JPH0990177A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH0990177A JPH0990177A JP7249248A JP24924895A JPH0990177A JP H0990177 A JPH0990177 A JP H0990177A JP 7249248 A JP7249248 A JP 7249248A JP 24924895 A JP24924895 A JP 24924895A JP H0990177 A JPH0990177 A JP H0990177A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15151—Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ファイバとの光結合を簡単な構成で達成で
きるとともに、コンパクトなモジュール化を図る。 【解決手段】 光半導体装置において、異方性エッチン
グにより正方形の大径開口部１３−１と小径開口部１３
−２とこれらの開口部間に形成される結晶方位により定
まる一定の角度を持つ側面１３Ａを有する貫通穴１３
と、この貫通穴１３に連通するＶ溝１２が形成されるシ
リコン基板１１と、貫通穴１３の小径開口部１３−２に
固定される集光用レンズ１６を一体形成した裏面入射型
ＰＩＮ−ＰＤ１５と、斜め研磨した端面１８を有する光
ファイバ１７をＶ溝１２に敷設し、斜め研磨した端面１
８を集光用レンズ１６に対向させるように、光ファイバ
１７をＶ溝１２に固定する。
きるとともに、コンパクトなモジュール化を図る。 【解決手段】 光半導体装置において、異方性エッチン
グにより正方形の大径開口部１３−１と小径開口部１３
−２とこれらの開口部間に形成される結晶方位により定
まる一定の角度を持つ側面１３Ａを有する貫通穴１３
と、この貫通穴１３に連通するＶ溝１２が形成されるシ
リコン基板１１と、貫通穴１３の小径開口部１３−２に
固定される集光用レンズ１６を一体形成した裏面入射型
ＰＩＮ−ＰＤ１５と、斜め研磨した端面１８を有する光
ファイバ１７をＶ溝１２に敷設し、斜め研磨した端面１
８を集光用レンズ１６に対向させるように、光ファイバ
１７をＶ溝１２に固定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザある
いはホトダイオードモジュール等の光半導体装置に関す
るものである。
いはホトダイオードモジュール等の光半導体装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の光半導体装置には、特開
平６−６７０６９号公報に開示されたものがあった。図
３はかかる従来の光半導体装置の構成図であり、図３
（ａ）はその光半導体装置の上面図、図３（ｂ）は図３
（ａ）のＡ−Ａ線断面図、図３（ｃ）はその光半導体装
置の下面図である。
平６−６７０６９号公報に開示されたものがあった。図
３はかかる従来の光半導体装置の構成図であり、図３
（ａ）はその光半導体装置の上面図、図３（ｂ）は図３
（ａ）のＡ−Ａ線断面図、図３（ｃ）はその光半導体装
置の下面図である。
【０００３】これらの図に示すように、この光半導体装
置は、球レンズ３とＰＩＮ−ＰＤ４で構成されている。
シリコン基板１には、開口部とシリコン基板１の結晶方
位により定まる一定の角度を持つ側面２Ａを有する貫通
穴２が形成されている。球レンズ３はその貫通穴２の側
面に接して固定されている。シリコン基板１の裏面に
は、ＰＩＮ−ＰＤ４の受光面が、貫通穴２の開口部に面
するように固定されている。なお、５，６は電極、７は
ワイヤである。
置は、球レンズ３とＰＩＮ−ＰＤ４で構成されている。
シリコン基板１には、開口部とシリコン基板１の結晶方
位により定まる一定の角度を持つ側面２Ａを有する貫通
穴２が形成されている。球レンズ３はその貫通穴２の側
面に接して固定されている。シリコン基板１の裏面に
は、ＰＩＮ−ＰＤ４の受光面が、貫通穴２の開口部に面
するように固定されている。なお、５，６は電極、７は
ワイヤである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の光半導体装置の構造では、集光手段として球レ
ンズを使用し、この球レンズをシリコン基板の貫通穴に
固定する構造であるので、この装置をモジュール化し、
光ファイバと光結合する場合、光ファイバを別の手段を
用いて、この装置に固定しなければならないという問題
点があった。
た従来の光半導体装置の構造では、集光手段として球レ
ンズを使用し、この球レンズをシリコン基板の貫通穴に
固定する構造であるので、この装置をモジュール化し、
光ファイバと光結合する場合、光ファイバを別の手段を
用いて、この装置に固定しなければならないという問題
点があった。
【０００５】本発明は、上記問題点を除去し、光ファイ
バとの光結合を簡単な構成で達成できるとともに、コン
パクトなモジュール化を図ることができる光半導体装置
を提供することを目的とする。
バとの光結合を簡単な構成で達成できるとともに、コン
パクトなモジュール化を図ることができる光半導体装置
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （Ａ）光半導体装置において、異方性エッチングにより
正方形の大径開口部（１３−１）と小径開口部（１３−
２）とこれらの開口部間に形成される結晶方位により定
まる一定の角度を持つ側面（１３Ａ）を有する貫通穴
（１３）と、この貫通穴（１３）に連通するＶ溝（１
２）が形成されるシリコン基板（１１）と、前記貫通穴
（１３）の小径開口部（１３−２）に固定される集光用
レンズ（１６）を一体形成した裏面入射型ＰＩＮ−ＰＤ
（１５）と、斜め研磨した端面（１８）を有する光ファ
イバ（１７）を前記Ｖ溝（１２）に敷設し、前記斜め研
磨した端面（１８）を前記集光用レンズ（１６）に対向
させるように、前記光ファイバ（１７）を前記Ｖ溝（１
２）に固定するようにしたものである。
成するために、 （Ａ）光半導体装置において、異方性エッチングにより
正方形の大径開口部（１３−１）と小径開口部（１３−
２）とこれらの開口部間に形成される結晶方位により定
まる一定の角度を持つ側面（１３Ａ）を有する貫通穴
（１３）と、この貫通穴（１３）に連通するＶ溝（１
２）が形成されるシリコン基板（１１）と、前記貫通穴
（１３）の小径開口部（１３−２）に固定される集光用
レンズ（１６）を一体形成した裏面入射型ＰＩＮ−ＰＤ
（１５）と、斜め研磨した端面（１８）を有する光ファ
イバ（１７）を前記Ｖ溝（１２）に敷設し、前記斜め研
磨した端面（１８）を前記集光用レンズ（１６）に対向
させるように、前記光ファイバ（１７）を前記Ｖ溝（１
２）に固定するようにしたものである。
【０００７】したがって、 （１）光ファイバ（１７）がＶ溝（１２）に固定され、
貫通穴（１３）を通してＰＩＮ−ＰＤ（１５）に光を入
射させるので、光ファイバ（１７）の位置調整が容易
で、固定後の位置ずれが生じることなく、高い信頼性が
得られる。 （２）斜め研磨した端面（１８）を有する光ファイバ
（１７）を使用し、光軸を曲げ、そしてシリコン基板
（１１）上にすべての部品を固定しているので、薄型化
が可能である。
貫通穴（１３）を通してＰＩＮ−ＰＤ（１５）に光を入
射させるので、光ファイバ（１７）の位置調整が容易
で、固定後の位置ずれが生じることなく、高い信頼性が
得られる。 （２）斜め研磨した端面（１８）を有する光ファイバ
（１７）を使用し、光軸を曲げ、そしてシリコン基板
（１１）上にすべての部品を固定しているので、薄型化
が可能である。
【０００８】（３）ホトリソグラフィ技術を用いてシリ
コン基板（１１）にＶ溝（１２）及び貫通穴（１３）を
形成することができるので、量産性に優れている。 （４）集光用レンズ（１６）を一体形成した裏面入射型
のＰＩＮ−ＰＤ（１５）を使用しているので、個別のレ
ンズが不要で良好な光結合が得られる。 （Ｂ）光半導体装置において、異方性エッチングにより
正方形の大径開口部（１３−１）と、小径開口部（１３
−２）と、これらの開口部間を形成される結晶方位によ
り定まる一定の角度を持つ側面（１３Ａ）を有する貫通
穴（１３）と、この貫通穴（１３）に連通するＶ溝（１
２）が形成されるシリコン基板（１１）と、前記貫通穴
（１３）の小径開口部（１３−２）に固定されるレンズ
（３２）を一体形成した発光装置（３１）と、斜め研磨
した端面（１８）を有する光ファイバ（１７）を前記Ｖ
溝（１２）に敷設し、前記斜め研磨した端面（１８）を
前記レンズ（３２）に対向させるように、前記光ファイ
バ（１７）を前記Ｖ溝（１２）に固定するようにしたも
のである。
コン基板（１１）にＶ溝（１２）及び貫通穴（１３）を
形成することができるので、量産性に優れている。 （４）集光用レンズ（１６）を一体形成した裏面入射型
のＰＩＮ−ＰＤ（１５）を使用しているので、個別のレ
ンズが不要で良好な光結合が得られる。 （Ｂ）光半導体装置において、異方性エッチングにより
正方形の大径開口部（１３−１）と、小径開口部（１３
−２）と、これらの開口部間を形成される結晶方位によ
り定まる一定の角度を持つ側面（１３Ａ）を有する貫通
穴（１３）と、この貫通穴（１３）に連通するＶ溝（１
２）が形成されるシリコン基板（１１）と、前記貫通穴
（１３）の小径開口部（１３−２）に固定されるレンズ
（３２）を一体形成した発光装置（３１）と、斜め研磨
した端面（１８）を有する光ファイバ（１７）を前記Ｖ
溝（１２）に敷設し、前記斜め研磨した端面（１８）を
前記レンズ（３２）に対向させるように、前記光ファイ
バ（１７）を前記Ｖ溝（１２）に固定するようにしたも
のである。
【０００９】したがって、上記（Ａ）記載の（１）〜
（３）の効果に加えて、レンズ（３２）を一体形成した
発光装置（３２）からの照射光を光ファイバ（１７）に
入射することができ、その場合、個別のレンズが不要で
良好な光結合が得られる。
（３）の効果に加えて、レンズ（３２）を一体形成した
発光装置（３２）からの照射光を光ファイバ（１７）に
入射することができ、その場合、個別のレンズが不要で
良好な光結合が得られる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明における発明の実施
の形態について図面を参照しながら説明する。図１は本
発明の第１実施例を示す光半導体装置の構成図であり、
図１（ａ）はその光半導体装置の上面図、図１（ｂ）は
図１（ａ）のＡ−Ａ′線断面図、図１（ｃ）は図１
（ａ）のＢ−Ｂ′線断面図、図１（ｄ）はその光半導体
装置の下面図である。
の形態について図面を参照しながら説明する。図１は本
発明の第１実施例を示す光半導体装置の構成図であり、
図１（ａ）はその光半導体装置の上面図、図１（ｂ）は
図１（ａ）のＡ−Ａ′線断面図、図１（ｃ）は図１
（ａ）のＢ−Ｂ′線断面図、図１（ｄ）はその光半導体
装置の下面図である。
【００１１】これらの図に示すように、この光半導体装
置は、Ｖ溝１２と貫通穴１３を備えたシリコン基板１１
と、斜め研磨した端面１８を有する光ファイバ１７と、
集光用レンズ１６を一体形成したＰＩＮ−ＰＤ１５から
構成されている。Ｖ溝１２は、シリコン基板１１上に異
方性エッチングにより形成する。その形状は、角度につ
いてはシリコン基板１１の結晶方位により決定されるの
で、その深さを使用する光ファイバ１７の直径、斜め研
磨した端面１８の角度、シリコン基板１１の厚み及び集
光用レンズ１６の焦点距離を考慮して、光ファイバ１７
がＶ溝１２の側壁に接して固定される時に、光軸が所望
の位置に配置されるように決定する。
置は、Ｖ溝１２と貫通穴１３を備えたシリコン基板１１
と、斜め研磨した端面１８を有する光ファイバ１７と、
集光用レンズ１６を一体形成したＰＩＮ−ＰＤ１５から
構成されている。Ｖ溝１２は、シリコン基板１１上に異
方性エッチングにより形成する。その形状は、角度につ
いてはシリコン基板１１の結晶方位により決定されるの
で、その深さを使用する光ファイバ１７の直径、斜め研
磨した端面１８の角度、シリコン基板１１の厚み及び集
光用レンズ１６の焦点距離を考慮して、光ファイバ１７
がＶ溝１２の側壁に接して固定される時に、光軸が所望
の位置に配置されるように決定する。
【００１２】貫通穴１３も同様にシリコン基板１１上に
異方性エッチングにより形成する。この貫通穴１３は、
上面に正方形の大径開口部１３−１と、下面に小径開口
部１３−２と、これらの開口部間に形成される側面１３
Ａを有する。その貫通穴１３の中心がＶ溝１２の谷部と
一致するようにし、その貫通穴１３の小径開口部１３−
２（シリコン基板裏側）の大きさは、使用するＰＩＮ−
ＰＤ１５の大きさよりも小さく、且つ集光用レンズ１６
よりも大きくなるように形成する。
異方性エッチングにより形成する。この貫通穴１３は、
上面に正方形の大径開口部１３−１と、下面に小径開口
部１３−２と、これらの開口部間に形成される側面１３
Ａを有する。その貫通穴１３の中心がＶ溝１２の谷部と
一致するようにし、その貫通穴１３の小径開口部１３−
２（シリコン基板裏側）の大きさは、使用するＰＩＮ−
ＰＤ１５の大きさよりも小さく、且つ集光用レンズ１６
よりも大きくなるように形成する。
【００１３】また、その貫通穴１３の大径開口部１３−
１は、光ファイバ１７の直径よりも大きくする。シリコ
ン基板１１の裏面には配線用電極２０，２１が形成され
ている。光ファイバ１７の斜め研磨した端面１８で反射
された光線がＰＩＮ−ＰＤ１５側に向かうようにする。
その研磨角度は、所望の光学系により決定する。また、
斜め研磨端面１８には、反射を生じさせるために金など
の光反射率の膜を形成する。ＰＩＮ−ＰＤ１５は、集光
用レンズ１６を受光面１５Ａの逆側に一体形成した裏面
入射型のＰＤである。
１は、光ファイバ１７の直径よりも大きくする。シリコ
ン基板１１の裏面には配線用電極２０，２１が形成され
ている。光ファイバ１７の斜め研磨した端面１８で反射
された光線がＰＩＮ−ＰＤ１５側に向かうようにする。
その研磨角度は、所望の光学系により決定する。また、
斜め研磨端面１８には、反射を生じさせるために金など
の光反射率の膜を形成する。ＰＩＮ−ＰＤ１５は、集光
用レンズ１６を受光面１５Ａの逆側に一体形成した裏面
入射型のＰＤである。
【００１４】この光半導体装置の組立は、以下のように
行う。まず、Ｖ溝１２と貫通穴１３を備えたシリコン基
板１１の裏面の小径開口部１３−２に、ＰＩＮ−ＰＤ１
５の集光用レンズ１６が基板１１側になるように半田や
ロウ材を使用して固定し、ワイヤ１９を配線する。光フ
ァイバ１７の斜め研磨した端面１８が、貫通穴１３の大
径開口部１３−１側となるように、且つ光ファイバ１７
から集光用レンズ１６に向くように回転調整し、Ｖ溝１
２に置き、光ファイバ１７の他端から光を入射する。光
ファイバ１７をＶ溝１２の方向のみで移動し、ＰＩＮ−
ＰＤ１５の出力電流が最大になる位置を決定する。その
位置で接着剤や半田をＶ溝１２に流し込み、光ファイバ
１７を押さえ板１４と共にシリコン基板１１と固定す
る。
行う。まず、Ｖ溝１２と貫通穴１３を備えたシリコン基
板１１の裏面の小径開口部１３−２に、ＰＩＮ−ＰＤ１
５の集光用レンズ１６が基板１１側になるように半田や
ロウ材を使用して固定し、ワイヤ１９を配線する。光フ
ァイバ１７の斜め研磨した端面１８が、貫通穴１３の大
径開口部１３−１側となるように、且つ光ファイバ１７
から集光用レンズ１６に向くように回転調整し、Ｖ溝１
２に置き、光ファイバ１７の他端から光を入射する。光
ファイバ１７をＶ溝１２の方向のみで移動し、ＰＩＮ−
ＰＤ１５の出力電流が最大になる位置を決定する。その
位置で接着剤や半田をＶ溝１２に流し込み、光ファイバ
１７を押さえ板１４と共にシリコン基板１１と固定す
る。
【００１５】上述した組立法では、ＰＩＮ−ＰＤ１５に
光を入射させ、その電流を測定し、最適位置を決定した
が、上方より顕微鏡等で観察しながら光ファイバ１７を
Ｖ溝１２の方向のみで移動し、幾何学に所定位置に配置
されるように調整する方法を用いてもよい。この実施例
によれば、Ｖ溝１２と、貫通穴１３を備えたシリコン基
板１１と、斜め研磨した端面１８を有する光ファイバ１
７と、集光用レンズ１６を一体形成したＰＩＮ−ＰＤ１
５から構成されているので、以下のような効果を得るこ
とができる。
光を入射させ、その電流を測定し、最適位置を決定した
が、上方より顕微鏡等で観察しながら光ファイバ１７を
Ｖ溝１２の方向のみで移動し、幾何学に所定位置に配置
されるように調整する方法を用いてもよい。この実施例
によれば、Ｖ溝１２と、貫通穴１３を備えたシリコン基
板１１と、斜め研磨した端面１８を有する光ファイバ１
７と、集光用レンズ１６を一体形成したＰＩＮ−ＰＤ１
５から構成されているので、以下のような効果を得るこ
とができる。
【００１６】（１）光ファイバ１７がＶ溝１２に固定さ
れ、貫通穴１３を通してＰＩＮ−ＰＤ１５に光を入射さ
せるので、光ファイバ１７の位置調整が容易で、固定後
の位置ずれが生じることはなく、高い信頼性が得られ
る。 （２）斜め研磨した端面１８を有する光ファイバ１７を
使用し、光軸を曲げ、そしてシリコン基板１１上にすべ
ての部品を固定しているので、薄型化が可能である。
れ、貫通穴１３を通してＰＩＮ−ＰＤ１５に光を入射さ
せるので、光ファイバ１７の位置調整が容易で、固定後
の位置ずれが生じることはなく、高い信頼性が得られ
る。 （２）斜め研磨した端面１８を有する光ファイバ１７を
使用し、光軸を曲げ、そしてシリコン基板１１上にすべ
ての部品を固定しているので、薄型化が可能である。
【００１７】（３）集光用レンズ１６を一体形成した裏
面入射型のＰＩＮ−ＰＤ１５を使用しているので、個別
のレンズが不要で良好な光結合が得られる。また、薄型
化が可能である。 （４）ホトリソグラフィ技術を用いて、シリコン基板１
１にＶ溝１２及び貫通穴１３を形成できるので、量産性
に優れている。
面入射型のＰＩＮ−ＰＤ１５を使用しているので、個別
のレンズが不要で良好な光結合が得られる。また、薄型
化が可能である。 （４）ホトリソグラフィ技術を用いて、シリコン基板１
１にＶ溝１２及び貫通穴１３を形成できるので、量産性
に優れている。
【００１８】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図２は本発明の第２実施例を示す光半導体装置の要
部断面図である。この実施例は、上記した第１実施例の
集光用レンズ１６を一体形成した裏面入射型のＰＩＮ−
ＰＤ１５に代えて、レンズ３２を一体形成したＬＥＤや
面発光レーザを用いた発光装置３１を設けるようにした
ものであり、その他の部分は第１実施例と同様であり、
その説明は省略する。
る。図２は本発明の第２実施例を示す光半導体装置の要
部断面図である。この実施例は、上記した第１実施例の
集光用レンズ１６を一体形成した裏面入射型のＰＩＮ−
ＰＤ１５に代えて、レンズ３２を一体形成したＬＥＤや
面発光レーザを用いた発光装置３１を設けるようにした
ものであり、その他の部分は第１実施例と同様であり、
その説明は省略する。
【００１９】このように構成したので、発光装置３１か
ら照射される光は、レンズ３２を通して、光ファイバ１
７の斜め研磨した端面１８で反射されて、Ｖ溝１２に固
定された光ファイバ１７によって伝搬される。したがっ
て、レンズを一体成型した発光装置からの照射光を光フ
ァイバに入射することができ、その場合、個別のレンズ
が不要で良好な光結合が得られる。
ら照射される光は、レンズ３２を通して、光ファイバ１
７の斜め研磨した端面１８で反射されて、Ｖ溝１２に固
定された光ファイバ１７によって伝搬される。したがっ
て、レンズを一体成型した発光装置からの照射光を光フ
ァイバに入射することができ、その場合、個別のレンズ
が不要で良好な光結合が得られる。
【００２０】更に、本発明は以下のような利用形態を有
する。上記第１実施例においては、受光素子として単体
のＰＩＮ−ＰＤに適用した例について説明したが、単体
のＰＩＮ−ＰＤの代わりに、アレイＰＤを用い、シリコ
ン基板上に多数のＶ溝と貫通穴を形成し、多数本の光フ
ァイバを一括で固定するアレイＰＤ装置にも適用可能で
ある。
する。上記第１実施例においては、受光素子として単体
のＰＩＮ−ＰＤに適用した例について説明したが、単体
のＰＩＮ−ＰＤの代わりに、アレイＰＤを用い、シリコ
ン基板上に多数のＶ溝と貫通穴を形成し、多数本の光フ
ァイバを一括で固定するアレイＰＤ装置にも適用可能で
ある。
【００２１】また、上記第２実施例に示した単体の発光
装置の代わりに、アレイ化した発光装置にも適用可能で
ある。なお、本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であ
り、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
装置の代わりに、アレイ化した発光装置にも適用可能で
ある。なお、本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であ
り、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 〔Ａ〕請求項１記載の発明によれば、 （１）光ファイバがＶ溝に固定され、貫通穴を通してＰ
ＩＮ−ＰＤに光を入射させるので、光ファイバの位置調
整が容易で、固定後の位置ずれが生じることなく、高い
信頼性が得られる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 〔Ａ〕請求項１記載の発明によれば、 （１）光ファイバがＶ溝に固定され、貫通穴を通してＰ
ＩＮ−ＰＤに光を入射させるので、光ファイバの位置調
整が容易で、固定後の位置ずれが生じることなく、高い
信頼性が得られる。
【００２３】（２）斜め研磨した端面を有する光ファイ
バを使用し、光軸を曲げ、そしてシリコン基板上にすべ
ての部品を固定しているので、薄型化が可能である。 （３）ホトリソグラフィ技術を用いて、シリコン基板に
Ｖ溝及び貫通穴を形成することができるので、量産性に
優れている。 （４）集光用レンズを一体形成した裏面入射型のＰＩＮ
−ＰＤを使用しているので、個別のレンズが不要で良好
な光結合が得られる。
バを使用し、光軸を曲げ、そしてシリコン基板上にすべ
ての部品を固定しているので、薄型化が可能である。 （３）ホトリソグラフィ技術を用いて、シリコン基板に
Ｖ溝及び貫通穴を形成することができるので、量産性に
優れている。 （４）集光用レンズを一体形成した裏面入射型のＰＩＮ
−ＰＤを使用しているので、個別のレンズが不要で良好
な光結合が得られる。
【００２４】〔Ｂ〕請求項２記載の発明によれば、上記
（Ａ）記載の（１）〜（３）の効果に加えて、レンズを
一体形成した発光装置からの照射光を光ファイバに入射
することができ、その場合、個別のレンズが不要で良好
な光結合が得られる。
（Ａ）記載の（１）〜（３）の効果に加えて、レンズを
一体形成した発光装置からの照射光を光ファイバに入射
することができ、その場合、個別のレンズが不要で良好
な光結合が得られる。
【図１】本発明の第１実施例を示す光半導体装置の構成
図である。
図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す光半導体装置の要部
断面図である。
断面図である。
【図３】従来の光半導体装置の構成図である。
１１ シリコン基板 １２ Ｖ溝 １３ 貫通穴 １３−１ 大径開口部 １３−２ 小径開口部 １３Ａ 側面 １４ 押さえ板 １５ ＰＩＮ−ＰＤ １５Ａ 受光面 １６ 集光用レンズ １７ 光ファイバ １８ 斜め研磨した端面 １９ ワイヤ ２０，２１ 配線用電極 ３１ 発光装置 ３２ レンズ
Claims (2)
- 【請求項１】（ａ）異方性エッチングにより正方形の大
径開口部と小径開口部とこれらの開口部間に形成される
結晶方位により定まる一定の角度を持つ側面を有する貫
通穴と該貫通穴に連通するＶ溝が形成されるシリコン基
板と、（ｂ）前記貫通穴の小径開口部に固定される集光
用レンズを一体形成した裏面入射型ＰＩＮ−ＰＤと、
（ｃ）斜め研磨した端面を有する光ファイバを前記Ｖ溝
に敷設し、前記斜め研磨した端面を前記集光用レンズに
対向させるように、前記光ファイバを前記Ｖ溝に固定す
るようにしたことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】（ａ）異方性エッチングにより正方形の大
径開口部と小径開口部とこれらの開口部間を形成される
結晶方位により定まる一定の角度を持つ側面を有する貫
通穴と該貫通穴に連通するＶ溝が形成されるシリコン基
板と、（ｂ）前記貫通穴の小径開口部に固定されるレン
ズを一体形成した発光装置と、（ｃ）斜め研磨した端面
を有する光ファイバを前記Ｖ溝に敷設し、前記斜め研磨
した端面を前記レンズに対向させるように、前記光ファ
イバを前記Ｖ溝に固定するようにしたことを特徴とする
光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7249248A JPH0990177A (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7249248A JPH0990177A (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0990177A true JPH0990177A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17190138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7249248A Withdrawn JPH0990177A (ja) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0990177A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999032913A1 (fr) * | 1997-12-22 | 1999-07-01 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Plaquette optique et son procede de fabrication |
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| US7336905B2 (en) | 2004-02-04 | 2008-02-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bidirectional optical transceiver |
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| US9592578B2 (en) | 2012-09-28 | 2017-03-14 | Ccs Technology, Inc. | Method of manufacturing an assembly to couple an optical fiber to an opto-electronic component |
-
1995
- 1995-09-27 JP JP7249248A patent/JPH0990177A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
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