
ムスプリッタ(4)に入射せしめられ、その一部はその反
射面(4a)で反射して光検出器(7)に入射せしめられる。
この光検出器(7)は、０次ビームＬ0及び±１次ビームＬ
+1，Ｌ-1が各別に入射せしめられる３個の光検出部にて
構成される。そして、±１次ビームが夫々入射せしめら
れる一対の光検出部からの一対の光検出出力の差を採る
ことにより、０次ビームＬ0の光学式記録媒体(6)の記録
面上でのトラッキング状態に応じたトラッキング誤差信
号が得られる。又、０次ビームの入射せしめられた光検
出部からは、再生信号、フォーカスエラー信号等が得ら
れる。
次に、半導体レーザ素子(1)の一例について第４図を参
照して説明する。この半導体レーザ素子(1)は通常一方
の電極を兼ねた銅等より成るヒートシンク(8)上に固着
されている。半導体レーザ素子(1)の構造を図に於いて
その上層から下層に向かって説明すると、(1a)は電極
層、(1b)はn-GaAs層（基本層）、(1c)はn-Ga1-yAlyAs層
（クラッド層）、(1d)はGa1-xAlxAs層（活性層）、(1e)
はp-Ga1-yAlyAs層（クラッド層）、(1f)はp-GaAs層であ
る。そして、活性層(1d)から上述のレーザビームＬが出
射する。この半導体レーザ素子(1)のレーザビーム出射
端面（劈開面）(１Ａ)を正面とすると、その幅が100〜3
00μm、高さ（厚さ）が80〜100μm、奥行が200〜300μm
である。活性層(1d)のヒートシンク(8)の上面からの高
さは数μmである。
照して説明する。この半導体レーザ素子(1)は通常一方
の電極を兼ねた銅等より成るヒートシンク(8)上に固着
されている。半導体レーザ素子(1)の構造を図に於いて
その上層から下層に向かって説明すると、(1a)は電極
層、(1b)はn-GaAs層（基本層）、(1c)はn-Ga1-yAlyAs層
（クラッド層）、(1d)はGa1-xAlxAs層（活性層）、(1e)
はp-Ga1-yAlyAs層（クラッド層）、(1f)はp-GaAs層であ
る。そして、活性層(1d)から上述のレーザビームＬが出
射する。この半導体レーザ素子(1)のレーザビーム出射
端面（劈開面）(１Ａ)を正面とすると、その幅が100〜3
00μm、高さ（厚さ）が80〜100μm、奥行が200〜300μm
である。活性層(1d)のヒートシンク(8)の上面からの高
さは数μmである。
ところで、０次ビームＬ0の光学式記録媒体(6)の記録面
に対するタンジェンシャルスキュー角が変化すると、ト
ラッキングエラー信号もそれに応じて周期的に変化し、
正確なトラッキングエラーを検出することができなかっ
た。
に対するタンジェンシャルスキュー角が変化すると、ト
ラッキングエラー信号もそれに応じて周期的に変化し、
正確なトラッキングエラーを検出することができなかっ
た。
本発明者等はその要因を究明したところ、次のようなこ
とが分かった。光学式記録媒体(6)で反射した０次ビー
ムＬ0及び±１次ビームＬ+1，Ｌ-1は対物レンズ(5)を通
過した後、ビームスプリッタ(4)の反射面(4a)で反射す
るのみならず、ビームスプリッタ(4)を通過し、回折格
子(3)に入射して、夫々に対応して格別の０次ビーム及
び±１次ビームが発生し、コリメータレンズ(2)を通過
して半導体レーザ素子(1)に向かう。この半導体レーザ
素子(1)に向かうビームのビーム量は、無偏光ビームス
プリッタを用いた場合には多く、偏光ビームスプリッタ
を用いた場合は少ない。この場合、半導体レーザ素子
(1)のレーザビーム発光端面(1A)と、回折格子(3)との相
対回動角位置に応じて、半導体レーザ素子(1)に向かう
中心ビームＬａ及びその両側に位置する両側ビームＬ
ｂ，Ｌｃの配置は夫々中心ビームＬａがレーザビーム出
射端面(1A)上の活性層(1d)に位置し、両側ビームＬｂ，
Ｌｃが中心ビームＬａの位置を通り、活性層(1d)と直交
する直線上に於いて上下に位置する場合と、中心ビーム
Ｌａ及び両側ビームＬｂ，Ｌｃが共に活性層(1d)上に位
置する場合と、中心ビームＬａ及び両側ビームＬｂ，Ｌ
ｃを結ぶ直線が上記２つの場合の中間の任意の角度位置
に来る場合とがある。そして、これら中心ビームＬａ及
び両側ビームＬｂ，Ｌｃは、０次ビームＬ0と、±１次
ビームＬ+1，Ｌ-1が回折格子(3)によって再回折され、
且つ混在して重畳されたものである。
とが分かった。光学式記録媒体(6)で反射した０次ビー
ムＬ0及び±１次ビームＬ+1，Ｌ-1は対物レンズ(5)を通
過した後、ビームスプリッタ(4)の反射面(4a)で反射す
るのみならず、ビームスプリッタ(4)を通過し、回折格
子(3)に入射して、夫々に対応して格別の０次ビーム及
び±１次ビームが発生し、コリメータレンズ(2)を通過
して半導体レーザ素子(1)に向かう。この半導体レーザ
素子(1)に向かうビームのビーム量は、無偏光ビームス
プリッタを用いた場合には多く、偏光ビームスプリッタ
を用いた場合は少ない。この場合、半導体レーザ素子
(1)のレーザビーム発光端面(1A)と、回折格子(3)との相
対回動角位置に応じて、半導体レーザ素子(1)に向かう
中心ビームＬａ及びその両側に位置する両側ビームＬ
ｂ，Ｌｃの配置は夫々中心ビームＬａがレーザビーム出
射端面(1A)上の活性層(1d)に位置し、両側ビームＬｂ，
Ｌｃが中心ビームＬａの位置を通り、活性層(1d)と直交
する直線上に於いて上下に位置する場合と、中心ビーム
Ｌａ及び両側ビームＬｂ，Ｌｃが共に活性層(1d)上に位
置する場合と、中心ビームＬａ及び両側ビームＬｂ，Ｌ
ｃを結ぶ直線が上記２つの場合の中間の任意の角度位置
に来る場合とがある。そして、これら中心ビームＬａ及
び両側ビームＬｂ，Ｌｃは、０次ビームＬ0と、±１次
ビームＬ+1，Ｌ-1が回折格子(3)によって再回折され、
且つ混在して重畳されたものである。
ところで、両側ビームＬｂ，Ｌｃの少なくとも一方がヒ
ートシンク(8)の面に入射した場合は、その面が粗面で
あるので、そのビームはそこで乱反射されるので問題は
ないが、両側ビームＬｂ，Ｌｃの少なくとも一方が半導
体レーザ素子(1)のレーザビーム出射端面(1A)に入射す
る場合は、この端面(1A)は反射率が良好（例えば10％）
なので、この端面(1A)で反射し、上述の光路を通過して
光検出器(7)に入射するので、＋１次又は−１ビームと
干渉を起こす。このため、０次ビームＬ0の光学式記録
媒体(6)の記録面に対するタンジェンシャルスキュー角
に応じて、光検出器(7)に入射する＋１次又は−１次ビ
ームの強度が変化し、トラッキングエラー信号がそのス
キュー角に応じて周期的に変化する。第６図は、両側ビ
ームＬｂ，Ｌｃの一方Ｌｂが半導体レーザ素子(1)のレ
ーザビーム発光端面(1A)に入射し、他方Ｌｃがヒートシ
ンク(8)に入射した場合の、０次ビームＬ0の光学式記録
媒体(6)の記録面に対するタンジェンシャルスキュー角
α゜に対するトラッキングエラー信号Ｓｅのレベル変化
の周期性を示す。尚、実際には、｜α｜が増大するにつ
れて、トラッキングエラー信号Ｓｅのレベルは減衰す
る。尚、両側ビームＬｂ，Ｌｃ共レーザビーム出射端面
(1A)に入射する場合は、第６図に対応する波形の振幅が
第６図のそれの２倍となり、位相は第６図と異なる。
ートシンク(8)の面に入射した場合は、その面が粗面で
あるので、そのビームはそこで乱反射されるので問題は
ないが、両側ビームＬｂ，Ｌｃの少なくとも一方が半導
体レーザ素子(1)のレーザビーム出射端面(1A)に入射す
る場合は、この端面(1A)は反射率が良好（例えば10％）
なので、この端面(1A)で反射し、上述の光路を通過して
光検出器(7)に入射するので、＋１次又は−１ビームと
干渉を起こす。このため、０次ビームＬ0の光学式記録
媒体(6)の記録面に対するタンジェンシャルスキュー角
に応じて、光検出器(7)に入射する＋１次又は−１次ビ
ームの強度が変化し、トラッキングエラー信号がそのス
キュー角に応じて周期的に変化する。第６図は、両側ビ
ームＬｂ，Ｌｃの一方Ｌｂが半導体レーザ素子(1)のレ
ーザビーム発光端面(1A)に入射し、他方Ｌｃがヒートシ
ンク(8)に入射した場合の、０次ビームＬ0の光学式記録
媒体(6)の記録面に対するタンジェンシャルスキュー角
α゜に対するトラッキングエラー信号Ｓｅのレベル変化
の周期性を示す。尚、実際には、｜α｜が増大するにつ
れて、トラッキングエラー信号Ｓｅのレベルは減衰す
る。尚、両側ビームＬｂ，Ｌｃ共レーザビーム出射端面
(1A)に入射する場合は、第６図に対応する波形の振幅が
第６図のそれの２倍となり、位相は第６図と異なる。
次に、両側ビームＬｂ，Ｌｃのうちの一方Ｌｂが半導体
レーザ素子(1)のレーザビーム出射端面(1A)に入射し、
他方Ｌｃがヒートシンク(8)に入射する場合の干渉につ
いて、第７図（レンズ系の図示を省略してある）を参照
して説明する。第７図に於いて、実線にて示される(1A)
はレーザビーム出射端面であるが、破線にて示される正
規の位置の出射端面(1A)に対し傾いている一般的な場合
を示し、又、実線にて示される(6)の光学式記録媒体で
あるが、破線にて示される正規の位置の光学式記録媒体
(6)に対し傾いている場合を示す。０次ビームＬ0は正規
の位置のレーザビーム出射端面(1A)及び正規の位置の光
学式記録媒体(6)の記録面に対し鉛直である。θは＋１
次ビームＬ+1の０次ビームＬ0に対する角度である。ｌ1
はレーザビーム出射端面(1A)及び回折格子(3)間の光路
長、ｌ2は回折格子(3)及び光学式記録媒体(6)の記録面
間の光路長である。Δｌ1，Δｌ2は夫々光路長ｌ1，ｌ2
に対する０次ビームＬ0及び＋１次ビームＬ+1間の光路
差である。Δｌ3，Δｌ4は夫々光学式記録媒体(6)のス
キューによる光路差、レーザビーム出射端面(1A)のスキ
ューによる光路差である。
レーザ素子(1)のレーザビーム出射端面(1A)に入射し、
他方Ｌｃがヒートシンク(8)に入射する場合の干渉につ
いて、第７図（レンズ系の図示を省略してある）を参照
して説明する。第７図に於いて、実線にて示される(1A)
はレーザビーム出射端面であるが、破線にて示される正
規の位置の出射端面(1A)に対し傾いている一般的な場合
を示し、又、実線にて示される(6)の光学式記録媒体で
あるが、破線にて示される正規の位置の光学式記録媒体
(6)に対し傾いている場合を示す。０次ビームＬ0は正規
の位置のレーザビーム出射端面(1A)及び正規の位置の光
学式記録媒体(6)の記録面に対し鉛直である。θは＋１
次ビームＬ+1の０次ビームＬ0に対する角度である。ｌ1
はレーザビーム出射端面(1A)及び回折格子(3)間の光路
長、ｌ2は回折格子(3)及び光学式記録媒体(6)の記録面
間の光路長である。Δｌ1，Δｌ2は夫々光路長ｌ1，ｌ2
に対する０次ビームＬ0及び＋１次ビームＬ+1間の光路
差である。Δｌ3，Δｌ4は夫々光学式記録媒体(6)のス
キューによる光路差、レーザビーム出射端面(1A)のスキ
ューによる光路差である。
又、ｇを回折格子(3)に於ける０次ビームＬ0及び＋１次
ビームＬ+1間の位相差とする。ｉ0，ｉ1を夫々回折格子
(3)に於ける０次ビーム，＋１次ビームの透過率、ｔを
ハーフミラー(4)の透過率、ｒ，ｆを夫々光学式記録媒
体(6)の記録面上、レーザビーム出射端面(1A)上の反射
率とする。
ビームＬ+1間の位相差とする。ｉ0，ｉ1を夫々回折格子
(3)に於ける０次ビーム，＋１次ビームの透過率、ｔを
ハーフミラー(4)の透過率、ｒ，ｆを夫々光学式記録媒
体(6)の記録面上、レーザビーム出射端面(1A)上の反射
率とする。
しかして、＋１次ビームＬ+1が入射する光学式記録媒体
(6)の記録面上の点Ａに於ける光の複素振幅を次の４つ
の場合に分けて考える。
(6)の記録面上の点Ａに於ける光の複素振幅を次の４つ
の場合に分けて考える。
(1)ａ1：１次ビームＬ+1が直接点Ａに入射した場合。
(2)ａ2：０次ビームＬ0が光学式記録媒体(6)で反射し、
再度回折格子(3)に入射することによって得られた０次
ビームがレーザビーム出射端面(1A)で反射し、再度回折
格子(3)に入射することによって得られた＋１次ビーム
が点Ａに入射した場合である。
再度回折格子(3)に入射することによって得られた０次
ビームがレーザビーム出射端面(1A)で反射し、再度回折
格子(3)に入射することによって得られた＋１次ビーム
が点Ａに入射した場合である。
(3)ａ3：０次ビームＬ0が光学式記録媒体(6)で反射し、
再度回折格子(3)に入射することによって得られた＋１
次ビームがレーザビーム出射端面(1A)で反射し、再度回
折格子(3)に入射することによって得られた０次ビーム
が点Ａに入射した場合である。
再度回折格子(3)に入射することによって得られた＋１
次ビームがレーザビーム出射端面(1A)で反射し、再度回
折格子(3)に入射することによって得られた０次ビーム
が点Ａに入射した場合である。
(4)ａ4：＋１次ビームＬ+1が光学式記録媒体(6)で反射
し、再度回折格子(3)に入射することによって得られた
０次ビームがレーザビーム出射端面(1A)で反射し、再度
回折格子(3)に入射することによって得られた０次ビー
ムが点Ａに入射する場合である。
し、再度回折格子(3)に入射することによって得られた
０次ビームがレーザビーム出射端面(1A)で反射し、再度
回折格子(3)に入射することによって得られた０次ビー
ムが点Ａに入射する場合である。
次にａ1〜ａ4を式にて示す。
ａ1＝i1t・exp｛ｊ（ｌ1＋ｇ＋ｌ2＋Δ１2＋Δｌ3）｝ ・・・(1) ａ2＝▲i2 0▼i1t3rf・exp〔ｊ｛３（ｌ1＋ｌ2）＋ｇ＋Δ
ｌ2 ＋Δｌ3｝〕 ・・・(2) ａ3＝▲i2 0▼i1t3rf・exp〔ｊ｛３（ｌ1＋ｌ2）＋ｇ＋２
Δｌ1 ＋Δｌ2＋Δｌ3＋２Δｌ4｝〕
・・・(3) ａ4＝▲i2 0▼i1t 3rf・exp〔ｊ｛３（ｌ1＋ｌ2）＋ｇ＋ ３（Δｌ2＋Δｌ3）＋２Δｌ1＋２Δｌ4｝〕 ・・・(4) 計算の簡単のため、レーザビームの可干渉距離を２（ｌ
1＋ｌ2）以下とすると、点Ａに於ける光の強度ＩAは次
式のように表される。
ｌ2 ＋Δｌ3｝〕 ・・・(2) ａ3＝▲i2 0▼i1t3rf・exp〔ｊ｛３（ｌ1＋ｌ2）＋ｇ＋２
Δｌ1 ＋Δｌ2＋Δｌ3＋２Δｌ4｝〕
・・・(3) ａ4＝▲i2 0▼i1t 3rf・exp〔ｊ｛３（ｌ1＋ｌ2）＋ｇ＋ ３（Δｌ2＋Δｌ3）＋２Δｌ1＋２Δｌ4｝〕 ・・・(4) 計算の簡単のため、レーザビームの可干渉距離を２（ｌ
1＋ｌ2）以下とすると、点Ａに於ける光の強度ＩAは次
式のように表される。
ＩA＝｜ａ1｜2＋｜ａ2＋ａ3＋ａ4｜2 ＝▲i2 1▼t2〔１＋▲i4 0▼t4r2f2｛３＋2cos２（Δ
ｌ1＋Δｌ4） ＋2cos２（Δｌ1＋Δｌ4＋Δｌ2＋Δｌ3）＋ 2cos２（Δｌ2＋Δｌ3）｝〕
・・・(5) 又、両側ビームＬｂ，Ｌｃの両方がレーザビーム出射端
面(1A)に入射する場合に於いて、＋１次ビームＬ+1が光
学式記録媒体(6)の記録面上の点Ａに入射し、−１次ビ
ームＬ-1が０次ビームＬ0に対し対称な点Ｂに入射する
場合は、点Ａの光の強度ＩAは(5)式の通りであるが、点
Ｂの光の強度ＩBは次式のように表される。
ｌ1＋Δｌ4） ＋2cos２（Δｌ1＋Δｌ4＋Δｌ2＋Δｌ3）＋ 2cos２（Δｌ2＋Δｌ3）｝〕
・・・(5) 又、両側ビームＬｂ，Ｌｃの両方がレーザビーム出射端
面(1A)に入射する場合に於いて、＋１次ビームＬ+1が光
学式記録媒体(6)の記録面上の点Ａに入射し、−１次ビ
ームＬ-1が０次ビームＬ0に対し対称な点Ｂに入射する
場合は、点Ａの光の強度ＩAは(5)式の通りであるが、点
Ｂの光の強度ＩBは次式のように表される。
ＩB＝▲i2 1▼t2〔１＋▲i4 0▼t4r2f2｛３＋2cos２（Δ
ｌ1 −Δｌ4）＋2cos２（Δｌ1−Δ4＋ Δｌ2−Δｌ3）＋2cos２（Δｌ2 −Δｌ3）｝〕 ・・・(6) 発明の目的 本発明は上述した光学式トラッキング誤差検出装置に於
いて、光学式ヘッドの０次ビームの光学式記録媒体に対
するタンジェンシャルスキュー角の変化によっては変化
する虞のないトラッキングエラー信号を得ることのでき
るものを提案しようとするものである。
ｌ1 −Δｌ4）＋2cos２（Δｌ1−Δ4＋ Δｌ2−Δｌ3）＋2cos２（Δｌ2 −Δｌ3）｝〕 ・・・(6) 発明の目的 本発明は上述した光学式トラッキング誤差検出装置に於
いて、光学式ヘッドの０次ビームの光学式記録媒体に対
するタンジェンシャルスキュー角の変化によっては変化
する虞のないトラッキングエラー信号を得ることのでき
るものを提案しようとするものである。
発明の概要 本発明は、半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子
よりのレーザビームが入射せしめられる回折格子と、こ
の回折格子より出射した０次ビーム及び±１次ビームが
通過せしめられるビームスプリッタと、このビームスプ
リッタより出射した０次ビーム及び±１次ビームが集束
せしめられて光学式記録媒体に入射せしめられる対物レ
ンズと、光学式記録媒体により反射せしめられた０次ビ
ーム及び±１次ビームが対物レンズを通過し、更にビー
ムスプリッタの反射面で反射した後、入射せしめられる
光検出器とを有し、光検出器より±１次ビームに対応し
た一対の光検出出力を得、この一対の光検出出力の差に
基づいて０次ビームの光学式記録媒体上のトラッキング
状態に応じたトラッキング誤差信号を得るようにした光
学式ヘッドのトラッキング誤差検出装置に於いて、光学
式記録媒体より反射し、対物レンズ、ビームスプリッタ
及び回折格子を通過して半導体レーザ素子に向かう中心
ビーム及びその両側の両側ビームのうち両側ビームが、
半導体レーザ素子のレーザビーム出射端面に入射しない
ように、半導体レーザ素子のレーザビーム出射端面側に
光を散乱又は吸収する光遮蔽体を設けて成ることを特徴
とするものである。
よりのレーザビームが入射せしめられる回折格子と、こ
の回折格子より出射した０次ビーム及び±１次ビームが
通過せしめられるビームスプリッタと、このビームスプ
リッタより出射した０次ビーム及び±１次ビームが集束
せしめられて光学式記録媒体に入射せしめられる対物レ
ンズと、光学式記録媒体により反射せしめられた０次ビ
ーム及び±１次ビームが対物レンズを通過し、更にビー
ムスプリッタの反射面で反射した後、入射せしめられる
光検出器とを有し、光検出器より±１次ビームに対応し
た一対の光検出出力を得、この一対の光検出出力の差に
基づいて０次ビームの光学式記録媒体上のトラッキング
状態に応じたトラッキング誤差信号を得るようにした光
学式ヘッドのトラッキング誤差検出装置に於いて、光学
式記録媒体より反射し、対物レンズ、ビームスプリッタ
及び回折格子を通過して半導体レーザ素子に向かう中心
ビーム及びその両側の両側ビームのうち両側ビームが、
半導体レーザ素子のレーザビーム出射端面に入射しない
ように、半導体レーザ素子のレーザビーム出射端面側に
光を散乱又は吸収する光遮蔽体を設けて成ることを特徴
とするものである。
かかる本発明によれば、この種光学式トラッキング誤差
検出装置に於いて、光学式ヘッドの０次ビームの光学式
記録媒体に対するタンジェンシャルスキュー角の変化に
よって変化する虞のないトラッキングエラー信号を得る
ことのできるものを得ることができる。
検出装置に於いて、光学式ヘッドの０次ビームの光学式
記録媒体に対するタンジェンシャルスキュー角の変化に
よって変化する虞のないトラッキングエラー信号を得る
ことのできるものを得ることができる。
実施例 以下に第１図を参照して、本発明の一実施例を説明する
も、第１図に於いて、第３図〜第７図と対応する部分に
は同一符号を付して重複説明を省略する。第１図は半導
体レーザ素子(1)に向かう中心ビームＬａ及び両側ビー
ムＬｂ，Ｌｃを結ぶ直線が半導体レーザ素子(1)の活性
層(1d)に対し略々直交している場合である。しかしてこ
の実施例では、ヒートシンク(8)の一部を延長して、半
導体レーザ素子(1)のレーザビーム出射端面(1A)に所定
間隔を置いて対向する如く光遮蔽板（体）(9)を設け、
その活性領域(1d)のレーザビーム出射部に対応する部分
には窓(９ａ)を形成して、レーザビームＬの出射を確保
する。尚、その他の構成は第３図〜第７図と同様であ
る。
も、第１図に於いて、第３図〜第７図と対応する部分に
は同一符号を付して重複説明を省略する。第１図は半導
体レーザ素子(1)に向かう中心ビームＬａ及び両側ビー
ムＬｂ，Ｌｃを結ぶ直線が半導体レーザ素子(1)の活性
層(1d)に対し略々直交している場合である。しかしてこ
の実施例では、ヒートシンク(8)の一部を延長して、半
導体レーザ素子(1)のレーザビーム出射端面(1A)に所定
間隔を置いて対向する如く光遮蔽板（体）(9)を設け、
その活性領域(1d)のレーザビーム出射部に対応する部分
には窓(９ａ)を形成して、レーザビームＬの出射を確保
する。尚、その他の構成は第３図〜第７図と同様であ
る。
かくして、かかる光学式ヘッドのトラッキング誤差検出
装置によれば、光学式記録媒体で反射したビームが対物
レンズ(5)、ビームスプリッタ(4)及び回折格子(3)を通
じて半導体レーザ素子(1)に向かっても、光遮蔽体(9)で
乱反射されるので、光学式ヘッドＯＨの０次ビームの光
学式記録媒体に対するタンジェンシャルスキュー角の変
化によって変化する虞のないトラッキングエラー信号を
得ることができる。
装置によれば、光学式記録媒体で反射したビームが対物
レンズ(5)、ビームスプリッタ(4)及び回折格子(3)を通
じて半導体レーザ素子(1)に向かっても、光遮蔽体(9)で
乱反射されるので、光学式ヘッドＯＨの０次ビームの光
学式記録媒体に対するタンジェンシャルスキュー角の変
化によって変化する虞のないトラッキングエラー信号を
得ることができる。
又、両側ビームＬｂ，Ｌｃが共にレーザビーム出射端面
(1A)に入射する可能性がある場合は、第２図に示す如
く、ヒートシンク(8)の一部を２個所に於いて延長し
て、半導体レーザ素子(1)のレーザビーム出射端面(1A)
に所定間隔を置いて対向する如く一対の光遮蔽体(9)，
(9)を設ける。この一対の光遮蔽体(9)，(9)は、半導体
レーザ素子(1)に向かう両側ビームＬｂ，Ｌｃを遮る位
置に設けられる。
(1A)に入射する可能性がある場合は、第２図に示す如
く、ヒートシンク(8)の一部を２個所に於いて延長し
て、半導体レーザ素子(1)のレーザビーム出射端面(1A)
に所定間隔を置いて対向する如く一対の光遮蔽体(9)，
(9)を設ける。この一対の光遮蔽体(9)，(9)は、半導体
レーザ素子(1)に向かう両側ビームＬｂ，Ｌｃを遮る位
置に設けられる。
尚、光を吸収又は遮蔽する光遮蔽体(9)は半導体レーザ
素子(1)のレーザビーム出射端面(1A)に接着等により直
接取付けることができるが、この場合は絶縁体を用い
る。
素子(1)のレーザビーム出射端面(1A)に接着等により直
接取付けることができるが、この場合は絶縁体を用い
る。
尚、ビームの配置が上述の中間状態にあるときも上述と
同様である。
同様である。
発明の効果 上述せる本発明によれば、この種光学式ヘッドのトラッ
キング誤差検出装置に於いて、光学式ヘッドの０次ビー
ムの光学式記録媒体に対するタンジェンシャルスキュー
角の変化をよっては変化する虞のないトラッキングエラ
ー信号を得ることのできるものを得ることができる。
キング誤差検出装置に於いて、光学式ヘッドの０次ビー
ムの光学式記録媒体に対するタンジェンシャルスキュー
角の変化をよっては変化する虞のないトラッキングエラ
ー信号を得ることのできるものを得ることができる。
第１図Ａ，Ｂ及び第２図Ａ，Ｂは本発明による光学式ヘ
ッドのトラッキング誤差検出装置の各実施例の半導体レ
ーザ素子を示す正面図及び側面図、第３図は従来の光学
式ヘッドのトラッキング誤差検出装置を示す略線的配置
図、第４図及び第５図は従来の光学式ヘッドのトラッキ
ング誤差検出装置に於ける半導体レーザ素子の一例を示
す正面図、第６図は波形図、第７図は干渉の説明に供す
る線図である。 ＯＨは光学ヘッド、(1)は半導体レーザ素子、(1A)はそ
のレーザビーム出力端面、(1d)はその活性層、(2)はコ
リメータレンズ、(3)は回折格子、(4)はビームスプリッ
タ、(5)は対物レンズ、(6)は光学式記録媒体、(9)は光
遮蔽体である。
ッドのトラッキング誤差検出装置の各実施例の半導体レ
ーザ素子を示す正面図及び側面図、第３図は従来の光学
式ヘッドのトラッキング誤差検出装置を示す略線的配置
図、第４図及び第５図は従来の光学式ヘッドのトラッキ
ング誤差検出装置に於ける半導体レーザ素子の一例を示
す正面図、第６図は波形図、第７図は干渉の説明に供す
る線図である。 ＯＨは光学ヘッド、(1)は半導体レーザ素子、(1A)はそ
のレーザビーム出力端面、(1d)はその活性層、(2)はコ
リメータレンズ、(3)は回折格子、(4)はビームスプリッ
タ、(5)は対物レンズ、(6)は光学式記録媒体、(9)は光
遮蔽体である。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子
よりのレーザビームが入射せしめられる回折格子と、該
回折格子より出射した０次ビーム及び±１次ビームが通
過せしめられるビームスプリッタと、該ビームスプリッ
タより出射した０次ビーム及び±１次ビームが集束せし
められて光学式記録媒体に入射せしめられる対物レンズ
と、上記光学式記録媒体により反射せしめられた０次ビ
ーム及び±１次ビームが上記対物レンズを通過し、更に
上記ビームスプリッタの反射面で反射した後、入射せし
められる光検出器とを有し、該光検出器より上記±１次
ビームに対応した一対の光検出出力を得、該一対の光検
出出力の差に基づいて上記０次ビームの上記光学式記録
媒体上のトラッキング状態に応じたトラッキング誤差信
号を得るようにした光学式ヘッドのトラッキング誤差検
出装置に於いて、上記光学式記録媒体より反射し、上記
対物レンズ、上記ビームスプリッタ及び上記回折格子を
通過して上記半導体レーザ素子に向かう中心ビーム及び
その両側の両側ビームのうち該両側ビームが、上記半導
体レーザ素子のレーザビーム出射端面に入射しないよう
に、上記半導体レーザ素子のレーザビーム出射端面側に
光を散乱又は吸収する光遮蔽体を設けて成ることを特徴
とする光学式ヘッドのトラッキング誤差検出装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59145766A JPH063649B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
| US06/753,570 US4742506A (en) | 1984-07-12 | 1985-07-10 | Tracking error detecting apparatus for an optical head with skew error reduction by using an inclined header portion |
| CA000486654A CA1239474A (en) | 1984-07-12 | 1985-07-11 | Tracking error detecting apparatus for an optical head |
| EP85305007A EP0171929B1 (en) | 1984-07-12 | 1985-07-12 | Tracking error detecting apparatus |
| KR1019850004967A KR940004656B1 (ko) | 1984-07-13 | 1985-07-12 | 광학식 헤드의 트랙킹 오차 검출장치 |
| DE8585305007T DE3575036D1 (de) | 1984-07-12 | 1985-07-12 | Vorrichtung zur ermittlung eines spurfolgefehlers. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59145766A JPH063649B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124031A JPS6124031A (ja) | 1986-02-01 |
| JPH063649B2 true JPH063649B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=15392663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59145766A Expired - Lifetime JPH063649B2 (ja) | 1984-07-12 | 1984-07-13 | 光学式ヘツドのトラツキング誤差検出装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH063649B2 (ja) |
| KR (1) | KR940004656B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63252189A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-19 | 株式会社貝印刃物開発センター | 安全かみそり |
| JPH0198135A (ja) * | 1988-09-19 | 1989-04-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学式ピックアップ装置 |
| US5517479A (en) * | 1993-03-26 | 1996-05-14 | Matsushita Electronics Corporation | Optical head including a semiconductor laser having a non-scatter incident area |
| JP4093213B2 (ja) | 2004-07-29 | 2008-06-04 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
| JP5637474B2 (ja) * | 2009-12-30 | 2014-12-10 | 国立大学法人 千葉大学 | ビームフィルタ、それを備えたレーザチップ及び外部共振器レーザ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5947778A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-17 | Hitachi Ltd | 半導体受光素子とそれを用いたレ−ザ発振装置 |
-
1984
- 1984-07-13 JP JP59145766A patent/JPH063649B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-07-12 KR KR1019850004967A patent/KR940004656B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5947778A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-17 | Hitachi Ltd | 半導体受光素子とそれを用いたレ−ザ発振装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940004656B1 (ko) | 1994-05-27 |
| KR860001342A (ko) | 1986-02-26 |
| JPS6124031A (ja) | 1986-02-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |