JPS6329429B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6329429B2 JPS6329429B2 JP19185282A JP19185282A JPS6329429B2 JP S6329429 B2 JPS6329429 B2 JP S6329429B2 JP 19185282 A JP19185282 A JP 19185282A JP 19185282 A JP19185282 A JP 19185282A JP S6329429 B2 JPS6329429 B2 JP S6329429B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- integrated circuit
- optical
- circuit board
- optical integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/43—Arrangements comprising a plurality of opto-electronic elements and associated optical interconnections
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は、受光素子と発光素子を具備せる光集
積回路基板の実施方法に係り、特に低損失、低ク
ロストークの平面構造実装に利用して好適な光ガ
イド基板と光集積回路基板の組立て方法に関す
る。
積回路基板の実施方法に係り、特に低損失、低ク
ロストークの平面構造実装に利用して好適な光ガ
イド基板と光集積回路基板の組立て方法に関す
る。
(b) 技術の背景
光集積回路には、光入力部に光信号を電気信号
に変換する機能があり、光出力部に電気信号を光
信号に変換する機能がある。高速信号伝送のため
には、微弱な光入力信号を効率よく受光するため
に、受光部の入力容量をなるべく小さくする必要
があり、たとえばPINダイオードなどの受光口径
を約100μｍφ以下とする必要がある。そしてこ
のような微小受口径に光を有効に結合させる手段
の開発が望まれていた。このため近年受光素子と
発光素子をGaAs基板を使つて一体化した光集積
回路が開発されるに至り、前述の結合手段と共
に、クロストークの改善や一体的な平面構造の形
成方法も併せ開発が望まれていた。
に変換する機能があり、光出力部に電気信号を光
信号に変換する機能がある。高速信号伝送のため
には、微弱な光入力信号を効率よく受光するため
に、受光部の入力容量をなるべく小さくする必要
があり、たとえばPINダイオードなどの受光口径
を約100μｍφ以下とする必要がある。そしてこ
のような微小受口径に光を有効に結合させる手段
の開発が望まれていた。このため近年受光素子と
発光素子をGaAs基板を使つて一体化した光集積
回路が開発されるに至り、前述の結合手段と共
に、クロストークの改善や一体的な平面構造の形
成方法も併せ開発が望まれていた。
(c) 発明の目的
本発明は上記技術の背景に鑑み、光集積回路基
板と入出力光ガイド基板の間に反射ミラーとマイ
クロレンズを介在させることにより、平面構造の
実装を可能とし、併せて光の結合効率及びクロス
トーク特性の改善を目的とする。
板と入出力光ガイド基板の間に反射ミラーとマイ
クロレンズを介在させることにより、平面構造の
実装を可能とし、併せて光の結合効率及びクロス
トーク特性の改善を目的とする。
(d) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、基板上部の
一端面側からの入光を検知する受光素子と、基板
側部の一側面側に出光するための発光素子を備え
た光集積回路基板の周囲には電極パターン形成部
を有する電極配線用基板が設けられ、該光集積回
路基板と電極配線用基板とで一つの面を構成し、
該光集積回路基板の該発光素子に対応する該電極
配線用基板の端面には出光を上部へ直角に反射す
る反射ミラーを形成し、該受光素子に光を入射す
るための光ガイド及び該発光素子からの光をガイ
ドする光ガイドは同一平面上に設けられ、該光ガ
イドの各端部に、光路を直角に屈折する反射ミラ
ーを設け、該受光素子の入光部と該発光素子の光
出射部に対応する前記光ガイドの該反射ミラーの
光路上にはマイクロレンズを設け、該光集積回路
基板の光路と該光ガイドの光路とを対応せしめ、
該光集積回路基板と該光ガイドを平面構造に組立
てることにより達成される。
一端面側からの入光を検知する受光素子と、基板
側部の一側面側に出光するための発光素子を備え
た光集積回路基板の周囲には電極パターン形成部
を有する電極配線用基板が設けられ、該光集積回
路基板と電極配線用基板とで一つの面を構成し、
該光集積回路基板の該発光素子に対応する該電極
配線用基板の端面には出光を上部へ直角に反射す
る反射ミラーを形成し、該受光素子に光を入射す
るための光ガイド及び該発光素子からの光をガイ
ドする光ガイドは同一平面上に設けられ、該光ガ
イドの各端部に、光路を直角に屈折する反射ミラ
ーを設け、該受光素子の入光部と該発光素子の光
出射部に対応する前記光ガイドの該反射ミラーの
光路上にはマイクロレンズを設け、該光集積回路
基板の光路と該光ガイドの光路とを対応せしめ、
該光集積回路基板と該光ガイドを平面構造に組立
てることにより達成される。
(e) 発明の実施例
以下本発明の一実施例を図面によつて詳述す
る。
る。
第１図は本発明による光集積回路実装方法のＸ
−X′要部断面図、第２図は光ガイド基板の平面
図、第３図は光集積回路基板と電極配線用セラミ
ツク基板の平面図を示す。
−X′要部断面図、第２図は光ガイド基板の平面
図、第３図は光集積回路基板と電極配線用セラミ
ツク基板の平面図を示す。
図において、１は受光素子、２は発光素子、３
は光集積回路基板、４は放熱用ヒートシンク、５
は電極配線用セラミツク基板、６は電極パターン
形成部、７は光ガイド基板、７Ａ，７Ｂは光ガイ
ド、９Ａと９Ｂ及び９Ｃは反射ミラー、１０Ａと
１０Ｂはマイクロレンズ、１１は窓を示す。
は光集積回路基板、４は放熱用ヒートシンク、５
は電極配線用セラミツク基板、６は電極パターン
形成部、７は光ガイド基板、７Ａ，７Ｂは光ガイ
ド、９Ａと９Ｂ及び９Ｃは反射ミラー、１０Ａと
１０Ｂはマイクロレンズ、１１は窓を示す。
第１図において、受光素子１（例えばPINダイ
オード）と発光素子２（例えばレーザダイオー
ド）とを有する光集積回路基板３はその裏面を放
熱用ヒートシンク４と接合し、更にその周囲は電
極配線用セラミツク基板５に形成された電極パタ
ーン形成部６（第３図に図示）と接続された構成
になつており、この構成の上部に光ガイド基板７
を一体的に平面構造に組立てる方法を説明する。
オード）と発光素子２（例えばレーザダイオー
ド）とを有する光集積回路基板３はその裏面を放
熱用ヒートシンク４と接合し、更にその周囲は電
極配線用セラミツク基板５に形成された電極パタ
ーン形成部６（第３図に図示）と接続された構成
になつており、この構成の上部に光ガイド基板７
を一体的に平面構造に組立てる方法を説明する。
すなわち、光ガイド７Ａ及び光ガイド７Ｂの端
部を45度に研磨して光路を直角に屈折する反射ミ
ラー９Ａ及び９Ｂをそれぞれ付設すると共に、受
光素子１の入光部には入光方向に集光するマイク
ロレンズ１０Ａを設ける。
部を45度に研磨して光路を直角に屈折する反射ミ
ラー９Ａ及び９Ｂをそれぞれ付設すると共に、受
光素子１の入光部には入光方向に集光するマイク
ロレンズ１０Ａを設ける。
このマイクロレンズは、最近に開発されたマイ
クロレンズアレイの製造方法により、光学ガラス
基板上に容易に作製できる開口数の大きい集光レ
ンズを、反射ミラー９Ａの光路上に付設したもの
である。
クロレンズアレイの製造方法により、光学ガラス
基板上に容易に作製できる開口数の大きい集光レ
ンズを、反射ミラー９Ａの光路上に付設したもの
である。
一方発光素子２の端面発光部には、その出光路
を直角に屈折する別の反射ミラー９Ｃを、出光面
に対応する電極配線用セラミツク基板５の端面
に、図示するように角度45度に研磨して付設し、
かつ反射ミラー9Cで直角に反射された光を集光
するマイクロレンズ１０Ｂを設ける。
を直角に屈折する別の反射ミラー９Ｃを、出光面
に対応する電極配線用セラミツク基板５の端面
に、図示するように角度45度に研磨して付設し、
かつ反射ミラー9Cで直角に反射された光を集光
するマイクロレンズ１０Ｂを設ける。
次に作用について説明する。光信号は第１図左
上側の光ガイド７Ａより矢印Ｐ方向に入光し、支
射ミラー９Ａで直角に屈折全反射し、マイクロレ
ンズ１０Ａで集光して、受光素子１の入光部に効
率よく受光せしめる。光集積回路基板の内で光信
号から電気信号に変換され、処理後更に電気信号
から光信号に変換して、発光素子２から矢印Ｑ方
向に端面発光する。この出光路に対面する反射ミ
ラー９Ｃによつて直角に屈折され、その全反射光
をマイクロレンズ１０Ｂにて出光方向に集光し、
反射ミラー９Ｂにて更に直角に全反射し、光ガイ
ド基板７Ｂの光ガイド７Ｂを矢印Ｒ方向に出光す
る。
上側の光ガイド７Ａより矢印Ｐ方向に入光し、支
射ミラー９Ａで直角に屈折全反射し、マイクロレ
ンズ１０Ａで集光して、受光素子１の入光部に効
率よく受光せしめる。光集積回路基板の内で光信
号から電気信号に変換され、処理後更に電気信号
から光信号に変換して、発光素子２から矢印Ｑ方
向に端面発光する。この出光路に対面する反射ミ
ラー９Ｃによつて直角に屈折され、その全反射光
をマイクロレンズ１０Ｂにて出光方向に集光し、
反射ミラー９Ｂにて更に直角に全反射し、光ガイ
ド基板７Ｂの光ガイド７Ｂを矢印Ｒ方向に出光す
る。
第２図は光ガイド基板７の平面図であつて、基
板の長手方向に本実施例では２本の光ガイドが埋
設されており、光集積回路基板３の上面に対面す
る部分は、長方形の窓１１を穿設して窓１１の長
手方向の両端面を、第１図に示すように角度45度
に研磨し、この研磨面に入光側の反射ミラー９Ａ
と出光側の反射ミラー９Ｂとが対設され、更にマ
イクロレンズ１０Ａ，１０Ｂが各反射ミラーの光
路に対応して２個づつ付設されている。
板の長手方向に本実施例では２本の光ガイドが埋
設されており、光集積回路基板３の上面に対面す
る部分は、長方形の窓１１を穿設して窓１１の長
手方向の両端面を、第１図に示すように角度45度
に研磨し、この研磨面に入光側の反射ミラー９Ａ
と出光側の反射ミラー９Ｂとが対設され、更にマ
イクロレンズ１０Ａ，１０Ｂが各反射ミラーの光
路に対応して２個づつ付設されている。
第３図は光集積回路基板３と電極配線用セラミ
ツク基板５の平面図で、図に示すように電極配線
用セラミツク基板５のほぼ中央部に、光集積回路
基板３を収容し得る長方形の孔を穿設し、光集積
回路基板３に装着された発光素子２の端面発光部
に対面する側の前記長方形の孔の端面を、第１図
に示すように45度に研磨し、この研磨面にミラー
9Cを付設している。又光集積回路基板３の両側
には電極パターン形成部６が形成された光集積回
路基板３の各入出力電極との間を接続する構造に
なつている。
ツク基板５の平面図で、図に示すように電極配線
用セラミツク基板５のほぼ中央部に、光集積回路
基板３を収容し得る長方形の孔を穿設し、光集積
回路基板３に装着された発光素子２の端面発光部
に対面する側の前記長方形の孔の端面を、第１図
に示すように45度に研磨し、この研磨面にミラー
9Cを付設している。又光集積回路基板３の両側
には電極パターン形成部６が形成された光集積回
路基板３の各入出力電極との間を接続する構造に
なつている。
以上の説明は２本の光路を有する光集積回路基
板３の実装方法について述べたが、本発明は２本
に限定されるものではなく、複数本の実装も容易
である。又入光部と発光部を具備する光集積回路
基板３について述べたが、どちらか片側だけ切離
して実装する場合も容易であることは言うまでも
ない。
板３の実装方法について述べたが、本発明は２本
に限定されるものではなく、複数本の実装も容易
である。又入光部と発光部を具備する光集積回路
基板３について述べたが、どちらか片側だけ切離
して実装する場合も容易であることは言うまでも
ない。
(f) 発明の効果
以上詳細に説明したように、本発明の光集積回
路実装方法によれば、平面構造の実装が容易であ
るため多層集積回路のモジール化が簡単であり、
かつマイクロレンズの開口度の大きいものの使用
が可能であるため、光の結合効率とクロストーク
特性が改善され、高速信号伝送の質の向上に寄与
すること大である。
路実装方法によれば、平面構造の実装が容易であ
るため多層集積回路のモジール化が簡単であり、
かつマイクロレンズの開口度の大きいものの使用
が可能であるため、光の結合効率とクロストーク
特性が改善され、高速信号伝送の質の向上に寄与
すること大である。
第１図は本発明による光集積回路実装方法の
−′要部断面図、第２図は光ガイド基板の平面
図、第３図は光集積回路基板と電極配線用セラミ
ツク基板の平面図を示す。 図において、１は受光素子、２は発光素子、３
は光集積回路基板、７Ａ，７Ｂは光ガイド、９Ａ
と９Ｂ及び９Ｃは反射ミラー、１０Ａと１０Ｂは
マイクロレンズを示す。
−′要部断面図、第２図は光ガイド基板の平面
図、第３図は光集積回路基板と電極配線用セラミ
ツク基板の平面図を示す。 図において、１は受光素子、２は発光素子、３
は光集積回路基板、７Ａ，７Ｂは光ガイド、９Ａ
と９Ｂ及び９Ｃは反射ミラー、１０Ａと１０Ｂは
マイクロレンズを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上部の一端面側からの入光を検知する受
光素子と、基板側部の一側面側に出光するための
発光素子を備えた光集積回路基板の周囲には電極
パターン形成部を有する電極配線用基板が設けら
れ、該光集積回路基板と電極配線用基板とで一つ
の面を構成し、 該光集積回路基板の該発光素子に対応する該電
極配線用基板の端面には出光を上部へ直角に反射
する反射ミラーを形成し、 該受光素子に光を入射するためのガイド及び該
発光素子からの光をガイドする光ガイドは同一平
面上に設けられ、該光ガイドの各端部に、光路を
直角に反射する反射ミラーを設け、 該受光素子の入光部と該発光素子の光出射部に
対応する前記光ガイドの該反射ミラーの光路上に
はマイクロレンズを設け、 該光集積回路基板の光路と該光ガイドの光路と
を対応せしめ、該光集積回路基板と該光ガイドと
を平面構造に組立てることを特徴とする光集積回
路実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57191852A JPS5982779A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 光集積回路実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57191852A JPS5982779A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 光集積回路実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5982779A JPS5982779A (ja) | 1984-05-12 |
| JPS6329429B2 true JPS6329429B2 (ja) | 1988-06-14 |
Family
ID=16281575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57191852A Granted JPS5982779A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 光集積回路実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5982779A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63182555U (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-24 | ||
| US4897711A (en) * | 1988-03-03 | 1990-01-30 | American Telephone And Telegraph Company | Subassembly for optoelectronic devices |
| DE3834335A1 (de) * | 1988-10-08 | 1990-04-12 | Telefunken Systemtechnik | Halbleiterschaltung |
| US5923451A (en) * | 1994-09-30 | 1999-07-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Means for connecting electronic devices for communication with one another |
| JP2007079283A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Sony Corp | 光集積回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53104188A (en) * | 1977-02-22 | 1978-09-11 | Western Electric Co | Photo coupler |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4893777U (ja) * | 1972-02-15 | 1973-11-09 | ||
| JPS48113366U (ja) * | 1972-03-31 | 1973-12-25 |
-
1982
- 1982-11-02 JP JP57191852A patent/JPS5982779A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53104188A (en) * | 1977-02-22 | 1978-09-11 | Western Electric Co | Photo coupler |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5982779A (ja) | 1984-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4012785B2 (ja) | 光接続装置 | |
| JP3987500B2 (ja) | 光配線基板および光配線基板の製造方法 | |
| US20050062056A1 (en) | Optoelectronic device packaging with hermetically sealed cavity and integrated optical element | |
| US6097521A (en) | Optoelectronic module for bidirectional optical data transmission | |
| US20020094176A1 (en) | Optical subassembly | |
| TW200540481A (en) | Light transmitting and receiving module | |
| JPH07146424A (ja) | 光電子サブモジュールおよびその製造方法 | |
| JP6115067B2 (ja) | 光モジュール | |
| KR100871252B1 (ko) | 광섬유를 이용한 광/전기 배선을 갖는 연성 인쇄회로기판 | |
| US10048458B2 (en) | Optical module | |
| JPH04308804A (ja) | 光モジュール | |
| US20050084217A1 (en) | Optical module capable of transmitting optical signal in bi-directional with single fiber | |
| USRE38280E1 (en) | Optoelectronic module for bidirectional optical data transmission | |
| JPS6329429B2 (ja) | ||
| JPH0990177A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP4506216B2 (ja) | 光結合装置及びその製造方法 | |
| JPH04241477A (ja) | 半導体デバイス用サブマウントおよび半導体光デバイスモジュール | |
| US20030123814A1 (en) | Optical subassembly | |
| JP2007114583A (ja) | 光素子モジュール、光電気配線基板、および光電子複合組立体 | |
| TWI504953B (zh) | 光纖連接器 | |
| JP3295327B2 (ja) | 双方向光モジュール | |
| JP2005284167A (ja) | 光通信モジュール | |
| JP2001174657A (ja) | 光配線層、光・電気配線基板及び実装基板 | |
| JP2006084890A (ja) | 光接続装置 | |
| JPH11160585A (ja) | 光素子実装基板及びそれを用いた光モジュール |