JP2665336B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光学式情報記録装置や光センサの発光受
光部としての半導体装置に関するものである。 〔従来の技術〕 第６図は例えば実開昭58−162660号公報に示された従
来の半導体装置を示す図であり、図において１は半導体
基板、２は半導体基板１上に形成された半導体レーザ素
子、３は半導体レーザ素子２の出射光を半導体基板１に
対し垂直方向に反射する反射面、４は半導体基板１の面
方向と同一面方向に形成された光検出器、Ａは半導体レ
ーザ素子２から出射した光束、Ｂは光検出器４に入射す
る光束である。 第７図に第６図に示す従来装置を光源として用いて構
成した光ヘッド装置を示す。図において第６図と同一符
号は同一のものであり、５はホログラムプレート、６は
対物レンズ、７は光ディスク、Ａは半導体レーザ素子２
より出射した光束、Ｂは光ディスクにより反射し、ホロ
グラムプレート５により回折分離された光束である。 次に動作について説明する。 半導体レーザ素子２より出射した光束Ａは、反射面３
により半導体基板１に対し略垂直方向へ反射される。ま
た光検出器４は半導体基板１の面方向に対し同一面方向
に形成されているので光検出器４に入射する光束Ｂが反
射面３により反射された光束Ａとほぼ平行な方向から入
射した際においても効率よく大きな受光面積で光束Ｂを
受光することができる。そして本従来例は光検出器４に
４分割した光検出器を用い、光束Ｂに非点収差を与える
光学系を組合せることで焦点ずれを検出可能な光ヘッド
装置を簡単に構成できるものである。 このような従来の半導体装置を光源に用いて構成した
光ヘッド装置の動作を第７図を用いて説明する。 半導体レーザ素子２より出射した後、反射面３により
反射した光束Ａはホログラムプレート５を透過した後、
対物レンズ６により光ディスク７上に集光される。集光
された光束Ａは光ディスクに記録された情報により強度
変調された光束として対物レンズ６を再透過し、ホログ
ラムプレート５に再入射する。ここでホログラムプレー
ト５は光ディスク７により反射された光束に対し、非点
収差の発生及び光束を回折分離する作用を有している。
従ってホログラムプレート５に再入射した光束は光検出
器４に入射する非点収差を生じた光束Ｂとして回折分離
される。このホログラムプレート５については例えば特
開昭56−57013号等で公知のものを使用できる。光束Ｂ
の入射する光検出器４は、受光面が４分割されているの
で、非点収差の生じた光束Ｂを入射することによりフォ
ーカスサーボの方法として非点収差法を用いることがで
きる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の半導体装置は以上のように構成され、第８図に
示すように半導体基板に半導体レーザ素子と同一の積層
構造を有する基板をエッチングして反射面及び光検出器
を形成しているので、反射面においては、エッチングす
る際に生じる各層の組成に起因するエッチング速度の差
により反射面に凹凸が発生し、必要な面精度が得られな
いという問題点があった。 さらにまた、反射面及び光検出器を半導体レーザ素子
と同一の半導体基板上に形成することによる半導体装置
の面積の増大は、半導体レーザ素子単体に比し歩留りの
低下を招き、半導体レーザ素子に使用するGaAs,InP等の
基板がSi等に比して高価であるので半導体装置が高価に
なるという問題点があった。 この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、半導体基板に斜面部を形成せずに光検出器
の形成された平面に対し略垂直方向に外部に半導体レー
ザ素子から光束を放射できるとともに、光検出と半導体
レーザ素子間の位置精度が良くまた安価な装置を得るこ
とを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明に係る半導体レーザ装置は、半導体基板の第
１の平面上に外部から入射する光束を受光する光検出器
を形成し、該第１の平面に略直交する面に上記光検出器
に対して略垂直方向に光束を放射するように半導体レー
ザ装置を固着したものである。 〔作用〕 この発明においては、半導体レーザ素子を半導体基板
の光検出器を形成した平面に略直交する面に固着し、半
導体レーザ素子の光束出射方向が光検出器形成に対し略
垂直方向になるよう構成したから反射ミラーが不要とな
り、位置精度も良くなる。 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。 第１図は本発明の第１の実施例による半導体装置を示
す斜視図であり、図において８は半導体基板で、例えば
Si基板が用いられる。２は半導体基板８上にマウントさ
れた半導体レーザ素子、４は半導体基板８に形成された
サーボ用光検出器、Ａは半導体レーザ素子２の前面から
出射した光束、Ｂはサーボ用光検出器４に入射する光
束、Ｃは半導体レーザ素子２の後面から出射した光束で
ある。 第２図は第１図に示す本発明の第１の実施例の半導体
装置を発光受光部として用いて構成した光ヘッド装置を
示す図であり、図において、８は半導体基板、２は半導
体レーザ素子、４は半導体基板８に形成されているサー
ボ用光検出器の形成された領域、９は半導体基板８の外
部に設けられたモニター用光検出器、11は半導体基板８
及びモニター用光検出器９をマウントするステム、５は
ホログラムプレート、６は対物レンズ、７は光ディス
ク、Ａは半導体レーザ素子２の前面から出射した光束、
Ｂはサーボ用光検出器４に入射する光束、Ｃは半導体レ
ーザ素子２の後面から出射した光束である。 次に動作について説明する。 第１図において、半導体基板８は例えばｎ型Si基板が
用いられ、その半導体基板８にｐ型不純物を拡散するこ
とによりサーボ用光検出器４及びモニタ用光検出器９を
半導体基板８上に形成する。この光検出器は半導体基板
８上の任意の位置に形成できる。次いで、半導体レーザ
素子２を半導体基板８のサーボ用光検出器４の形成され
た面に対し、半導体レーザ素子の前面から出射する光束
Ａが略垂直方向になるように半導体レーザ素子２のｎ型
を有する面を半導体基板８の側面にボンディングする。
半導体レーザ素子２を半導体基板８にボンディングする
際、半導体基板８の半導体レーザ素子をボンディングす
る位置を高濃度のｎ型とすることで半導体レーザ素子２
と半導体基板８の間でより良好なオーミック特性を得る
ことができる。サーボ用光検出器４は少なくとも４個以
上の光検出器で構成されており、光束Ｂの光強度を検出
すると同時に光束Ｂがサーボ用光検出器４に入射する際
にサーボ用光検出器４の各々の光検出器で検出される光
電変換出力よりサーボ用のセンサ及びディスクの読み取
り用に用いられる。 次いで、第１図に示した半導体レーザ装置を光源とし
て用いて構成した光ヘッド装置を第２図について説明す
る。 半導体基板８をステム11にマウントし、次いで半導体
レーザ素子２の前面より出射した光束Ｃを受光するモニ
ター用光検出器９をステム11にマウントする。 半導体基板８に対し略垂直方向に出射した光束Ａはホ
ログラムプレート５を通過し、対物レンズ６により光デ
ィスク７上に集光される。集光された光束Ａは光ディス
ク７に蓄えられた情報により強度変調された光束として
対物レンズ６を再透過し、ホログラムプレート５に再入
射する。ホログラムプレート５は光ディスク７により反
射された光束に対し非点収差の発生及び光束が入射する
よう回折分離する作用を有しているので、ホログラムプ
レート５に再入射した光束はサーボ用光検出器４に入射
する非点収差を生じた光束Ｂとなる。このホログラムプ
レート５については例えば特開昭56−57013号等で公知
のものを使用できる。サーボ用光検出器４は第３図に示
すように4a,4b,4c,4dの４個の光検出器で構成されてい
るので非点収差の生じた光束Ｂに対して非点収差法を用
いて光ディスク７上の集光光束の合焦点ずれを検出で
き、公知のようにフォーカスサーボによる焦点合わせが
できる。 第３図により非点収差法について説明する。図におい
て4a〜4dは第１図の半導体装置のサーボ用光検出器４を
構成する光検出器であり、20は光検出器4a〜4dに入射す
る光束Ｂの光検出器上のパターンである。第３図（ｂ）
は光ディスク７上の光束が合焦時、第３図（ａ），
（ｃ）は各々光ディスク７が合焦状態から反対側にずれ
た時のパターンを示している。このようにディスク７の
ずれ方により反射回折された光束に付与された非点収差
によってスポット形状が変化するので、光検出器4a〜4d
から得られる信号を各々Sa〜Sdとすると、光検出器4aと
光検出器4dの信号の和から光検出器4bと光検出器4cの信
号の和を引いた信号（Sa＋Sd）−（Sb＋Sc）により焦点
ずれの方向と量を検知でき、フォーカスサーボ用センサ
に供することができる。また、検出出力の和Sa＋Sb＋Sc
＋Sdよりディスク情報を再生できる。このような光ヘッ
ド装置の場合、光束Ａの光出力を一定にする必要がある
ので、光束Ａと同一の半導体レーザ素子２のキャビティ
から放射される光束Ｃが光束Ａに比例することを利用し
て光束Ｃの光出力をモニタ用光検出器９で検出し、光束
Ｃの光出力を一定に保つよう半導体レーザ素子２へ注入
する電流を例えば特公昭58−46879号で公知の方法で制
御することで光束Ａの光出力を制御する。ここで上記実
施例においては、半導体レーザ素子２とサーボ用光検出
器４は半導体基板８において電気的に導通しているの
で、光検出器に逆バイアスを印加して使用する場合、負
の電圧を印加しなければならない。この場合、半導体レ
ーザ素子２には正の電圧を印加するので、正及び負の２
電源が必要になる。そこで、半導体レーザ素子２と光検
出器を電気的に分離することにより正の単一電源にて光
検出器に逆バイアスを印加することが可能となる。 半導体レーザ素子と光検出器を電気的に分離した本発
明の第２の実施例を第５図により説明する。 本第２の実施例は半導体基板８に例えばｐ型Si基板を
用い、その半導体基板８上のサーボ用光検出器４を形成
する領域にＰ型不純物を拡散等の方法で導入し、Ｐ型半
導体層14を形成する。さらにＰ型半導体層14にＮ型不純
物を同様に拡散等の方法で導入し、Ｎ型半導体層15を形
成し、Ｐ型半導体層14とＮ型半導体層15の間で形成され
るＰ−Ｎ接合から光検出器を構成する。これにより半導
体レーザ素子２ボンディング領域とサーボ用光検出器形
成領域を各々電気的に分離できる。 なお、上記２つの実施例においては半導体の導電型は
各々逆にしてもよい。 また、上記実施例ではフォーカスサーボ法に非点収差
を用いたものを示したが、これは公知であるフーコー法
を用いてもよい。この場合には第２図で示したホログラ
ムプレート５にウェッジプリズムの作用とホログラムプ
レート５に再入射する光束を回折分離する作用を有した
ものを用い、第３図に示したサーボ用光検出器の４個の
光検出器の構成を第４図に示す構成にする。 第４図によりフーコー法について説明する。図におい
て４′ａ〜４′ｄは第１図のサーボ用光検出器４を構成
する光検出器、21は光検出器４′a,4′ｂに、22は光検
出器４′c,4′ｄに入射する光束Ｂの光検出器上のパタ
ーンである。第４図（ｂ）は光ディスク７上の光束が合
焦時、第４図（ａ），（ｃ）は各々光ディスクが合焦状
態から反対側にずれた時の様子を表している。このよう
に光ディスクのずれ方により、反射回折された光束に付
与されたウェッジプリズムと同様の効果により、スポッ
ト形状が変化するので、光検出器４′ａ〜４′ａから得
られる信号を各々Sa〜Sdとすると、光検出器４′ａと光
検出器４′ｄの信号の和から光検出器４′ｂと４′ｃの
信号を和を引いた信号（Sa＋Sb）−（Sb＋Sc）により焦
点ずれの方向と量を検知でき、フォーカスサーボ用セン
サに供することができる。 なお、上記各実施例では、光検出器４は４分割構成と
したが、これは光学系の構成によって自由に変形可能で
あることは言うまでもない。 また、上記実施例では光検出器４はフォーカスサーボ
用センサとして働く場合を述べたが、これはいわゆるト
ラックとディスク上集光スポットのディスク面内ずれを
検出するトラッキングセンサの機能を兼用するものであ
ってもよい。トラッキングセンサの構成については、従
来より公知の方法が適用できるので説明は省略する。 〔発明の効果〕 以上にように、この発明によれば半導体基板の光検出
器を形成した面に略直交する面に半導体レーザを固着
し、半導体レーザ素子から出射する光束が光検出器形成
面に対し略垂直方向に出射するように構成したから、反
射ミラー等が不要となるとともに、装置が精度良く、ま
た安価なものが得られる効果がある。
光部としての半導体装置に関するものである。 〔従来の技術〕 第６図は例えば実開昭58−162660号公報に示された従
来の半導体装置を示す図であり、図において１は半導体
基板、２は半導体基板１上に形成された半導体レーザ素
子、３は半導体レーザ素子２の出射光を半導体基板１に
対し垂直方向に反射する反射面、４は半導体基板１の面
方向と同一面方向に形成された光検出器、Ａは半導体レ
ーザ素子２から出射した光束、Ｂは光検出器４に入射す
る光束である。 第７図に第６図に示す従来装置を光源として用いて構
成した光ヘッド装置を示す。図において第６図と同一符
号は同一のものであり、５はホログラムプレート、６は
対物レンズ、７は光ディスク、Ａは半導体レーザ素子２
より出射した光束、Ｂは光ディスクにより反射し、ホロ
グラムプレート５により回折分離された光束である。 次に動作について説明する。 半導体レーザ素子２より出射した光束Ａは、反射面３
により半導体基板１に対し略垂直方向へ反射される。ま
た光検出器４は半導体基板１の面方向に対し同一面方向
に形成されているので光検出器４に入射する光束Ｂが反
射面３により反射された光束Ａとほぼ平行な方向から入
射した際においても効率よく大きな受光面積で光束Ｂを
受光することができる。そして本従来例は光検出器４に
４分割した光検出器を用い、光束Ｂに非点収差を与える
光学系を組合せることで焦点ずれを検出可能な光ヘッド
装置を簡単に構成できるものである。 このような従来の半導体装置を光源に用いて構成した
光ヘッド装置の動作を第７図を用いて説明する。 半導体レーザ素子２より出射した後、反射面３により
反射した光束Ａはホログラムプレート５を透過した後、
対物レンズ６により光ディスク７上に集光される。集光
された光束Ａは光ディスクに記録された情報により強度
変調された光束として対物レンズ６を再透過し、ホログ
ラムプレート５に再入射する。ここでホログラムプレー
ト５は光ディスク７により反射された光束に対し、非点
収差の発生及び光束を回折分離する作用を有している。
従ってホログラムプレート５に再入射した光束は光検出
器４に入射する非点収差を生じた光束Ｂとして回折分離
される。このホログラムプレート５については例えば特
開昭56−57013号等で公知のものを使用できる。光束Ｂ
の入射する光検出器４は、受光面が４分割されているの
で、非点収差の生じた光束Ｂを入射することによりフォ
ーカスサーボの方法として非点収差法を用いることがで
きる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の半導体装置は以上のように構成され、第８図に
示すように半導体基板に半導体レーザ素子と同一の積層
構造を有する基板をエッチングして反射面及び光検出器
を形成しているので、反射面においては、エッチングす
る際に生じる各層の組成に起因するエッチング速度の差
により反射面に凹凸が発生し、必要な面精度が得られな
いという問題点があった。 さらにまた、反射面及び光検出器を半導体レーザ素子
と同一の半導体基板上に形成することによる半導体装置
の面積の増大は、半導体レーザ素子単体に比し歩留りの
低下を招き、半導体レーザ素子に使用するGaAs,InP等の
基板がSi等に比して高価であるので半導体装置が高価に
なるという問題点があった。 この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、半導体基板に斜面部を形成せずに光検出器
の形成された平面に対し略垂直方向に外部に半導体レー
ザ素子から光束を放射できるとともに、光検出と半導体
レーザ素子間の位置精度が良くまた安価な装置を得るこ
とを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明に係る半導体レーザ装置は、半導体基板の第
１の平面上に外部から入射する光束を受光する光検出器
を形成し、該第１の平面に略直交する面に上記光検出器
に対して略垂直方向に光束を放射するように半導体レー
ザ装置を固着したものである。 〔作用〕 この発明においては、半導体レーザ素子を半導体基板
の光検出器を形成した平面に略直交する面に固着し、半
導体レーザ素子の光束出射方向が光検出器形成に対し略
垂直方向になるよう構成したから反射ミラーが不要とな
り、位置精度も良くなる。 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。 第１図は本発明の第１の実施例による半導体装置を示
す斜視図であり、図において８は半導体基板で、例えば
Si基板が用いられる。２は半導体基板８上にマウントさ
れた半導体レーザ素子、４は半導体基板８に形成された
サーボ用光検出器、Ａは半導体レーザ素子２の前面から
出射した光束、Ｂはサーボ用光検出器４に入射する光
束、Ｃは半導体レーザ素子２の後面から出射した光束で
ある。 第２図は第１図に示す本発明の第１の実施例の半導体
装置を発光受光部として用いて構成した光ヘッド装置を
示す図であり、図において、８は半導体基板、２は半導
体レーザ素子、４は半導体基板８に形成されているサー
ボ用光検出器の形成された領域、９は半導体基板８の外
部に設けられたモニター用光検出器、11は半導体基板８
及びモニター用光検出器９をマウントするステム、５は
ホログラムプレート、６は対物レンズ、７は光ディス
ク、Ａは半導体レーザ素子２の前面から出射した光束、
Ｂはサーボ用光検出器４に入射する光束、Ｃは半導体レ
ーザ素子２の後面から出射した光束である。 次に動作について説明する。 第１図において、半導体基板８は例えばｎ型Si基板が
用いられ、その半導体基板８にｐ型不純物を拡散するこ
とによりサーボ用光検出器４及びモニタ用光検出器９を
半導体基板８上に形成する。この光検出器は半導体基板
８上の任意の位置に形成できる。次いで、半導体レーザ
素子２を半導体基板８のサーボ用光検出器４の形成され
た面に対し、半導体レーザ素子の前面から出射する光束
Ａが略垂直方向になるように半導体レーザ素子２のｎ型
を有する面を半導体基板８の側面にボンディングする。
半導体レーザ素子２を半導体基板８にボンディングする
際、半導体基板８の半導体レーザ素子をボンディングす
る位置を高濃度のｎ型とすることで半導体レーザ素子２
と半導体基板８の間でより良好なオーミック特性を得る
ことができる。サーボ用光検出器４は少なくとも４個以
上の光検出器で構成されており、光束Ｂの光強度を検出
すると同時に光束Ｂがサーボ用光検出器４に入射する際
にサーボ用光検出器４の各々の光検出器で検出される光
電変換出力よりサーボ用のセンサ及びディスクの読み取
り用に用いられる。 次いで、第１図に示した半導体レーザ装置を光源とし
て用いて構成した光ヘッド装置を第２図について説明す
る。 半導体基板８をステム11にマウントし、次いで半導体
レーザ素子２の前面より出射した光束Ｃを受光するモニ
ター用光検出器９をステム11にマウントする。 半導体基板８に対し略垂直方向に出射した光束Ａはホ
ログラムプレート５を通過し、対物レンズ６により光デ
ィスク７上に集光される。集光された光束Ａは光ディス
ク７に蓄えられた情報により強度変調された光束として
対物レンズ６を再透過し、ホログラムプレート５に再入
射する。ホログラムプレート５は光ディスク７により反
射された光束に対し非点収差の発生及び光束が入射する
よう回折分離する作用を有しているので、ホログラムプ
レート５に再入射した光束はサーボ用光検出器４に入射
する非点収差を生じた光束Ｂとなる。このホログラムプ
レート５については例えば特開昭56−57013号等で公知
のものを使用できる。サーボ用光検出器４は第３図に示
すように4a,4b,4c,4dの４個の光検出器で構成されてい
るので非点収差の生じた光束Ｂに対して非点収差法を用
いて光ディスク７上の集光光束の合焦点ずれを検出で
き、公知のようにフォーカスサーボによる焦点合わせが
できる。 第３図により非点収差法について説明する。図におい
て4a〜4dは第１図の半導体装置のサーボ用光検出器４を
構成する光検出器であり、20は光検出器4a〜4dに入射す
る光束Ｂの光検出器上のパターンである。第３図（ｂ）
は光ディスク７上の光束が合焦時、第３図（ａ），
（ｃ）は各々光ディスク７が合焦状態から反対側にずれ
た時のパターンを示している。このようにディスク７の
ずれ方により反射回折された光束に付与された非点収差
によってスポット形状が変化するので、光検出器4a〜4d
から得られる信号を各々Sa〜Sdとすると、光検出器4aと
光検出器4dの信号の和から光検出器4bと光検出器4cの信
号の和を引いた信号（Sa＋Sd）−（Sb＋Sc）により焦点
ずれの方向と量を検知でき、フォーカスサーボ用センサ
に供することができる。また、検出出力の和Sa＋Sb＋Sc
＋Sdよりディスク情報を再生できる。このような光ヘッ
ド装置の場合、光束Ａの光出力を一定にする必要がある
ので、光束Ａと同一の半導体レーザ素子２のキャビティ
から放射される光束Ｃが光束Ａに比例することを利用し
て光束Ｃの光出力をモニタ用光検出器９で検出し、光束
Ｃの光出力を一定に保つよう半導体レーザ素子２へ注入
する電流を例えば特公昭58−46879号で公知の方法で制
御することで光束Ａの光出力を制御する。ここで上記実
施例においては、半導体レーザ素子２とサーボ用光検出
器４は半導体基板８において電気的に導通しているの
で、光検出器に逆バイアスを印加して使用する場合、負
の電圧を印加しなければならない。この場合、半導体レ
ーザ素子２には正の電圧を印加するので、正及び負の２
電源が必要になる。そこで、半導体レーザ素子２と光検
出器を電気的に分離することにより正の単一電源にて光
検出器に逆バイアスを印加することが可能となる。 半導体レーザ素子と光検出器を電気的に分離した本発
明の第２の実施例を第５図により説明する。 本第２の実施例は半導体基板８に例えばｐ型Si基板を
用い、その半導体基板８上のサーボ用光検出器４を形成
する領域にＰ型不純物を拡散等の方法で導入し、Ｐ型半
導体層14を形成する。さらにＰ型半導体層14にＮ型不純
物を同様に拡散等の方法で導入し、Ｎ型半導体層15を形
成し、Ｐ型半導体層14とＮ型半導体層15の間で形成され
るＰ−Ｎ接合から光検出器を構成する。これにより半導
体レーザ素子２ボンディング領域とサーボ用光検出器形
成領域を各々電気的に分離できる。 なお、上記２つの実施例においては半導体の導電型は
各々逆にしてもよい。 また、上記実施例ではフォーカスサーボ法に非点収差
を用いたものを示したが、これは公知であるフーコー法
を用いてもよい。この場合には第２図で示したホログラ
ムプレート５にウェッジプリズムの作用とホログラムプ
レート５に再入射する光束を回折分離する作用を有した
ものを用い、第３図に示したサーボ用光検出器の４個の
光検出器の構成を第４図に示す構成にする。 第４図によりフーコー法について説明する。図におい
て４′ａ〜４′ｄは第１図のサーボ用光検出器４を構成
する光検出器、21は光検出器４′a,4′ｂに、22は光検
出器４′c,4′ｄに入射する光束Ｂの光検出器上のパタ
ーンである。第４図（ｂ）は光ディスク７上の光束が合
焦時、第４図（ａ），（ｃ）は各々光ディスクが合焦状
態から反対側にずれた時の様子を表している。このよう
に光ディスクのずれ方により、反射回折された光束に付
与されたウェッジプリズムと同様の効果により、スポッ
ト形状が変化するので、光検出器４′ａ〜４′ａから得
られる信号を各々Sa〜Sdとすると、光検出器４′ａと光
検出器４′ｄの信号の和から光検出器４′ｂと４′ｃの
信号を和を引いた信号（Sa＋Sb）−（Sb＋Sc）により焦
点ずれの方向と量を検知でき、フォーカスサーボ用セン
サに供することができる。 なお、上記各実施例では、光検出器４は４分割構成と
したが、これは光学系の構成によって自由に変形可能で
あることは言うまでもない。 また、上記実施例では光検出器４はフォーカスサーボ
用センサとして働く場合を述べたが、これはいわゆるト
ラックとディスク上集光スポットのディスク面内ずれを
検出するトラッキングセンサの機能を兼用するものであ
ってもよい。トラッキングセンサの構成については、従
来より公知の方法が適用できるので説明は省略する。 〔発明の効果〕 以上にように、この発明によれば半導体基板の光検出
器を形成した面に略直交する面に半導体レーザを固着
し、半導体レーザ素子から出射する光束が光検出器形成
面に対し略垂直方向に出射するように構成したから、反
射ミラー等が不要となるとともに、装置が精度良く、ま
た安価なものが得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の第１の実施例による半導体装置を示
す斜視図、第２図は第１図の半導体装置を用いて構成し
た光ヘッド装置を示す図、第３図は第１図の半導体装置
のサーボ用光検出器の一例を示す図、第４図は第１図の
半導体装置のサーボ用光検出器の他の例を示す図、第５
図は本発明の第２の実施例を示す図、第６図は従来の半
導体装置を示す図、第７図は第６図の半導体装置を用い
て構成した光ヘッド装置を示す図である。 ２は半導体レーザ素子、４はサーボ用光検出器、８は半
導体基板、Ａは半導体レーザ素子の前面より出射された
光束、Ｂはサーボ用光検出器に入射する光束、Ｃは半導
体レーザ素子の後面より出射される光束。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
す斜視図、第２図は第１図の半導体装置を用いて構成し
た光ヘッド装置を示す図、第３図は第１図の半導体装置
のサーボ用光検出器の一例を示す図、第４図は第１図の
半導体装置のサーボ用光検出器の他の例を示す図、第５
図は本発明の第２の実施例を示す図、第６図は従来の半
導体装置を示す図、第７図は第６図の半導体装置を用い
て構成した光ヘッド装置を示す図である。 ２は半導体レーザ素子、４はサーボ用光検出器、８は半
導体基板、Ａは半導体レーザ素子の前面より出射された
光束、Ｂはサーボ用光検出器に入射する光束、Ｃは半導
体レーザ素子の後面より出射される光束。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 十河 敏雄
兵庫県伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電
機株式会社北伊丹製作所内
(56)参考文献 実開 昭63−178372（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．外部から入射する光束を受光し光電変換を行う光検
出器が形成された半導体基板に外部に光束を放射する半
導体レーザ素子をマウントしてなる半導体装置におい
て、 前記光検出器は半導体基板の第１の平面に形成し、前記
半導体レーザ素子は前記半導体基板の第１の平面に略直
交する面にマウントしたことを特徴とする半導体装置。 ２．上記半導体レーザ素子からの光束は上記半導体基板
の第１の平面に対し略垂直方向に放射されることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３．上記半導体基板にSi基板を用いたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ４．上記半導体レーザ素子とそれ以外の部分は電気的に
分離されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62184361A JP2665336B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62184361A JP2665336B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6427287A JPS6427287A (en) | 1989-01-30 |
| JP2665336B2 true JP2665336B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=16151893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62184361A Expired - Fee Related JP2665336B2 (ja) | 1987-07-22 | 1987-07-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2665336B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02283086A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2529363Y2 (ja) * | 1987-05-12 | 1997-03-19 | 三洋電機株式会社 | 光学素子 |
-
1987
- 1987-07-22 JP JP62184361A patent/JP2665336B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6427287A (en) | 1989-01-30 |
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