JPS59217380A - 発光素子アレイの実装方法 - Google Patents
発光素子アレイの実装方法Info
- Publication number
- JPS59217380A JPS59217380A JP58091750A JP9175083A JPS59217380A JP S59217380 A JPS59217380 A JP S59217380A JP 58091750 A JP58091750 A JP 58091750A JP 9175083 A JP9175083 A JP 9175083A JP S59217380 A JPS59217380 A JP S59217380A
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- JP
- Japan
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- light emitting
- array
- emitting element
- light
- monitoring
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4249—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details comprising arrays of active devices and fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明は基板上に半導体レーザが１次元に並設された発
光素子アレイの実装方法に関する。
光素子アレイの実装方法に関する。
（ｂ）技術の背景
近年ガリウム砒素等の基板上に半導体レーザを近接して
１次元に並設した発光素子アレ・イが開発されるに伴い
、これらの発光素子アレイと光伝送路アレイとを効率良
く結合する要求が強い。
１次元に並設した発光素子アレ・イが開発されるに伴い
、これらの発光素子アレイと光伝送路アレイとを効率良
く結合する要求が強い。
（Ｃ）従来技術と問題点
従来は発光素子アレイを光ファイバなどの光伝送路アレ
イに実装するには、光伝送路アレイの基板上に発光素子
アレイを載せ実際にそれぞれの発光素子を発光せしめ、
光伝送路アレイの対応４−る光伝送路のそれぞれの光パ
ワを検出しながら光伝送路アレイの基板上で発光素子ア
レイの位置を摺動調整して、ずぺての光伝送路の光結合
が最良になる位置を選択し、その位置で発光素子−？レ
イをＡｕ−３ｉ共晶合金法、導電性樹脂接着法などで光
伝送路アレイの基板に固着している。
イに実装するには、光伝送路アレイの基板上に発光素子
アレイを載せ実際にそれぞれの発光素子を発光せしめ、
光伝送路アレイの対応４−る光伝送路のそれぞれの光パ
ワを検出しながら光伝送路アレイの基板上で発光素子ア
レイの位置を摺動調整して、ずぺての光伝送路の光結合
が最良になる位置を選択し、その位置で発光素子−？レ
イをＡｕ−３ｉ共晶合金法、導電性樹脂接着法などで光
伝送路アレイの基板に固着している。
しかしながら多数並設された光伝送路のそれぞれに光検
出器を装着して光結合具合を４（ＩＩ定するので調整作
業が煩雑であるという問題点がある。
出器を装着して光結合具合を４（ＩＩ定するので調整作
業が煩雑であるという問題点がある。
（ｄ）発明の目的
本発明の目的は、上記従来の問題点が除去された発光素
子アレイの実装方法を提供することにある。
子アレイの実装方法を提供することにある。
（ｅ）発明の構成
この目的を達成するために本発明は、発光素子アレイに
は両端にモニター用発光素子を発光素子に並列して設け
、端部」二面に該発光素子アレイを搭載する光伝送路ア
レイの半導体基板には、該発光素子アレイのそれぞれの
発光素子に対応した光転送路列の両端に、該モニター用
発光素子に対応して該光転送路列のピッチと同ピツチで
モニター用溝を並設し、それぞれの該モニター用溝の端
部に光検出素子を設けて、該光検出素子にて前記モニタ
ー用発光素子の光パフを最良に受光するように、該発光
素子アレイを調整して発光素子アレイを光伝送路アレイ
に搭載するようにしたものである。
は両端にモニター用発光素子を発光素子に並列して設け
、端部」二面に該発光素子アレイを搭載する光伝送路ア
レイの半導体基板には、該発光素子アレイのそれぞれの
発光素子に対応した光転送路列の両端に、該モニター用
発光素子に対応して該光転送路列のピッチと同ピツチで
モニター用溝を並設し、それぞれの該モニター用溝の端
部に光検出素子を設けて、該光検出素子にて前記モニタ
ー用発光素子の光パフを最良に受光するように、該発光
素子アレイを調整して発光素子アレイを光伝送路アレイ
に搭載するようにしたものである。
（ｆ）発明の実施例
１ 以下図示実施例を参照して本発明に
ついて詳細に説明する。
ついて詳細に説明する。
第１図の（イ）（ロ）はそれぞれ本発明の一実施例の光
伝送路アレイの製造工程を示す斜視図であり、第２図の
（イ）は発光素子アレイを搭載した斜視図、（ロ）は断
面図である。
伝送路アレイの製造工程を示す斜視図であり、第２図の
（イ）は発光素子アレイを搭載した斜視図、（ロ）は断
面図である。
第１図（伺のように光伝送路アレイｌの半導体基板例え
ばシリコン基板２の表面に、発光素子アレイのそれぞれ
の発光素子に対応したピッチで並ダルた光ファイバを挿
着するＶ溝３ａ、３ｂ。
ばシリコン基板２の表面に、発光素子アレイのそれぞれ
の発光素子に対応したピッチで並ダルた光ファイバを挿
着するＶ溝３ａ、３ｂ。
３ｃと、発光素子アレイが搭載される側のシリコン基板
２の端面に始まりＶ溝３ａに並行し長さが短い溝で、■
溝３ ａ −３ｃ列の両端でＶ溝３ａ−３ｃ列のピッチ
と同ピツチの位置に幅がＶ溝３ａ（３ｂ、 ３ ｃ）
の幅よりも僅かに大きいモニター用Ｖ？ＪＳ４ａと４ｂ
とを形成する。このＶ溝３ａ。
２の端面に始まりＶ溝３ａに並行し長さが短い溝で、■
溝３ ａ −３ｃ列の両端でＶ溝３ａ−３ｃ列のピッチ
と同ピツチの位置に幅がＶ溝３ａ（３ｂ、 ３ ｃ）
の幅よりも僅かに大きいモニター用Ｖ？ＪＳ４ａと４ｂ
とを形成する。このＶ溝３ａ。
３ｂ、３ｃおよびモニター用■溝４ａ、４ｂはシリコン
基Ｆｉ２の表面に５ｉ０２膜のマスクパターンをホトリ
ソグラフィ方法にて形成し、シリコン基板２の上面をエ
ツチングして形成する。このエツチングは沸騰中のピロ
カテコール、エチレンジアミン、水の混合液りなるエツ
チング液に浸漬して行う。
基Ｆｉ２の表面に５ｉ０２膜のマスクパターンをホトリ
ソグラフィ方法にて形成し、シリコン基板２の上面をエ
ツチングして形成する。このエツチングは沸騰中のピロ
カテコール、エチレンジアミン、水の混合液りなるエツ
チング液に浸漬して行う。
次ぎに（ロ）のようにモニター用Ｖ溝４ａの端部のシリ
コン基板２の表面にＶ溝幅に等しい一辺を有する角形の
光検出素子５ａを、モニター用Ｖ溝４ｂの端部には同形
状の光検出素子５ｂをそれぞれ形成する。
コン基板２の表面にＶ溝幅に等しい一辺を有する角形の
光検出素子５ａを、モニター用Ｖ溝４ｂの端部には同形
状の光検出素子５ｂをそれぞれ形成する。
この光検出素子はＢ（ボロン）をシリコン基板２に拡散
することにより得られる。
することにより得られる。
次いで第２図のようにガリウム砒素基板の端面に発光素
子７ａ、７ｂ、７ｃが並設され、さらに発光素子列の両
端で発光素子列と同ピツチの位置にモニター用発光素子
８ａ、８ｂが並設された発光素子アレイ６を、光伝送路
アレイ１の上面の端部に載セでモニター用発光素子８ａ
、８ｂを駆動し光検出素子５ａ、５ｂにて受光せしめ、
両者の受光パワが最大になるように発光素子アレイ６を
シリコン基板２上で調整し、その位置にて発光素子アレ
イ６をＡｕ−３ｉ共晶合金法、導電性樹脂接着法などで
固着する。
子７ａ、７ｂ、７ｃが並設され、さらに発光素子列の両
端で発光素子列と同ピツチの位置にモニター用発光素子
８ａ、８ｂが並設された発光素子アレイ６を、光伝送路
アレイ１の上面の端部に載セでモニター用発光素子８ａ
、８ｂを駆動し光検出素子５ａ、５ｂにて受光せしめ、
両者の受光パワが最大になるように発光素子アレイ６を
シリコン基板２上で調整し、その位置にて発光素子アレ
イ６をＡｕ−３ｉ共晶合金法、導電性樹脂接着法などで
固着する。
上述のような方法で■溝３ａ、３ｂ、３ｃとモニター用
Ｖ＃４ａ、４ｂとは同時に形成されており、それらのピ
ッチは高精度であるので、発光素子７ａ、７ｂ、７ｃは
対応する■溝３ａ、３ｂ；３Ｃに高精度で一致する。し
たがってそれぞれの■溝に光ファイバを挿着すれば、発
光素子アレイ６と光伝送路アレイ１とは最適条件で光結
合される。
Ｖ＃４ａ、４ｂとは同時に形成されており、それらのピ
ッチは高精度であるので、発光素子７ａ、７ｂ、７ｃは
対応する■溝３ａ、３ｂ；３Ｃに高精度で一致する。し
たがってそれぞれの■溝に光ファイバを挿着すれば、発
光素子アレイ６と光伝送路アレイ１とは最適条件で光結
合される。
図示例は光伝送路が３条であるが、光伝送路数が多いほ
ど本発明の効果は大きい。
ど本発明の効果は大きい。
また本発明の光伝送路アレイは、光ファイバの光伝送路
アレイに限定されるものでなく、シリコン基板に角溝列
を設け、それらの角溝に５ｉ０２を埋めて形成した光伝
送路アレイにおいても、角溝アレイを形成時に、モニタ
ー用角溝を形成することにより適用することができる。
アレイに限定されるものでなく、シリコン基板に角溝列
を設け、それらの角溝に５ｉ０２を埋めて形成した光伝
送路アレイにおいても、角溝アレイを形成時に、モニタ
ー用角溝を形成することにより適用することができる。
（ｇ）発明の詳細
な説明したように本発明は、光伝送路アレイにモニター
用に対応して光検出素子を設りたことにより、光伝送路
アレイと発光素子アレイの光結合の調整作業が容易であ
ると言った実用上で優れた効果のある発光素子アレイの
実装方法である。
用に対応して光検出素子を設りたことにより、光伝送路
アレイと発光素子アレイの光結合の調整作業が容易であ
ると言った実用上で優れた効果のある発光素子アレイの
実装方法である。
第１図の（イ）（ロ）はそれぞれ本発明の一実施例の光
伝送路アレイの製造工程を示す斜視図であり、第２図の
（イ）は発光素子アレイを搭載した斜視図、（ｒｌ）は
断面図である。 図中１は光伝送路アレイ、２はシリコン基板、３ａ、３
ｂ、３ｃはＶ溝、４ａ、４．ｂはモニター用Ｖ溝、５ａ
、５ｂは光検出素子、６は発光素子アレイ、？ａ、７ｂ
、７ｃは発光素子、８ａ、８ｂはモニター用発光素子を
それぞれ示す。 茅 １ 即 （ロ）
伝送路アレイの製造工程を示す斜視図であり、第２図の
（イ）は発光素子アレイを搭載した斜視図、（ｒｌ）は
断面図である。 図中１は光伝送路アレイ、２はシリコン基板、３ａ、３
ｂ、３ｃはＶ溝、４ａ、４．ｂはモニター用Ｖ溝、５ａ
、５ｂは光検出素子、６は発光素子アレイ、？ａ、７ｂ
、７ｃは発光素子、８ａ、８ｂはモニター用発光素子を
それぞれ示す。 茅 １ 即 （ロ）
Claims (1)
- 発光素子アレイには両端にモニター用発光素子が並設さ
れてなり、端部上面に該発光素子アレイを搭載する光伝
送路アレイの半導体基板、には、該発光素子プレイのそ
れぞれの発光素子に対応した光転送路列の両端に、該モ
ニター用発光素子に対応して該光転送路列のピッチと同
ピツチでモニター用溝を並設し、それぞれの該モニター
用溝の端部に光検出素子を設けて、該光検出素子にて前
記モニター用発光素子の光パワを最良に受光するように
該発光素子アレイを調整し゛ζ発光素子プレイを光伝送
路アレイに搭載することを特徴とする発光素子アレイの
実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58091750A JPS59217380A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 発光素子アレイの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58091750A JPS59217380A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 発光素子アレイの実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59217380A true JPS59217380A (ja) | 1984-12-07 |
Family
ID=14035206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58091750A Pending JPS59217380A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 発光素子アレイの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59217380A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61242069A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 混成光集積回路およびその製造方法 |
| JPS6389273U (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-10 | ||
| JPS63145359U (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-26 | ||
| JPS64354U (ja) * | 1987-06-18 | 1989-01-05 | ||
| JPH01233786A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH01238185A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| WO1995016217A1 (de) * | 1993-12-10 | 1995-06-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektrooptisches modul |
-
1983
- 1983-05-25 JP JP58091750A patent/JPS59217380A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61242069A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 混成光集積回路およびその製造方法 |
| JPH053748B2 (ja) * | 1985-04-19 | 1993-01-18 | Nippon Telegraph & Telephone | |
| JPS6389273U (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-10 | ||
| JPS63145359U (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-26 | ||
| JPS64354U (ja) * | 1987-06-18 | 1989-01-05 | ||
| JPH01233786A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-19 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH01238185A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| WO1995016217A1 (de) * | 1993-12-10 | 1995-06-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektrooptisches modul |
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