JPS61161759A - 集積オプトエレクトロニクス・デバイス - Google Patents

集積オプトエレクトロニクス・デバイス

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JPS61161759A
JPS61161759A JP61000476A JP47686A JPS61161759A JP S61161759 A JPS61161759 A JP S61161759A JP 61000476 A JP61000476 A JP 61000476A JP 47686 A JP47686 A JP 47686A JP S61161759 A JPS61161759 A JP S61161759A
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JP
Japan
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optical waveguide
light
optical
deflection
constituted
Prior art date
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JP61000476A
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English (en)
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ライナー、トロンマー
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12002—Three-dimensional structures
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    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、少くとも一つの光検出素子が少（Ｊ＋Ｌ　
−−ｓ＊　ｒ＋４：＃ｍｕ＊　ｒｓ−ｘｈａ−Ａ）　ｙ
　　　、　　　−−〜ブトエレクトロニクス・デノ（イ
スに関゛するもので、ある。
プつ又社それ以上の光検出素子が一つ又はそれ以上の光
導波路を通して光照射されるこの種の半導体デバイスは
将来光学的信号伝送と電気的信号伝送の間のインターフ
ェースとして使用されるものである。゛ 〔発明が解決しようとする問題点〕 こ、の発明の目的は、この種のデノ（イスの立体構成に
よって光導波路と光検出素子の間の効果的な光結合即ち
光導波路を通しての光検出素子の効果的な光照射を可能
にすることである。
〔問題点の解決手段〕
この目的は特許請求の範囲第１項に特徴として挙げた構
造とすることによって達成される。
〔発明の効果〕
この発明によるデバイスの長所は、光導波路の製作工程
と光検出素子の製作工程が互にほとんど無関係に実施さ
れること、光検出素子が普通通りその表面に垂直に光照
射され小さい結合ロス。
高い量子効率および高い応答速度が達成されることであ
る。
〔実施態様〕
特許請求の範囲第２項に示されているこの発明の有利な
実施形態では、結合素子が光導波路から光検出素子に向
けて光を偏向する偏向反射面で構成される。この偏向反
射面は特許請求の範囲第３項に従い一つの溝の傾斜側面
として実現させることができる。このような溝はエツチ
ングによって作られる。
光検出素子は特許請求の範囲第４項に従いフ第１・ダイ
オード、フォトトランジスタ又は光伝導体を使用するの
が有利である。
光導波路は特許請求の範囲第５項に従い成層形又はスト
ライプ形とし、特許請求の範囲第６項１ｃ従い少くとも
一つの補助の光素子を含ませることができる。この補助
光素子は特許請求の範囲第７項に従い回折格子又は電気
光学変調器とするのが可能である。
〔実施例〕
図面を参照してこの発明の詳細な説明する。
図に示した実施例では基板３は工ｎＰの結晶であり、そ
の上表面には（Ｘｎ、　Ｇａ　）　（Ａｓ、　Ｐ）の光
伝導層２が光導波路として設けられ、ＩｎＰ層２１で覆
われている。これによって基板の上表面にはＩｎｋ／（
Ｉｎ、　Ｇａ　）　（Ａｌｌ、　Ｐ　）／工ｎＰで表わ
される二重へテロ構造があり、その全体が一つの成層光
導波路を構成する。光は光導波路本体となっている光伝
導層２内を紙面に平行に例えば矢印５で示す方向に伝搬
される。
基板３の下面にはＰＸＮダイオード１が作られる。この
ダイオードはｎ型（Ｉｎ、Ｇａ）Ａｓ結晶から成る光吸
収層１０．この層内に形成されたｐ型領域１３．領域１
！Ｉの表面に設けられたｐ型領域接点１１．ｌＪ域１３
の外に設けられたｎ型領域接点１２から構成される。
路２内を伝搬される光に対して透明である。
光導波路２内を矢印５の方向に導かれる光は偏向素子４
によってｐ型頭域１５、従ってフォトダイオード１に向
って偏向される。この偏向素子は紙面に垂直に伸びるＶ
＠として実現するもので、この溝の光伝搬方向５に対し
て４５°＃Ｉいている開面４１が伝搬光に対する反射面
となっている。この反射面は全反射面とすることも可能
であるが、例えば反射層を謂面４１上に設けたものとし
てもよい。
偏向素子はこの外の形例えば光導波路２の表面に設けた
偏向格子としてもよい。
【図面の簡単な説明】
図はこの発明の実施列を示すもので、３は基板、２は光
伝導層、１＃１ＰＩＮダイオード、４は結合素子である
。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）少くとも一つの光検出素子（１）が少くとも一つの
    光導波路（２）に光結合されている集積オプトエレクト
    ロニクス・デバイスにおいて、光導波路（２）と光検出
    素子（１）が半導体基板（３）の対向面に設けられてい
    ること、光導波路（２）から光を引き出し基板（３）を
    通して光検出素子に送り込む結合素子（４）が設けられ
    ていることを特徴とする集積オプトエレクトロニクス・
    デバイス。 ２）結合素子（４）が光導波路（２）を進む光を光検出
    素子（１）に向けて偏向する偏向反射面（４１）で構成
    されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
    のデバイス。 ３）偏向反射面（４１）が一つの溝の傾斜側面であるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のデバイス。 ４）光検出素子（１）がフォトダイオード、フォトトラ
    ンジスタ又は光導体であることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項乃至第３項の一つに記載のデバイス。 ５）光導波路（２）が成層形又はストライプ形の導波体
    であることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第４
    項の一つに記載のデバイス。 ６）光導波路（２）が少くとも一つの補助の光素子を含
    むことを特徴とする特許請求の範囲第５項記載のデバイ
    ス。 ７）補助光素子が回折格子又は電気光学変調器で構成さ
    れることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載のデバ
    イス。
JP61000476A 1985-01-07 1986-01-06 集積オプトエレクトロニクス・デバイス Pending JPS61161759A (ja)

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DE3500317.0 1985-01-07

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