JPH01303638A - 光ピックアップ装置 - Google Patents
光ピックアップ装置Info
- Publication number
- JPH01303638A JPH01303638A JP63133321A JP13332188A JPH01303638A JP H01303638 A JPH01303638 A JP H01303638A JP 63133321 A JP63133321 A JP 63133321A JP 13332188 A JP13332188 A JP 13332188A JP H01303638 A JPH01303638 A JP H01303638A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 2
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Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光デイスク装置などに用いられる光ピックアッ
プに関するものである。
プに関するものである。
従来の技術
近年、コンパクトディスク、ビデオディスク。
光メモリーなど光を用いて情報処理を行なうＡわゆる光
デイスク装置が情報処理分野の中で大きな位置を占めつ
つある。これらの光デイスク装置において情報の入出力
に用いられるのが光ピックアップである。従来の光ピッ
クアップの一例ヲ第３図に示す。半導体レーザ１から出
射された光はレンズ等の光学系によってディスク２の上
に集光される。ディスクからの反射光はやはり光学系に
よりディテクタ３上に集光され、電気信号に変換される
。この光ピックアップにホログラム光学素子（Ｈｏ１ｏ
ｌｒａｐｈｉｃ ０ｐｔｉｃａｌ Ｅｌｅｍｅｎｔ ：
Ｈｏｇ ）を用いることによって部品点数を減らし、
小型軽量化したものにホログラム光ビックアンプがある
。
デイスク装置が情報処理分野の中で大きな位置を占めつ
つある。これらの光デイスク装置において情報の入出力
に用いられるのが光ピックアップである。従来の光ピッ
クアップの一例ヲ第３図に示す。半導体レーザ１から出
射された光はレンズ等の光学系によってディスク２の上
に集光される。ディスクからの反射光はやはり光学系に
よりディテクタ３上に集光され、電気信号に変換される
。この光ピックアップにホログラム光学素子（Ｈｏ１ｏ
ｌｒａｐｈｉｃ ０ｐｔｉｃａｌ Ｅｌｅｍｅｎｔ ：
Ｈｏｇ ）を用いることによって部品点数を減らし、
小型軽量化したものにホログラム光ビックアンプがある
。
第４図に従来のホログラム光ピックアップの一例を示す
。ホログラム光学素子（Ｈｏｇ）４．コリメートレンズ
６、ディテクターチップ６、半導体レーザチップ７が同
一パッケージ内に収められている。ディスクからの反射
光はＨＯＩＣによって回折され、その１次の回折光がデ
ィテクターチップに入射し、信号として用いられる構成
となっている。第３図の従来の光ピ・ンクアップに比べ
て部品点数も少なく、光路も簡単にすることができる。
。ホログラム光学素子（Ｈｏｇ）４．コリメートレンズ
６、ディテクターチップ６、半導体レーザチップ７が同
一パッケージ内に収められている。ディスクからの反射
光はＨＯＩＣによって回折され、その１次の回折光がデ
ィテクターチップに入射し、信号として用いられる構成
となっている。第３図の従来の光ピ・ンクアップに比べ
て部品点数も少なく、光路も簡単にすることができる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来のホログラム光ピンクアップには次
のような問題点があった。まず第１に、ホログラム光学
素子、コリメートレンズ、ディテフタ−チップ、半導体
レーザチップをパッケージ内に固定する場合の位置精度
が非常に厳しく、数μｍの精度が要求される。また一体
化したとはいえ、レーザ単体のパッケージに比べるとホ
ログラム光ピックアップのパッケージは相当大きく、小
型軽量化を十分達成しているとは言えない。
のような問題点があった。まず第１に、ホログラム光学
素子、コリメートレンズ、ディテフタ−チップ、半導体
レーザチップをパッケージ内に固定する場合の位置精度
が非常に厳しく、数μｍの精度が要求される。また一体
化したとはいえ、レーザ単体のパッケージに比べるとホ
ログラム光ピックアップのパッケージは相当大きく、小
型軽量化を十分達成しているとは言えない。
課題分解法するための手段
上記の課題を解決するため、本発明の光ピックアップ装
置は、半導体レーザ、ディテクター、ホログラム光学素
子、コリメートレンズを同一チップ上にモノリシックに
集積化したことを特徴としている。
置は、半導体レーザ、ディテクター、ホログラム光学素
子、コリメートレンズを同一チップ上にモノリシックに
集積化したことを特徴としている。
作用
上記の手段によシ、リングラフィの技術を用いて、十分
高い精度で各光学部品の位置を制御することができる。
高い精度で各光学部品の位置を制御することができる。
またモノリシックに作製することにより、全体の大きさ
を数ｍｍ程度にまで小さくでき、超小型光ピックアップ
が実現できる。
を数ｍｍ程度にまで小さくでき、超小型光ピックアップ
が実現できる。
実施例
本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第２図（勧〜申）は本発明の一実施例の作製工程を示す
。ＧａＡｓ基板８上に２つの活性層（活性層（Ａ）■）
）を含むエピタキシャル層を成長させる（第２図（ａ）
）。このウェハーにエツチングを行ない、第２図（ｂ）
のようにレーザ部９とディテクタ一部１゜と反射部１１
の３つの部分を形成する。ディテクタ一部には活性層（
ム）（Ｂ）両方とも残し、レーザ部では下部の活性層（
Ａ）のみを残す。レーザ部、ディテクタ一部の側面は垂
直になり、反射部は４５度の傾きを持つようにエツチン
グ分桁なう。この反射部の側面には格子状の金属膜を形
成し、反射型のホログラム光学素子１３とする。このウ
エノ蔦−上に５ｉ０２１２を厚く形成し、その表面にフ
レネルコリメートレンズ１４を形成することによシ、第
１図に示す本発明のモノリシック・ホログラム光ピック
アップを得る。
。ＧａＡｓ基板８上に２つの活性層（活性層（Ａ）■）
）を含むエピタキシャル層を成長させる（第２図（ａ）
）。このウェハーにエツチングを行ない、第２図（ｂ）
のようにレーザ部９とディテクタ一部１゜と反射部１１
の３つの部分を形成する。ディテクタ一部には活性層（
ム）（Ｂ）両方とも残し、レーザ部では下部の活性層（
Ａ）のみを残す。レーザ部、ディテクタ一部の側面は垂
直になり、反射部は４５度の傾きを持つようにエツチン
グ分桁なう。この反射部の側面には格子状の金属膜を形
成し、反射型のホログラム光学素子１３とする。このウ
エノ蔦−上に５ｉ０２１２を厚く形成し、その表面にフ
レネルコリメートレンズ１４を形成することによシ、第
１図に示す本発明のモノリシック・ホログラム光ピック
アップを得る。
次に本実施例の作用について第１図を用いて説明する。
レーザ部の活性層ｒ人）から出射された光は反射部で反
射された後、フレネルコリメートレンズにより平行ビー
ムになり、外部の対物レンズによりディスク面上に集光
される。ディスク面からの反射光は反射型ホログラム光
学素子で回折され、その１次の回折光はディテクタ一部
に入射する。
射された後、フレネルコリメートレンズにより平行ビー
ムになり、外部の対物レンズによりディスク面上に集光
される。ディスク面からの反射光は反射型ホログラム光
学素子で回折され、その１次の回折光はディテクタ一部
に入射する。
ディテクタ一部は上下の（に（′Ｂ）２つの活性層によ
ってビームの上下の動きを、そして表面の電極の分離に
よって左右のビームの動きを検知できる。そのため非点
収差法によるフォーカスエラーの検出、ブシュ・フ諏し
法によるトラッキングエラーの検出が可能となる。
ってビームの上下の動きを、そして表面の電極の分離に
よって左右のビームの動きを検知できる。そのため非点
収差法によるフォーカスエラーの検出、ブシュ・フ諏し
法によるトラッキングエラーの検出が可能となる。
上記の実施例では通常のリングラフィ技術を用いて、１
μｍ程度の高い精度で光路の位置を決定することができ
、安定した信号検出が可能となった。
μｍ程度の高い精度で光路の位置を決定することができ
、安定した信号検出が可能となった。
なお本実施例では反射型のホログラム光学素子を用いた
が、レーザ光を薄膜の導波路に導き、その薄膜にグレー
ティングを形成することによってレンズあるいはホログ
ラムを形成しても同様の効果を得ることができる。この
場合用いられる導波路は５ｉ０２等の絶縁体でもＧａＡ
７（Ａｓ等の半導体でもよい。
が、レーザ光を薄膜の導波路に導き、その薄膜にグレー
ティングを形成することによってレンズあるいはホログ
ラムを形成しても同様の効果を得ることができる。この
場合用いられる導波路は５ｉ０２等の絶縁体でもＧａＡ
７（Ａｓ等の半導体でもよい。
さらに本実施例ではホログラム光学素子は基板の反射面
に、コリメートレンズは５ｉ０２表面にグレーティング
により形成したが、どちらか一方に両方の機能を集積す
ることも可能である。また対物レンズの機能も集積化す
ることも可能である。
に、コリメートレンズは５ｉ０２表面にグレーティング
により形成したが、どちらか一方に両方の機能を集積す
ることも可能である。また対物レンズの機能も集積化す
ることも可能である。
発明の効果
本発明の光ピツクアンプは、半導体レーザ、ディテクタ
ー、ホログラム素子、レンズを同一チップ上にモノリシ
ックに集積化することにより、各構成部品の位置を高い
精度で制御することができ、また大幅な小型軽量化を実
現することができ、その実用的価値は犬なるものがある
。
ー、ホログラム素子、レンズを同一チップ上にモノリシ
ックに集積化することにより、各構成部品の位置を高い
精度で制御することができ、また大幅な小型軽量化を実
現することができ、その実用的価値は犬なるものがある
。
第１図は本発明の実施例の完成図、第２図（ａ）〜（ｂ
）は本発明の実施例の作製工程図、第３図は従来の光ピ
ックアップの一例を示す図、第４図は従来のホログラム
光ピックアップの一例を示す図である。 ８・・・・・・ＧａＡｓ基版、９・・・・・・レーザ部
、１ｏ・・・・・ディテクタ部、１２・・・・・・５ｉ
０２．１３・・・・・・回折格子、１４・・・・・・コ
リメートレンズ。 →、ス 蝋ゴ 第２図 ３−−ｃ？ｔｔＡｙ基敬 Ｅ′−５ 帰ト ＋”ｌ Ｌ、ｊ） ”−
）は本発明の実施例の作製工程図、第３図は従来の光ピ
ックアップの一例を示す図、第４図は従来のホログラム
光ピックアップの一例を示す図である。 ８・・・・・・ＧａＡｓ基版、９・・・・・・レーザ部
、１ｏ・・・・・ディテクタ部、１２・・・・・・５ｉ
０２．１３・・・・・・回折格子、１４・・・・・・コ
リメートレンズ。 →、ス 蝋ゴ 第２図 ３−−ｃ？ｔｔＡｙ基敬 Ｅ′−５ 帰ト ＋”ｌ Ｌ、ｊ） ”−
Claims (1)
- ホログラム光学素子を含む光学部品、半導体レーザ、フ
ォトディテクタが同一チップ上にモノリシックに集積化
されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63133321A JP2586578B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 光ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63133321A JP2586578B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 光ピックアップ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01303638A true JPH01303638A (ja) | 1989-12-07 |
| JP2586578B2 JP2586578B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=15101969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63133321A Expired - Lifetime JP2586578B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2586578B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0545735A1 (en) * | 1991-12-04 | 1993-06-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | An optical pickup apparatus and a hologram element used for same |
| US5293038A (en) * | 1992-04-08 | 1994-03-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pick-up head apparatus wherein hollographic optical element and photodetector are formed on semiconductor substrate |
| EP0640962A1 (en) * | 1993-08-25 | 1995-03-01 | Sony Corporation | Optical device |
| US5883913A (en) * | 1993-12-27 | 1999-03-16 | Sony Corporation | Optical device |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61289544A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-19 | Canon Inc | 光ヘツド装置 |
| JPS6258432A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-14 | Olympus Optical Co Ltd | 集積型光ピツクアツプヘツド |
| JPS62124637A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光ピツクアツプ |
| JPS62259241A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Seiko Epson Corp | 光ピツクアツプ |
| JPS62293528A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式情報再生装置 |
| JPS63104230A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光ピツクアツプ光学情報再生装置 |
-
1988
- 1988-05-31 JP JP63133321A patent/JP2586578B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61289544A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-19 | Canon Inc | 光ヘツド装置 |
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| JPS62124637A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光ピツクアツプ |
| JPS62259241A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Seiko Epson Corp | 光ピツクアツプ |
| JPS62293528A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式情報再生装置 |
| JPS63104230A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光ピツクアツプ光学情報再生装置 |
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|---|---|---|---|---|
| EP0545735A1 (en) * | 1991-12-04 | 1993-06-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | An optical pickup apparatus and a hologram element used for same |
| US5331621A (en) * | 1991-12-04 | 1994-07-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical pickup apparatus and a hologram element used for same |
| US5293038A (en) * | 1992-04-08 | 1994-03-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pick-up head apparatus wherein hollographic optical element and photodetector are formed on semiconductor substrate |
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| US5883913A (en) * | 1993-12-27 | 1999-03-16 | Sony Corporation | Optical device |
| CN1046813C (zh) * | 1993-12-27 | 1999-11-24 | 索尼公司 | 光学装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2586578B2 (ja) | 1997-03-05 |
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