JPS61161759A - 集積オプトエレクトロニクス・デバイス - Google Patents
集積オプトエレクトロニクス・デバイスInfo
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- JPS61161759A JPS61161759A JP61000476A JP47686A JPS61161759A JP S61161759 A JPS61161759 A JP S61161759A JP 61000476 A JP61000476 A JP 61000476A JP 47686 A JP47686 A JP 47686A JP S61161759 A JPS61161759 A JP S61161759A
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- optical waveguide
- light
- optical
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12002—Three-dimensional structures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、少くとも一つの光検出素子が少(J+L
−−s* r+4:#mu* rs−xha−A) y
、 −−〜ブトエレクトロニクス・デノ(イ
スに関゛するもので、ある。
−−s* r+4:#mu* rs−xha−A) y
、 −−〜ブトエレクトロニクス・デノ(イ
スに関゛するもので、ある。
プつ又社それ以上の光検出素子が一つ又はそれ以上の光
導波路を通して光照射されるこの種の半導体デバイスは
将来光学的信号伝送と電気的信号伝送の間のインターフ
ェースとして使用されるものである。゛ 〔発明が解決しようとする問題点〕 こ、の発明の目的は、この種のデノ(イスの立体構成に
よって光導波路と光検出素子の間の効果的な光結合即ち
光導波路を通しての光検出素子の効果的な光照射を可能
にすることである。
導波路を通して光照射されるこの種の半導体デバイスは
将来光学的信号伝送と電気的信号伝送の間のインターフ
ェースとして使用されるものである。゛ 〔発明が解決しようとする問題点〕 こ、の発明の目的は、この種のデノ(イスの立体構成に
よって光導波路と光検出素子の間の効果的な光結合即ち
光導波路を通しての光検出素子の効果的な光照射を可能
にすることである。
この目的は特許請求の範囲第1項に特徴として挙げた構
造とすることによって達成される。
造とすることによって達成される。
この発明によるデバイスの長所は、光導波路の製作工程
と光検出素子の製作工程が互にほとんど無関係に実施さ
れること、光検出素子が普通通りその表面に垂直に光照
射され小さい結合ロス。
と光検出素子の製作工程が互にほとんど無関係に実施さ
れること、光検出素子が普通通りその表面に垂直に光照
射され小さい結合ロス。
高い量子効率および高い応答速度が達成されることであ
る。
る。
特許請求の範囲第2項に示されているこの発明の有利な
実施形態では、結合素子が光導波路から光検出素子に向
けて光を偏向する偏向反射面で構成される。この偏向反
射面は特許請求の範囲第3項に従い一つの溝の傾斜側面
として実現させることができる。このような溝はエツチ
ングによって作られる。
実施形態では、結合素子が光導波路から光検出素子に向
けて光を偏向する偏向反射面で構成される。この偏向反
射面は特許請求の範囲第3項に従い一つの溝の傾斜側面
として実現させることができる。このような溝はエツチ
ングによって作られる。
光検出素子は特許請求の範囲第4項に従いフ第1・ダイ
オード、フォトトランジスタ又は光伝導体を使用するの
が有利である。
オード、フォトトランジスタ又は光伝導体を使用するの
が有利である。
光導波路は特許請求の範囲第5項に従い成層形又はスト
ライプ形とし、特許請求の範囲第6項1c従い少くとも
一つの補助の光素子を含ませることができる。この補助
光素子は特許請求の範囲第7項に従い回折格子又は電気
光学変調器とするのが可能である。
ライプ形とし、特許請求の範囲第6項1c従い少くとも
一つの補助の光素子を含ませることができる。この補助
光素子は特許請求の範囲第7項に従い回折格子又は電気
光学変調器とするのが可能である。
図面を参照してこの発明の詳細な説明する。
図に示した実施例では基板3は工nPの結晶であり、そ
の上表面には(Xn、 Ga ) (As、 P)の光
伝導層2が光導波路として設けられ、InP層21で覆
われている。これによって基板の上表面にはInk/(
In、 Ga ) (All、 P )/工nPで表わ
される二重へテロ構造があり、その全体が一つの成層光
導波路を構成する。光は光導波路本体となっている光伝
導層2内を紙面に平行に例えば矢印5で示す方向に伝搬
される。
の上表面には(Xn、 Ga ) (As、 P)の光
伝導層2が光導波路として設けられ、InP層21で覆
われている。これによって基板の上表面にはInk/(
In、 Ga ) (All、 P )/工nPで表わ
される二重へテロ構造があり、その全体が一つの成層光
導波路を構成する。光は光導波路本体となっている光伝
導層2内を紙面に平行に例えば矢印5で示す方向に伝搬
される。
基板3の下面にはPXNダイオード1が作られる。この
ダイオードはn型(In、Ga)As結晶から成る光吸
収層10.この層内に形成されたp型領域13.領域1
!Iの表面に設けられたp型領域接点11.lJ域13
の外に設けられたn型領域接点12から構成される。
ダイオードはn型(In、Ga)As結晶から成る光吸
収層10.この層内に形成されたp型領域13.領域1
!Iの表面に設けられたp型領域接点11.lJ域13
の外に設けられたn型領域接点12から構成される。
路2内を伝搬される光に対して透明である。
光導波路2内を矢印5の方向に導かれる光は偏向素子4
によってp型頭域15、従ってフォトダイオード1に向
って偏向される。この偏向素子は紙面に垂直に伸びるV
@として実現するもので、この溝の光伝搬方向5に対し
て45°#Iいている開面41が伝搬光に対する反射面
となっている。この反射面は全反射面とすることも可能
であるが、例えば反射層を謂面41上に設けたものとし
てもよい。
によってp型頭域15、従ってフォトダイオード1に向
って偏向される。この偏向素子は紙面に垂直に伸びるV
@として実現するもので、この溝の光伝搬方向5に対し
て45°#Iいている開面41が伝搬光に対する反射面
となっている。この反射面は全反射面とすることも可能
であるが、例えば反射層を謂面41上に設けたものとし
てもよい。
偏向素子はこの外の形例えば光導波路2の表面に設けた
偏向格子としてもよい。
偏向格子としてもよい。
図はこの発明の実施列を示すもので、3は基板、2は光
伝導層、1#1PINダイオード、4は結合素子である
。
伝導層、1#1PINダイオード、4は結合素子である
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)少くとも一つの光検出素子(1)が少くとも一つの
光導波路(2)に光結合されている集積オプトエレクト
ロニクス・デバイスにおいて、光導波路(2)と光検出
素子(1)が半導体基板(3)の対向面に設けられてい
ること、光導波路(2)から光を引き出し基板(3)を
通して光検出素子に送り込む結合素子(4)が設けられ
ていることを特徴とする集積オプトエレクトロニクス・
デバイス。 2)結合素子(4)が光導波路(2)を進む光を光検出
素子(1)に向けて偏向する偏向反射面(41)で構成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のデバイス。 3)偏向反射面(41)が一つの溝の傾斜側面であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第2項記載のデバイス。 4)光検出素子(1)がフォトダイオード、フォトトラ
ンジスタ又は光導体であることを特徴とする特許請求の
範囲第1項乃至第3項の一つに記載のデバイス。 5)光導波路(2)が成層形又はストライプ形の導波体
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第4
項の一つに記載のデバイス。 6)光導波路(2)が少くとも一つの補助の光素子を含
むことを特徴とする特許請求の範囲第5項記載のデバイ
ス。 7)補助光素子が回折格子又は電気光学変調器で構成さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第6項記載のデバ
イス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3500317 | 1985-01-07 | ||
DE3500317.0 | 1985-01-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61161759A true JPS61161759A (ja) | 1986-07-22 |
Family
ID=6259371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61000476A Pending JPS61161759A (ja) | 1985-01-07 | 1986-01-06 | 集積オプトエレクトロニクス・デバイス |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4772787A (ja) |
EP (1) | EP0192850A1 (ja) |
JP (1) | JPS61161759A (ja) |
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- 1986-01-06 JP JP61000476A patent/JPS61161759A/ja active Pending
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