JP2681980B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JP2681980B2 JP2681980B2 JP6088688A JP6088688A JP2681980B2 JP 2681980 B2 JP2681980 B2 JP 2681980B2 JP 6088688 A JP6088688 A JP 6088688A JP 6088688 A JP6088688 A JP 6088688A JP 2681980 B2 JP2681980 B2 JP 2681980B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- substrate
- heat sink
- waveguide
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高速データ転送用光ディスク装置の光ヘッ
ドの光源等に用いられる安定した複数光ビームが得られ
る半導体レーザ装置に関するものである。
ドの光源等に用いられる安定した複数光ビームが得られ
る半導体レーザ装置に関するものである。
光ディスク装置のデータ転送速度の向上のため、複数
の光ビームで光ディスク上の複数のトラックを同時にト
レースし、複数のトラックに並列に情報の記録や再生を
行う方法が知られている。このとき、光ヘッドの光源と
して、同一パッケージ内に複数の発光点を有する半導体
レーザを用いることが光ヘッドの部品点数を削減、小型
化、軽量化の点で有利である。また情報の記録または再
生動作を安定に信頼性よく行うためには、個々の発光点
の光出力を独立にモニターし制御する必要がある。装置
の小型化のためには、光出力のモニターは通常の１ビー
ムの半導体レーザで行われているようにレーザパッケー
ジ内部に収めることが望ましい。
の光ビームで光ディスク上の複数のトラックを同時にト
レースし、複数のトラックに並列に情報の記録や再生を
行う方法が知られている。このとき、光ヘッドの光源と
して、同一パッケージ内に複数の発光点を有する半導体
レーザを用いることが光ヘッドの部品点数を削減、小型
化、軽量化の点で有利である。また情報の記録または再
生動作を安定に信頼性よく行うためには、個々の発光点
の光出力を独立にモニターし制御する必要がある。装置
の小型化のためには、光出力のモニターは通常の１ビー
ムの半導体レーザで行われているようにレーザパッケー
ジ内部に収めることが望ましい。
複数の光ビームを発する半導体レーザ装置は、従来、
第３図（ａ），（ｂ）（（ａ）は平面図，（ｂ）は側面
図）に示すように、発光点1a,1b,1cを複数配列したアレ
イ型の半導体レーザの後発光点の直後に他の発光点から
の出射光が回り込まないように壁またはトンネル状の導
波管５を基板２に形成し、その導波管５を出射した光を
導波管端部に配置した複数個の光検出器４にてそれぞれ
検出する構造となっている。
第３図（ａ），（ｂ）（（ａ）は平面図，（ｂ）は側面
図）に示すように、発光点1a,1b,1cを複数配列したアレ
イ型の半導体レーザの後発光点の直後に他の発光点から
の出射光が回り込まないように壁またはトンネル状の導
波管５を基板２に形成し、その導波管５を出射した光を
導波管端部に配置した複数個の光検出器４にてそれぞれ
検出する構造となっている。
半導体レーザの後発光点の直後に壁またはトンネル状
の導波管を形成し、その導波管を出射した光を複数の光
検出器にて検出する場合、半導体レーザの発光点と導波
管の入射端の距離、及び導波管の光出射口と光検出器の
間の距離を近接させる必要があり、またその位置も精度
が必要である。このような半導体レーザ装置は形が小さ
いため正確に位置決めするのが難しく、クロストークは
避け難い。この結果、正確なモニターができず、出射光
が不安定になる。
の導波管を形成し、その導波管を出射した光を複数の光
検出器にて検出する場合、半導体レーザの発光点と導波
管の入射端の距離、及び導波管の光出射口と光検出器の
間の距離を近接させる必要があり、またその位置も精度
が必要である。このような半導体レーザ装置は形が小さ
いため正確に位置決めするのが難しく、クロストークは
避け難い。この結果、正確なモニターができず、出射光
が不安定になる。
本発明は上述の問題点を解決して安定な出力光が得ら
れる半導体レーザ装置を得ることにある。
れる半導体レーザ装置を得ることにある。
本発明の半導体レーザは、独立駆動可能な複数個の発
光点を有する半導体レーザと、前記半導体レーザからの
出射光をその発光点ごとに独立に伝搬させる複数の導波
管と、前記導波管の内部を伝搬した光の強度を検出する
複数の光検出器を備え、前記半導体レーザと、前記導波
管と、前記光検出器を同一のパッケージ内に収め、前記
導波管は、表面に複数のストライプ状凸部を有する基板
の凸部のある面をヒートシンク上に接着または融着した
基板の凸部とヒートシンクとで囲まれた領域で構成し、
前記光検出器は前記導波管内部の基板面に設けた構造と
なっている。
光点を有する半導体レーザと、前記半導体レーザからの
出射光をその発光点ごとに独立に伝搬させる複数の導波
管と、前記導波管の内部を伝搬した光の強度を検出する
複数の光検出器を備え、前記半導体レーザと、前記導波
管と、前記光検出器を同一のパッケージ内に収め、前記
導波管は、表面に複数のストライプ状凸部を有する基板
の凸部のある面をヒートシンク上に接着または融着した
基板の凸部とヒートシンクとで囲まれた領域で構成し、
前記光検出器は前記導波管内部の基板面に設けた構造と
なっている。
本発明においては、複数個の発光点から出射した光は
それぞれ異なる導波管内部を伝搬し、導波管内部に構成
されたそれぞれ異なる光検出器にて検出される。したが
って個々の光出力の独立検出が低ストロークで可能とな
る。また光検出器を外付けする必要がないので、位置合
わせの必要がなく調整の手間が減る。
それぞれ異なる導波管内部を伝搬し、導波管内部に構成
されたそれぞれ異なる光検出器にて検出される。したが
って個々の光出力の独立検出が低ストロークで可能とな
る。また光検出器を外付けする必要がないので、位置合
わせの必要がなく調整の手間が減る。
第１図に本発明の実施例を示す。第１図（ａ）は本発
明の半導体レーザ装置の上面図、第１図（ｂ）は側面図
である。複数の発光点1a,1b,1cを有する半導体レーザ１
をヒートシンク３の上に融着し、この半導体レーザ１の
端面直後に複数の溝を有する基板２を設けている。導波
管５は基板２の溝の両側の凸部とヒートシンク３によっ
て形成されるトンネル状の部分から成っている。光検出
器４は、第１図（ｂ）に示すように導波管５内部の基板
面に融着して設けられた。このとき半導体レーザ１の端
面と基板２の入射端面を近接して設置することにより他
の発光点からの光の回り込みを抑えることができる。
明の半導体レーザ装置の上面図、第１図（ｂ）は側面図
である。複数の発光点1a,1b,1cを有する半導体レーザ１
をヒートシンク３の上に融着し、この半導体レーザ１の
端面直後に複数の溝を有する基板２を設けている。導波
管５は基板２の溝の両側の凸部とヒートシンク３によっ
て形成されるトンネル状の部分から成っている。光検出
器４は、第１図（ｂ）に示すように導波管５内部の基板
面に融着して設けられた。このとき半導体レーザ１の端
面と基板２の入射端面を近接して設置することにより他
の発光点からの光の回り込みを抑えることができる。
第２図は第１図における導波管を持つ基板の一例の斜
視図である。基板の材質としては、例えばシリコン、ゲ
ルマニウム、インジウムガリウムヒ素などが用いられ
る。第２図（ａ）は、基板表面にエッチングまたは機械
的な加工などにより溝を形成し、その溝の内面に拡散ま
たはイオン注入などによりpn接合を形成して光検出器を
構成した例である。第２図（ｂ）は、基板表面にアレイ
状に光検出器を構成しその上にアレイ状光検出器の分割
線上に印刷などの手法をもちいて選択的に膜をつけ、段
差を形成した例である。なお光検出器の電極は基板２に
スルーホールを設け、段差のある面の反対側の面でとる
か、あるいは基板２上の段差の上の部分に電極を引出
し、ヒートシンク上にパターニングされた電極とコンタ
クトするという方法が採られる。
視図である。基板の材質としては、例えばシリコン、ゲ
ルマニウム、インジウムガリウムヒ素などが用いられ
る。第２図（ａ）は、基板表面にエッチングまたは機械
的な加工などにより溝を形成し、その溝の内面に拡散ま
たはイオン注入などによりpn接合を形成して光検出器を
構成した例である。第２図（ｂ）は、基板表面にアレイ
状に光検出器を構成しその上にアレイ状光検出器の分割
線上に印刷などの手法をもちいて選択的に膜をつけ、段
差を形成した例である。なお光検出器の電極は基板２に
スルーホールを設け、段差のある面の反対側の面でとる
か、あるいは基板２上の段差の上の部分に電極を引出
し、ヒートシンク上にパターニングされた電極とコンタ
クトするという方法が採られる。
なお本実施例においては３個の発光点を有する半導体
レーザについて述べたが、発光点を２個または４個以上
有する半導体レーザの場合についても同様である。
レーザについて述べたが、発光点を２個または４個以上
有する半導体レーザの場合についても同様である。
以上説明したように、本発明の半導体レーザ装置で
は、導波管内に光検出器が設置してあるため複数の発光
点を持つ半導体レーザからの出射光はそれぞれ異なる導
波管内部を伝搬し、導波管内部のそれぞれ異なる光検出
器にて検出される。したがって個々の光出力の独立検出
が低クロストークで可能という効果がある。
は、導波管内に光検出器が設置してあるため複数の発光
点を持つ半導体レーザからの出射光はそれぞれ異なる導
波管内部を伝搬し、導波管内部のそれぞれ異なる光検出
器にて検出される。したがって個々の光出力の独立検出
が低クロストークで可能という効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す上面図及び側面図、第
２図は基板上の段差および光出器の構成を示す図、第３
図は従来の例を示す上面図および側面図である。 １……半導体レーザ、２……基板、３……ヒートシン
ク、４……光検出器、５……導波管。
２図は基板上の段差および光出器の構成を示す図、第３
図は従来の例を示す上面図および側面図である。 １……半導体レーザ、２……基板、３……ヒートシン
ク、４……光検出器、５……導波管。
Claims (2)
- 【請求項１】独立駆動可能な複数の発光点を有する半導
体レーザをヒートシンク上に接着し、並列した複数の溝
を有する基板を溝底部を上にして前記半導体レーザの端
面直後のヒートシンク上に接着し、溝底部と溝両側の側
壁とヒートシンクとによって囲まれたトンネル状の部分
を、前記半導体レーザからの出射光をその発光点ごとに
独立に伝搬させる導波管とし、前記導波管の内部を伝搬
した光の強度を検出する光検出器を前記基板の溝底部に
設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】独立駆動可能な複数の発光点を有する半導
体レーザをヒートシンク上に接着し、前記発光点に対応
して表面に複数の光検出器をアレイ状に備え、かつ、各
光検出器の中間部の基板表面に凸部を備えた基板を、基
板裏面を上にして前記半導体レーザの端面直後のヒート
シンク上に接着し、前記凸部と前記光検出器を備えた基
板表面と前記ヒートシンクとで囲まれたトンネル状の部
分を、前記半導体レーザからの出射光をその発光点ごと
に独立に伝搬させる導波管としたことを特徴とする半導
体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6088688A JP2681980B2 (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6088688A JP2681980B2 (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01233786A JPH01233786A (ja) | 1989-09-19 |
| JP2681980B2 true JP2681980B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=13155299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6088688A Expired - Lifetime JP2681980B2 (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2681980B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5433046A (en) * | 1977-08-19 | 1979-03-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | Production of optical branching element using optical fibers |
| JPS59217380A (ja) * | 1983-05-25 | 1984-12-07 | Fujitsu Ltd | 発光素子アレイの実装方法 |
| JPH0447984Y2 (ja) * | 1986-11-12 | 1992-11-12 |
-
1988
- 1988-03-14 JP JP6088688A patent/JP2681980B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01233786A (ja) | 1989-09-19 |
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