JPS62259241A - 光ピツクアツプ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光ピックアップ構造に関する。

〔従来の技術〕

従来の光ピックアップの構造の概要をＩＩＥＺ図に示す
。半導体レーザ２１から出光光はコリメートレンズ２２
、ビームスプリッタ２３．”□対物ルンズ２４を通って
記録媒体２５の信号位ｆｔＫａＬ光し、そこからの反射
光は対物レンズ２４を通りた後、ビームスプリッタ２５
で光路を曲げられて光ゆ小器２６に入り、信号およびフ
ォーカスエラー、トラッキングエ→−を検出していた。

しかし、レンズやビームスプリッタを用いている友め光
ピックアップは大會く、重かつ友、これでは光記録媒体
の情報を読入出すためのアクセス時間ｈ；早くならない
という間Ｍがあった。

そこで提案され友のｂ’−１ｔａｓ図に概要を示した集
積−化光ピタク７ツプである。この形の一例として、光
メモリシンポジウム′８５　講演番号１６で発！！があ
っ几が、８ｉ基板３１上に形成されたガラス系、薄膜導
波路３２に半導体レーザ３３が接゛着されている。半導
体レーザ３３から重比光はグレーティング構造を持つ導
波路型ビームスプリツタ３４４ｆ通過して、これもグレ
ーティング構造の導波路型集光レンズ３５へ入る。ここ
で導波光は導波路３２から外へ出て、導波路型集光レン
ズ５５のグレーティングの形状によって一点３６Ｖｃ集
光する。

この集光点３６の位置に記録媒体ｈ；あって反射光を導
波路型集光レンズ３５に戻してやれば、反射光は導波路
３２に戻り、導波路型ビームスプリッタ３４によって光
路ｈ；分割され、其板３１表面に形成されているフォト
ダイオード３７へ導びかれる。このフォトダイオードは
４儒ちり、信号出力、７中−力スエ丹−、ト→ツ千ング
エ→−ヲｓ出−することｈＳできる。

しかし、この構造では、薄膜導波路３２の端面に半導体
レーザ３３を接着する際の接着層の厚さ。

あるいは光軸のずれによって結合効率が１０％以下にな
るといへ問題があった。

この問題を解決する之めには、基板上だ半導体レーザを
作れば良いわけである。この−例として特開昭６０−５
９５４７および特開昭６０−５９５４８のような光ピッ
クアップが提案されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、この光ピックアップでは光が出る開口部が小さ
いため、現在の光記録のように記録媒体な支持するディ
スク状基板の厚入約１．２　ａｌｌを透過して記優媒体
面に微小スポットを作ることが難かしいとい５問題点を
有する。

そこで未発明けこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、レンズの開口面積ｈ”＝大會〈
、記録媒体基板を透過しても微小スポットを形成できる
１発光素子もモノリシックに形成する集積化光ピックア
ップを提供することにちる。

〔間厚廃を解決するための手段〕

本発明の光ピッ７ヴプは１発光素子、受光素子。

薄膜導波路、導波路型ビームスブリフタ、導波路型集光
レンズ等から成る光ピツアップにおいて。

酌記発光素子、受光票子な基板上に成長させた化合物半
導体膜で形成することを特徴とする。

〔実施例〕

箪１図は本発明の実施例の概略を示す図であり、れ）は
斜視図、の）は（ロ））のＡ　−Ａ’の断面図である。

ｎ型ａａ　ｈｓの基板１０１の上Ｋ　％　−ｐｄ、Ｇｅ
Ａｓ　Ｎｅｔ　１０２　、ＧａＭ層１０３　、ｐ　−ｋ
ｌＧａ　Ａ８層１０４、ｐ　−ＧｒＬ　ＡＪ層１０５を
エピタ千シャル成長させ、エツチングすることによって
半導体レーザ１０６と光吟小器１１１シ形成する。

次に光導波層１０８の下地層１０７となろＳ＜（ＩＩ訃
よび光導波層となるガラス層（例えば、コーニング社７
０５９　）を成膜する。続いてレジストあるいはＳｕ　
Ｎ４　等から成るグレーティング嘴令を持つビームスフ
ＩＩヴタおよび導波路型集光レンズを形成する。

このように形成された光ピックアップでは、光源となる
半導体レーザ１０６から出之光は光導波路に結合され、
導波路型ビームスプリフタ１０９を経て導波路型集光レ
ンズ１１０によって空間の一点１１４に集光される。こ
の位ｔに記録媒体１１５の信号位置がぐるようにしてそ
の反射光ｈｔ再び導波路ｍｓ光レンズに戻るよ５にする
と１反射光は光導波路１０８に入り、導波路型ビームス
プリッタ１０９で光路ｈＳ分割されて光ゆ重器１１１に
入射する。こノ光ユ小器１１１の配置ｔＫよってフォー
カスエ→−。

トラーｙ千ングエ→−の傷号鳴険出できる。

なお、光導波Ｍ　１０８の屈折率ｈｔガラスより大とい
ため導波路型集光レンズ１１０を構成するグレーティン
グのピヴチｈ；さらに小さくなるｈｔ、光導波路の下地
層１０７と光導波路をｋｌ　ｒｍ　ＡＪ系の化合物半導
体で形成しても良い。この時、下地層１０７より光導波
路１０８の方ｈｓ屈折率ｈｔ高くなるように、−！ｌた
。半導体レーザ１０６からの光の光導波路での吸収を小
さくするようにＡｌ　ｆ”＋　１を決める必要４ｔちる
。

また、半導体レーザ１０６、′＃ゆ重器１１１を８ｉ基
板、サファイヤ基板の上に形成すれば、安価なピックア
ップを提供することｈｔで欠る。

〔発明の効果〕

以上述べたように、大発明だよれば、半導体レーザを導
波路に接看接合させる際の光軸あわせろｔ不用になると
と４Ｋ、光軸ずれ、あるいけ接着層の存、在による結合
効率の低下を防げるという効果を有する。

また、半導体レーザな外けけする場合に比べて光ピック
アップを小型、軽量化することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の概要を示すものであリ、れ）
は餠袢１図、（ｂ）けれ）のＡ　−Ａ’の断面図でもろ
。 第２図は従来の光ピックアップの概要を示す図。 第３図は従来の集積光ピックアップの概要を示ｆ斜視図
である。 １０１　・−・ｎ−ＧａｋＢ基板 １０２　・・−・−ｎ　−ｐＪ、ａｒｔ　Ａａ層１０３
　…−０ａｋｓ層 １０４−・・・・・ｐ　−ＧｃＬＡｓ　ｍ１０５・・・
・・・ｐ−おＭ層 １０６・・・・・・半導体レーザ １０７・・・・・・下地層 １０８・・・・・・光導波路 １０９・・・・・・導波路型ビームスプリッタ１１０・
・・・・・導波路型集光レンズ１１１・・・・・・光検
出器 １１２・・・・・・導波光 １１３・・・・・・光束 １１４・・・・・・光スポット １１５・・・・・・記銖媒体 ２１・・・・・・半導体レーザ ２２・・・・・・コリメートレンズ ２３・・・…ビームスプリｌり ２４・・・・・・対物レンズ ２５・・・・・・配録媒体 ３１・・・・・・基板 ３２・・・・・・光導波路 ３３・・・・・・半導体レーザ ３４・・・・・・導波路型ビームスプリνり３５・・・
・・・導波路型集光レンズ ３６・・・・・・光スボヴト ３７・・・・・・光検出器 以　　上 出顆人　　セイコーエプソン株式会社 第１図　（−） 第１図（ｂ） 第２図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）発光素子、受光素子、薄膜導波路、導波路型ビー
   ススピリッタ、導波路型集光レンズ等から成る光ピック
   アップにおいて、前記発光素子、受光素子を光ピックア
   ップの各要素を支持する基板上に成長させた化合物半導
   体膜で形成することを特徴とする光ピックアップ。