JPH08293127A - 光ピックアップ - Google Patents
光ピックアップInfo
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- JPH08293127A JPH08293127A JP7096392A JP9639295A JPH08293127A JP H08293127 A JPH08293127 A JP H08293127A JP 7096392 A JP7096392 A JP 7096392A JP 9639295 A JP9639295 A JP 9639295A JP H08293127 A JPH08293127 A JP H08293127A
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- light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロプリズムに入射した光のフレア光を
減少し信号レベルを増大させた光ピックアップを提供す
ることを目的とする。 【構成】 マイクロプリズム４の下面に分離された複数
のコート膜４０、４１、４２を設置し、前記複数のコー
ト膜４０、４１、４２の反射率が異なっている。
減少し信号レベルを増大させた光ピックアップを提供す
ることを目的とする。 【構成】 マイクロプリズム４の下面に分離された複数
のコート膜４０、４１、４２を設置し、前記複数のコー
ト膜４０、４１、４２の反射率が異なっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＤ−ＲＯＭや光磁
気、相変化等の光ディスクからデータの再生もしくは記
録・再生を行う光ピックアップに関するものである。
気、相変化等の光ディスクからデータの再生もしくは記
録・再生を行う光ピックアップに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ピックアップの組立性を向上しさらに
信頼性を向上させるために光源と複数の受光素子および
光を分離するマイクロプリズムを一つパッケージに納め
たレーザモジュールが近年注目を集めている。
信頼性を向上させるために光源と複数の受光素子および
光を分離するマイクロプリズムを一つパッケージに納め
たレーザモジュールが近年注目を集めている。
【０００３】以下にレーザモジュールを用いた従来の光
ピックアップについて説明する。図４は従来の光ピック
アップの構成を示した図面である。レーザモジュール１
は、ベース２上に半導体レーザ３をマウントし、前記半
導体レーザ３から出射した光がマイクロプリズム４で反
射され、対物レンズ１３により集光されて光ディスク１
４にスポットを形成する構成である。光ディスク１４か
らの反射光は再び対物レンズ１３を通過してマイクロプ
リズム４の中に入射する。マイクロプリズム４にはフロ
ント受光素子６とリア受光素子７があり、光ディスク１
４からの反射光は、最初にフロント受光素子６に入射
し、この入射する一部の光が受光され、他の一部の光が
反射される。前記反射光はマイクロプリズム４の上面で
反射されリア受光素子７に入射し一部の光が受光される
受光素子からの信号は電流−電圧変換および演算アンプ
を含むアンプ８、レーザモジュール１の外部にあるアン
プユニット１０で処理され、駆動回路１３によりアクチ
ュエータ１２が駆動され対物レンズ１３のフォーカシン
グおよびトラッキングが行われる。前記フロント受光素
子６、前記リア受光素子７および前記アンプ８は基盤５
に一体に形成されており、マイクロプリズム４の下面に
形成されたコート膜９と接合されている。
ピックアップについて説明する。図４は従来の光ピック
アップの構成を示した図面である。レーザモジュール１
は、ベース２上に半導体レーザ３をマウントし、前記半
導体レーザ３から出射した光がマイクロプリズム４で反
射され、対物レンズ１３により集光されて光ディスク１
４にスポットを形成する構成である。光ディスク１４か
らの反射光は再び対物レンズ１３を通過してマイクロプ
リズム４の中に入射する。マイクロプリズム４にはフロ
ント受光素子６とリア受光素子７があり、光ディスク１
４からの反射光は、最初にフロント受光素子６に入射
し、この入射する一部の光が受光され、他の一部の光が
反射される。前記反射光はマイクロプリズム４の上面で
反射されリア受光素子７に入射し一部の光が受光される
受光素子からの信号は電流−電圧変換および演算アンプ
を含むアンプ８、レーザモジュール１の外部にあるアン
プユニット１０で処理され、駆動回路１３によりアクチ
ュエータ１２が駆動され対物レンズ１３のフォーカシン
グおよびトラッキングが行われる。前記フロント受光素
子６、前記リア受光素子７および前記アンプ８は基盤５
に一体に形成されており、マイクロプリズム４の下面に
形成されたコート膜９と接合されている。
【０００４】次に、レーザモジュール１によるフォーカ
ス信号、トラック信号の検出原理について説明する。フ
ォーカスの検出は公知のスポットサイズ検出法が用いら
れる。図５（Ａ）、（Ｂ）は対物レンズ１３が光ディス
ク１４から遠ざかった時のフロント受光素子６とリア受
光素子７上の各スポットを示した説明図である。フロン
ト受光素子６とリア受光素子７はともに平行な分割線に
より４分割された受光素子であり、光ディスク１４から
の反射光の集光位置がリア受光素子７側に近づくため、
フロント受光素子６上のスポット５９Ａはリア受光素子
７上のスポット５９Ｂよりも大きい。図５（Ｃ）、
（Ｄ）は対物レンズ１３が光ディスク１４に近づいた時
のフロント受光素子６とリア受光素子７上の各スポット
を示した説明図である。光ディスク１４からの反射光の
集光位置がフロント受光素子６側に近づくため、フロン
ト受光素子６上のスポット５９Ａはリア受光素子７上の
スポット５９Ｂよりも小さくなる。
ス信号、トラック信号の検出原理について説明する。フ
ォーカスの検出は公知のスポットサイズ検出法が用いら
れる。図５（Ａ）、（Ｂ）は対物レンズ１３が光ディス
ク１４から遠ざかった時のフロント受光素子６とリア受
光素子７上の各スポットを示した説明図である。フロン
ト受光素子６とリア受光素子７はともに平行な分割線に
より４分割された受光素子であり、光ディスク１４から
の反射光の集光位置がリア受光素子７側に近づくため、
フロント受光素子６上のスポット５９Ａはリア受光素子
７上のスポット５９Ｂよりも大きい。図５（Ｃ）、
（Ｄ）は対物レンズ１３が光ディスク１４に近づいた時
のフロント受光素子６とリア受光素子７上の各スポット
を示した説明図である。光ディスク１４からの反射光の
集光位置がフロント受光素子６側に近づくため、フロン
ト受光素子６上のスポット５９Ａはリア受光素子７上の
スポット５９Ｂよりも小さくなる。
【０００５】従って、フォーカス信号ＦＥＳを、 ＦＥＳ＝((A1+A2)-(A3+A4)) - ((B1+B2)-(B3+B4)) とすることによりフォーカスを検出することが可能にな
る。
る。
【０００６】トラックの検出は公知のファーフィールド
法が用いられる。図６（Ａ）、（Ｂ）はトラックが右に
ずれた時のフロント受光素子６とリア受光素子７上の各
スポットを示した図である。光ディスク１４からの反射
光の集光位置がフロント受光素子６とリア受光素子７の
中間にあるため、フロント受光素子６上のスポット５９
Ａは右半分の光量が少なくなり、リア受光素子７上のス
ポット５９Ｂは左半分の光量が少なくなる。
法が用いられる。図６（Ａ）、（Ｂ）はトラックが右に
ずれた時のフロント受光素子６とリア受光素子７上の各
スポットを示した図である。光ディスク１４からの反射
光の集光位置がフロント受光素子６とリア受光素子７の
中間にあるため、フロント受光素子６上のスポット５９
Ａは右半分の光量が少なくなり、リア受光素子７上のス
ポット５９Ｂは左半分の光量が少なくなる。
【０００７】トラック信号ＴＥＳを、 ＴＥＳ＝((A1+A3)-(A2+A4)) - ((B1+B3)-(B2+B4)) とすることによりトラックずれを検出することが可能に
なる。
なる。
【０００８】図１４は信号生成の回路図である。フロン
ト受光素子６に入射する光量はリア受光素子７に入射す
る光量よりも大きいため電流−電圧変換アンプのゲイン
α、βを、α＜βとして実質的に出力電圧が等しくなる
ようにする。情報信号は全ての受光素子の和A1+A2+A3+A
4+B1+B2+B3+B4をとっている。
ト受光素子６に入射する光量はリア受光素子７に入射す
る光量よりも大きいため電流−電圧変換アンプのゲイン
α、βを、α＜βとして実質的に出力電圧が等しくなる
ようにする。情報信号は全ての受光素子の和A1+A2+A3+A
4+B1+B2+B3+B4をとっている。
【０００９】前記フロント受光素子６および前記リア受
光素子７をマイクロプリズム４の下面になされたコート
膜９が覆っている。前記コート膜９の反射率が５０％、
透過率が５０％であるため、前記フロント受光素子６に
はマイクロプリズム４に入射した光の５０％が受光さ
れ、リア受光素子７には２５％が受光され残りの２５％
がフレア光となり有効活用されない。
光素子７をマイクロプリズム４の下面になされたコート
膜９が覆っている。前記コート膜９の反射率が５０％、
透過率が５０％であるため、前記フロント受光素子６に
はマイクロプリズム４に入射した光の５０％が受光さ
れ、リア受光素子７には２５％が受光され残りの２５％
がフレア光となり有効活用されない。
【００１０】レーザモジュール１に搭載されている半導
体レーザ３は非点隔差が数１０μｍと大きく、図７に示
すように光ディスク１４上のスポットにアスが生じる。
合焦時では図７（Ｂ）に示すように円形のスポット５１
Ｂが形成される。しかし−ディフォーカス時（図７
（Ａ））には縦長のスポット５１Ａが、＋ディフォーカ
ス時（図７（Ｃ））には横長のスポット５１Ｃが形成さ
れる。トラック５０に対して横長のスポット５１Ｃがあ
る時は情報信号（ＲＦ信号）は大きいがトラック信号が
低下し、逆にトラック５０に対して縦長のスポット５１
Ａがある時は情報信号（ＲＦ信号）が低下しトラック信
号が大きくなという問題がある。
体レーザ３は非点隔差が数１０μｍと大きく、図７に示
すように光ディスク１４上のスポットにアスが生じる。
合焦時では図７（Ｂ）に示すように円形のスポット５１
Ｂが形成される。しかし−ディフォーカス時（図７
（Ａ））には縦長のスポット５１Ａが、＋ディフォーカ
ス時（図７（Ｃ））には横長のスポット５１Ｃが形成さ
れる。トラック５０に対して横長のスポット５１Ｃがあ
る時は情報信号（ＲＦ信号）は大きいがトラック信号が
低下し、逆にトラック５０に対して縦長のスポット５１
Ａがある時は情報信号（ＲＦ信号）が低下しトラック信
号が大きくなという問題がある。
【００１１】これを回避するためレーザモジュール１を
４５度回転して設置し、光ディスク１４上のスポットを
４５度回転させる方法がとられている。図８に示すよう
に−ディフォーカス時（図８（Ａ））と＋ディフォーカ
ス時（図８（Ｃ））はトラックに対し平行および垂直方
向のスポットの径は等しくなるため、情報信号（ＲＦ信
号）とトラック信号が最大となるディフォーカスは一致
する。
４５度回転して設置し、光ディスク１４上のスポットを
４５度回転させる方法がとられている。図８に示すよう
に−ディフォーカス時（図８（Ａ））と＋ディフォーカ
ス時（図８（Ｃ））はトラックに対し平行および垂直方
向のスポットの径は等しくなるため、情報信号（ＲＦ信
号）とトラック信号が最大となるディフォーカスは一致
する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、前記フロント受光素子６および前記リア受
光素子７をマイクロプリズム４の下面になされたコート
膜９が覆っているため、マイクロプリズム４に入射した
光の２５％がフレア光となり有効活用されないという問
題がある。
の構成では、前記フロント受光素子６および前記リア受
光素子７をマイクロプリズム４の下面になされたコート
膜９が覆っているため、マイクロプリズム４に入射した
光の２５％がフレア光となり有効活用されないという問
題がある。
【００１３】また上記従来の構成では、光ディスク１４
からの反射光がマイクロプリズム４の中に入射する際に
４５度斜面で大きな非点収差が発生し、情報信号（ＲＦ
信号）とトラック信号が最大となるディフォーカスが一
致しないという問題があることが判明した。
からの反射光がマイクロプリズム４の中に入射する際に
４５度斜面で大きな非点収差が発生し、情報信号（ＲＦ
信号）とトラック信号が最大となるディフォーカスが一
致しないという問題があることが判明した。
【００１４】図９はマイクロプリズム４内での光線を示
した図であり、図９（Ａ）はＹＺ面を、図９（Ｂ）はＸ
Ｙ面を示した図である。図９（Ａ）において光ディスク
１４からの反射光は４５度斜面１７で屈折し、マイクロ
プリズム下面１５で反射しマイクロプリズム上面４４に
集光する。ここで反射した光は再びマイクロプリズム下
面１５に行く。ディスクが合焦の時は、フロント受光素
子６、リア受光素子７上のＺ方向のスポット径は等し
い。図９（Ｂ）において光ディスク１４からの反射光は
４５度斜面１７で屈折し、マイクロプリズム下面１５で
反射しマイクロプリズム上面４４にて再度反射し、反射
光は再びマイクロプリズム下面１５に行く。ディスクが
合焦の時は、集光点はリア受光素子７の外側にできるた
め、フロント受光素子６上のＸ方向のスポット径Ｄ１
と、リア受光素子７上のＸ方向のスポット径Ｄ２は等し
くならない。
した図であり、図９（Ａ）はＹＺ面を、図９（Ｂ）はＸ
Ｙ面を示した図である。図９（Ａ）において光ディスク
１４からの反射光は４５度斜面１７で屈折し、マイクロ
プリズム下面１５で反射しマイクロプリズム上面４４に
集光する。ここで反射した光は再びマイクロプリズム下
面１５に行く。ディスクが合焦の時は、フロント受光素
子６、リア受光素子７上のＺ方向のスポット径は等し
い。図９（Ｂ）において光ディスク１４からの反射光は
４５度斜面１７で屈折し、マイクロプリズム下面１５で
反射しマイクロプリズム上面４４にて再度反射し、反射
光は再びマイクロプリズム下面１５に行く。ディスクが
合焦の時は、集光点はリア受光素子７の外側にできるた
め、フロント受光素子６上のＸ方向のスポット径Ｄ１
と、リア受光素子７上のＸ方向のスポット径Ｄ２は等し
くならない。
【００１５】図１０はマイクロプリズム４内の光線の進
み方を示す斜視図である。光線追跡法により＋、−ディ
フォーカス時および合焦時のフロント受光素子６とリア
受光素子７上のスポットをマイクロプリズム４の厚みを
１ｍｍ、屈折率を１．５としてシミュレーションした。
図１１にその結果を示す。合焦時のフロント受光素子
６、リア受光素子７上のＺ方向のスポット径は等しが、
スポット形状は大きく異なっている。また、リア受光素
子上のスポットは、ディフォーカスによる形状変化がフ
ロント受光素子上のスポットより大きく、さらに合焦時
のスポット形状がいびつである。
み方を示す斜視図である。光線追跡法により＋、−ディ
フォーカス時および合焦時のフロント受光素子６とリア
受光素子７上のスポットをマイクロプリズム４の厚みを
１ｍｍ、屈折率を１．５としてシミュレーションした。
図１１にその結果を示す。合焦時のフロント受光素子
６、リア受光素子７上のＺ方向のスポット径は等しが、
スポット形状は大きく異なっている。また、リア受光素
子上のスポットは、ディフォーカスによる形状変化がフ
ロント受光素子上のスポットより大きく、さらに合焦時
のスポット形状がいびつである。
【００１６】レーザモジュール１が４５度回転して設置
されているため、マイクロプリズム４による大きな非点
収差が発生しなければ光ディスクのトラックを受光素子
に投影した線は４５度方向になる。実際はマイクロプリ
ズム４による大きな非点収差の発生が有るため、トラッ
クの投影線は４５度方向の直線にはならない。
されているため、マイクロプリズム４による大きな非点
収差が発生しなければ光ディスクのトラックを受光素子
に投影した線は４５度方向になる。実際はマイクロプリ
ズム４による大きな非点収差の発生が有るため、トラッ
クの投影線は４５度方向の直線にはならない。
【００１７】図１２（Ｂ）は合焦時のリア受光素子上の
スポットであり、トラックの投影線２３は曲線でしかも
受光素子の分割線２６とほぼ直交しており、図１３に示
した場合に比較してトラック信号は小さくなる。図１２
（Ａ）は＋２μｍディフォーカス時のリア受光素子上の
スポットであり、トラックの投影線２２は図１２（Ｂ）
よりもさらに受光素子の分割線２６と直交するようにな
るため、トラック信号は小さくなる。ここで２０はファ
ーフィールドパターンの明部であり、２１は暗部であ
る。トラックずれの方向により２０、２１が入れ替わ
る。図１２（Ｃ）は＋２μｍディフォーカス時のリア受
光素子上のスポットであり、スポットは縦に大きくな
り、あわせてトラックの投影線２３は受光素子の分割線
２６と４５度の角度をなすようになる。そのためトラッ
ク信号は大きくなる。
スポットであり、トラックの投影線２３は曲線でしかも
受光素子の分割線２６とほぼ直交しており、図１３に示
した場合に比較してトラック信号は小さくなる。図１２
（Ａ）は＋２μｍディフォーカス時のリア受光素子上の
スポットであり、トラックの投影線２２は図１２（Ｂ）
よりもさらに受光素子の分割線２６と直交するようにな
るため、トラック信号は小さくなる。ここで２０はファ
ーフィールドパターンの明部であり、２１は暗部であ
る。トラックずれの方向により２０、２１が入れ替わ
る。図１２（Ｃ）は＋２μｍディフォーカス時のリア受
光素子上のスポットであり、スポットは縦に大きくな
り、あわせてトラックの投影線２３は受光素子の分割線
２６と４５度の角度をなすようになる。そのためトラッ
ク信号は大きくなる。
【００１８】以上の理由により図１３に示すようにＲＦ
信号が最大になるディフォーカスとトラック信号が最大
になるディフォーカスがずれる。通常フォーカスサーボ
はＲＦ信号が最大になる位置を基準に調整されるため、
フォーカスが＋側にずれた時にトラック信号が大幅に低
下してプレーヤビリティが劣化するという問題が生じ
る。また、ディフォーカスによりトラック信号が変動し
てトラックサーボが不安定になるという問題がある。
信号が最大になるディフォーカスとトラック信号が最大
になるディフォーカスがずれる。通常フォーカスサーボ
はＲＦ信号が最大になる位置を基準に調整されるため、
フォーカスが＋側にずれた時にトラック信号が大幅に低
下してプレーヤビリティが劣化するという問題が生じ
る。また、ディフォーカスによりトラック信号が変動し
てトラックサーボが不安定になるという問題がある。
【００１９】本発明は、マイクロプリズム４に入射した
光のフレア光を減少し信号レベルを増大させた光ピック
アップを提供することを目的とする。
光のフレア光を減少し信号レベルを増大させた光ピック
アップを提供することを目的とする。
【００２０】さらに、本発明は、ディフォーカスによる
トラック信号の変動が少なくプレーヤビリティが安定し
た光ピックアップを提供することを目的とする。
トラック信号の変動が少なくプレーヤビリティが安定し
た光ピックアップを提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光ピックア
ップは、半導体レーザからの光を光ディスクに投射し、
光ディスクの情報を再生あるいは記録・再生する光ピッ
クアップであって、前記半導体からの光を光ディスク側
に反射すると共に光ディスク側からの信号を複数に分岐
して入射するマイクロプリズムと、当該マイクロプリズ
ムにより分岐された信号光を各々受光する複数の受光素
子と、前記マイクロプリズム及び複数の受光素子の間に
各々異なる反射率又は透過率を有する複数のコート膜と
を備える構成である。
ップは、半導体レーザからの光を光ディスクに投射し、
光ディスクの情報を再生あるいは記録・再生する光ピッ
クアップであって、前記半導体からの光を光ディスク側
に反射すると共に光ディスク側からの信号を複数に分岐
して入射するマイクロプリズムと、当該マイクロプリズ
ムにより分岐された信号光を各々受光する複数の受光素
子と、前記マイクロプリズム及び複数の受光素子の間に
各々異なる反射率又は透過率を有する複数のコート膜と
を備える構成である。
【００２２】また、本発明に係る光ピックアップは必要
に応じて、マイクロプリズムの一側面に前記複数のコー
ト膜を形成し、当該複数のコート膜に対応して前記複数
の受光素子を配設する構成である。
に応じて、マイクロプリズムの一側面に前記複数のコー
ト膜を形成し、当該複数のコート膜に対応して前記複数
の受光素子を配設する構成である。
【００２３】また、本発明に係る光ピックアップは必要
に応じて、マイクロプリズムの一側面に少なくとも３対
のコート膜及び受光素子を配設し、前記マイクロプリズ
ムから最初に受光する受光素子及び第２に受光する受光
素子の各受光信号からフォーカス信号を再生し、前記マ
イクロプリズムから最初に受光する受光素子及び第３に
受光する受光素子の各受光信号からトラック信号を生成
する構成である。
に応じて、マイクロプリズムの一側面に少なくとも３対
のコート膜及び受光素子を配設し、前記マイクロプリズ
ムから最初に受光する受光素子及び第２に受光する受光
素子の各受光信号からフォーカス信号を再生し、前記マ
イクロプリズムから最初に受光する受光素子及び第３に
受光する受光素子の各受光信号からトラック信号を生成
する構成である。
【００２４】
【作用】本発明によれば、コート膜を複数に分離して各
々の透過率、反射率と最適にすることにより、マイクロ
プリズムに入射した光のフレア光を減少し信号レベルを
増大させることができる。
々の透過率、反射率と最適にすることにより、マイクロ
プリズムに入射した光のフレア光を減少し信号レベルを
増大させることができる。
【００２５】また、本発明によれば、マイクロプリズム
の一面側に複数のコート膜及びこれに対応する複数の受
光素子を配設するようにしたので、光学系の位置合せを
精密に構成できると共に、製造を簡略且つ容易化でき
る。
の一面側に複数のコート膜及びこれに対応する複数の受
光素子を配設するようにしたので、光学系の位置合せを
精密に構成できると共に、製造を簡略且つ容易化でき
る。
【００２６】また、本発明によれば、ディフォーカスに
よる受光素子上のスポット形状変化が少ない受光素子か
らトラック信号を得るため、トラック信号の変動が少な
くプレーヤビリティを安定できる。
よる受光素子上のスポット形状変化が少ない受光素子か
らトラック信号を得るため、トラック信号の変動が少な
くプレーヤビリティを安定できる。
【００２７】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
ながら説明する。図１は本発明の第一の実施例に係る光
ピックアップの概略構成図である。同図において第一の
実施例に係る光ピックアップは、半導体レーザ３からの
光を光ディスク１４に反射して投射し、この投射した光
が光ディスク１４から反射されて信号光として入射し、
この入射した信号光を反射して２つに分岐するマイクロ
プリズム１４と、このマイクロプリズム１４の下面に密
接状態で配設され、前記分岐された信号光を各々所定の
比率で反射又は透過する第１及び第２のコート膜４５、
４６と、この第１及び第２のコート膜４５、４６の下面
に密接状態で配設され、各コート膜４５、４６を透過し
た信号光を受光するフロント及びリアの各受光素子６、
７と、このフロント及びリアの各受光素子から出力され
る光電変換された電気信号を増幅演算するアンプ８とを
備える構成である。
ながら説明する。図１は本発明の第一の実施例に係る光
ピックアップの概略構成図である。同図において第一の
実施例に係る光ピックアップは、半導体レーザ３からの
光を光ディスク１４に反射して投射し、この投射した光
が光ディスク１４から反射されて信号光として入射し、
この入射した信号光を反射して２つに分岐するマイクロ
プリズム１４と、このマイクロプリズム１４の下面に密
接状態で配設され、前記分岐された信号光を各々所定の
比率で反射又は透過する第１及び第２のコート膜４５、
４６と、この第１及び第２のコート膜４５、４６の下面
に密接状態で配設され、各コート膜４５、４６を透過し
た信号光を受光するフロント及びリアの各受光素子６、
７と、このフロント及びリアの各受光素子から出力され
る光電変換された電気信号を増幅演算するアンプ８とを
備える構成である。
【００２８】本実施例に係る光ピックアップは、前記図
４に記載の従来技術におけるコート膜９を前記フロント
受光素子６上部と前記リア受光素子７上部の２カ所に分
離して設置する構成とし、この分離された第一のコート
膜４５は反射率を５０％そして透過率を５０％とし、前
記マイクロプリズム４に入射した光の５０％が前記フロ
ント受光素子６で受光される。また前記分離された第二
のコート膜４６は、透過率を１００％とし、前記マイク
ロプリズム４に入射した光の５０％が前記リア受光素子
７側に射出する構成である。コート膜を分離して第１及
び第２のコート膜４５、４６が各々異なる特性の膜特性
として設定されることにより前記リア受光素子７からの
反射光をなくすことが可能になる。信号生成の回路で
は、フロント受光素子６に入射する光量とリア受光素子
７に入射する光量とが等しくなるため、電流−電圧変換
アンプのゲインα、βを、α＝βと設定できる。
４に記載の従来技術におけるコート膜９を前記フロント
受光素子６上部と前記リア受光素子７上部の２カ所に分
離して設置する構成とし、この分離された第一のコート
膜４５は反射率を５０％そして透過率を５０％とし、前
記マイクロプリズム４に入射した光の５０％が前記フロ
ント受光素子６で受光される。また前記分離された第二
のコート膜４６は、透過率を１００％とし、前記マイク
ロプリズム４に入射した光の５０％が前記リア受光素子
７側に射出する構成である。コート膜を分離して第１及
び第２のコート膜４５、４６が各々異なる特性の膜特性
として設定されることにより前記リア受光素子７からの
反射光をなくすことが可能になる。信号生成の回路で
は、フロント受光素子６に入射する光量とリア受光素子
７に入射する光量とが等しくなるため、電流−電圧変換
アンプのゲインα、βを、α＝βと設定できる。
【００２９】第二の実施例を図２に示す。同図において
第二の実施例に係る光ピックアップは、基盤５にフロン
ト受光素子３２、センタ受光素子３３、リア受光素子３
４および前記アンプ８が一体に形成され、コート膜は前
記フロント受光素子３２の上部と前記センタ受光素子３
３の上部と前記リア受光素子３４の上部との３カ所に分
離した３つのコート膜４０、４１、４２を配設する構成
である。前記フロント受光素子３２の上部にあるコート
膜４０は透過率が１／３、反射率が２／３である。マイ
クロプリズム４に入射した光３１−１の１／３は前記フ
ロント受光素子３２で受光され、２／３の光量は反射光
３１−２となりマイクロプリズム３４の上面で集光し前
記センタ受光素子３３に向かう。前記センタ受光素子３
３の上部にあるコート膜４１は透過率が１／２、反射率
が１／２である。マイクロプリズム４に入射した光３１
−１の１／３は前記センタ受光素子３２で受光される。
反射光３１−４は再びマイクロプリズム３４の上面で反
射され、前記リア受光素子３４に向かう。前記リア受光
素子３２の上部にあるコート膜４２は透過率が１であ
り、マイクロプリズム４に入射した光３１−１の１／３
は前記リア受光素子３２で受光される。従って、前記フ
ロント受光素子３２と前記センタ受光素子３３およびは
前記リア受光素子３２で受光される光量は等しくなる。
第二の実施例に係る光ピックアップは、基盤５にフロン
ト受光素子３２、センタ受光素子３３、リア受光素子３
４および前記アンプ８が一体に形成され、コート膜は前
記フロント受光素子３２の上部と前記センタ受光素子３
３の上部と前記リア受光素子３４の上部との３カ所に分
離した３つのコート膜４０、４１、４２を配設する構成
である。前記フロント受光素子３２の上部にあるコート
膜４０は透過率が１／３、反射率が２／３である。マイ
クロプリズム４に入射した光３１−１の１／３は前記フ
ロント受光素子３２で受光され、２／３の光量は反射光
３１−２となりマイクロプリズム３４の上面で集光し前
記センタ受光素子３３に向かう。前記センタ受光素子３
３の上部にあるコート膜４１は透過率が１／２、反射率
が１／２である。マイクロプリズム４に入射した光３１
−１の１／３は前記センタ受光素子３２で受光される。
反射光３１−４は再びマイクロプリズム３４の上面で反
射され、前記リア受光素子３４に向かう。前記リア受光
素子３２の上部にあるコート膜４２は透過率が１であ
り、マイクロプリズム４に入射した光３１−１の１／３
は前記リア受光素子３２で受光される。従って、前記フ
ロント受光素子３２と前記センタ受光素子３３およびは
前記リア受光素子３２で受光される光量は等しくなる。
【００３０】ディスクが合焦の時、前記光ディスク１４
からの反射光はＺ方向が前記マイクロプリズム上面１４
に集光しＸ方向がセンタ受光素子３３よりも遠くに集光
する。前記フロント受光素子３２は集光点近傍に位置し
ていないため、前記フロント受光素子３２上のスポット
の形状はディフォーカスしても相似形であり、トラック
の投影線はほぼ一定方向になる。従って、前記フロント
受光素子３２から生成されるトラック信号は前記センタ
受光素子３３から生成されるトラック信号よりもディフ
ォーカスによる変動がない。同様に前記リア受光素子３
４は集光点近傍に位置していないため、前記リア受光素
子３４上のスポットの形状はディフォーカスしても相似
形であり、トラックの投影線はほぼ一定方向になる。従
って、前記リア受光素子３４から生成されるトラック信
号は前記センタ受光素子３３から生成されるトラック信
号よりもディフォーカスによる変動がない。前記フロン
ト受光素子３２および前記リア受光素子３４からトラッ
ク信号を生成することにより従来よりも安定したトラッ
ク信号を得ることが可能になる。
からの反射光はＺ方向が前記マイクロプリズム上面１４
に集光しＸ方向がセンタ受光素子３３よりも遠くに集光
する。前記フロント受光素子３２は集光点近傍に位置し
ていないため、前記フロント受光素子３２上のスポット
の形状はディフォーカスしても相似形であり、トラック
の投影線はほぼ一定方向になる。従って、前記フロント
受光素子３２から生成されるトラック信号は前記センタ
受光素子３３から生成されるトラック信号よりもディフ
ォーカスによる変動がない。同様に前記リア受光素子３
４は集光点近傍に位置していないため、前記リア受光素
子３４上のスポットの形状はディフォーカスしても相似
形であり、トラックの投影線はほぼ一定方向になる。従
って、前記リア受光素子３４から生成されるトラック信
号は前記センタ受光素子３３から生成されるトラック信
号よりもディフォーカスによる変動がない。前記フロン
ト受光素子３２および前記リア受光素子３４からトラッ
ク信号を生成することにより従来よりも安定したトラッ
ク信号を得ることが可能になる。
【００３１】各受光素子上のスポットを図３に示す。第
二の実施例におけるトラック信号ＴＥＳは ＴＥＳ＝((32-A)+(32-B)-(32-C)-(32-D)) + (34-A)-(34-B)) から得られ、フォーカス信号ＦＥＳは ＦＥＳ＝((32-A)+(32-D)-(32-B)-(32-D)) - ((33-B)-(33-A)-(33-C)) から得られる。
二の実施例におけるトラック信号ＴＥＳは ＴＥＳ＝((32-A)+(32-B)-(32-C)-(32-D)) + (34-A)-(34-B)) から得られ、フォーカス信号ＦＥＳは ＦＥＳ＝((32-A)+(32-D)-(32-B)-(32-D)) - ((33-B)-(33-A)-(33-C)) から得られる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、コート膜
を複数に分離して各々の透過率、反射率と最適にするこ
とにより、マイクロプリズムに入射した光のフレア光を
減少し信号レベルを増大させることができるという効果
を奏する。
を複数に分離して各々の透過率、反射率と最適にするこ
とにより、マイクロプリズムに入射した光のフレア光を
減少し信号レベルを増大させることができるという効果
を奏する。
【００３３】また、本発明によれば、マイクロプリズム
の一面側に複数のコート膜及びこれに対応する複数の受
光素子を配設するようにしたので、光学系の位置合せを
精密に構成できると共に、製造を簡略且つ容易化できる
という効果を有する。
の一面側に複数のコート膜及びこれに対応する複数の受
光素子を配設するようにしたので、光学系の位置合せを
精密に構成できると共に、製造を簡略且つ容易化できる
という効果を有する。
【００３４】また、本発明によれば、ディフォーカスに
よる受光素子上のスポット形状変化が少ない受光素子か
らトラック信号を得るため、トラック信号の変動が少な
くプレーヤビリティを安定できるという効果を有する。
よる受光素子上のスポット形状変化が少ない受光素子か
らトラック信号を得るため、トラック信号の変動が少な
くプレーヤビリティを安定できるという効果を有する。
【図１】本発明の第一の実施例における光ピックアップ
の概略構成図
の概略構成図
【図２】本発明の第二の実施例における光ピックアップ
の概略構成図
の概略構成図
【図３】本発明の第二の実施例における受光素子の構成
図
図
【図４】従来例における光ピックアップの概略構成図
【図５】従来例におけるフォーカス検出法の説明図
【図６】従来例おけるトラック検出法の説明図
【図７】従来例における半導体レーザの非点隔差の影響
の説明図
の説明図
【図８】レーザモジュールを４５度回転した時の半導体
レーザの非点隔差の影響の説図
レーザの非点隔差の影響の説図
【図９】マイクロプリズム内を進む光束の断面図
【図１０】マイクロプリズム内を進む光束の斜視図
【図１１】フロント受光素子とリア受光素子上のスポッ
トダイアグラム図
トダイアグラム図
【図１２】従来例におけるリア受光素子上のファーフィ
ールドパターンの説明図
ールドパターンの説明図
【図１３】従来例における情報信号とトラック信号特性
図
図
【図１４】図４における回路構成図
１ レーザモジュール ３ 半導体レ−ザ ４ マイクロプリズム ６ フロント受光素子 ７ リア受光素子 ８ 電流−電圧変換、演算アンプユニット ９ コート膜 １０ 演算アンプユニット １２ アクチュエータ １３ 対物レンズ １４ 光ディスク
Claims (3)
- 【請求項１】半導体レーザからの光を光ディスクに投射
し、光ディスクの情報を再生あるいは記録・再生する光
ピックアップであって、前記半導体からの光を光ディス
ク側に反射すると共に光ディスク側からの信号を複数に
分岐して入射するマイクロプリズムと、当該マイクロプ
リズムにより分岐された信号光を各々受光する複数の受
光素子と、前記マイクロプリズム及び複数の受光素子の
間に各々異なる反射率又は透過率を有する複数のコート
膜とを備えることを特徴とする光ピックアップ。 - 【請求項２】前記請求項１に記載の光ピックアップにお
いて、前記マイクロプリズムの一側面に前記複数のコー
ト膜を形成し、当該複数のコート膜に対応して前記複数
の受光素子を配設することを特徴とする光ピックアッ
プ。 - 【請求項３】前記請求項１又は２に記載の光ピックアッ
プにおいて、前記マイクロプリズムの一側面に少なくと
も３対のコート膜及び受光素子を配設し、前記マイクロ
プリズムから最初に受光する受光素子及び第２に受光す
る受光素子の各受光信号からフォーカス信号を再生し、
前記マイクロプリズムから最初に受光する受光素子及び
第３に受光する受光素子の各受光信号からトラック信号
を生成することを特徴とする光ピックアップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7096392A JPH08293127A (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | 光ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7096392A JPH08293127A (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | 光ピックアップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08293127A true JPH08293127A (ja) | 1996-11-05 |
Family
ID=14163697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7096392A Pending JPH08293127A (ja) | 1995-04-21 | 1995-04-21 | 光ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08293127A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7042819B2 (en) | 2001-06-29 | 2006-05-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical pickup apparatus |
-
1995
- 1995-04-21 JP JP7096392A patent/JPH08293127A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7042819B2 (en) | 2001-06-29 | 2006-05-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical pickup apparatus |
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