JPH01238185A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH01238185A JPH01238185A JP63066477A JP6647788A JPH01238185A JP H01238185 A JPH01238185 A JP H01238185A JP 63066477 A JP63066477 A JP 63066477A JP 6647788 A JP6647788 A JP 6647788A JP H01238185 A JPH01238185 A JP H01238185A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- waveguide
- light
- light emitting
- heat sink
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 10
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高速データ転送用光デイスク装置の光ヘッド
の光源等に用いられる安定した複数の光ビームが得られ
る半導体レーザ装置に関するものである。
の光源等に用いられる安定した複数の光ビームが得られ
る半導体レーザ装置に関するものである。
光デイスク装置のデータ転送速度の向上のため、複数の
光ビームで光デイスク上の複数のトラークを同時にトレ
ースし、複数のトラックに並列に情報の記録や再生を行
う方法が知られている。
光ビームで光デイスク上の複数のトラークを同時にトレ
ースし、複数のトラックに並列に情報の記録や再生を行
う方法が知られている。
このとき、光ヘッドの光源として、同一パッケージ内に
複数の発光点を有する半導体レーザを用いることが光ヘ
ッドの部品点数の削減、小型化、軽量化の点で有利であ
る。また情報の記録または再生動作を安定に信顆性よく
行うためには、個々の発光点の光出力を独立にモニター
し制御する必要がある。装置の小型化のためには、光出
力のモニターは通常の１ビームの半導体レーザで行われ
ているようにレーザパッケージ内部に収めることが望ま
しい。複数の光ビームを発する半導体レーザ装置は従来
、第４図（ａ）、（ｂ）（（ａ）は平面図、（ｂ）は側
面図）に示すように、発光点を複数個配列したアレイ型
半導体レーザ１の後発光点の直後に他の発光点からの出
射光が回り込まないように壁またはトンネル状の導波管
５を基板２に形成し、その導波管５を出射した光を導波
管端面に設置した複数個の光検出器４にてそれぞれ検出
する構造となっている。
複数の発光点を有する半導体レーザを用いることが光ヘ
ッドの部品点数の削減、小型化、軽量化の点で有利であ
る。また情報の記録または再生動作を安定に信顆性よく
行うためには、個々の発光点の光出力を独立にモニター
し制御する必要がある。装置の小型化のためには、光出
力のモニターは通常の１ビームの半導体レーザで行われ
ているようにレーザパッケージ内部に収めることが望ま
しい。複数の光ビームを発する半導体レーザ装置は従来
、第４図（ａ）、（ｂ）（（ａ）は平面図、（ｂ）は側
面図）に示すように、発光点を複数個配列したアレイ型
半導体レーザ１の後発光点の直後に他の発光点からの出
射光が回り込まないように壁またはトンネル状の導波管
５を基板２に形成し、その導波管５を出射した光を導波
管端面に設置した複数個の光検出器４にてそれぞれ検出
する構造となっている。
半導体レーザ１の後発光点の直後に壁またはトンネル状
の導波管を形成し、その導波管を出射した光を複数の光
検出器にて検出する場合、半導体レーザ１の発光点と導
波管の入射端の距離及び導波管の光出射口と光検出器の
間の距離を近接させる必要があり、またその位置も精度
が必要である。このような半導体レーザ装置は形が小さ
いため正確に位置決めするのが難しくクロストークはさ
け難い。この結果、正確なモニータができず出力光が不
安定となる０本発明は上述の問題点を解決して安定の出
力光が得られる半導体レーザ装置を得ることにある。
の導波管を形成し、その導波管を出射した光を複数の光
検出器にて検出する場合、半導体レーザ１の発光点と導
波管の入射端の距離及び導波管の光出射口と光検出器の
間の距離を近接させる必要があり、またその位置も精度
が必要である。このような半導体レーザ装置は形が小さ
いため正確に位置決めするのが難しくクロストークはさ
け難い。この結果、正確なモニータができず出力光が不
安定となる０本発明は上述の問題点を解決して安定の出
力光が得られる半導体レーザ装置を得ることにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体レーザ装置は、独立駆動可能な複数個の
発光点を有する半導体ｌノーザと、前記半導体レーザか
らの出射光をその発光点ごとに独立に伝搬させる複数の
導波管と、前記導波管の伝搬した光の強度を検出する複
数の光検出器を備え、前記半導体レーザと、前記導波管
と、前記光検出器を同一のパッケージ内に収め、前記導
波管は、表面に溝を有する基板の溝のある面を、前記ヒ
ートシンク上に接着または融着した基板の凸部とヒート
シンクとで囲まれた領域で構成し、前記光検出器は前記
ヒートシンク上の、前記導波管内部に対応する面に形成
したことを特徴とする。
発光点を有する半導体ｌノーザと、前記半導体レーザか
らの出射光をその発光点ごとに独立に伝搬させる複数の
導波管と、前記導波管の伝搬した光の強度を検出する複
数の光検出器を備え、前記半導体レーザと、前記導波管
と、前記光検出器を同一のパッケージ内に収め、前記導
波管は、表面に溝を有する基板の溝のある面を、前記ヒ
ートシンク上に接着または融着した基板の凸部とヒート
シンクとで囲まれた領域で構成し、前記光検出器は前記
ヒートシンク上の、前記導波管内部に対応する面に形成
したことを特徴とする。
本発明においては、複数個の発光点から出射した光はそ
れぞれ異なる導波管内部を伝搬し、導波管内部に構成さ
れたそれぞれ異なる光検出器にて検出される。したがっ
て個々の光出力の独立検出が低クロストークで可能とな
る。また光検出器を外付けにする必要がないので、位置
合わせの必要がなく調整の手間が減る。
れぞれ異なる導波管内部を伝搬し、導波管内部に構成さ
れたそれぞれ異なる光検出器にて検出される。したがっ
て個々の光出力の独立検出が低クロストークで可能とな
る。また光検出器を外付けにする必要がないので、位置
合わせの必要がなく調整の手間が減る。
第１図に本発明の実施例を示す、第１図（ａ）は本発明
の半導体レーザ装置の上面図、第１図（ｂ）は側面図で
ある。複数の発光点１ａ、ｌｂ。
の半導体レーザ装置の上面図、第１図（ｂ）は側面図で
ある。複数の発光点１ａ、ｌｂ。
１ｃを有する半導体レーザ１をヒートシンク３の上に融
着し、この半導体レーザ１の端面直後に、第３図に示し
た溝を有する基板２を設けている。
着し、この半導体レーザ１の端面直後に、第３図に示し
た溝を有する基板２を設けている。
導波管５は基板２の凸部とヒートシンク３によって形成
されるトンネル状の部分から成っている。
されるトンネル状の部分から成っている。
光検出器４は第１図（ｂ）に示すように導波管５内部の
ヒートシンク上にフォトダイオードを融着して設けた。
ヒートシンク上にフォトダイオードを融着して設けた。
このとき半導体レーザ１の端面と基板２の入射端面を近
接して設置することにより他の発光点からの光の回り込
みを抑えることができる。
接して設置することにより他の発光点からの光の回り込
みを抑えることができる。
第２図はシリコンをヒートシンク３に用い、このヒート
シンク内にｐｎ接合を設けて光検出器４をヒートシンク
３と一体化した例である。このヒートシンク３を用いる
と第１図で示したものよりも簡単に作ることができる。
シンク内にｐｎ接合を設けて光検出器４をヒートシンク
３と一体化した例である。このヒートシンク３を用いる
と第１図で示したものよりも簡単に作ることができる。
第２図は第１図における溝を持つ基板の一例の斜視図で
ある。基板の材質としては、例えばシリコン、インジウ
ムリン、セラミックなどが用いられる。第３図（ａ）は
、基板表面にエツチングまたは機械的な加工などにより
溝を構成した例である。第３図（ｂ）は、基板表面に印
刷などの手法をもちいて選択的に膜６をつけ、段差を形
成した例である。
ある。基板の材質としては、例えばシリコン、インジウ
ムリン、セラミックなどが用いられる。第３図（ａ）は
、基板表面にエツチングまたは機械的な加工などにより
溝を構成した例である。第３図（ｂ）は、基板表面に印
刷などの手法をもちいて選択的に膜６をつけ、段差を形
成した例である。
なお本実施例においては３個の発光点を有する半導体レ
ーザについて述べたが、発光点を２個または４個以上有
する半導体レーザの場合についても同様である。
ーザについて述べたが、発光点を２個または４個以上有
する半導体レーザの場合についても同様である。
ヒートシンク表面は平坦な面としたが、ストライプ状の
凸部を備えて基板の溝内にストライプ状凸部が嵌合する
ように構成してもよい、また基板の溝部は中空とせず、
基板と屈折率の異なる材料を埋め込んでもよい。
凸部を備えて基板の溝内にストライプ状凸部が嵌合する
ように構成してもよい、また基板の溝部は中空とせず、
基板と屈折率の異なる材料を埋め込んでもよい。
以上説明したように、本発明の半導体レーザ装置では、
導波管内のヒートシンク上に光検出器が設置しであるた
め、複数の発光点を持つ半導体レーザからの出射光はそ
れぞれ異なる導波管内部を伝搬し、導波管内部のそれぞ
れ異なる光検出器にて検出される。したがって個々の光
出力の独立検出が低クロストークで可能となるという効
果がある。
導波管内のヒートシンク上に光検出器が設置しであるた
め、複数の発光点を持つ半導体レーザからの出射光はそ
れぞれ異なる導波管内部を伝搬し、導波管内部のそれぞ
れ異なる光検出器にて検出される。したがって個々の光
出力の独立検出が低クロストークで可能となるという効
果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を示す上面図
及び側面図、第２図はヒートシンク上の光検出器の構成
を示す図、第３図（ａ）、（ｂ）は導波管を有する基板
の構成を示す図、第４図は従来の例を示す上面図および
側面図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・基板、３・・・ヒート
シンク、４・・・光検出器、５・・・導波管。
及び側面図、第２図はヒートシンク上の光検出器の構成
を示す図、第３図（ａ）、（ｂ）は導波管を有する基板
の構成を示す図、第４図は従来の例を示す上面図および
側面図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・基板、３・・・ヒート
シンク、４・・・光検出器、５・・・導波管。
Claims (1)
- 独立駆動可能な複数個の発光点を有する半導体レーザ
と、前記半導体レーザからの出射光をその発光点ごとに
独立に伝搬させる複数の導波管と、前記導波管の内部を
伝搬した光の強度を検出する複数の光検出器を備え、前
記半導体レーザと、前記導波管と、前記光検出器を同一
のパッケージ内に収め、前記導波管は、表面にストライ
プ状凸部を有する基板の凸部のある面を、ヒートシンク
上に接着または融着した基板の凸部とヒートシンクとで
囲まれた領域で構成し、前記光検出器は前記ヒートシン
ク上の、前記導波管内部に対応する面に形成したことを
特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066477A JPH01238185A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066477A JPH01238185A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01238185A true JPH01238185A (ja) | 1989-09-22 |
Family
ID=13316899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63066477A Pending JPH01238185A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01238185A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0589602A2 (en) * | 1992-09-22 | 1994-03-30 | Simmonds Precision Engine Systems, Inc. | Potted electrical components and methods of making the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5433046A (en) * | 1977-08-19 | 1979-03-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | Production of optical branching element using optical fibers |
| JPS59217380A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-07 | Fujitsu Ltd | 発光素子アレイの実装方法 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP63066477A patent/JPH01238185A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5433046A (en) * | 1977-08-19 | 1979-03-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | Production of optical branching element using optical fibers |
| JPS59217380A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-07 | Fujitsu Ltd | 発光素子アレイの実装方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0589602A2 (en) * | 1992-09-22 | 1994-03-30 | Simmonds Precision Engine Systems, Inc. | Potted electrical components and methods of making the same |
| EP0589602A3 (en) * | 1992-09-22 | 1994-07-13 | Simmonds Precision Engine Syst | Potted electrical components and methods of making the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61161759A (ja) | 集積オプトエレクトロニクス・デバイス | |
| US5195152A (en) | Multichannel optical recording apparatus employing laser diodes | |
| ATE203620T1 (de) | Verfahren zum erzielen von mehreren integrierten optischen köpfe | |
| CA2505256A1 (en) | Optical component for free-space optical propagation between waveguides | |
| KR102594414B1 (ko) | 프로브 장치 및 이를 포함하는 테스트 장치 | |
| EP0392714B1 (en) | A semiconductor laser device | |
| EP0765015B1 (en) | Semiconductor laser device and optical disk drive | |
| US6877911B2 (en) | Optical-fiber supporting member and optical transmission device using the same | |
| JPH01238185A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2681980B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH01208886A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| KR100810304B1 (ko) | 평판형 광 도파로 | |
| US6882783B2 (en) | Method and apparatus for the alignment of optical components | |
| JPH01214087A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6047239A (ja) | 光ヘツド装置 | |
| JPH0728092B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH04361210A (ja) | 発光素子アレイまたは受光素子アレイと光ファイバアレイの接続装置及びその実装方法 | |
| KR100498295B1 (ko) | 광자기 드라이브용 픽-업헤드의 포토 다이오드 모듈 | |
| JPS62259241A (ja) | 光ピツクアツプ | |
| JPH065583B2 (ja) | 光情報処理装置 | |
| JPH0368186A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2812812B2 (ja) | 光導波素子 | |
| JPH0621264Y2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH04154182A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS62209887A (ja) | 多ビ−ム光源モジユ−ル |