JP3032635B2

JP3032635B2 - 光学式情報再生装置

Info

Publication number: JP3032635B2
Application number: JP4020243A
Authority: JP
Inventors: 圭男吉田; 幸夫倉田; 重樹辻
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1992-02-05
Filing date: 1992-02-05
Publication date: 2000-04-17
Anticipated expiration: 2015-04-17
Also published as: JPH05217199A; KR930018488A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光学式情報再生装置に関
し、より詳しくはコンパクトディスク再生装置等に好適
に用いられる光ピックアップ等、特に光学系の小型集積
化に係わるものである。

【０００２】

【従来の技術】高密度で多大の情報を記録することがで
きる光ディスクは、近年多くの分野において利用が進め
られている。このような光学式情報再生装置に於て、光
ピックアップの小型軽量化は重要な問題である。この問
題を解決するため、光ピックアップの光学系に回折素子
を用いることは大変有効で、これまでにもいくつかの提
案がなされている。

【０００３】図７は従来の光ピックアップに於ける光学
系の概略を示す。図において、半導体レーザ１０１から
出射される発散光０は第一の回折素子１０２によって０
次回折光（メインビーム）とトラツキングずれを検出す
るための±１次回折光（サブビーム）とに分割される。
分割された発散光０は第二の回折素子１０３を透過し、
コリメートレンズ１０４、対物レンズ１０５によって情
報記録媒体１０６（以下、光ディスク１０６と称する）
上に集光される。この発散光０のメインビームは光ディ
スク１０６上で集光スポット１０８ａを形成し、サブビ
ームは２個の集光スポット１０８ｂ、１０８ｃを形成す
る。光ディスク１０６からの反射光０は、対物レンズ１
０５によって再び光学系内に取り込まれ、コリメートレ
ンズ１０４を通過し第二の回折素子１０３よって回折さ
れて、回折光は光検出器１０７上に集光される。第一の
回折素子１０２のパターンは、直線が一定の間隔で並べ
られたもので、第二の回折素子１０３のパターンは、反
射光０を光検出器１０７上に回折させるのに適した曲線
となっている。

【０００４】現在の光学式情報再生装置では、円盤状の
光ディスク１０６上で光束を直径１μｍ程度のスポツト
に集光し、かつ、情報トラック１１２上にその集光スポ
ツト１０８ａを追従させる必要がある。このため、いわ
ゆるフォーカス検出機構とトラツキング機構とが必要不
可欠である。

【０００５】まず、フォーカス検出機構について述べ
る。

【０００６】（フォーカス検出機構）図７に示すよう
に、第二の回折素子１０３はほぼ円形をなし、分割線Ｄ
Ｌで２分割された２個の半円形領域１０３ａ、１０３ｂ
を有する。一方、光検出器１０７は４本の分割線Ａ、
Ｂ、ＣおよびＤによって分割された５個の光検出部１０
７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ、１０７ｄ及び１０７ｅを有
する。

【０００７】図７に示すように、第一の回折素子１０２
によって回折され、光ディスク１０６に集光された後反
射されるメインビームの反射光０のうち、第二の回折素
子１０３の一方の半円形領域１０３ａで回折された光は
光検出器１０７に集光され、分割線Ａ上に集光スポット
１１１ａを形成する。他方の半円形領域１０３ｂによっ
て回折された光は光検出部１０７Ｃ上に集光スポット１
１１ａ’を形成する。また、光ディスク１０６に集光さ
れ集光点１０８ｂを形成した後反射されるサブビームの
反射光０は、光検出部１０７ｄ上に２つの集光スポット
１１１ｂ、１１１ｂ’を形成する。光ディスク１０６に
集光され集光点１０８ｃを形成した後反射されるサブビ
ームの反射光０は、光検出部１０７ｅ上に２つの集光ス
ポット１１１ｃ、１１１ｃ’を形成する。

【０００８】このような構成においては、半導体レーザ
１０１からの発散光０が対物レンズ１０５によって光デ
ィスク１０６上に的確に焦点を結んでいるとき、即ち、
合焦点のときには、第二の回折素子１０３の半円形領域
１０３ａからの回折光の集光スポット１１１ａが図８に
示すように光検出器１０７の分割線Ａ上の一点に形成さ
れる。このため光検出部１０７ａ、１０７ｂの出力が等
しくなる。

【０００９】一方、何らかの理由で光ディスク１０６が
対物レンズ１０５に近付いたときには、回折光の集光点
は光検出器１０７の後方に形成される。このためこの場
合には、図８（ａ）に示すように、集光スポット１１１
ａは光検出部１０７ａに半円形に広がる。また、逆に光
ディスク１０６が対物レンズ１０５から遠去かったとき
には、回折光の集光点は光検出器１０７の前方に形成さ
れる。このためこの場合には、図８（ｃ）に示すように
集光スポット１１１ａは光検出部１０７ｂに半円形に広
がる。

【００１０】従って、光検出部１０７ａ、１０７ｂの出
力信号をそれぞれ、Ｓ１、Ｓ２とすると、フォーカス誤
差信号ＦＥＳは下記式の演算を行えば得られる。

【００１１】ＦＥＳ＝Ｓ１−Ｓ２………………………………………………………… この演算は引算器によって行われる。

【００１２】上記のようにしてフォーカス誤差信号ＦＥ
Ｓが得られると、このサーボ信号に基づき、図示しない
アクチュエータが対物レンズ１０５を駆動し、これによ
り情報トラック１１２上に集光スポット１０８ａが結ば
れるようになっている。

【００１３】（トラッキング検出機構）次に、上記光ピ
ックアップにおけるトラッキング検出機構について説明
する。図９は光ディスク１０６上の集光スポットと情報
トラック１１２の位置関係を示す。図９（ｂ）に示すよ
うに、２つのサブビームの集光スポット１０８ｂ、１０
８ｃは、メインビームの集光スポット１０８ａを中心に
情報トラック１１２の方向において対称な位置関係にあ
り、かつ情報トラック１１２に対して互いに反対の方向
に僅かにずれて位置している。

【００１４】もし、図９（ａ）に示すように、何らかの
理由で情報トラック１１２が集光スポット１０８ａに対
して図上左にずれた時には、集光スポット１０８ｂはほ
ぼ情報トラック１１２の上に位置するので、その反射光
０の強度は低下する。これに対して、集光スポット１０
８ｃは情報トラック１１２から外れるので、反射光０の
強度は増加する。

【００１５】一方、図９（ｃ）に示すように、情報トラ
ック１１２が集光スポットに対して図上右にずれた時に
は、上記とは逆の現象が生じる。集光スポット１０８ｂ
は情報トラック１１２から外れるので、反射光０の強度
は増加し、集光スポット１０８ｃの反射光０はほぼ情報
トラック１１２の上に位置するので反射光０の強度は低
下する。

【００１６】上記のように集光スポット１０８ｂ、１０
８ｃの反射光０はそれぞれ光検出部１０７ｄ、１０７ｅ
上に集光されるので、光検出部１０７ｄ、１０７ｅの出
力信号をそれぞれＳ４、Ｓ５とすると、トラッキング誤
差信号ＴＥＳは下記式で示される演算を行えば得られ
る。

【００１７】ＴＥＳ＝Ｓ４−Ｓ５………………………………………………………… この演算は、引算器によって行われる。

【００１８】上記のようにしてトラッキング誤差信号Ｔ
ＥＳが得られると、これらのサーボ信号ＴＥＳに基づ
き、図示しないアクチュエータが対物レンズ１０５を駆
動し、これにより情報トラック１１２上に集光スポット
１０８ａが結ばれるようになっている。

【００１９】図１０は、図７に示した従来の光ピックア
ップを更に具体的にした実施例である。第一の回折素子
１０２及び第二の回折素子１０３はガラス基板１０９の
下面及び上面にそれぞれエツチングによって形成されて
いる。半導体レーザ１０１と光検出器１０７は箱状のキ
ャンパッケージ１１０内に取付られ、気密封止されてい
る。

【００２０】図１１は、キャンパッケージ１１０内の詳
細を示した斜視図である。半導体レーザ１０１と光検出
器１０７は別個に形成されて、同一のステム１１３上に
取り付けられている。半導体レーザ１０１の後方には、
光パワーモニタ用光検出器１１４が配備されている。光
パワーモニタ用光検出器１１４は半導体レーザ１０１の
後部より放射される光を検知して半導体レーザ１０１の
出力を知るためのものである。

【００２１】また、光検出器１０７の出力信号を演算す
る電子回路は、通常光ピックアップと別個の回路基板上
に設けられる。この場合、再生情報信号は例えばコンパ
クトディスクでは〜１ＭＨz、レーザディスクでは〜２
ＭＨzの高周波信号であるので雑音を拾い易く、配線に
は十分な配慮が必要である。このため、近年ではシリコ
ン基板上に光発生手段１０１と光検出器１０７とを一体
に信号処理回路を作成した集積化光検出器が光ピックア
ップに取り付けたものが開発、市販されている。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】従来の光ピックアップ
では、半導体レーザ１０１と光検出器１０７は個別に作
製された後、同一のステム１１３上に取り付けられてい
る。このためこれらの２素子、半導体レーザ１０１と光
検出器１０７との相互位置ずれが数１０μｍ程度発生す
る。従って、これに起因して制御信号に生じるオフセッ
ト成分を第二の回折素子１０３の位置調整によって補償
する必要があった。この位置調整は実際に光ディスク１
０６からの情報を再生しなければならず、個々の光ピッ
クアップによってオフセットの発生量も異なる。従っ
て、光ピックアップは組立工程でコストの大きなウエイ
トを占めることになり、低コスト化及び高品質化を図る
上で阻害要因となっている。

【００２３】さらに、従来の光ピックアップでは四角形
のステムの側面を利用して半導体レーザを取り付けてい
るため、どうしてもパッケージが大きくなり、さらなる
小型化の妨げになる。

【００２４】本発明はこのような従来技術の欠点を解決
するものであり、光発生手段としての半導体レーザと光
検出器の取付の位置ずれを極小にして、光分岐手段とし
ての第二の回折素子の位置調整を不要にし、製作工程を
簡略化し、調整時間を短縮化する。これにより、光ピッ
クアップの量産性を改善して、低コスト化及び高品質化
を図り、かつ、より一層小型化を図ることを目的とす
る。

【００２５】

【課題を解決するための手段】本発明の光学式情報再生
装置は、光発生手段と、該光発生手段からの光を半導体
基板の表面に略垂直な方向に反射するミラーと、該ミラ
ーによって略垂直な方向に放射された光を記録媒体上に
集光させ、該記録媒体からの反射光を集光する光学系
と、該反射光の光軸上に設けられ該反射光の一部を光検
出器に導く光分岐手段と、該光分岐手段からの反射光を
検出する光検出器と、該光検出器からの出力信号を増幅
し所定の演算処理を行う信号処理回路と、前記光発生手
段からの光の一部を受光し前記光発生手段の光出力を検
知する光出力検知手段と、を有し、前記光発生手段は、
前記半導体基板にモノリシックに形成されており、前記
ミラーは、前記半導体基板における前記光発生手段の光
出力側に設けられた凹部の側壁により形成されており、
前記光出力検知手段は、前記半導体基板に設けられた溝
を介して前記光発生手段の光出力側とは反対側に、前記
溝の側壁に入射する光を受光するように、前記半導体基
板にモノリシックに前記半導体基板表面に平行に形成さ
れており、前記光分岐手段は、前記半導体基板とは別体
に形成され、前記半導体基板上に位置合わせされて配置
されており、前記光検出器は、前記光分岐手段より前記
半導体基板表面上に入射する光を受光するように、前記
半導体基板にモノリシックに形成されており、前記信号
処理回路は前記半導体基板にモノリシックに形成されて
いることを特徴とする。

【００２６】また、前記光分岐手段は、前記半導体基板
にシール材の機能を有する接着剤により接着されている
ことを特徴とする。

【００２７】また、前記光分岐手段は、ガラス板の一方
の面に形成された第二の回折素子からなり、該ガラス板
の他方の面には、前記ミラーにより反射された光を０次
回折光と±１次回折光に分割する第１の回折素子が形成
されていることを特徴とする。

【００２８】

【作用】上記のように本発明の光学式情報記録再生装置
では、光発生手段、光検出器、光出力検知手段が同一半
導体基板にモノリシックに形成され、且つミラーがその
半導体基板を加工することで形成されているため、それ
らの間の相互位置ずれを極小に抑えることができる。こ
れによって、制御信号に生じるオフセット成分を抑える
ことができる。また、光ピックアップの小型化を図るこ
とができる。さらに、信号処理回路をも上記と同一半導
体基板にモノリシックに形成するため、光検出器と信号
処理回路とを最短距離で電気的に接続し、しかもこの信
号処理回路で光検出器からの出力信号を増幅し所定の演
算処理を行うので、信号処理の高速化が可能となる。ま
た、光検出器は光分岐手段から半導体基板表面へと入射
する光を受光するため、効率的な光検出が可能である。
また、光出力検知手段は、半導体基板に設けた溝の側壁
に入射する光を受光するように、半導体基板表面に平行
に形成されているため、製造が容易である。さらに、光
分岐手段が半導体基板とは別体からなるため、オフセッ
トの調整が容易である。

【００２９】また、光分岐手段を半導体基板上にシール
機能を有する接着剤で接着すれば、キャンパッケージに
よる気密封止が不要となり、製造工程が簡略化する。ま
た、光分岐手段をガラス板の一方の面に形成した第二の
回折素子により構成し、そのガラス板の他方の面にミラ
ーからの反射光を３つの回折光に分割する第一の回折素
子を形成するようにすれば、さらに調整誤差を抑えるこ
とが可能となる。

【００３０】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。

【００３１】図１は、本発明光学式情報再生装置を光ピ
ックアップに適用した一実施例を示す。

【００３２】この光学式情報再生装置は、光発生手段と
しての半導体レーザ１及び反射光０を検出する光検出器
７を含む発光受光体１６と、光発生手段（半導体レーザ
１）からの光を記録媒体（光ディスク６）に集光させ記
録媒体６からの反射光０を集光するコリメートレンズ４
及び対物レンズ５を含む光学系と、によって構成されて
いる。

【００３３】発光受光体１６の具体的な構造を図２及び
図３に示す。この発光受光体１６は取付台１０の上に、
集積化半導体基板１３とホログラム素子９とが取付られ
ている。集積化半導体基板１３には、その同一の基板１
３上に半導体レーザ１と光検出器７とが作製されてい
る。また、半導体レーザ１と光検出器７との間には、半
導体レーザ１から出射された発散光０を集積化半導体基
板１３の表面に垂直な方向に放射する４５°ミラー１５
と、半導体レーザ１から出射された発散光０を０次回折
光（メインビーム）とトラッキングズレを検出するため
の±１次回折光（サブビーム）とに分割する第一の回折
素子２と、が配備される。また、半導体レーザ１の後方
には、半導体レーザ１の出力を検知する光パワーモニタ
用光検出器１４、並びに光検出器７からの電気信号を増
幅・演算の処理をする信号処理回路１７が配置されてい
る。

【００３４】集積化半導体基板１３は、例えばＡＬＧａ
Ａｓ結晶基板上にＩＣと同様な作製技術（プレーナ加工
技術）によってモノリシックに形成される。半導体レー
ザ１と光パワーモニタ用光検出器１４を分離する溝と、
４５°ミラー１５は例えばウエットエッチングによって
形成される。半導体結晶に於いてはエッチング液を変え
ることによって、所望の結晶方位に垂直なエッチング面
を形成することができ、極めて正確な４５°ミラー１５
を作製できる。

【００３５】ホログラム素子９はガラス板を用いて直方
体に形成される。ホログラム素子９はその上面に記録媒
体６からの反射光０を回折させて光検出器７に導く光分
岐手段としての第二の回折素子３が形成され、ホログラ
ム素子９の下面には第一の回折素子２が形成される。こ
れらは、それぞれドライエッチング（プレーナ技術の一
種）によって形成される。ホログラム素子９と集積化半
導体基板１３は、接着材２２によって接着される。接着
剤２２はシール材の働きを持たせることも可能で、この
場合キャンパッケージによる気密封止は不要である。

【００３６】ホログラム素子９と集積化半導体基板１３
は、前述したようにＩＣ作製技術によって作製される。
従って、発光受光体１６の表面を５．５ｍｍ²とすると
直径３インチの基板上に約１８０個の素子が同時に作製
される。なお、集積化半導体基板１３にスルホールを設
ければ、集積化半導体基板１３の裏面より集積化半導体
基板１３上の半導体レーザ１、光検出器７、及び電子処
理回路１７に電気的接続が行える。

【００３７】図４は、集積化チップの部分断面図で、モ
ニター用光検出器１４の具体的な構成を示す。図４に示
す構成では、モニター用光検出器１４は半導体レーザ１
と同時に形成され、その後エッチングにより溝１３ａが
形成される。これによって両者は分離される。この構造
の利点は加工プロセスが簡単なことであるが、モニター
用光検出器１４の有効部分は半導体レーザ１の活性層１
９に対応する部分（２〜３μｍ）だけなので、光・電気
変換効率が悪い。図５に示す参考例の構造では半導体レ
ーザ１を形成した後、まず溝１３ａを形成し、その後溝
１３ａの垂直な面に右斜め上方よりイオンを打ち込む等
の方法によってモニター用光検出器１４を形成してい
る。この構造では加工プロセスは複雑になるが、光・電
気変換効率は高くなる。

【００３８】この光学式情報再生装置では、次のように
情報の再生が行われる。半導体レーザ１から出射される
発散光０は４５°ミラー１５によって反射され、集積化
半導体基板１３に垂直な上方向に放射される。そして、
第一の回折素子２によって、０次回折光（メインビー
ム）とトラッキングずれを検出するための±１次回折光
（サブビーム）に分割されたのち、第二の回折素子３を
透過しコリメートレンズ４、対物レンズ５によって光デ
ィスク６上に集光される。

【００３９】光ディスク６からの反射光０は対物レンズ
５によって再び光学系内に取り込まれ、コリメートレン
ズ４を通過し、第二の回折素子３によって回折されて光
検出器７上に集光される。

【００４０】第二の回折素子３は分割線ＤＬによって２
分割され、一方の半円形領域３ａと他方の半円形領域３
ｂとに形成されている。また光検出器７は４本の分割線
によって分割され、５個の光検出部７ａ、７ｂ、７ｃ、
７ｄ、７ｅを形成している。そして、前記従来例と同様
な原理によってフォーカス誤差信号ＦＥＳ、トラッキン
グ誤差信号ＴＥＳを得ることができる。

【００４１】本発明による構成であれば、光発生手段と
しての半導体レーザ１と光検出器７は、集積化半導体基
板１３の同一基板上にモノリシックに形成される。従っ
て、フォトマスクの位置と合わせ精度（±１μｍ程度）
の相互位置精度を得ることができる。いくつかの加工工
程を経ることによって、複数の誤差が重なることを考慮
しても、半導体レーザ１と光検出器７との２素子間の相
互位置ずれは、数μｍ以下とできる。この相互位置精度
の値は、２素子が同一基板上に作製されていない従来例
に比較すれば約１／１０である。問題となるフォーカス
誤差信号ＦＥＳのオフセット成分は、おもに組立の際の
半導体レーザ１と光検出器７の相互位置ずれに起因して
いる。従って、この位置ズレが従来例の１／１０程度ま
で抑えられると、オフセット発生量も１μｍ内外になる
ので、本発明による光ピックアップでは上記のオフセッ
トの補償を省略できる。

【００４２】また、フォーカス誤差信号ＦＥＳへの要求
が厳しく、第二の回折素子３の位置調整によるフォーカ
ス誤差信号ＦＥＳの補償を行う場合に於いても、例えば
３インチ基板上に作製された多数の発光受光体１６のう
ちの１素子から再生信号のみを観測して、基板全体の素
子を調整できるので調整信号を大幅に短縮できる。

【００４３】図６（ａ）〜（ｃ）は、発光受光体を作製
する工程の一実施例を示す。この工程は、まず図６
（ａ）に示すように、多数の集積化半導体基板１３が形
成された半導体基板２０に接着剤２２を塗布する。そし
て、図６（ｂ）に示すように半導体基板２０に、同様に
多数のホログラム素子９が形成されたガラス基板２１を
重ねて接合する。接着剤２２は即座に硬化しないタイプ
のもの、例えば、紫外線硬化型の接着剤を用いる。

【００４４】次に、ガラス基板２０の全体を移動させ
て、第二の回折素子３の位置調整を行う。このとき種々
の加工誤差は一枚のガラス基板２１内では一様であるか
ら、１つの発光受光体１６からの再生信号を観察しつ
つ、ガラス基板２１の全体を移動させて第二の回折素子
３の位置調整を行う。これにより、全ての発光受光体１
６について同時に第二の回折素子３の位置調整を行うこ
とができる。

【００４５】位置調整を行った後、図６（ｃ）に示すよ
うに紫外線２３の照射等によって接着剤２２を硬化させ
る。最後に、図６（ｄ）に示すように個個の発光受光体
１６を切り出す。発光受光体１６は直径３インチの基板
内に約１８０個作製できるので、１個当りの位置調整の
時間は大幅に短縮される。

【００４６】即ち、種々の加工誤差は１枚の基板内では
一様であるから、１つの発光受光体１６からの再生信号
を観察しつつ、ホログラム素子９が付設されている取付
板１０の全体を移動させる。第二の回折素子３の位置調
整を行えば、取付板１０内の全ての発光受光体１６への
切り出しは、取付板１０を集積化半導体基板１３に接着
剤２２で接着した後行えばよい。発光受光体１６は直径
３インチの集積化半導体基板１３内に１８０個作製出来
るので、１個当りの調整時間は大幅に短縮される。

【００４７】

【発明の効果】本発明の光学式情報記録再生装置では、
光発生手段、光検出器、光出力検知手段が同一半導体基
板にモノリシックに形成され、且つミラーがその半導体
基板を加工することで形成されているため、それらの間
の相互位置ずれを極小に抑えることができる。これによ
って、制御信号に生じるオフセット成分を抑えることが
できる。また、光ピックアップの小型化を図ることがで
きる。さらに、信号処理回路をも上記と同一半導体基板
にモノリシックに形成するため、光検出器と信号処理回
路とを最短距離で電気的に接続し、しかもこの信号処理
回路で光検出器からの出力信号を増幅し所定の演算処理
を行うので、信号処理の高速化が可能となる。また、光
検出器は光分岐手段から半導体基板表面へと入射する光
を受光するため、効率的な光検出が可能である。また、
光出力検知手段は、半導体基板に設けた溝の側壁に入射
する光を受光するように、半導体基板表面に平行に形成
されているため、製造が容易である。さらに、光分岐手
段が半導体基板とは別体からなるため、オフセットの調
整が容易である。

【００４８】また、光分岐手段を半導体基板上にシール
機能を有する接着剤で接着すれば、キャンパッケージに
よる気密封止が不要となり、製造工程が簡略化する。ま
た、光分岐手段をガラス板の一方の面に形成した第二の
回折素子により構成し、そのガラス板の他方の面にミラ
ーからの反射光を３つの回折光に分割する第一の回折素
子を形成するようにすれば、さらに調整誤差を抑えるこ
とが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明光学式情報再生装置の一実施例に係る光
ピックアップの斜視図。

【図２】
図１の発光受光体を拡大した斜視図。

【図３】図１の発光受光体を拡大した断面図。

【図４】図１の集積化半導体基板の部分断面図。

【図５】図１の集積化半導体基板の参考例の部分断面
図。

【図６】発光受光体を作製する工程の一実施例を示す斜
視図。

【図７】従来の光ピックアップの斜視図。

【図８】図７の光ピックアップに於けるフォーカス誤差
信号ＦＥＳの検出原理を示す図面。

【図９】図７の光ピックアップに於けるトラッキング誤
差信号ＴＥＳの検出原理を示す図面。

【図１０】図７の具体例を示す斜視図。

【図１１】図１０のキャンパッケージの詳細を示す斜視
図。

【符号の説明】

１半導体レーザ２第一の回折素子３第二の回折素子４コリメートレンズ５対物レンズ６光ディスク７光検出器９ホログラム素子１０取付板１３集積化半導体基板１５４５°ミラー１６発光受光体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者辻重樹大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (56)参考文献特開平１−303638（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−71432（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】光発生手段と、該光発生手段からの光を
半導体基板の表面に略垂直な方向に反射するミラーと、
該ミラーによって略垂直な方向に放射された光を記録媒
体上に集光させ、該記録媒体からの反射光を集光する光
学系と、該反射光の光軸上に設けられ該反射光の一部を
光検出器に導く光分岐手段と、該光分岐手段からの反射
光を検出する光検出器と、該光検出器からの出力信号を
増幅し所定の演算処理を行う信号処理回路と、前記光発
生手段からの光の一部を受光し前記光発生手段の光出力
を検知する光出力検知手段と、を有し、前記光発生手段は、前記半導体基板にモノリシックに形
成されており、前記ミラーは、前記半導体基板における前記光発生手段
の光出力側に設けられた凹部の側壁により形成されてお
り、前記光出力検知手段は、前記半導体基板に設けられた溝
を介して前記光発生手段の光出力側とは反対側に、前記
溝の側壁に入射する光を受光するように、前記半導体基
板にモノリシックに前記半導体基板表面に平行に形成さ
れており、前記光分岐手段は、前記半導体基板とは別体に形成さ
れ、前記半導体基板上に位置合わせされて配置されてお
り、前記光検出器は、前記光分岐手段より前記半導体基板表
面上に入射する光を受光するように、前記半導体基板に
モノリシックに形成されており、前記信号処理回路は前記半導体基板にモノリシックに形
成されていることを特徴とする光学式情報再生装置。
【請求項２】請求項１に記載の光学式情報再生装置に
おいて、前記光分岐手段は、前記半導体基板にシール材の機能を
有する接着剤により接着されていることを特徴とする光
学式情報再生装置。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載の光学式
情報再生装置において、前記光分岐手段は、ガラス板の一方の面に形成された第
二の回折素子からなり、該ガラス板の他方の面には、前記ミラーにより反射され
た光を０次回折光と±１次回折光に分割する第１の回折
素子が形成されていることを特徴とする光学式情報再生
装置。