JP2003016662A - 光ピックアップ装置 - Google Patents
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- G11B7/09—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
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- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 受光素子またはホログラムの特性を変えて、
光ディスク表面の傷によるトラックサーボ外れの不具合
を軽減させる光ピックアップ装置を提供する。 【解決手段】 フォーカスエラー信号用受光領域（ＰＤ
ｆ）およびトラッキングエラー信号用受光領域（ＰＤ
ｔ）を１列に並べて配置したことによって、光ディスク
のトラックの接線方向についた傷がつくる散乱光が受光
領域に到達した場合でも、ホログラムパターン４のＨＡ
＋Ｂ領域で回折された光２２がＰＤｔの受光部分Ｆまた
はＧに入射することがない。したがって、ＰＤｆに入射
する光の散乱光がトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）に
影響を与えないので、ＴＥＳが異常に大きくなることが
なくなり、追従していたトラックサーボが外れることを
防ぐことができる。
光ディスク表面の傷によるトラックサーボ外れの不具合
を軽減させる光ピックアップ装置を提供する。 【解決手段】 フォーカスエラー信号用受光領域（ＰＤ
ｆ）およびトラッキングエラー信号用受光領域（ＰＤ
ｔ）を１列に並べて配置したことによって、光ディスク
のトラックの接線方向についた傷がつくる散乱光が受光
領域に到達した場合でも、ホログラムパターン４のＨＡ
＋Ｂ領域で回折された光２２がＰＤｔの受光部分Ｆまた
はＧに入射することがない。したがって、ＰＤｆに入射
する光の散乱光がトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）に
影響を与えないので、ＴＥＳが異常に大きくなることが
なくなり、追従していたトラックサーボが外れることを
防ぐことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パソコンなどに搭
載され、光によって情報を記録または再生する光ディス
ク装置の光ピックアップ装置に関するものである。
載され、光によって情報を記録または再生する光ディス
ク装置の光ピックアップ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク装置の光ピックアップ装置
は、光ディスクに光ビームを照射し、反射光を受光して
信号を読み取り、光ディスク上のトラックから読み取っ
たサーボエラー信号を最小化するようにフィードバック
制御を行って、光ビームを光ディスク上のトラックに追
従させる。
は、光ディスクに光ビームを照射し、反射光を受光して
信号を読み取り、光ディスク上のトラックから読み取っ
たサーボエラー信号を最小化するようにフィードバック
制御を行って、光ビームを光ディスク上のトラックに追
従させる。
【０００３】サーボエラー信号は、フォーカスエラー信
号（以下、ＦＥＳとする）とトラッキングエラー信号
（以下、ＴＥＳとする）との２つがある。ＦＥＳは、光
ディスクに対してフォーカス方向のずれを示す信号で、
対物レンズの位置と光ディスクの情報記録面との間隔お
よび情報記録面のピット列との相対位置を一定の条件に
維持する。またＴＥＳは、光ディスク上に集光された光
のトラック中心からのズレに対応した信号で、この信号
をもとに光ビームを正確にトラックに追従させる。
号（以下、ＦＥＳとする）とトラッキングエラー信号
（以下、ＴＥＳとする）との２つがある。ＦＥＳは、光
ディスクに対してフォーカス方向のずれを示す信号で、
対物レンズの位置と光ディスクの情報記録面との間隔お
よび情報記録面のピット列との相対位置を一定の条件に
維持する。またＴＥＳは、光ディスク上に集光された光
のトラック中心からのズレに対応した信号で、この信号
をもとに光ビームを正確にトラックに追従させる。
【０００４】光ディスク上に傷がある場合、傷によって
サーボエラー信号が大きくなりすぎて、現在追従してい
るトラックからサーボが外れてしまうことがあり、ＣＤ
−Ｒ（Compact Disk-Recordable）ディスクの読み出し
中の場合にデータ欠落などが発生するという問題があ
る。
サーボエラー信号が大きくなりすぎて、現在追従してい
るトラックからサーボが外れてしまうことがあり、ＣＤ
−Ｒ（Compact Disk-Recordable）ディスクの読み出し
中の場合にデータ欠落などが発生するという問題があ
る。
【０００５】また、従来の光ピックアップ装置として、
特開２００１−１１００８５号公報記載の「受発光一体
素子およびそれを用いた光ピックアップ」が開示されて
いる。上記公報記載の受発光一体素子およびそれを用い
た光ピックアップでは、半導体レーザ素子から照射され
た光ビームが対物レンズ表面で光検出器に向けて反射さ
れる迷光を阻止する目的で遮光マスクを設けており、遮
光マスクを設けることによって安定した信号を検出する
ことができる。
特開２００１−１１００８５号公報記載の「受発光一体
素子およびそれを用いた光ピックアップ」が開示されて
いる。上記公報記載の受発光一体素子およびそれを用い
た光ピックアップでは、半導体レーザ素子から照射され
た光ビームが対物レンズ表面で光検出器に向けて反射さ
れる迷光を阻止する目的で遮光マスクを設けており、遮
光マスクを設けることによって安定した信号を検出する
ことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】光ディスク表面に傷が
ある場合の光の特性について図１４を参照しながら説明
する。図１４は、光ディスク８表面の傷９４と直行する
方向に散乱光が発生する状況を示した図である。図１４
に示されるように、光ディスク８表面に傷９４がある場
合、傷９４によって半導体レーザダイオードからの光ビ
ームが散乱されることになる。散乱光は直線状の傷に対
しては、傷の方向に直交する方向へ散乱しやすく、逆に
傷に平行する方向には散乱されにくいため、直線状の傷
から発せられる散乱光の放射パターンは傷方向に対して
直交方向に長い楕円形状に近い形状となる。
ある場合の光の特性について図１４を参照しながら説明
する。図１４は、光ディスク８表面の傷９４と直行する
方向に散乱光が発生する状況を示した図である。図１４
に示されるように、光ディスク８表面に傷９４がある場
合、傷９４によって半導体レーザダイオードからの光ビ
ームが散乱されることになる。散乱光は直線状の傷に対
しては、傷の方向に直交する方向へ散乱しやすく、逆に
傷に平行する方向には散乱されにくいため、直線状の傷
から発せられる散乱光の放射パターンは傷方向に対して
直交方向に長い楕円形状に近い形状となる。
【０００７】光ディスク８表面の傷９４のなかでも特に
トラックの接線方向の傷は、トラックに直交する半径方
向の傷と比べて、傷部分を通過している時間が長くなる
ために傷の影響によるトラックサーボ外れが生じやす
い。
トラックの接線方向の傷は、トラックに直交する半径方
向の傷と比べて、傷部分を通過している時間が長くなる
ために傷の影響によるトラックサーボ外れが生じやす
い。
【０００８】光ピックアップ装置においてトラックサー
ボに必要なＴＥＳの検出方法について説明する。グレー
ティングによって半導体レーザダイオードからの光ビー
ムを３つのビームに分割し、光ディスク上のトラックに
ほぼ平行に浅い角度をつけて１つのメインビームと２つ
のサブビームとを照射する。すなわち、サブビームをメ
インビームに対してトラックピッチの半分だけずらして
照射する。図１０は、光ピックアップ装置におけるメイ
ンビーム（Ｍ）およびサブビーム（Ｓ１，Ｓ２）が光デ
ィスク上に集光された状態を示した図である。
ボに必要なＴＥＳの検出方法について説明する。グレー
ティングによって半導体レーザダイオードからの光ビー
ムを３つのビームに分割し、光ディスク上のトラックに
ほぼ平行に浅い角度をつけて１つのメインビームと２つ
のサブビームとを照射する。すなわち、サブビームをメ
インビームに対してトラックピッチの半分だけずらして
照射する。図１０は、光ピックアップ装置におけるメイ
ンビーム（Ｍ）およびサブビーム（Ｓ１，Ｓ２）が光デ
ィスク上に集光された状態を示した図である。
【０００９】図１５は、従来例における受光素子および
光ディスクの傷による散乱光の入射パターンを示した図
である。図１５に示されるように、分割された３つのビ
ームは、３つの領域ＨＡ＋Ｂ，ＨＣ，およびＨＤに分割
されたホログラムパターン４でそれぞれ回折され、９つ
のビームに分割される。フォーカスエラー信号用受光領
域（以下、ＰＤｆとする）およびトラッキングエラー信
号用受光領域（以下、ＰＤｔとする）に入射される。Ｐ
Ｄｆは２つの受光部分Ａ，Ｂに分割され、ＰＤｔは６つ
の受光部分Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，ＧおよびＨに分割されてい
る。ホログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域からのメイン
ビームは、ＰＤｆの受光部分Ａ，Ｂの中央に入射し、Ｈ
Ｃ領域からの３ビームは、ＰＤｔの受光部分Ｅ，Ｃおよ
びＧに入射し、ＨＤ領域からの３ビームは、ＰＤｔの受
光部分Ｆ，ＤおよびＨに入射する。各受光部分Ａ〜Ｈか
らの信号をＡ〜Ｈとすると、ＴＥＳは、 ＴＥＳ＝Ｃ−Ｄ−｛（Ｅ＋Ｇ）−（Ｆ＋Ｈ）｝ …（１） で求めることができる。なお、各信号Ａ〜Ｈと光ディス
ク上に集光された３点の反射信号との関係は、図１０に
示す関係となる。上記のように、トラックと光ビームと
の位置ずれによって生じる反射光の分布のアンバランス
を光検出器で検出してＴＥＳを得る検出方式は差動プッ
シュプルと呼ばれており、追記型（ＣＤ−Ｒ）や書き換
え型（ＣＤ−ＲＷ）に適した方法である。
光ディスクの傷による散乱光の入射パターンを示した図
である。図１５に示されるように、分割された３つのビ
ームは、３つの領域ＨＡ＋Ｂ，ＨＣ，およびＨＤに分割
されたホログラムパターン４でそれぞれ回折され、９つ
のビームに分割される。フォーカスエラー信号用受光領
域（以下、ＰＤｆとする）およびトラッキングエラー信
号用受光領域（以下、ＰＤｔとする）に入射される。Ｐ
Ｄｆは２つの受光部分Ａ，Ｂに分割され、ＰＤｔは６つ
の受光部分Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，ＧおよびＨに分割されてい
る。ホログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域からのメイン
ビームは、ＰＤｆの受光部分Ａ，Ｂの中央に入射し、Ｈ
Ｃ領域からの３ビームは、ＰＤｔの受光部分Ｅ，Ｃおよ
びＧに入射し、ＨＤ領域からの３ビームは、ＰＤｔの受
光部分Ｆ，ＤおよびＨに入射する。各受光部分Ａ〜Ｈか
らの信号をＡ〜Ｈとすると、ＴＥＳは、 ＴＥＳ＝Ｃ−Ｄ−｛（Ｅ＋Ｇ）−（Ｆ＋Ｈ）｝ …（１） で求めることができる。なお、各信号Ａ〜Ｈと光ディス
ク上に集光された３点の反射信号との関係は、図１０に
示す関係となる。上記のように、トラックと光ビームと
の位置ずれによって生じる反射光の分布のアンバランス
を光検出器で検出してＴＥＳを得る検出方式は差動プッ
シュプルと呼ばれており、追記型（ＣＤ−Ｒ）や書き換
え型（ＣＤ−ＲＷ）に適した方法である。
【００１０】光ディスクに傷がある場合、Ｍ，Ｓ１およ
びＳ２は散乱光であるためにＰＤｆおよびＰＤｔの受光
部分に点状に絞りこむことができず、図１５に示すよう
な散乱光の放射パターンがＰＤｆおよびＰＤｔの受光部
分上に投影される。
びＳ２は散乱光であるためにＰＤｆおよびＰＤｔの受光
部分に点状に絞りこむことができず、図１５に示すよう
な散乱光の放射パターンがＰＤｆおよびＰＤｔの受光部
分上に投影される。
【００１１】散乱光のうちＭは、Ｓ１およびＳ２と比べ
て光量を多く（通常Ｓ１：Ｍ：Ｓ２＝１：１０：１）し
ているためにＭから発せられる散乱光がＴＥＳを異常に
大きくする主な原因となっている。
て光量を多く（通常Ｓ１：Ｍ：Ｓ２＝１：１０：１）し
ているためにＭから発せられる散乱光がＴＥＳを異常に
大きくする主な原因となっている。
【００１２】Ｍからの散乱光９３は、ＰＤｆの受光部分
Ａ，Ｂのほぼ中央と、ＰＤｔの受光部分ＣおよびＤに入
射し、同じくＳ１からはＰＤｔの受光部分ＥおよびＧ、
Ｓ２からはＰＤｔの受光部分ＦおよびＨに入射する。つ
まり、光ディスク上の３つのビーム配置は、ＰＤｔの受
光部分ＥＣＧおよびＦＤＨにそのまま投影される。
Ａ，Ｂのほぼ中央と、ＰＤｔの受光部分ＣおよびＤに入
射し、同じくＳ１からはＰＤｔの受光部分ＥおよびＧ、
Ｓ２からはＰＤｔの受光部分ＦおよびＨに入射する。つ
まり、光ディスク上の３つのビーム配置は、ＰＤｔの受
光部分ＥＣＧおよびＦＤＨにそのまま投影される。
【００１３】また、光ディスク上のトラックの接線方向
に傷があった場合、傷による散乱光は傷の方向と直交す
る方向、すなわちトラックの半径方向であり、かつ３ビ
ームの並びに直交する方向に広がる放射特性を示すこと
になる。
に傷があった場合、傷による散乱光は傷の方向と直交す
る方向、すなわちトラックの半径方向であり、かつ３ビ
ームの並びに直交する方向に広がる放射特性を示すこと
になる。
【００１４】したがって、トラックの接線方向の傷によ
るＭからの散乱光９３は、ＰＤｔ上の受光部分ＥＣＧま
たはＦＤＨの並び方向に直交する方向に広がったパター
ンとして投影される。
るＭからの散乱光９３は、ＰＤｔ上の受光部分ＥＣＧま
たはＦＤＨの並び方向に直交する方向に広がったパター
ンとして投影される。
【００１５】このとき、３つのビームの散乱光はＰＤｆ
の受光部分Ａ，ＢおよびＰＤｔの受光部分Ｃ，Ｄに入射
する。３つのビームのうち光量が多いＭからの散乱光９
３がＰＤｔの受光部分ＧまたはＦに入射した場合には、
上記（１）式のＴＥＳにおいてＧまたはＦの信号が異常
に大きな値を示すことになる。したがって、ＴＥＳが異
常に大きくなりすぎて追従しているトラックからサーボ
が外れてしまうことになる。
の受光部分Ａ，ＢおよびＰＤｔの受光部分Ｃ，Ｄに入射
する。３つのビームのうち光量が多いＭからの散乱光９
３がＰＤｔの受光部分ＧまたはＦに入射した場合には、
上記（１）式のＴＥＳにおいてＧまたはＦの信号が異常
に大きな値を示すことになる。したがって、ＴＥＳが異
常に大きくなりすぎて追従しているトラックからサーボ
が外れてしまうことになる。
【００１６】本発明の目的は、受光素子またはホログラ
ムの特性を変えて、光ディスク表面の傷によるトラック
サーボ外れの不具合を軽減させる光ピックアップ装置を
提供することである。
ムの特性を変えて、光ディスク表面の傷によるトラック
サーボ外れの不具合を軽減させる光ピックアップ装置を
提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は、フォーカスエ
ラー信号用受光領域と、トラッキングエラー信号用受光
領域とが独立して形成される受光素子を有し、フォーカ
スエラー信号用受光領域で受光した光に応じてフォーカ
スサーボ処理に必要なフォーカスエラー信号を出力し、
トラッキングエラー信号用受光領域で受光した光に応じ
てトラックサーボ処理に必要なトラッキングエラー信号
を出力する光ピックアップ装置において、前記フォーカ
スエラー信号用受光領域に入射する光の散乱光が、トラ
ッキングエラー信号に与える影響を軽減するように構成
されることを特徴とする光ピックアップ装置である。
ラー信号用受光領域と、トラッキングエラー信号用受光
領域とが独立して形成される受光素子を有し、フォーカ
スエラー信号用受光領域で受光した光に応じてフォーカ
スサーボ処理に必要なフォーカスエラー信号を出力し、
トラッキングエラー信号用受光領域で受光した光に応じ
てトラックサーボ処理に必要なトラッキングエラー信号
を出力する光ピックアップ装置において、前記フォーカ
スエラー信号用受光領域に入射する光の散乱光が、トラ
ッキングエラー信号に与える影響を軽減するように構成
されることを特徴とする光ピックアップ装置である。
【００１８】本発明に従えば、フォーカスエラー信号用
受光領域の散乱光がトラッキングエラー信号用受光領域
に入射しないようにするか、または入射したとしても、
入射したトラッキングエラー信号用受光領域の受光部分
からの信号を低く抑えることで、光ディスクのトラック
の接線方向についた傷によって発生する散乱光によるト
ラッキングエラー信号が異常に大きくなることを防ぎ、
トラックサーボが外れることを防ぐことができる。
受光領域の散乱光がトラッキングエラー信号用受光領域
に入射しないようにするか、または入射したとしても、
入射したトラッキングエラー信号用受光領域の受光部分
からの信号を低く抑えることで、光ディスクのトラック
の接線方向についた傷によって発生する散乱光によるト
ラッキングエラー信号が異常に大きくなることを防ぎ、
トラックサーボが外れることを防ぐことができる。
【００１９】また本発明は、前記トラッキングエラー信
号用受光領域は複数の受光部分に分割され、複数のトラ
ッキングエラー信号用受光領域とフォーカスエラー信号
用受光領域とを１列に並べたことを特徴とする。
号用受光領域は複数の受光部分に分割され、複数のトラ
ッキングエラー信号用受光領域とフォーカスエラー信号
用受光領域とを１列に並べたことを特徴とする。
【００２０】本発明に従えば、１列に並べた複数のトラ
ッキングエラー信号用受光領域とフォーカスエラー信号
用受光領域とに光を入射させることによって、フォーカ
スエラー信号用受光領域に入射する光の散乱光がトラッ
キングエラー信号用受光領域に入射しないので、トラッ
キングエラー信号が異常に大きくなることによって起こ
る、トラックサーボが外れることを防ぐことができる。
ッキングエラー信号用受光領域とフォーカスエラー信号
用受光領域とに光を入射させることによって、フォーカ
スエラー信号用受光領域に入射する光の散乱光がトラッ
キングエラー信号用受光領域に入射しないので、トラッ
キングエラー信号が異常に大きくなることによって起こ
る、トラックサーボが外れることを防ぐことができる。
【００２１】また本発明は、前記トラッキングエラー信
号用受光領域は複数の受光部分に分割され、分割された
受光部分のうちでフォーカスエラー信号用受光領域に近
い受光部分の全面、またはフォーカスエラー信号用受光
領域に近い側の一部に遮光手段を設けることを特徴とす
る。
号用受光領域は複数の受光部分に分割され、分割された
受光部分のうちでフォーカスエラー信号用受光領域に近
い受光部分の全面、またはフォーカスエラー信号用受光
領域に近い側の一部に遮光手段を設けることを特徴とす
る。
【００２２】本発明に従えば、分割されたトラッキング
エラー信号用受光領域の受光部分のうちでフォーカスエ
ラー信号用受光領域に近い受光部分の全面、またはフォ
ーカスエラー信号用受光領域に近い側の一部に遮光手段
を設けることで、散乱光がトラッキングエラー信号に与
える影響を軽減することができ、トラックサーボが外れ
ることを防ぐことができる。
エラー信号用受光領域の受光部分のうちでフォーカスエ
ラー信号用受光領域に近い受光部分の全面、またはフォ
ーカスエラー信号用受光領域に近い側の一部に遮光手段
を設けることで、散乱光がトラッキングエラー信号に与
える影響を軽減することができ、トラックサーボが外れ
ることを防ぐことができる。
【００２３】また本発明は、前記トラッキングエラー信
号用受光領域は複数の受光部分に分割され、分割された
受光部分のうちでフォーカスエラー信号用受光領域に近
い受光部分の面積が他の受光部分の面積よりも小さいこ
とを特徴とする。
号用受光領域は複数の受光部分に分割され、分割された
受光部分のうちでフォーカスエラー信号用受光領域に近
い受光部分の面積が他の受光部分の面積よりも小さいこ
とを特徴とする。
【００２４】本発明に従えば、フォーカスエラー信号用
受光領域に近い受光部分の面積が他の受光部分の面積よ
りも小さくすることで、傷による散乱が大きい場合でも
入射面積すなわち入射光量が低減されるので、トラッキ
ングエラー信号に与える影響を軽減することができ、ト
ラックサーボが外れることを防ぐことができる。
受光領域に近い受光部分の面積が他の受光部分の面積よ
りも小さくすることで、傷による散乱が大きい場合でも
入射面積すなわち入射光量が低減されるので、トラッキ
ングエラー信号に与える影響を軽減することができ、ト
ラックサーボが外れることを防ぐことができる。
【００２５】また本発明は、前記トラッキングエラー信
号用受光領域は複数の受光部分に分割され、分割された
受光部分のうちでフォーカスエラー信号用受光領域に近
い受光部分が他の分割された受光部分より小さな感度を
有することを特徴とする。
号用受光領域は複数の受光部分に分割され、分割された
受光部分のうちでフォーカスエラー信号用受光領域に近
い受光部分が他の分割された受光部分より小さな感度を
有することを特徴とする。
【００２６】本発明に従えば、分割されたトラッキング
エラー信号用受光領域の受光部分のうちでフォーカスエ
ラー信号用受光領域に近い受光部分が他の分割された受
光部分より感度を小さくすることで、散乱光が入っても
この部分から出力される信号が小さくなり、散乱光がト
ラッキングエラー信号に与える影響が軽減されるので、
トラックサーボが外れることを防ぐことができる。
エラー信号用受光領域の受光部分のうちでフォーカスエ
ラー信号用受光領域に近い受光部分が他の分割された受
光部分より感度を小さくすることで、散乱光が入っても
この部分から出力される信号が小さくなり、散乱光がト
ラッキングエラー信号に与える影響が軽減されるので、
トラックサーボが外れることを防ぐことができる。
【００２７】また本発明は、前記トラッキングエラー信
号用受光領域は複数の受光部分に分割され、分割された
受光部分のうちでフォーカスエラー信号用受光領域に近
い受光部分が他の分割された受光部分より大きな表面反
射率を有することを特徴とする。
号用受光領域は複数の受光部分に分割され、分割された
受光部分のうちでフォーカスエラー信号用受光領域に近
い受光部分が他の分割された受光部分より大きな表面反
射率を有することを特徴とする。
【００２８】本発明に従えば、分割されたトラッキング
エラー信号用受光領域の受光部分のうちでフォーカスエ
ラー信号用受光領域に近い受光部分が他の分割された受
光部分より表面反射率を大きくすることで、表面反射率
を大きくした受光部分に散乱光が入っても反射されて、
散乱光がトラッキングエラー信号に与える影響が軽減さ
れるので、トラックサーボが外れることを防ぐことがで
きる。
エラー信号用受光領域の受光部分のうちでフォーカスエ
ラー信号用受光領域に近い受光部分が他の分割された受
光部分より表面反射率を大きくすることで、表面反射率
を大きくした受光部分に散乱光が入っても反射されて、
散乱光がトラッキングエラー信号に与える影響が軽減さ
れるので、トラックサーボが外れることを防ぐことがで
きる。
【００２９】また本発明は、前記トラッキングエラー信
号用受光領域は複数の受光部分に分割され、受光素子に
入射する光は１つのメインビームと２つのサブビームと
に分割された光であり、メインビームをフォーカスエラ
ー信号用受光領域に入射させ、サブビームに対するメイ
ンビームの光量の割合を減少させることで、フォーカス
エラー信号用受光領域に近いトラッキングエラー信号用
受光領域の受光部分に入射するメインビームの散乱光の
光量を軽減させることを特徴とする。
号用受光領域は複数の受光部分に分割され、受光素子に
入射する光は１つのメインビームと２つのサブビームと
に分割された光であり、メインビームをフォーカスエラ
ー信号用受光領域に入射させ、サブビームに対するメイ
ンビームの光量の割合を減少させることで、フォーカス
エラー信号用受光領域に近いトラッキングエラー信号用
受光領域の受光部分に入射するメインビームの散乱光の
光量を軽減させることを特徴とする。
【００３０】本発明に従えば、サブビームに対するメイ
ンビームの光量の割合を減少させることで、フォーカス
エラー信号用受光領域に入射するメインビームの散乱光
がフォーカスエラー信号用受光領域に近いトラッキング
エラー信号用受光領域に入射することを軽減させること
ができ、散乱光がトラッキングエラー信号に与える影響
が軽減されるので、トラックサーボが外れることを防ぐ
ことができる。
ンビームの光量の割合を減少させることで、フォーカス
エラー信号用受光領域に入射するメインビームの散乱光
がフォーカスエラー信号用受光領域に近いトラッキング
エラー信号用受光領域に入射することを軽減させること
ができ、散乱光がトラッキングエラー信号に与える影響
が軽減されるので、トラックサーボが外れることを防ぐ
ことができる。
【００３１】また本発明は、前記フォーカスエラー信号
用受光領域に入射させる光量をトラッキングエラー信号
用受光領域に入射させる光量より小さくすることを特徴
とする。
用受光領域に入射させる光量をトラッキングエラー信号
用受光領域に入射させる光量より小さくすることを特徴
とする。
【００３２】本発明に従えば、フォーカスエラー信号用
受光領域に入射させる光量をトラッキングエラー信号用
受光領域に入射させる光量より小さくすることで、トラ
ッキングエラー信号用受光領域の受光部分の出力電気信
号に与える影響が相対的に小さくなり、散乱光がトラッ
キングエラー信号に与える影響が軽減されるので、トラ
ックサーボが外れることを防ぐことができる。
受光領域に入射させる光量をトラッキングエラー信号用
受光領域に入射させる光量より小さくすることで、トラ
ッキングエラー信号用受光領域の受光部分の出力電気信
号に与える影響が相対的に小さくなり、散乱光がトラッ
キングエラー信号に与える影響が軽減されるので、トラ
ックサーボが外れることを防ぐことができる。
【００３３】また本発明は、前記フォーカスエラー信号
用受光領域に入射する光の散乱光がトラッキングエラー
信号用受光領域に入射しないように、フォーカスエラー
信号用受光領域への入射位置をトラッキングエラー信号
用受光領域から離したことを特徴とする。
用受光領域に入射する光の散乱光がトラッキングエラー
信号用受光領域に入射しないように、フォーカスエラー
信号用受光領域への入射位置をトラッキングエラー信号
用受光領域から離したことを特徴とする。
【００３４】本発明に従えば、フォーカスエラー信号用
受光領域への入射位置をトラッキングエラー信号用受光
領域から離したことで、フォーカスエラー信号用受光領
域に入射する光の散乱光がトラッキングエラー信号用受
光領域に入射する光量の割合が低減されるので、トラッ
キングエラー信号に与える影響が軽減され、トラックサ
ーボが外れることを防ぐことができる。
受光領域への入射位置をトラッキングエラー信号用受光
領域から離したことで、フォーカスエラー信号用受光領
域に入射する光の散乱光がトラッキングエラー信号用受
光領域に入射する光量の割合が低減されるので、トラッ
キングエラー信号に与える影響が軽減され、トラックサ
ーボが外れることを防ぐことができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施形態
である光ピックアップ装置２１を有するピックアップ部
１１０を示す図である。ピックアップ部１１０は、半導
体レーザダイオード１、ホログラム素子２、受光素子
９、ステム１０、キャップ１１を備えて構成される光ピ
ックアップ装置２１、コリメートレンズ５、ミラー６、
対物レンズ７を備えて構成される。ホログラム素子２に
は、ホログラムパターン４が形成されている。半導体レ
ーザダイオード１および受光素子９は、ステム１０上に
設置され、キャップ１１で封止されている。
である光ピックアップ装置２１を有するピックアップ部
１１０を示す図である。ピックアップ部１１０は、半導
体レーザダイオード１、ホログラム素子２、受光素子
９、ステム１０、キャップ１１を備えて構成される光ピ
ックアップ装置２１、コリメートレンズ５、ミラー６、
対物レンズ７を備えて構成される。ホログラム素子２に
は、ホログラムパターン４が形成されている。半導体レ
ーザダイオード１および受光素子９は、ステム１０上に
設置され、キャップ１１で封止されている。
【００３６】半導体レーザダイオード１は、光ピックア
ップ装置２１における光源である。ホログラム素子２
は、ホログラムパターン４とグレーティングとが形成さ
れている素子であり、グレーティングによって光ビーム
が３つに分割され、ホログラムパターン４によって光デ
ィスクへの光と光ディスクからの光とを回折する機能を
有する。コリメートレンズ５は、入射光を平行光にす
る。ミラー６は、コリメートレンズ５からの光を反射し
て対物レンズ７へと導く鏡である。対物レンズ７は、入
射した光を光ディスク８の情報記録面に集光させるため
のレンズである。受光素子９は、ＦＥＳおよびＴＥＳ検
出用の受光領域から構成され、ＦＥＳおよびＴＥＳの検
出に使用される。
ップ装置２１における光源である。ホログラム素子２
は、ホログラムパターン４とグレーティングとが形成さ
れている素子であり、グレーティングによって光ビーム
が３つに分割され、ホログラムパターン４によって光デ
ィスクへの光と光ディスクからの光とを回折する機能を
有する。コリメートレンズ５は、入射光を平行光にす
る。ミラー６は、コリメートレンズ５からの光を反射し
て対物レンズ７へと導く鏡である。対物レンズ７は、入
射した光を光ディスク８の情報記録面に集光させるため
のレンズである。受光素子９は、ＦＥＳおよびＴＥＳ検
出用の受光領域から構成され、ＦＥＳおよびＴＥＳの検
出に使用される。
【００３７】図２は、光ピックアップ装置２１の斜視図
および内部構成図である。図２（ａ）に示されるよう
に、図１の半導体レーザダイオード１、ホログラム素子
２および受光素子９は、一体化した光ピックアップ装置
２１を構成している。また、図２（ｂ）に示されるよう
に、ステム１０上にチップダイボンドブロック部１０１
とアイレット部１０４とが設けられており、その裏面に
リードピン１０３が設けられている。チップダイボンド
ブロック部１０１には、半導体レーザダイオード１を覆
っているサブマウント素子１０２と受光素子９とが搭載
されている。光ピックアップ装置２１は、金属製のキャ
ップ１１をステム１０に固定して、キャップ１１にホロ
グラム素子２を固定した構造をしている。またサブマウ
ント素子１０２がない構成の光ピックアップ装置もあ
る。
および内部構成図である。図２（ａ）に示されるよう
に、図１の半導体レーザダイオード１、ホログラム素子
２および受光素子９は、一体化した光ピックアップ装置
２１を構成している。また、図２（ｂ）に示されるよう
に、ステム１０上にチップダイボンドブロック部１０１
とアイレット部１０４とが設けられており、その裏面に
リードピン１０３が設けられている。チップダイボンド
ブロック部１０１には、半導体レーザダイオード１を覆
っているサブマウント素子１０２と受光素子９とが搭載
されている。光ピックアップ装置２１は、金属製のキャ
ップ１１をステム１０に固定して、キャップ１１にホロ
グラム素子２を固定した構造をしている。またサブマウ
ント素子１０２がない構成の光ピックアップ装置もあ
る。
【００３８】図１において、光源である半導体レーザダ
イオード１から出射された放射状の光ビームは、ホログ
ラム素子２を通過してコリメートレンズ５によって平行
光とされ、ミラー６によって光路を曲げられた後に、対
物レンズ７によって光ディスク８上に集光される。光デ
ィスク８の情報記録面で反射された光ビームは、対物レ
ンズ７によって再び平行光とされ、ミラー６で光路を曲
げられた後に、コリメートレンズ５、ホログラム素子２
を通って半導体レーザダイオード１に集光される。この
とき、ホログラム素子２の表面に形成された回折格子と
しての機能を有するホログラムパターン４によって、光
ビームの一部が回折現象により方向を曲げられ、曲げら
れた先に配置された受光素子９に入射する。
イオード１から出射された放射状の光ビームは、ホログ
ラム素子２を通過してコリメートレンズ５によって平行
光とされ、ミラー６によって光路を曲げられた後に、対
物レンズ７によって光ディスク８上に集光される。光デ
ィスク８の情報記録面で反射された光ビームは、対物レ
ンズ７によって再び平行光とされ、ミラー６で光路を曲
げられた後に、コリメートレンズ５、ホログラム素子２
を通って半導体レーザダイオード１に集光される。この
とき、ホログラム素子２の表面に形成された回折格子と
しての機能を有するホログラムパターン４によって、光
ビームの一部が回折現象により方向を曲げられ、曲げら
れた先に配置された受光素子９に入射する。
【００３９】ピックアップ部１２０の光路について図３
を用いて説明する。図３は、光ピックアップ装置２１を
用いたピックアップ部１２０における光路図である。図
３に示されるように、図１のピックアップ部１１０の構
成図からミラー６を省略した構成になっている。半導体
レーザダイオード１から出射された光ビームは、ホログ
ラム素子２の半導体レーザダイオード１に近い側の表面
に形成されたグレーティング３によってメインビームで
ある０次回折光とサブビームである＋１次回折光および
−１次回折光との３方向に分割される。３方向に分割さ
れた０次回折光と＋１次回折光または−１次回折光との
光量の比率は、１次：０次：−１次＝１：１０：１とし
ている。ホログラムパターン４を通過した３つのビーム
のうちコリメートレンズ５に入射した光ビームは平行化
されて対物レンズ７に導かれ、０次回折光、＋１次回折
光および−１次回折光として光ディスク８上の１３ａ，
１３ｂおよび１３ｃにそれぞれ集光される。
を用いて説明する。図３は、光ピックアップ装置２１を
用いたピックアップ部１２０における光路図である。図
３に示されるように、図１のピックアップ部１１０の構
成図からミラー６を省略した構成になっている。半導体
レーザダイオード１から出射された光ビームは、ホログ
ラム素子２の半導体レーザダイオード１に近い側の表面
に形成されたグレーティング３によってメインビームで
ある０次回折光とサブビームである＋１次回折光および
−１次回折光との３方向に分割される。３方向に分割さ
れた０次回折光と＋１次回折光または−１次回折光との
光量の比率は、１次：０次：−１次＝１：１０：１とし
ている。ホログラムパターン４を通過した３つのビーム
のうちコリメートレンズ５に入射した光ビームは平行化
されて対物レンズ７に導かれ、０次回折光、＋１次回折
光および−１次回折光として光ディスク８上の１３ａ，
１３ｂおよび１３ｃにそれぞれ集光される。
【００４０】光ディスク８の情報記録面で反射された１
３ａ，１３ｂおよび１３ｃの３箇所からの光ビームは、
対物レンズ７およびコリメートレンズ５を通り、円形を
１つの半円および２つの４分の１円に３分割したパター
ンを有するホログラムパターン４で一部が回折によって
方向を曲げられ、受光素子９の表面に形成された複数の
受光領域１２にそれぞれ集光される。受光領域１２に集
光された光に基づいてＦＥＳおよびＴＥＳを検出してい
る。
３ａ，１３ｂおよび１３ｃの３箇所からの光ビームは、
対物レンズ７およびコリメートレンズ５を通り、円形を
１つの半円および２つの４分の１円に３分割したパター
ンを有するホログラムパターン４で一部が回折によって
方向を曲げられ、受光素子９の表面に形成された複数の
受光領域１２にそれぞれ集光される。受光領域１２に集
光された光に基づいてＦＥＳおよびＴＥＳを検出してい
る。
【００４１】ＦＥＳは、フォーカスサーボ処理に用いら
れ、ＴＥＳは、トラックサーボ処理に用いられる。つま
り、ＦＥＳは光ディスク８の面振れなどによる、対物レ
ンズ７のフォーカス方向（図３のＺ軸方向）のずれに応
じて出力され、ＦＥＳが常に０になるように、つまり対
物レンズ７と光ディスク８との距離が一定に保たれるよ
うに対物レンズ７をフォーカス方向に移動させる。この
ようにフィードバック制御することで、対物レンズ７は
光ディスク８の面振れに追従し、常に合焦状態を保つ。
れ、ＴＥＳは、トラックサーボ処理に用いられる。つま
り、ＦＥＳは光ディスク８の面振れなどによる、対物レ
ンズ７のフォーカス方向（図３のＺ軸方向）のずれに応
じて出力され、ＦＥＳが常に０になるように、つまり対
物レンズ７と光ディスク８との距離が一定に保たれるよ
うに対物レンズ７をフォーカス方向に移動させる。この
ようにフィードバック制御することで、対物レンズ７は
光ディスク８の面振れに追従し、常に合焦状態を保つ。
【００４２】ＴＥＳは、光ディスク８のトラックの接線
に垂直な方向、つまり図３のＹ軸方向へのトラックから
のビームスポットのずれに応じて出力され、ＴＥＳが常
に０になるようにピックアップ部１２０をＹ軸方向に移
動させる。このようにフィードバック制御することで、
光ディスク８が偏心していたとしても、偏心に追従して
ビームスポットが常にトラックの上をトレースするよう
に制御することができる。
に垂直な方向、つまり図３のＹ軸方向へのトラックから
のビームスポットのずれに応じて出力され、ＴＥＳが常
に０になるようにピックアップ部１２０をＹ軸方向に移
動させる。このようにフィードバック制御することで、
光ディスク８が偏心していたとしても、偏心に追従して
ビームスポットが常にトラックの上をトレースするよう
に制御することができる。
【００４３】図４は、本発明の第１の実施形態における
受光素子および光ディスクの傷による散乱光の入射パタ
ーンを示した図である。図４に示されるように、受光素
子９の表面に形成された複数の受光領域１２として、ホ
ログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域で回折された光が入
射するＦＥＳ用の２つの受光部分ＡおよびＢから構成さ
れるＦＥＳ用受光領域（以下、ＰＤｆとする）と、ホロ
グラムパターン４のＨＣおよびＨＤ領域で回折された光
が入射するＴＥＳ用の６つの受光部分Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，
ＧおよびＨから構成されるＴＥＳ用受光領域（以下、Ｐ
Ｄｔとする）とが独立して形成され、かつＰＤｔがＰＤ
ｆを挟む配置で、ＰＤｆおよびＰＤｔがホログラムパタ
ーン４のＹ軸方向に１列に並ぶように配置している。ホ
ログラムパターン４の各領域で回折された光を１列に並
べたＰＤｆおよびＰＤｔの受光部分に正確に落射させる
ために、本実施形態では、ホログラムパターン４の回折
格子ピッチおよび角度を変えることで回折角度を調整し
ている。
受光素子および光ディスクの傷による散乱光の入射パタ
ーンを示した図である。図４に示されるように、受光素
子９の表面に形成された複数の受光領域１２として、ホ
ログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域で回折された光が入
射するＦＥＳ用の２つの受光部分ＡおよびＢから構成さ
れるＦＥＳ用受光領域（以下、ＰＤｆとする）と、ホロ
グラムパターン４のＨＣおよびＨＤ領域で回折された光
が入射するＴＥＳ用の６つの受光部分Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，
ＧおよびＨから構成されるＴＥＳ用受光領域（以下、Ｐ
Ｄｔとする）とが独立して形成され、かつＰＤｔがＰＤ
ｆを挟む配置で、ＰＤｆおよびＰＤｔがホログラムパタ
ーン４のＹ軸方向に１列に並ぶように配置している。ホ
ログラムパターン４の各領域で回折された光を１列に並
べたＰＤｆおよびＰＤｔの受光部分に正確に落射させる
ために、本実施形態では、ホログラムパターン４の回折
格子ピッチおよび角度を変えることで回折角度を調整し
ている。
【００４４】このようにＰＤｆおよびＰＤｔを１列に並
べて配置したことによって、光ディスクのトラックの接
線方向についた傷がつくるＸ軸に平行な方向へ広がる散
乱光が受光領域に到達した場合でも、ホログラムパター
ン４のＨＡ＋Ｂ領域で回折された光２２がＰＤｔの受光
部分ＦまたはＧに入射することがない。したがって、Ｐ
Ｄｆに入射する光の散乱光がＴＥＳに影響を与えないの
で、ＴＥＳが異常に大きくなることがなくなり、追従し
ていたトラックサーボが外れることを防ぐことができ
る。
べて配置したことによって、光ディスクのトラックの接
線方向についた傷がつくるＸ軸に平行な方向へ広がる散
乱光が受光領域に到達した場合でも、ホログラムパター
ン４のＨＡ＋Ｂ領域で回折された光２２がＰＤｔの受光
部分ＦまたはＧに入射することがない。したがって、Ｐ
Ｄｆに入射する光の散乱光がＴＥＳに影響を与えないの
で、ＴＥＳが異常に大きくなることがなくなり、追従し
ていたトラックサーボが外れることを防ぐことができ
る。
【００４５】図５は、本発明の第２の実施形態における
受光素子および光ディスクの傷による散乱光の入射パタ
ーンを示した図である。図５（ａ），図５（ｂ）に示さ
れるように、受光素子９の表面に形成された複数の受光
領域１２として、ＰＤｆとＰＤｔとが独立して形成さ
れ、かつ複数の受光部分をもつＰＤｔの並ぶ列とは別
に、ＰＤｔの受光部分であるＦおよびＧに隣接するよう
にＰＤｆの受光部分であるＡおよびＢを配置している。
受光素子および光ディスクの傷による散乱光の入射パタ
ーンを示した図である。図５（ａ），図５（ｂ）に示さ
れるように、受光素子９の表面に形成された複数の受光
領域１２として、ＰＤｆとＰＤｔとが独立して形成さ
れ、かつ複数の受光部分をもつＰＤｔの並ぶ列とは別
に、ＰＤｔの受光部分であるＦおよびＧに隣接するよう
にＰＤｆの受光部分であるＡおよびＢを配置している。
【００４６】本実施形態では、図５（ａ）に示されるよ
うに、ＰＤｆに近いＰＤｔの受光部分ＦおよびＧの一部
に、Ａｕ蒸着により表面から光が入射するのをさえぎる
遮光膜３１，３２が形成され、または、図５（ｂ）に示
されるように、ＰＤｆに近いＰＤｔの受光部分Ｆおよび
Ｇの全面に、遮光膜３４，３５が形成されている。遮光
膜３１，３２は、ＰＤｔの受光部分ＥおよびＧの長手方
向長さ２５０μｍの１０％に相当する２５μｍの長さ
で、ＰＤｆに近いＰＤｔの受光部分ＦおよびＧに形成し
た遮光手段である。
うに、ＰＤｆに近いＰＤｔの受光部分ＦおよびＧの一部
に、Ａｕ蒸着により表面から光が入射するのをさえぎる
遮光膜３１，３２が形成され、または、図５（ｂ）に示
されるように、ＰＤｆに近いＰＤｔの受光部分Ｆおよび
Ｇの全面に、遮光膜３４，３５が形成されている。遮光
膜３１，３２は、ＰＤｔの受光部分ＥおよびＧの長手方
向長さ２５０μｍの１０％に相当する２５μｍの長さ
で、ＰＤｆに近いＰＤｔの受光部分ＦおよびＧに形成し
た遮光手段である。
【００４７】また遮光膜３１，３２または３４，３５
は、受光素子９の表面の受光領域１２以外に光が入射す
ることによって引き起こされる誤動作を防ぐため、Ａｕ
遮光膜形成工程のパターニングマスクの形状を変更し
て、Ａｕ遮光膜がつかないようにレジストでカバーして
いた受光部分ＦおよびＧのレジストを除去した状態でＡ
ｕ遮光膜を蒸着する方法で形成する。
は、受光素子９の表面の受光領域１２以外に光が入射す
ることによって引き起こされる誤動作を防ぐため、Ａｕ
遮光膜形成工程のパターニングマスクの形状を変更し
て、Ａｕ遮光膜がつかないようにレジストでカバーして
いた受光部分ＦおよびＧのレジストを除去した状態でＡ
ｕ遮光膜を蒸着する方法で形成する。
【００４８】このようにＰＤｔの受光部分ＦおよびＧに
対して、遮光膜３１，３２または３４，３５を形成する
ことで、光ディスクのトラックの接線方向についた傷が
つくるＸ軸に平行な方向へ広がる散乱光が受光領域に到
達した場合でも、ホログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域
で回折された光３３がＰＤｔの受光部分ＦまたはＧの出
力電気信号として変換されることがなくなる。したがっ
て、ＰＤｆに入射する光の散乱光がＴＥＳに与える影響
が軽減されるので、ＴＥＳが異常に大きくなることがな
くなり、追従していたトラックサーボが外れることを防
ぐことができる。
対して、遮光膜３１，３２または３４，３５を形成する
ことで、光ディスクのトラックの接線方向についた傷が
つくるＸ軸に平行な方向へ広がる散乱光が受光領域に到
達した場合でも、ホログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域
で回折された光３３がＰＤｔの受光部分ＦまたはＧの出
力電気信号として変換されることがなくなる。したがっ
て、ＰＤｆに入射する光の散乱光がＴＥＳに与える影響
が軽減されるので、ＴＥＳが異常に大きくなることがな
くなり、追従していたトラックサーボが外れることを防
ぐことができる。
【００４９】図６は、本発明の第３の実施形態における
受光素子および光ディスクの傷による散乱光の入射パタ
ーンを示した図である。図６に示されるように、第２の
実施形態と同様にＰＤｆとＰＤｔとが独立に形成され、
かつＰＤｔの並ぶ列とは別に、ＰＤｔの受光部分Ｆおよ
びＧに隣接するようにＰＤｆの受光部分ＡおよびＢを配
置している。
受光素子および光ディスクの傷による散乱光の入射パタ
ーンを示した図である。図６に示されるように、第２の
実施形態と同様にＰＤｆとＰＤｔとが独立に形成され、
かつＰＤｔの並ぶ列とは別に、ＰＤｔの受光部分Ｆおよ
びＧに隣接するようにＰＤｆの受光部分ＡおよびＢを配
置している。
【００５０】本実施形態では、複数に分割されたＰＤｔ
の受光部分のうちでＰＤｆに近い受光部分の面積が他の
受光部分の面積よりも小さくなるようにしている。すな
わち、ＰＤｆに近いＰＤｔの受光部分ＦおよびＧは、受
光部分の面積がＰＤｔの他の受光部分Ｃ，Ｄ，Ｅおよび
Ｈより狭く、受光部分ＦおよびＧの長手方向長さ２５０
μｍの１０％に相当する２５μｍ短くなった分、従来と
比べてＰＤｆから２５μｍ遠くに離してＰＤｔの受光部
分ＦおよびＧを配置している。
の受光部分のうちでＰＤｆに近い受光部分の面積が他の
受光部分の面積よりも小さくなるようにしている。すな
わち、ＰＤｆに近いＰＤｔの受光部分ＦおよびＧは、受
光部分の面積がＰＤｔの他の受光部分Ｃ，Ｄ，Ｅおよび
Ｈより狭く、受光部分ＦおよびＧの長手方向長さ２５０
μｍの１０％に相当する２５μｍ短くなった分、従来と
比べてＰＤｆから２５μｍ遠くに離してＰＤｔの受光部
分ＦおよびＧを配置している。
【００５１】このようにＰＤｔの受光部分ＦおよびＧの
面積を小さくし、かつＰＤｆより遠く離して配置するこ
とで、光ディスクのトラックの接線方向についた傷がつ
くるＸ軸に平行な方向へ広がる散乱光が少ない場合に
は、ホログラムパターン９のＨＡ＋Ｂ領域で回折された
光４１がＰＤｔの受光部分ＦまたはＧに入射することが
なく、散乱光が多い場合でもＨＡ＋Ｂ領域で回折された
光４１がＰＤｔの受光部分ＦまたはＧへ入射する面積、
すなわち入射光量が低減されるためにＴＥＳに与える影
響が軽減される。したがって、ＴＥＳが異常に大きくな
ることがなくなり、追従していたトラックサーボが外れ
ることを防ぐことができる。
面積を小さくし、かつＰＤｆより遠く離して配置するこ
とで、光ディスクのトラックの接線方向についた傷がつ
くるＸ軸に平行な方向へ広がる散乱光が少ない場合に
は、ホログラムパターン９のＨＡ＋Ｂ領域で回折された
光４１がＰＤｔの受光部分ＦまたはＧに入射することが
なく、散乱光が多い場合でもＨＡ＋Ｂ領域で回折された
光４１がＰＤｔの受光部分ＦまたはＧへ入射する面積、
すなわち入射光量が低減されるためにＴＥＳに与える影
響が軽減される。したがって、ＴＥＳが異常に大きくな
ることがなくなり、追従していたトラックサーボが外れ
ることを防ぐことができる。
【００５２】図７（ａ）は、第４の実施形態における受
光素子および光ディスクの傷による散乱光の入射パター
ン図ならびに光信号の電気信号変換回路の構成を示した
図であり、図７（ｂ）は、それに対応する従来技術を示
した図である。図７（ａ），図７（ｂ）に示されるよう
に、第２の実施形態と同様にＰＤｆとＰＤｔとが独立に
形成され、かつＰＤｔの並ぶ列とは別に、ＰＤｔの受光
部分ＦおよびＧに隣接するようにＰＤｆの受光部分Ａお
よびＢを配置している。
光素子および光ディスクの傷による散乱光の入射パター
ン図ならびに光信号の電気信号変換回路の構成を示した
図であり、図７（ｂ）は、それに対応する従来技術を示
した図である。図７（ａ），図７（ｂ）に示されるよう
に、第２の実施形態と同様にＰＤｆとＰＤｔとが独立に
形成され、かつＰＤｔの並ぶ列とは別に、ＰＤｔの受光
部分ＦおよびＧに隣接するようにＰＤｆの受光部分Ａお
よびＢを配置している。
【００５３】ＰＤｆに近いＰＤｔの受光部分ＦおよびＧ
からの電気信号はＰＤｔの受光部分ＥまたはＨからの電
気信号とそれぞれ加算され、オペアンプ（演算増幅器）
により増幅されてＥ＋ＧおよびＦ＋Ｈの信号出力とな
る。また、図７（ｂ）に示される従来の電気信号変換回
路図によれば、ＰＤｔの受光部分ＥとＧからの電気信号
またはＰＤｔの受光部分ＦとＨからの電気信号に重みづ
けなく加算している。本実施形態における電気信号変換
回路では、図７（ａ）に示すように、ＰＤｔの受光部分
ＦおよびＧからの電気信号を等価抵抗Ｒ1を介してそれ
ぞれ受光部分ＥおよびＨからの電気信号と結合し、等価
抵抗Ｒ1を介してオペアンプに入力している。
からの電気信号はＰＤｔの受光部分ＥまたはＨからの電
気信号とそれぞれ加算され、オペアンプ（演算増幅器）
により増幅されてＥ＋ＧおよびＦ＋Ｈの信号出力とな
る。また、図７（ｂ）に示される従来の電気信号変換回
路図によれば、ＰＤｔの受光部分ＥとＧからの電気信号
またはＰＤｔの受光部分ＦとＨからの電気信号に重みづ
けなく加算している。本実施形態における電気信号変換
回路では、図７（ａ）に示すように、ＰＤｔの受光部分
ＦおよびＧからの電気信号を等価抵抗Ｒ1を介してそれ
ぞれ受光部分ＥおよびＨからの電気信号と結合し、等価
抵抗Ｒ1を介してオペアンプに入力している。
【００５４】図７（ｂ）に示される従来の回路における
信号出力が（Ｅ＋Ｇ）×Ｒ2÷Ｒ1であるのに対し、図７
（ａ）に示されるように、抵抗Ｒ1を介してＰＤｔの受
光部分ＥとＧおよびＦとＨからの電気信号の加算をする
ことで、回路の信号出力はＥ×Ｒ2÷Ｒ1＋Ｇ×Ｒ2÷
（Ｒ1＋Ｒ1）となり、従来の電気回路に比べてＧからの
信号出力は１／２となる。すなわち、ＰＤｔの受光部分
ＦおよびＧからの電気信号を等価抵抗Ｒ1を介してそれ
ぞれ受光部分ＥおよびＨからの電気信号と結合すること
で、受光部分Ｅからの電気信号よりも受光部分Ｇからの
電気信号の割合が小さくなり、感度を小さくすることが
できる。本発明では、受光部分Ｇからの電気信号の割合
が受光部分Ｅからの電気信号の割合の半分となる。ま
た、受光部分ＦとＨからの電気信号の割合についても同
様で、受光部分Ｆからの電気信号の割合が受光部分Ｈか
らの電気信号の割合の半分となる。
信号出力が（Ｅ＋Ｇ）×Ｒ2÷Ｒ1であるのに対し、図７
（ａ）に示されるように、抵抗Ｒ1を介してＰＤｔの受
光部分ＥとＧおよびＦとＨからの電気信号の加算をする
ことで、回路の信号出力はＥ×Ｒ2÷Ｒ1＋Ｇ×Ｒ2÷
（Ｒ1＋Ｒ1）となり、従来の電気回路に比べてＧからの
信号出力は１／２となる。すなわち、ＰＤｔの受光部分
ＦおよびＧからの電気信号を等価抵抗Ｒ1を介してそれ
ぞれ受光部分ＥおよびＨからの電気信号と結合すること
で、受光部分Ｅからの電気信号よりも受光部分Ｇからの
電気信号の割合が小さくなり、感度を小さくすることが
できる。本発明では、受光部分Ｇからの電気信号の割合
が受光部分Ｅからの電気信号の割合の半分となる。ま
た、受光部分ＦとＨからの電気信号の割合についても同
様で、受光部分Ｆからの電気信号の割合が受光部分Ｈか
らの電気信号の割合の半分となる。
【００５５】このように受光部分ＦおよびＧからの電気
信号の割合、すなわち受光感度を小さくすることで、光
ディスクのトラックの接線方向についた傷がつくるＸ軸
に平行な方向へ広がる散乱光が受光領域に到達した場合
でも、ホログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域で回折され
た光５３がＰＤｔの受光部分ＦまたはＧの出力電気信号
として変換される信号強度が従来の半分となり、散乱光
がＴＥＳに与える影響が軽減される。したがって、ＴＥ
Ｓが異常に大きくなることがなくなり、追従していたト
ラックサーボが外れることを防ぐことができる。
信号の割合、すなわち受光感度を小さくすることで、光
ディスクのトラックの接線方向についた傷がつくるＸ軸
に平行な方向へ広がる散乱光が受光領域に到達した場合
でも、ホログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域で回折され
た光５３がＰＤｔの受光部分ＦまたはＧの出力電気信号
として変換される信号強度が従来の半分となり、散乱光
がＴＥＳに与える影響が軽減される。したがって、ＴＥ
Ｓが異常に大きくなることがなくなり、追従していたト
ラックサーボが外れることを防ぐことができる。
【００５６】図８は、本発明の第５の実施形態における
受光素子および光ディスクの傷による散乱光の入射パタ
ーンを示した図である。図８に示されるように、第２の
実施形態と同様にＰＤｆとＰＤｔとが独立に形成され、
かつＰＤｔの並ぶ列とは別に、ＰＤｔの受光部分Ｆおよ
びＧに隣接するようにＰＤｆの受光部分ＡおよびＢを配
置している。
受光素子および光ディスクの傷による散乱光の入射パタ
ーンを示した図である。図８に示されるように、第２の
実施形態と同様にＰＤｆとＰＤｔとが独立に形成され、
かつＰＤｔの並ぶ列とは別に、ＰＤｔの受光部分Ｆおよ
びＧに隣接するようにＰＤｆの受光部分ＡおよびＢを配
置している。
【００５７】本実施形態では、ＰＤｆに近いＰＤｔの受
光部分ＦおよびＧに他の受光部分Ｃ，Ｄ，ＥおよびＨと
比べて表面反射率が大きい誘電体多層薄膜６１，６２を
形成する。
光部分ＦおよびＧに他の受光部分Ｃ，Ｄ，ＥおよびＨと
比べて表面反射率が大きい誘電体多層薄膜６１，６２を
形成する。
【００５８】誘電体多層薄膜６１，６２は、ＳｉＯ2／
ＳｉＮ／ＳｉＯ2の構成からなる。図９は、第５の実施
形態における反射率制御誘電体薄膜の反射率特性を示し
たグラフである。グラフの横軸はＳｉＯ2の膜厚であ
り、縦軸は反射率である。図９に示されるように、誘電
体多層薄膜６１，６２における１層目のＳｉＯ2膜厚を
１２０ｎｍとすることで１２％程度大きい反射率、また
ＳｉＯ2膜厚を２３０ｎｍとすることで無反射膜にする
ことが可能である。したがって、ＰＤｔの受光部分Ｆお
よびＧに対して１層目を１２０ｎｍのＳｉＯ2かつ受光
部分Ｃ，Ｄ，ＥおよびＨに対しては１層目を２３０ｎｍ
のＳｉＯ2としておき、ＳｉＮが５０ｎｍ、ＳｉＯ2が２
６ｎｍであるＳｉＮ／ＳｉＯ2を積層して、受光部分Ｆ
およびＧが受光部分Ｃ，Ｄ，ＥおよびＨよりも反射率が
１２％大きい構成にすることができる。
ＳｉＮ／ＳｉＯ2の構成からなる。図９は、第５の実施
形態における反射率制御誘電体薄膜の反射率特性を示し
たグラフである。グラフの横軸はＳｉＯ2の膜厚であ
り、縦軸は反射率である。図９に示されるように、誘電
体多層薄膜６１，６２における１層目のＳｉＯ2膜厚を
１２０ｎｍとすることで１２％程度大きい反射率、また
ＳｉＯ2膜厚を２３０ｎｍとすることで無反射膜にする
ことが可能である。したがって、ＰＤｔの受光部分Ｆお
よびＧに対して１層目を１２０ｎｍのＳｉＯ2かつ受光
部分Ｃ，Ｄ，ＥおよびＨに対しては１層目を２３０ｎｍ
のＳｉＯ2としておき、ＳｉＮが５０ｎｍ、ＳｉＯ2が２
６ｎｍであるＳｉＮ／ＳｉＯ2を積層して、受光部分Ｆ
およびＧが受光部分Ｃ，Ｄ，ＥおよびＨよりも反射率が
１２％大きい構成にすることができる。
【００５９】このように、ＰＤｆに近い側のＰＤｔの受
光部分ＦおよびＧを他のＰＤｔの受光部分Ｃ，Ｄ，Ｅお
よびＨと比べて表面反射率を大きくすることで、光ディ
スクのトラックの接線方向についた傷がつくるＸ軸に平
行な方向へ広がる散乱光が受光領域に到達した場合で
も、ホログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域で回折された
光６３がＰＤｔの受光部分ＦまたはＧの出力電気信号と
して変換された信号強度は、従来に比べて１２％小さく
なり、散乱光がＴＥＳに与える影響が軽減される。した
がって、ＴＥＳが異常に大きくなることがなくなり、追
従していたトラックサーボが外れることを防ぐことがで
きる。
光部分ＦおよびＧを他のＰＤｔの受光部分Ｃ，Ｄ，Ｅお
よびＨと比べて表面反射率を大きくすることで、光ディ
スクのトラックの接線方向についた傷がつくるＸ軸に平
行な方向へ広がる散乱光が受光領域に到達した場合で
も、ホログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域で回折された
光６３がＰＤｔの受光部分ＦまたはＧの出力電気信号と
して変換された信号強度は、従来に比べて１２％小さく
なり、散乱光がＴＥＳに与える影響が軽減される。した
がって、ＴＥＳが異常に大きくなることがなくなり、追
従していたトラックサーボが外れることを防ぐことがで
きる。
【００６０】本発明の第６の実施形態では、第２の実施
形態と同様にＰＤｆとＰＤｔとが独立に形成され、かつ
ＰＤｔの並ぶ列とは別に、ＰＤｔの受光部分ＦおよびＧ
に隣接するようにＰＤｆの受光部分ＡおよびＢを配置し
ている。
形態と同様にＰＤｆとＰＤｔとが独立に形成され、かつ
ＰＤｔの並ぶ列とは別に、ＰＤｔの受光部分ＦおよびＧ
に隣接するようにＰＤｆの受光部分ＡおよびＢを配置し
ている。
【００６１】本実施形態では、図３の光ピックアップ装
置２２における光路図に示されるように、ホログラム素
子に形成されたグレーティング３によって３方向に分割
されたメインビームおよびサブビームが光ディスク８上
に集光されたスポット１３ａ，１３ｂおよび１３ｃにお
ける光量の比率を変えている。図１０は、光ピックアッ
プ装置におけるメインビーム（Ｍ）およびサブビーム
（Ｓ１，Ｓ２）が光ディスク上に集光された状態を示し
た図である。図１０に示されるＭおよびＳ１，Ｓ２にお
いて、従来はＳ１：Ｍ：Ｓ２＝１：１０：１としていた
ところを、本実施形態ではＳ１：Ｍ：Ｓ２＝１：６：１
とし、メインビームである０次回折光の光量を下げてサ
ブビームに対するメインビームの光量の割合を減少させ
ることで、サブビームである＋１次回折光および−１次
回折光の比率を相対的に増やしている。
置２２における光路図に示されるように、ホログラム素
子に形成されたグレーティング３によって３方向に分割
されたメインビームおよびサブビームが光ディスク８上
に集光されたスポット１３ａ，１３ｂおよび１３ｃにお
ける光量の比率を変えている。図１０は、光ピックアッ
プ装置におけるメインビーム（Ｍ）およびサブビーム
（Ｓ１，Ｓ２）が光ディスク上に集光された状態を示し
た図である。図１０に示されるＭおよびＳ１，Ｓ２にお
いて、従来はＳ１：Ｍ：Ｓ２＝１：１０：１としていた
ところを、本実施形態ではＳ１：Ｍ：Ｓ２＝１：６：１
とし、メインビームである０次回折光の光量を下げてサ
ブビームに対するメインビームの光量の割合を減少させ
ることで、サブビームである＋１次回折光および−１次
回折光の比率を相対的に増やしている。
【００６２】図１１は、第６の実施形態におけるグレー
ティング溝の深さと分光比率（光量の比率）との関係を
示したグラフである。グラフの横軸はグレーティング溝
の深さであり、縦軸は０次回折光と＋１次回折光および
−１次回折光との光量比である。グレーティング３によ
って分割されたメインビームである０次回折光とサブビ
ームである＋１次回折光または−１次回折光との光量比
は、図１１に示されるように、グレーティングの溝の深
さによって制御し、従来の溝の深さ０．２５μｍに対し
て０．３１μｍと溝を深くすることによって光量比を小
さくしている。溝の深さはエッチング時間の制御により
可能であり、エッチング時間を約２０％長くすることで
実現している。
ティング溝の深さと分光比率（光量の比率）との関係を
示したグラフである。グラフの横軸はグレーティング溝
の深さであり、縦軸は０次回折光と＋１次回折光および
−１次回折光との光量比である。グレーティング３によ
って分割されたメインビームである０次回折光とサブビ
ームである＋１次回折光または−１次回折光との光量比
は、図１１に示されるように、グレーティングの溝の深
さによって制御し、従来の溝の深さ０．２５μｍに対し
て０．３１μｍと溝を深くすることによって光量比を小
さくしている。溝の深さはエッチング時間の制御により
可能であり、エッチング時間を約２０％長くすることで
実現している。
【００６３】このように、サブビームである＋１次回折
光および−１次回折光に対するメインビームである０次
回折光の光量の割合を減少させることで、光ディスクの
トラックの接線方向についた傷がつくるＸ軸に平行な方
向へ広がる散乱光が受光領域に到達した場合でも、メイ
ンビームである０次回折光の反射光がホログラムパター
ン４のＨＡ＋Ｂ領域で回折された光の量は減り、逆にサ
ブビームである＋１次回折光および−１次回折光の反射
光がホログラムパターン４のＨＣおよびＨＤ領域で回折
された光の量は増えるので、ＰＤｔの受光部分Ｆまたは
Ｇの出力電気信号に与える影響が相対的に小さくなり、
散乱光がＴＥＳに与える影響が軽減される。したがっ
て、ＴＥＳが異常に大きくなることがなくなり、追従し
ていたトラックサーボが外れることを防ぐことができ
る。
光および−１次回折光に対するメインビームである０次
回折光の光量の割合を減少させることで、光ディスクの
トラックの接線方向についた傷がつくるＸ軸に平行な方
向へ広がる散乱光が受光領域に到達した場合でも、メイ
ンビームである０次回折光の反射光がホログラムパター
ン４のＨＡ＋Ｂ領域で回折された光の量は減り、逆にサ
ブビームである＋１次回折光および−１次回折光の反射
光がホログラムパターン４のＨＣおよびＨＤ領域で回折
された光の量は増えるので、ＰＤｔの受光部分Ｆまたは
Ｇの出力電気信号に与える影響が相対的に小さくなり、
散乱光がＴＥＳに与える影響が軽減される。したがっ
て、ＴＥＳが異常に大きくなることがなくなり、追従し
ていたトラックサーボが外れることを防ぐことができ
る。
【００６４】図１２（ａ）は、第７の実施形態における
ホログラムパターン４と０次回折光の反射光との関係を
示した図であり、図１２（ｂ）は、それに対応する従来
技術を示した図である。図１２（ａ）に示されるよう
に、第７の実施形態では、第２の実施形態と同様にＰＤ
ｆとＰＤｔとが独立に形成され、かつＰＤｔの並ぶ列と
は別に、ＰＤｔの受光部分ＦおよびＧに隣接するように
ＰＤｆの受光部分ＡおよびＢを配置している。
ホログラムパターン４と０次回折光の反射光との関係を
示した図であり、図１２（ｂ）は、それに対応する従来
技術を示した図である。図１２（ａ）に示されるよう
に、第７の実施形態では、第２の実施形態と同様にＰＤ
ｆとＰＤｔとが独立に形成され、かつＰＤｔの並ぶ列と
は別に、ＰＤｔの受光部分ＦおよびＧに隣接するように
ＰＤｆの受光部分ＡおよびＢを配置している。
【００６５】０次回折光１３ａの反射光は、ホログラム
パターン４のＨＡ＋Ｂ、ＨＣおよびＨＤのどの領域に入
射するかによって３方向に回折され、受光部分Ａ＋Ｂ，
ＣおよびＤにそれぞれ入射する。
パターン４のＨＡ＋Ｂ、ＨＣおよびＨＤのどの領域に入
射するかによって３方向に回折され、受光部分Ａ＋Ｂ，
ＣおよびＤにそれぞれ入射する。
【００６６】なお、ホログラム素子２に形成されたグレ
ーティング３によって３方向に分割されたメインビーム
ＭおよびサブビームＳ１，Ｓ２が光ディスク上に集光さ
れたスポット１３ａ，１３ｂおよび１３ｃにおける光量
の比率は、Ｓ１：Ｍ：Ｓ２＝１：１０：１である。
ーティング３によって３方向に分割されたメインビーム
ＭおよびサブビームＳ１，Ｓ２が光ディスク上に集光さ
れたスポット１３ａ，１３ｂおよび１３ｃにおける光量
の比率は、Ｓ１：Ｍ：Ｓ２＝１：１０：１である。
【００６７】図１２（ｂ）に示されるように、従来は、
０次回折光１３ａの反射光７１がホログラムパターン４
のＨＡ＋Ｂ領域に入る面積とＨＣ＋ＨＤ領域に入る面積
とが等しくなるように、すなわちホログラムパターン４
の３分割の交点とメインビームである０次回折光の反射
光の中心とを一致させ、ホログラムパターン４における
受光領域からの出力信号をそれぞれＶＡ，ＶＢ，ＶＣお
よびＶＤとするとき、ＶＡ＋ＶＢ＝ＶＣ＋ＶＤとなるよ
うにホログラム素子のＹ軸方向の位置を調整している。
本実施形態では、図１２（ａ）に示されるように、ホロ
グラム素子の位置をＹ軸の負の方向へずらすことで、０
次回折光１３ａの反射光７２がホログラムパターン４に
入る面積がＨＡ＋Ｂ＜ＨＣ＋ＨＤとなるように、すなわ
ちＶＡ＋ＶＢ＜ＶＣ＋ＶＤとなるように調整している。
０次回折光１３ａの反射光７１がホログラムパターン４
のＨＡ＋Ｂ領域に入る面積とＨＣ＋ＨＤ領域に入る面積
とが等しくなるように、すなわちホログラムパターン４
の３分割の交点とメインビームである０次回折光の反射
光の中心とを一致させ、ホログラムパターン４における
受光領域からの出力信号をそれぞれＶＡ，ＶＢ，ＶＣお
よびＶＤとするとき、ＶＡ＋ＶＢ＝ＶＣ＋ＶＤとなるよ
うにホログラム素子のＹ軸方向の位置を調整している。
本実施形態では、図１２（ａ）に示されるように、ホロ
グラム素子の位置をＹ軸の負の方向へずらすことで、０
次回折光１３ａの反射光７２がホログラムパターン４に
入る面積がＨＡ＋Ｂ＜ＨＣ＋ＨＤとなるように、すなわ
ちＶＡ＋ＶＢ＜ＶＣ＋ＶＤとなるように調整している。
【００６８】具体的には、従来は（ＶＡ＋ＶＢ）／（Ｖ
Ｃ＋ＶＤ）≒１．０となるように調整していたホログラ
ム素子の位置を、本発明では（ＶＡ＋ＶＢ）／（ＶＣ＋
ＶＤ）≒０．８となるように調整している。
Ｃ＋ＶＤ）≒１．０となるように調整していたホログラ
ム素子の位置を、本発明では（ＶＡ＋ＶＢ）／（ＶＣ＋
ＶＤ）≒０．８となるように調整している。
【００６９】このように、０次回折光１３ａの反射光が
ホログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域に入る面積とＨＣ
＋ＨＤ領域に入る面積との関係をＨＡ＋Ｂ＜ＨＣ＋ＨＤ
となるようにしたことで、光ディスクのトラックの接線
方向についた傷がつくるＸ軸に平行な方向へ広がる散乱
光が受光領域に到達した場合でも、０次回折光の反射光
がホログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域で回折された光
７３の光量が減り、逆にＨＣおよびＨＤ領域で回折され
た光７４，７５の光量が増えるので、ＰＤｔの受光部分
ＦまたはＧの出力電気信号に与える影響が相対的に小さ
くなり、散乱光がＴＥＳに与える影響が軽減される。し
たがって、ＴＥＳが異常に大きくなることがなくなり、
追従していたトラックサーボが外れることを防ぐことが
できる。
ホログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域に入る面積とＨＣ
＋ＨＤ領域に入る面積との関係をＨＡ＋Ｂ＜ＨＣ＋ＨＤ
となるようにしたことで、光ディスクのトラックの接線
方向についた傷がつくるＸ軸に平行な方向へ広がる散乱
光が受光領域に到達した場合でも、０次回折光の反射光
がホログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域で回折された光
７３の光量が減り、逆にＨＣおよびＨＤ領域で回折され
た光７４，７５の光量が増えるので、ＰＤｔの受光部分
ＦまたはＧの出力電気信号に与える影響が相対的に小さ
くなり、散乱光がＴＥＳに与える影響が軽減される。し
たがって、ＴＥＳが異常に大きくなることがなくなり、
追従していたトラックサーボが外れることを防ぐことが
できる。
【００７０】図１３（ａ）は、第８の実施形態における
フォーカスエラー信号用受光領域上への集光点の位置を
示した図であり、図１３（ｂ）は、それに対応する従来
技術を示した図である。図１３（ａ）に示されるよう
に、第８の実施形態では、第２の実施形態と同様にＰＤ
ｆとＰＤｔとが独立に形成され、かつＰＤｔの並ぶ列と
は別に、ＰＤｔの受光部分ＦおよびＧに隣接するように
ＰＤｆの受光部分ＡおよびＢを配置している。
フォーカスエラー信号用受光領域上への集光点の位置を
示した図であり、図１３（ｂ）は、それに対応する従来
技術を示した図である。図１３（ａ）に示されるよう
に、第８の実施形態では、第２の実施形態と同様にＰＤ
ｆとＰＤｔとが独立に形成され、かつＰＤｔの並ぶ列と
は別に、ＰＤｔの受光部分ＦおよびＧに隣接するように
ＰＤｆの受光部分ＡおよびＢを配置している。
【００７１】従来は、図１３（ｂ）に示されるように、
０次回折光１３ａの反射光がホログラムパターン４のＨ
Ａ＋Ｂ領域で回折された光が集光される位置をＰＤｆの
受光部分ＡおよびＢの中央にしている。本実施形態で
は、図１３（ａ）に示されるように、０次回折光１３ａ
の反射光がホログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域で回折
されて集光される位置をＰＤｆの受光部分ＡおよびＢの
中央ではなく、ＰＤｔから距離Ｌ２だけ離すように、集
光点の位置を８３ａから８３ｂへとずらしている。集光
点８３ｂの位置は、以下のようにして変えている。ホロ
グラムパターン４の回折格子ピッチを広くすることで回
折角度を小さくすることができるので、本実施形態では
ホログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域のピッチを広くす
ることで、図１３（ａ）に示される集光点８３ｂの位置
を受光領域ＨＡ＋Ｂの中央からＸ軸の正の方向に２５μ
ｍずらしている。すなわち、ＰＤｆに近い側のＰＤｔの
端から集光点８３ａまでの距離Ｌ１よりも２５μｍ遠く
に距離Ｌ２だけ離している。集光点位置のずらし量はＰ
Ｄｆの受光部分Ａにおける長手方向長さ２５０μｍの１
０％に相当する量に設定している。
０次回折光１３ａの反射光がホログラムパターン４のＨ
Ａ＋Ｂ領域で回折された光が集光される位置をＰＤｆの
受光部分ＡおよびＢの中央にしている。本実施形態で
は、図１３（ａ）に示されるように、０次回折光１３ａ
の反射光がホログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域で回折
されて集光される位置をＰＤｆの受光部分ＡおよびＢの
中央ではなく、ＰＤｔから距離Ｌ２だけ離すように、集
光点の位置を８３ａから８３ｂへとずらしている。集光
点８３ｂの位置は、以下のようにして変えている。ホロ
グラムパターン４の回折格子ピッチを広くすることで回
折角度を小さくすることができるので、本実施形態では
ホログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域のピッチを広くす
ることで、図１３（ａ）に示される集光点８３ｂの位置
を受光領域ＨＡ＋Ｂの中央からＸ軸の正の方向に２５μ
ｍずらしている。すなわち、ＰＤｆに近い側のＰＤｔの
端から集光点８３ａまでの距離Ｌ１よりも２５μｍ遠く
に距離Ｌ２だけ離している。集光点位置のずらし量はＰ
Ｄｆの受光部分Ａにおける長手方向長さ２５０μｍの１
０％に相当する量に設定している。
【００７２】このように、０次回折光１３ａの反射光の
ＰＤｆへの集光点８３ｂの位置をＰＤｔから遠く離して
配置することで、光ディスクのトラックの接線方向につ
いた傷がつくるＸ軸に平行な方向へ広がる散乱光が少な
い場合には、ホログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域で回
折された光がＰＤｔの受光部分ＦまたはＧに入射するこ
とがなく、散乱光が多い場合でもＨＡ＋Ｂ領域で回折さ
れた光が入射する面積、すなわち入射光量が低減される
ため、散乱光がＴＥＳに与える影響が軽減される。した
がって、ＴＥＳが異常に大きくなることがなくなり、追
従していたトラックサーボが外れることを防ぐことがで
きる。
ＰＤｆへの集光点８３ｂの位置をＰＤｔから遠く離して
配置することで、光ディスクのトラックの接線方向につ
いた傷がつくるＸ軸に平行な方向へ広がる散乱光が少な
い場合には、ホログラムパターン４のＨＡ＋Ｂ領域で回
折された光がＰＤｔの受光部分ＦまたはＧに入射するこ
とがなく、散乱光が多い場合でもＨＡ＋Ｂ領域で回折さ
れた光が入射する面積、すなわち入射光量が低減される
ため、散乱光がＴＥＳに与える影響が軽減される。した
がって、ＴＥＳが異常に大きくなることがなくなり、追
従していたトラックサーボが外れることを防ぐことがで
きる。
【００７３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、光ディス
クの傷、特にトラックの接線方向についた傷によるトラ
ックサーボ外れの発生が軽減され、傷のついた光ディス
クに対する読み取りおよび書き込みの不具合が発生しに
くい光ピックアップ装置を構成することができる。
クの傷、特にトラックの接線方向についた傷によるトラ
ックサーボ外れの発生が軽減され、傷のついた光ディス
クに対する読み取りおよび書き込みの不具合が発生しに
くい光ピックアップ装置を構成することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態である光ピックアップ
装置２１を有するピックアップ部１１０を示した図であ
る。
装置２１を有するピックアップ部１１０を示した図であ
る。
【図２】光ピックアップ装置２１の斜視図および内部構
成図である。
成図である。
【図３】光ピックアップ装置２１を用いたピックアップ
部１２０における光路図である。
部１２０における光路図である。
【図４】本発明の第１の実施形態における受光素子およ
び光ディスクの傷による散乱光の入射パターンを示した
図である。
び光ディスクの傷による散乱光の入射パターンを示した
図である。
【図５】本発明の第２の実施形態における受光素子およ
び光ディスクの傷による散乱光の入射パターンを示した
図である。
び光ディスクの傷による散乱光の入射パターンを示した
図である。
【図６】本発明の第３の実施形態における受光素子およ
び光ディスクの傷による散乱光の入射パターンを示した
図である。
び光ディスクの傷による散乱光の入射パターンを示した
図である。
【図７】本発明の第４の実施形態における受光素子およ
び光ディスクの傷による散乱光の入射パターン図ならび
に光信号の電気信号変換回路の構成を示した図である。
び光ディスクの傷による散乱光の入射パターン図ならび
に光信号の電気信号変換回路の構成を示した図である。
【図８】本発明の第５の実施形態における受光素子およ
び光ディスクの傷による散乱光の入射パターンを示した
図である。
び光ディスクの傷による散乱光の入射パターンを示した
図である。
【図９】本発明の第５の実施形態における反射率制御誘
電体薄膜の反射率特性を示したグラフである。
電体薄膜の反射率特性を示したグラフである。
【図１０】光ピックアップ装置におけるメインビームＭ
およびサブビームＳ１，Ｓ２が光ディスク８上に集光さ
れた状態を示した図である。
およびサブビームＳ１，Ｓ２が光ディスク８上に集光さ
れた状態を示した図である。
【図１１】本発明の第６の実施形態におけるグレーティ
ング溝の深さと分光比率（光量の比率）との関係を示し
たグラフである。
ング溝の深さと分光比率（光量の比率）との関係を示し
たグラフである。
【図１２】本発明の第７の実施形態におけるホログラム
パターン４と０次回折光の反射光との関係を示した図で
ある。
パターン４と０次回折光の反射光との関係を示した図で
ある。
【図１３】本発明の第８の実施形態におけるフォーカス
エラー信号用受光領域上への集光点の位置を示した図で
ある。
エラー信号用受光領域上への集光点の位置を示した図で
ある。
【図１４】光ディスク表面の傷９４と直行する方向に散
乱光が発生する状況を示した図である。
乱光が発生する状況を示した図である。
【図１５】従来例における受光素子および光ディスクの
傷による散乱光の入射パターンを示した図である。
傷による散乱光の入射パターンを示した図である。
１ 半導体レーザダイオード
２ ホログラム素子
３ グレーティング
４ ホログラムパターン
５ コリメートレンズ
６ ミラー
７ 対物レンズ
８ 光ディスク
９ 受光素子
１０ ステム
１１ キャップ
１２ 受光領域
１３ａ，１３ｂ，１３ｃ グレーティングにより分割さ
れた０次回折光、＋１次回折光および−１次回折光の集
光点 ２１ 光ピックアップ装置 ３１，３２，３４，３５ 遮光膜 ２２，３３，４１，５３，６３，７３，８３ａ，８３
ｂ，９３ ホログラムパターンのＨＡ＋Ｂ領域による回
折光 ６１，６２ 誘電体多層薄膜 ７４ ホログラムパターンのＨＣ領域による回折光 ７５ ホログラムパターンのＨＤ領域による回折光 ９４ 光ディスク表面の傷 １０１ チップダイボンドブロック部 １０２ サブマウント素子 １０３ リードピン １０４ アイレット部 １１０，１２０ ピックアップ部
れた０次回折光、＋１次回折光および−１次回折光の集
光点 ２１ 光ピックアップ装置 ３１，３２，３４，３５ 遮光膜 ２２，３３，４１，５３，６３，７３，８３ａ，８３
ｂ，９３ ホログラムパターンのＨＡ＋Ｂ領域による回
折光 ６１，６２ 誘電体多層薄膜 ７４ ホログラムパターンのＨＣ領域による回折光 ７５ ホログラムパターンのＨＤ領域による回折光 ９４ 光ディスク表面の傷 １０１ チップダイボンドブロック部 １０２ サブマウント素子 １０３ リードピン １０４ アイレット部 １１０，１２０ ピックアップ部
Claims (9)
- 【請求項１】 フォーカスエラー信号用受光領域と、ト
ラッキングエラー信号用受光領域とが独立して形成され
る受光素子を有し、フォーカスエラー信号用受光領域で
受光した光に応じてフォーカスサーボ処理に必要なフォ
ーカスエラー信号を出力し、トラッキングエラー信号用
受光領域で受光した光に応じてトラックサーボ処理に必
要なトラッキングエラー信号を出力する光ピックアップ
装置において、 前記フォーカスエラー信号用受光領域に入射する光の散
乱光が、トラッキングエラー信号に与える影響を軽減す
るように構成されることを特徴とする光ピックアップ装
置。 - 【請求項２】 前記トラッキングエラー信号用受光領域
は複数の受光部分に分割され、複数のトラッキングエラ
ー信号用受光領域とフォーカスエラー信号用受光領域と
を１列に並べたことを特徴とする請求項１記載の光ピッ
クアップ装置。 - 【請求項３】 前記トラッキングエラー信号用受光領域
は複数の受光部分に分割され、分割された受光部分のう
ちでフォーカスエラー信号用受光領域に近い受光部分の
全面、またはフォーカスエラー信号用受光領域に近い側
の一部に遮光手段を設けることを特徴とする請求項１記
載の光ピックアップ装置。 - 【請求項４】 前記トラッキングエラー信号用受光領域
は複数の受光部分に分割され、分割された受光部分のう
ちでフォーカスエラー信号用受光領域に近い受光部分の
面積が他の受光部分の面積よりも小さいことを特徴とす
る請求項１記載の光ピックアップ装置。 - 【請求項５】 前記トラッキングエラー信号用受光領域
は複数の受光部分に分割され、分割された受光部分のう
ちでフォーカスエラー信号用受光領域に近い受光部分が
他の分割された受光部分より小さな感度を有することを
特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装置。 - 【請求項６】 前記トラッキングエラー信号用受光領域
は複数の受光部分に分割され、分割された受光部分のう
ちでフォーカスエラー信号用受光領域に近い受光部分が
他の分割された受光部分より大きな表面反射率を有する
ことを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装置。 - 【請求項７】 前記トラッキングエラー信号用受光領域
は複数の受光部分に分割され、受光素子に入射する光は
１つのメインビームと２つのサブビームとに分割された
光であり、メインビームをフォーカスエラー信号用受光
領域に入射させ、サブビームに対するメインビームの光
量の割合を減少させることで、フォーカスエラー信号用
受光領域に近いトラッキングエラー信号用受光領域の受
光部分に入射するメインビームの散乱光の光量を軽減さ
せることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装
置。 - 【請求項８】 前記フォーカスエラー信号用受光領域に
入射させる光量をトラッキングエラー信号用受光領域に
入射させる光量より小さくすることを特徴とする請求項
１記載の光ピックアップ装置。 - 【請求項９】 前記フォーカスエラー信号用受光領域に
入射する光の散乱光がトラッキングエラー信号用受光領
域に入射しないように、フォーカスエラー信号用受光領
域への入射位置をトラッキングエラー信号用受光領域か
ら離したことを特徴とする請求項１記載の光ピックアッ
プ装置。
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| JP3163605B2 (ja) | 1992-07-21 | 2001-05-08 | ソニー株式会社 | 光ピックアップ |
| JPH08293127A (ja) | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ピックアップ |
| JPH09204662A (ja) | 1996-01-26 | 1997-08-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク再生装置及び光ディスク再生方法 |
| US6072579A (en) * | 1998-08-27 | 2000-06-06 | Ricoh Company, Ltd. | Optical pickup apparatus having improved holographic optical element and photodetector |
| JP3833396B2 (ja) | 1998-08-27 | 2006-10-11 | 株式会社リコー | 光ピックアップ |
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| WO2001026102A1 (en) * | 1999-10-05 | 2001-04-12 | New Dimension Research & Instrument, Inc. | Monolithic vcsel-based optical pickup and servo control device |
| JP2001110085A (ja) | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Toshiba Corp | 受発光一体素子およびそれを用いた光ピックアップ |
| KR100516786B1 (ko) * | 2000-02-21 | 2005-09-22 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 광 픽업 장치 |
-
2001
- 2001-06-29 JP JP2001199470A patent/JP3631446B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-06-28 US US10/186,931 patent/US7042819B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100419869C (zh) * | 2005-10-25 | 2008-09-17 | 富士通株式会社 | 记录和再现装置 |
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