JPS6317584A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6317584A
JPS6317584A JP16141086A JP16141086A JPS6317584A JP S6317584 A JPS6317584 A JP S6317584A JP 16141086 A JP16141086 A JP 16141086A JP 16141086 A JP16141086 A JP 16141086A JP S6317584 A JPS6317584 A JP S6317584A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser diode
receiving element
light
semiconductor device
light receiving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16141086A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuya Ueda
哲也 上田
Hideya Yagoura
御秡如 英也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS6317584A publication Critical patent/JPS6317584A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、モニター用受光素子とレーザダイオードと
を内蔵した半導体装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第3図(a) 、 (b) 、 (e)は、従来の半導
体装fを示す図で、同図(、)は一部破断斜視図、同図
(b) 、 (e)は正面から見た平面図、側面から見
た平面図である。
図において、1はレーザダイオードであり、このレーザ
ダイオード1は放熱性の金属ブロック2上にサブマウン
ト3を介して取り付けられ、さらにこのブロック2はス
テム4上に取付けられている。
5はレーザダイオード1の出力をモニタする受光素子で
ある。このレーザダイオード1および受光素子5は導線
6m、6bを介してステム4に設けられたリードピン7
に接続され、このステム4上には頂部にガラス窓8を有
するキャップ9が被せられている。
次に動作について説明する。レーザダイオード1は同図
(0に太線で示すように上下方向にレーザ光10m 、
 10bを放出し、その一方のレーザ光10bの出力を
出力方向に対しちる角度で交わる面に取り付けられた受
光素子5で検出し々から、レーザダイオード1の出力を
調整する。レーザダイオード1は動作時の発熱によう動
作が不安定となるので、放熱を良くするために熱伝導の
良い金属で形成されるブロック2に両者の熱膨張の差が
直接レーザダイオード1に作用しないように一般にシリ
コンで作られているサブマウント3を介して取付けられ
ている。したがって第3図に示したような構造の半導体
装置を裏作する場合、キャップ9を取付ける前までの工
程でステム4上に受光素子5をダイボンドし、導線6b
をワイヤボンドする工程と、ブロック2上にサブマウン
ト3.レーザダイオード1をダイボンドし、そのブロッ
ク2全体をステム4上にボンディングした後、導線6a
をワイヤボンドする工程とがあり、画素子でダイボンド
、ワイヤポンド工程が別々に行なわれ、2回ずつ行なっ
ていることになる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体装置は1以上の様に構成されているので、
レーザダイオード1と受光素子5とをダイボンド、ワイ
ヤボンドする工程がそれぞれの素子で別々に必要である
。また、同一の装置を用いて同時にそれぞれの工程を行
なう場合、装置の構造が複雑となシ、生産性を低下させ
、製造コストが高くなるなどの問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、レーザダイオードと受光素子とのグイボンド
、ワイヤボンド工程を行ない易くし、生産性を向上させ
、コストダウンを可能とした半導体装置を提供すること
を目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、レーザダイオードの出力
方向と、受光素子の受光面とを平行な配置とし、レーザ
ダイオードの出力を反射板を用いて受光素子の受光面に
当てるようにしたもので、画素子を同一平面上に配置で
きるようにしたものである。
〔作用〕
この発明における半導体装置は、垂直に交わっているレ
ーザダイオードの出力方向と、受光素子の受光方向との
間に複数の反射板を設けることによシ、レーザダイオー
ドと受光素子とを同一平面上に配置でき、ダイポンド、
ワイヤポンド工程がそれぞれ画素子で同時に行なうこと
ができるため、生産性が向上し、コストが低減される。
〔実施例〕
以下1図面を用いてこの発明の詳細な説明する。
第1図はこの発明による半導体装置の一実施例を示す図
で、同図(1)は斜視図、同図(1))はその平面図、
同図(e)は側面から見た平面図であシ、前述の図と同
一部分には同一符号を付し′Cある。同図において、1
1は表面に配線用パターン12が形成された基板であシ
、この基板11上にはレーザダイオード1.受光素子5
および第1の反射板12mが取付けられておシ、レーザ
ダイオード1および受光素子5はそれぞれ導線61L 
、 5bを介して対応する配線パターン12に電気的に
接続され、第1の反射板13mはレーザダイオード1と
受光素子5との間に光路を形成するように配置されてい
る。
また、この基板11上にはキャップ9が被せられてパッ
ケージ化されておシ、このキャップ9の内面には第1の
反射板13&と受光素子5との間に光路を形成する第2
の反射板13bが取付けられておシ、レーザダイオード
1から出力された一方のレーザ410bは、同図(−)
に太線で示すように第1の反射板13mおよび第2の反
射板13bで順次反射されて受光素子5に到達する。ま
た他方のレーザ光101は外部へ出力され、各種部材の
処理、加工等に使用される。
次に動作について説明する。レーザダイオード1から出
力されるレーザ光10m 、 10bのうチ一方のレー
ザ光10bを1反射板13m 、 13bによって向き
を変え、レーザダイオード1と同一の面に取9付けられ
た受光素子5の受光面に当たるようにすることで、レー
ザダイオード1の出力をモニタし、その出力の調整を行
なうことができる。
なお、上記実施例では、2枚の反射板を用い。
1枚を基板11上に、他の1枚をキャップ9の内面に設
けた場合について説明したが、反射板の数は複数枚であ
れば特に限定されない。また、他の1枚をキャップ9の
内面に設ける方法は、反射板を貼り付けても良く、もし
くはキャップ9の内面を鏡面にしても良く、その方法は
いずれでも良い。
また、上記実施例では、基板11上に反射板13mを取
9つけた場合について示したが、レーザダイオード1お
よび受光素子5をフレーム上に取υ付け、反射板13m
 、 13b t−フレームの一部を折り曲げて形成し
ても良い。第2図は本発明の他の実施例としてフレーム
上にレーザダイオード1および受光素子5を取シ付けた
場合の一実施例について示したものであり、同図(、)
は組立前のフレームの平面図を、同図(b)は組立後の
斜視図をそれぞれ示したものである。同図において、1
4はフレーム、15はパッケージ化した時のリード(外
部接続端子)、16はレーザダイオード1の取り付は位
置、17は受光素子5の取p付i位置、”18m。
18bはフレーム14の一部を折り曲げることによって
反射板が形成される。このような構成においても前述し
た実施例と全く同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明によれば、レーザダイオー
ドの出力方向を、反射板を用いて変えることで受光素子
をレーザダイオードと同一平面上に配置できるように構
成したので、ダイボンド。
ワイヤボンドの工程が半分になり、生産性向上。
コ艮トダウンができるという効果がちる。
また、フレームの一部を折シ曲げる、ことにより。
反射板を構成した場合1部品点数が減り、材料費が低減
できるなどの極めて優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a) 、 (b) 、 (c)はこの発明の一
実施例による半導体装置を示す図、第2図(a) 、 
(b)はこの発明の他の実施例を示す図、第3図(a)
 、 (b) 、 (e)は従来の半導体装置を示す図
である。 1・會・・レーザダイオード、2・・・・ブロック、3
・・・・サブマウント、4・・・・ステム、5・・・・
受光素子、6m、6b・・・・導線。 9 a @ @ @キャップ、10a、10bII・・
・レーザ光、11・・・・基板、12・・・・配線ノく
ターン、13m・・・・第1の反射板、13b・・・φ
第2の反射L 14・・・・フレーム、15・・・・リ
ード(外部接続端子)、16・・・拳ダイオード取り付
は位置、17・・・・受光素子取り付は位置、1aa 
、 18b・・・・反射板形成位置。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レーザダイオードおよび受光素子を同一平面上に
    配置するとともに、このレーザダイオードと受光素子と
    の間に複数の反射板を設けたことを特徴とする半導体装
    置。
  2. (2)前記反射板を同一基板もしくはフレーム上に直接
    配置したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    半導体装置。
  3. (3)前記反射板をフレームの一部を折り曲げて形成し
    たことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体
    装置。
  4. (4)前記反射板の少なくとも一枚をパッケージの内面
    に設けたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    半導体装置。
JP16141086A 1986-07-09 1986-07-09 半導体装置 Pending JPS6317584A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16141086A JPS6317584A (ja) 1986-07-09 1986-07-09 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16141086A JPS6317584A (ja) 1986-07-09 1986-07-09 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6317584A true JPS6317584A (ja) 1988-01-25

Family

ID=15734563

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16141086A Pending JPS6317584A (ja) 1986-07-09 1986-07-09 半導体装置

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JP (1) JPS6317584A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02500235A (ja) * 1987-06-01 1990-01-25 ビー・テイ・アンド デイー テクノロジイーズ・リミテッド 光デバイス

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02500235A (ja) * 1987-06-01 1990-01-25 ビー・テイ・アンド デイー テクノロジイーズ・リミテッド 光デバイス

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