JPH0286184A - 光電子装置 - Google Patents
光電子装置Info
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- JPH0286184A JPH0286184A JP23645788A JP23645788A JPH0286184A JP H0286184 A JPH0286184 A JP H0286184A JP 23645788 A JP23645788 A JP 23645788A JP 23645788 A JP23645788 A JP 23645788A JP H0286184 A JPH0286184 A JP H0286184A
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- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 23
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 abstract description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光電子装置に係り、特にワイヤボンディングに
より、光素子とピンリードを接続するものに適用して有
効な技術である。
より、光素子とピンリードを接続するものに適用して有
効な技術である。
従来の光電子装置のボンディング構造としては、ピンリ
ードの先端をつぶして平坦化し、光素子のボンディング
面と平行な面として、ワイヤボンディングを行なおうと
するものである。
ードの先端をつぶして平坦化し、光素子のボンディング
面と平行な面として、ワイヤボンディングを行なおうと
するものである。
なお、従来技術の構造を開示しているものとして実開昭
６１−７２８７１号公報がある。
６１−７２８７１号公報がある。
しかし、従来の技術においてはピンリード先端をつぶし
て平坦化するため、先端が薄板状となり、ワイヤボンデ
ィング時、先端部にたわみ等が発生し、ボンディング強
度が不十分となることが多かった口 更に１つのチップ内に複数の発光部を有する光電子装置
（光パッケージ）あるいは、１つの光パッケージ内に複
数のレーザダイオードチップを有する光電子装置につい
ては、ピンリードの先端をつぶし平坦化したものを複数
本必要とするため、ボンディングエリアや本数が制限さ
れるという課題があった。
て平坦化するため、先端が薄板状となり、ワイヤボンデ
ィング時、先端部にたわみ等が発生し、ボンディング強
度が不十分となることが多かった口 更に１つのチップ内に複数の発光部を有する光電子装置
（光パッケージ）あるいは、１つの光パッケージ内に複
数のレーザダイオードチップを有する光電子装置につい
ては、ピンリードの先端をつぶし平坦化したものを複数
本必要とするため、ボンディングエリアや本数が制限さ
れるという課題があった。
本発明の目的は、充分なボンディング強度を有し、また
複数の発光部を有する光素子に対応できる光電子装置を
提供することにある。
複数の発光部を有する光素子に対応できる光電子装置を
提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば次の通りである。
を説明すれば次の通りである。
すなわち、光素子が搭載されるステムに光素子のワイヤ
ボンディング面と外部ピンリードのボンディング面と平
行な面を有する絶縁材を設け、前記絶縁材の表面に延在
するよ５に導電層を形成し、それぞれ平行となった導電
層と光素子およびピンリードをワイヤにて接続しようと
するものである。
ボンディング面と外部ピンリードのボンディング面と平
行な面を有する絶縁材を設け、前記絶縁材の表面に延在
するよ５に導電層を形成し、それぞれ平行となった導電
層と光素子およびピンリードをワイヤにて接続しようと
するものである。
上記した手段によれば、光素子のワイヤボンディング面
と平行な面と外部ピンリードのワイヤボンディング面と
平行な面を有し、ワイヤボンディング時にもたわみを起
さない十分な厚みをもった絶縁材の前記表面に渡って形
成された導電層を光素子とピンリードの電気的接続の中
継として使用しているため、光素子と外部ピンリードと
を電気的に接続するためのワイヤボンディングを、充分
なワイヤボンディング強度を持って行なうことが可能で
ある。
と平行な面と外部ピンリードのワイヤボンディング面と
平行な面を有し、ワイヤボンディング時にもたわみを起
さない十分な厚みをもった絶縁材の前記表面に渡って形
成された導電層を光素子とピンリードの電気的接続の中
継として使用しているため、光素子と外部ピンリードと
を電気的に接続するためのワイヤボンディングを、充分
なワイヤボンディング強度を持って行なうことが可能で
ある。
〔実施例１〕
第１図は本発明の要部構造を示す図であり、第７図は第
１図に示したものに窓付のキャップを取付けた光電子装
置の外観を示している。
１図に示したものに窓付のキャップを取付けた光電子装
置の外観を示している。
以下、本発明の一実施例を第１図に基づき説明する。
第１図は本発明の要部であり、ステム３上の所定位置に
ヒートシンク７が設けられ、その側面にレーザーダイオ
ード１が取り付けられている。ステム３には外部ピンリ
ード９ａ、９ｂ、９ｃがガラス１２によりステムが絶縁
された状態で取り付けられている。外部ピンリード９ａ
、９ｃは各々のステム２上に突出する端部にボンディン
グ面１１を有している。ヒートシンク７の隣には、接し
てアルミナｅ Ｓ ｉ Ｃ、Ｚｒ０１ ｅ ５ｊｓＮ＋
等のセラミックスからなる長方体の絶縁材４が投げら
れており、絶縁体４の上面と側面には、前記両面に延在
するようにメタライズにより金層が形成されている。こ
の絶縁体の上面は外部ピンリード９ａのボンディング面
１１とほぼ同じ平行面に形成されており、側面はレーザ
ーダイオードとほぼ同じ平行面に形成されている。レー
ザーダイオード１は、絶縁体６上に形成された金層５の
うち、レーザーダイオード１とほぼ同じ平行面に形成さ
れた金層５ａの方に接続されている。本発明の光電子装
置は、以上述べてきた要部を有するステム３にレーザー
ダイオード１を覆５ように第１図では図示しないレーザ
ー光透過用窓付キャップを取り付けたものである。本発
明における光電子装置の製造方法について説明する。ス
テム３の所定位置にガラスおよび溶接で外部ピンリード
９ ａ ＋ ９ ｂ ＋ ９ ｃを取りつけたものを用
意し、そのステム３にヒートシンク４と絶縁体６を銀ろ
う材により取り付ける。次にレーザー光モニター用のホ
トダイオード２をステム３上に、半田材等で取り付、ヒ
ートシンク４側面にレーザーダイオード１を同じく銀ペ
ースト、手出等を使用し取り付ける。この後ホトダイオ
ード２と外部ピンリード９ｃとをワイヤボンディングに
より接続し、絶縁材６上に形成された金層５ｂと外部ピ
ンリードもまたワイヤボンディングにより接続する。次
に絶縁体上の金／１ｉ５ａとレーザーダイオード１をワ
イヤボンディングにより接続するためにステム３を傾け
、金層５ａとレーザーダイオード１を前のワイヤボンデ
ィング工程が行われた面と同じ面に向け、ワイヤボンデ
ィングを行う。そして最後にこのレーザーダイオード及
びその周辺に存在するステム上の部分を囲むようにキャ
ップをウェルト溶接でステムに取付け、本発明の光電子
装置を完成する。尚、本実施例ではレーザー光検出用の
フォトダイオードな取り付けなくてもかまわない。
ヒートシンク７が設けられ、その側面にレーザーダイオ
ード１が取り付けられている。ステム３には外部ピンリ
ード９ａ、９ｂ、９ｃがガラス１２によりステムが絶縁
された状態で取り付けられている。外部ピンリード９ａ
、９ｃは各々のステム２上に突出する端部にボンディン
グ面１１を有している。ヒートシンク７の隣には、接し
てアルミナｅ Ｓ ｉ Ｃ、Ｚｒ０１ ｅ ５ｊｓＮ＋
等のセラミックスからなる長方体の絶縁材４が投げら
れており、絶縁体４の上面と側面には、前記両面に延在
するようにメタライズにより金層が形成されている。こ
の絶縁体の上面は外部ピンリード９ａのボンディング面
１１とほぼ同じ平行面に形成されており、側面はレーザ
ーダイオードとほぼ同じ平行面に形成されている。レー
ザーダイオード１は、絶縁体６上に形成された金層５の
うち、レーザーダイオード１とほぼ同じ平行面に形成さ
れた金層５ａの方に接続されている。本発明の光電子装
置は、以上述べてきた要部を有するステム３にレーザー
ダイオード１を覆５ように第１図では図示しないレーザ
ー光透過用窓付キャップを取り付けたものである。本発
明における光電子装置の製造方法について説明する。ス
テム３の所定位置にガラスおよび溶接で外部ピンリード
９ ａ ＋ ９ ｂ ＋ ９ ｃを取りつけたものを用
意し、そのステム３にヒートシンク４と絶縁体６を銀ろ
う材により取り付ける。次にレーザー光モニター用のホ
トダイオード２をステム３上に、半田材等で取り付、ヒ
ートシンク４側面にレーザーダイオード１を同じく銀ペ
ースト、手出等を使用し取り付ける。この後ホトダイオ
ード２と外部ピンリード９ｃとをワイヤボンディングに
より接続し、絶縁材６上に形成された金層５ｂと外部ピ
ンリードもまたワイヤボンディングにより接続する。次
に絶縁体上の金／１ｉ５ａとレーザーダイオード１をワ
イヤボンディングにより接続するためにステム３を傾け
、金層５ａとレーザーダイオード１を前のワイヤボンデ
ィング工程が行われた面と同じ面に向け、ワイヤボンデ
ィングを行う。そして最後にこのレーザーダイオード及
びその周辺に存在するステム上の部分を囲むようにキャ
ップをウェルト溶接でステムに取付け、本発明の光電子
装置を完成する。尚、本実施例ではレーザー光検出用の
フォトダイオードな取り付けなくてもかまわない。
不実施例によれば、長方体形状の絶縁体６の直角に交わ
る面に渡って形成した金層５に、前記面それぞれに平行
に形成された外部ピンリード９ａのボンディング面とレ
ーザーダイオード１のボンディング面をワイヤにより接
続するためにたわみ等が発生せず良好なワイヤの接続強
度を有する光電子装置を得ることができる。
る面に渡って形成した金層５に、前記面それぞれに平行
に形成された外部ピンリード９ａのボンディング面とレ
ーザーダイオード１のボンディング面をワイヤにより接
続するためにたわみ等が発生せず良好なワイヤの接続強
度を有する光電子装置を得ることができる。
〔実施例２〕
第２図は、本発明の他の実施例の図である。
この実施例は、多ビームのレーザーダイオードに対応す
べく、レーザーダイオードのボンディング部を複数とし
、それに伴い外部ピンリードを複数有したものである。
べく、レーザーダイオードのボンディング部を複数とし
、それに伴い外部ピンリードを複数有したものである。
本実施例では、複数に増加したボンディング部に対応す
るために、ヒートシンク７０両側に絶縁体６を有すると
とも罠、前記絶縁体６上には複数の金層５が形成されて
いる。
るために、ヒートシンク７０両側に絶縁体６を有すると
とも罠、前記絶縁体６上には複数の金層５が形成されて
いる。
その他の構成は、第１図に示した実施例と同様である。
本実施例によれば、多ビーム化したレーザーダイオード
に対応した複数の外部ピンリードを有するもので良好な
ワイヤの接続強度を有する光電子装置を得ることができ
る。
に対応した複数の外部ピンリードを有するもので良好な
ワイヤの接続強度を有する光電子装置を得ることができ
る。
〔実施例３〕
第５図は第３図に示す金層５を形成した絶縁材６ｂを使
用した実施例の図である。
用した実施例の図である。
本実施例によれば、絶縁材６ｂの端部まで表面に形成し
た金層を絶縁体の端面に引き出すことにより、全てのワ
イヤ長を短かくしワイヤのたるみを防止することができ
るので、更にボンディング性の向上した光電子装置を得
ることができる。
た金層を絶縁体の端面に引き出すことにより、全てのワ
イヤ長を短かくしワイヤのたるみを防止することができ
るので、更にボンディング性の向上した光電子装置を得
ることができる。
〔実施例４〕
第６図は第４図に示す金層５を形成した絶縁材６ｃを使
用した実施例の図である。
用した実施例の図である。
本実施例によれば、絶縁材６Ｃの表面に形成した金層の
ボンディングエリアを多くの面積をとることができるの
で、小型化した場合でも、十分なボンディングエリアを
確保できボンディング性の良好な光電子装置を得ること
ができる。
ボンディングエリアを多くの面積をとることができるの
で、小型化した場合でも、十分なボンディングエリアを
確保できボンディング性の良好な光電子装置を得ること
ができる。
以上、本発明者によって成された発明を実施例に基づき
説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものでは
ないことは言うまでもなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更できる。例えばステムの形状は１円形、長方
形に限られるものではな（、多角形のものでも良い。ま
た、絶縁材は樹脂系の材料を用いてもかまわない。更に
、絶縁材上に形成するのは金層のみではなく、例えば銀
層またはアルミニウム層に変更することも可能である。
説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものでは
ないことは言うまでもなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更できる。例えばステムの形状は１円形、長方
形に限られるものではな（、多角形のものでも良い。ま
た、絶縁材は樹脂系の材料を用いてもかまわない。更に
、絶縁材上に形成するのは金層のみではなく、例えば銀
層またはアルミニウム層に変更することも可能である。
本発明によれば、光素子および外部ピンリードのボンデ
ィング面とほぼ平行に形成された面を有す絶縁材上の表
面に延在して形成された導電層を中継としてワイヤボン
ディングできるので、ボンディング強度の優れた光電子
装置を得ることができる。また多ビーム化に対応した多
ピンの光電子装置にも対応することができる。
ィング面とほぼ平行に形成された面を有す絶縁材上の表
面に延在して形成された導電層を中継としてワイヤボン
ディングできるので、ボンディング強度の優れた光電子
装置を得ることができる。また多ビーム化に対応した多
ピンの光電子装置にも対応することができる。
第１図は本発明の光電子装置の実施例の図で。
キャップ取り付前の斜視図、
第２図は本発明の光電子装置の他の実施例の図で、多ビ
ーム化に対応し多ビン化した、キャップ取り付は前の斜
視図、 第３図、第４図は本発明の光電子装置ｉｃ使用する絶縁
材の変形例、 第５図は、第３図に示した絶縁材を使用した本発明の光
電子装置の他の実施例の図でキャップ取付前の斜視図、 第６図は、第４図に示した絶縁材を使用した本発明の光
電子装置の他の実施例の図でキャップ取り付は前の斜視
図、 第７図は、キャップ封止した光電子装置の斜視図である
。 図中、 １１．レーザーダイオード、２・・・フォトダイオード
、３・・・ステム、４・・・レーザー光、５ ＋ ５ａ
、５ｂ・・金層、６・・・絶縁材、７・・・ヒートシン
ク、８・・・ボンディングワイヤ、９ａ、９ｂ、９ｃ・
・・ピンリード、１０・・・位置決め溝、１１・・・ボ
ンディング面、１２・・・サブマウント、１３・・・ピ
ンリード、１４・・・窓付キャップ、 ５・・・窓 である。
ーム化に対応し多ビン化した、キャップ取り付は前の斜
視図、 第３図、第４図は本発明の光電子装置ｉｃ使用する絶縁
材の変形例、 第５図は、第３図に示した絶縁材を使用した本発明の光
電子装置の他の実施例の図でキャップ取付前の斜視図、 第６図は、第４図に示した絶縁材を使用した本発明の光
電子装置の他の実施例の図でキャップ取り付は前の斜視
図、 第７図は、キャップ封止した光電子装置の斜視図である
。 図中、 １１．レーザーダイオード、２・・・フォトダイオード
、３・・・ステム、４・・・レーザー光、５ ＋ ５ａ
、５ｂ・・金層、６・・・絶縁材、７・・・ヒートシン
ク、８・・・ボンディングワイヤ、９ａ、９ｂ、９ｃ・
・・ピンリード、１０・・・位置決め溝、１１・・・ボ
ンディング面、１２・・・サブマウント、１３・・・ピ
ンリード、１４・・・窓付キャップ、 ５・・・窓 である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ステムと、ステムの上面に取り付けられたヒートシ
ンクと、前記ヒートシンクの近傍のステム上に取り付け
られ、その表面に導電層を有する絶縁材と、前記ヒート
シンクに取り付けられた光素子と、ピンリードからなり
、前記光素子に接続されたワイヤと、前記ピンリードに
接続されたワイヤが前記導電層を介して電気的に接続さ
れてなることを特徴とする光電子装置。 ２、上記導電層及び上記ピンリードが複数設けられてな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電子
装置。 ３、上記光電子装置の絶縁材が、アルミナ、ＳｉＣ、Ｚ
ｒＯ＿２、Ｓｉ＿３Ｎ＿４等のセラミックからなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23645788A JPH0286184A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 光電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23645788A JPH0286184A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 光電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0286184A true JPH0286184A (ja) | 1990-03-27 |
Family
ID=17001031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23645788A Pending JPH0286184A (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 光電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0286184A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0589524A2 (en) * | 1992-09-25 | 1994-03-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device and optoelectronic semiconductor element suitable for use in such a method |
| US5468683A (en) * | 1992-09-25 | 1995-11-21 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device having a single wire between non-parallel surfaces |
| US5504349A (en) * | 1993-08-13 | 1996-04-02 | Nec Corporation | Optoelectronic device |
| EP1267459A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-18 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Heatsinks for laser electronic packages |
| US6677184B2 (en) | 2000-02-07 | 2004-01-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser apparatus and method of producing the same |
| US6700911B2 (en) | 1999-12-01 | 2004-03-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device, fabricating method thereof and optical pickup employing the semiconductor laser device |
| JP2015088641A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール |
| CN105453353A (zh) * | 2013-05-13 | 2016-03-30 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 激光器件及其制造方法 |
| JP2018085422A (ja) * | 2016-11-22 | 2018-05-31 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
| JP2021044331A (ja) * | 2019-09-10 | 2021-03-18 | ＣＩＧ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｊａｐａｎ株式会社 | 光サブアッセンブリ及び光モジュール |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP23645788A patent/JPH0286184A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0589524A2 (en) * | 1992-09-25 | 1994-03-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device and optoelectronic semiconductor element suitable for use in such a method |
| EP0589524A3 (en) * | 1992-09-25 | 1994-04-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device and optoelectronic semiconductor element suitable for use in such a method |
| US5468683A (en) * | 1992-09-25 | 1995-11-21 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device having a single wire between non-parallel surfaces |
| US5504349A (en) * | 1993-08-13 | 1996-04-02 | Nec Corporation | Optoelectronic device |
| US6700911B2 (en) | 1999-12-01 | 2004-03-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device, fabricating method thereof and optical pickup employing the semiconductor laser device |
| US6972205B2 (en) | 1999-12-01 | 2005-12-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device, fabricating method thereof and optical pickup employing the semiconductor laser device |
| US6677184B2 (en) | 2000-02-07 | 2004-01-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser apparatus and method of producing the same |
| US6888865B2 (en) | 2000-02-07 | 2005-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser apparatus and method of producing the same |
| EP1267459A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-18 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Heatsinks for laser electronic packages |
| CN105453353A (zh) * | 2013-05-13 | 2016-03-30 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 激光器件及其制造方法 |
| DE112014002391B4 (de) | 2013-05-13 | 2022-09-15 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP2015088641A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール |
| JP2018085422A (ja) * | 2016-11-22 | 2018-05-31 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
| JP2021044331A (ja) * | 2019-09-10 | 2021-03-18 | ＣＩＧ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｊａｐａｎ株式会社 | 光サブアッセンブリ及び光モジュール |
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