JPH04324987A - 光半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
光半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH04324987A JPH04324987A JP3095226A JP9522691A JPH04324987A JP H04324987 A JPH04324987 A JP H04324987A JP 3095226 A JP3095226 A JP 3095226A JP 9522691 A JP9522691 A JP 9522691A JP H04324987 A JPH04324987 A JP H04324987A
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- bonded
- chip
- stem
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- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ステム上のマウントベ
ースに半導体レーザーチップを搭載した構成の光半導体
装置とその製造方法に関するものである。
ースに半導体レーザーチップを搭載した構成の光半導体
装置とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光半導体装置の製造手順とその構
造を図３と図４に示す。この方式では、リード４，９と
ステム１との絶縁結合を行なうシール部（ガラスによる
ハーメチックシール）１０を避ける為の切り欠き２１を
有するマウントベース（放熱特性を良くするためにＣｕ
を用いることが多い）２を、予めロー付け等で結合した
ステム１に、まずフォトダイオード１３をダイボンディ
ングし、ワイヤーボンディングを行ない、次に半導体レ
ーザーチップ５を別工程でダイボンディングしたヒート
シンク６をダイボンディングした後にワイヤーボンドす
るという方法で行なわれる。
造を図３と図４に示す。この方式では、リード４，９と
ステム１との絶縁結合を行なうシール部（ガラスによる
ハーメチックシール）１０を避ける為の切り欠き２１を
有するマウントベース（放熱特性を良くするためにＣｕ
を用いることが多い）２を、予めロー付け等で結合した
ステム１に、まずフォトダイオード１３をダイボンディ
ングし、ワイヤーボンディングを行ない、次に半導体レ
ーザーチップ５を別工程でダイボンディングしたヒート
シンク６をダイボンディングした後にワイヤーボンドす
るという方法で行なわれる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた方法ではマウントベース２部として切り欠き２１を
有する構造物を作る為に、まず機械加工でマウントベー
ス２を製作し、それをステム１にロー付けするので、製
造コストが高くなるという問題点があった。特に切り欠
きを有する構造物というのは、金型で簡単にできるもの
ではなく特殊加工が必要である。
べた方法ではマウントベース２部として切り欠き２１を
有する構造物を作る為に、まず機械加工でマウントベー
ス２を製作し、それをステム１にロー付けするので、製
造コストが高くなるという問題点があった。特に切り欠
きを有する構造物というのは、金型で簡単にできるもの
ではなく特殊加工が必要である。
【０００４】本発明は、以上述べた製造コストが高い、
しいては光半導体の製造コストが高いという問題点を除
去した優れた装置を提供することを目的とする。
しいては光半導体の製造コストが高いという問題点を除
去した優れた装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上述べた製
造コストが高いという問題点を除去するため、ステムは
マウントベース部に切り欠きを有しない一体成形とし、
半導体レーザーチップ、ヒートシンクを順次ダイボンデ
ィングした導体チップを上記マウントベースに接合する
という方式としたものである。
造コストが高いという問題点を除去するため、ステムは
マウントベース部に切り欠きを有しない一体成形とし、
半導体レーザーチップ、ヒートシンクを順次ダイボンデ
ィングした導体チップを上記マウントベースに接合する
という方式としたものである。
【０００６】
【作用】本発明は前述したように、単純形状をしたマウ
ントベースに単純形状の導体チップをダイボンディング
する様にしたことで、ワイヤーボンディングにより容易
に電極の極性を変更可能な光半導体装置を、安価に製作
できる。
ントベースに単純形状の導体チップをダイボンディング
する様にしたことで、ワイヤーボンディングにより容易
に電極の極性を変更可能な光半導体装置を、安価に製作
できる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の製造方法を示す工程図であり
、図２は実施例を示す要部斜視図である。１はステムで
あり、その円盤状の片面に突起状のマウントベース１−
２を金型加工により一体成形する。またステム１にはリ
ード４と９がハーメチックシール１０により絶縁固定さ
れ、１５のリードはステムに導通がとれるよう固定され
ている。５の半導体レーザーチップは、Ｓｉから成り片
面に金を蒸着したヒートシンク６のその金蒸着側にＡｕ
−Ｓｕ合金によりダイボンディングされ、さらにそのヒ
ートシンクは長方形板状の導体チップ２０（本実施例で
はＣｕを使用）にＰｂ−Ｓｎ半田によりダイボンディン
グされている。ここでリード１５はＧＮＤ端子となって
おり、ステム１、マウントベース１−２をへて導体チッ
プ２０に導通している。半導体レーザーチップ５はその
表面と裏面とでそれぞれ電極となっており、その裏面と
６のヒートシンク上面の金蒸着された面とで導通がされ
ることで５の半導体レーザーチップ上面と６のヒートシ
ンク上面とでそれぞれ半導体レーザーの電極となる。 ５の半導体レーザーチップと２０の導体チップは、６の
ヒートシンクがその表面を除いて絶縁体であるので絶縁
されている。
、図２は実施例を示す要部斜視図である。１はステムで
あり、その円盤状の片面に突起状のマウントベース１−
２を金型加工により一体成形する。またステム１にはリ
ード４と９がハーメチックシール１０により絶縁固定さ
れ、１５のリードはステムに導通がとれるよう固定され
ている。５の半導体レーザーチップは、Ｓｉから成り片
面に金を蒸着したヒートシンク６のその金蒸着側にＡｕ
−Ｓｕ合金によりダイボンディングされ、さらにそのヒ
ートシンクは長方形板状の導体チップ２０（本実施例で
はＣｕを使用）にＰｂ−Ｓｎ半田によりダイボンディン
グされている。ここでリード１５はＧＮＤ端子となって
おり、ステム１、マウントベース１−２をへて導体チッ
プ２０に導通している。半導体レーザーチップ５はその
表面と裏面とでそれぞれ電極となっており、その裏面と
６のヒートシンク上面の金蒸着された面とで導通がされ
ることで５の半導体レーザーチップ上面と６のヒートシ
ンク上面とでそれぞれ半導体レーザーの電極となる。 ５の半導体レーザーチップと２０の導体チップは、６の
ヒートシンクがその表面を除いて絶縁体であるので絶縁
されている。
【０００８】まず上記のステム１にフォトダイオード１
３をダイボンディング（Ａｕ−Ｓｎ）、ワイヤーボンデ
ィング（ワイヤー１４）を行ない、次に上記半導体レー
ザーチップ５およびヒートシンク６をダイボンディング
した導体チップ２０をＰｂ−Ｓｎ半田によりステム１の
マウントベース部１−２にダイボンディングしてからワ
イヤー７及び８でワイヤーボンディングをおこなう。こ
こでワイヤーを半導体チップ５の上面と導体チップ２０
との間でワイヤーボンドし、ヒートシンク６の上面とリ
ード４との間でワイヤーボンドすることにより、半導体
レーザー５の上面がわの電極はＧＮＤとなる。また逆に
５の半導体レーザーチップ上面とリード４との間、６の
ヒートシンク上面と導体チップ２０との間をワイヤーボ
ンディングすることで半導体レーザーチップ５の裏面が
わをＧＮＤとすることもできる。
３をダイボンディング（Ａｕ−Ｓｎ）、ワイヤーボンデ
ィング（ワイヤー１４）を行ない、次に上記半導体レー
ザーチップ５およびヒートシンク６をダイボンディング
した導体チップ２０をＰｂ−Ｓｎ半田によりステム１の
マウントベース部１−２にダイボンディングしてからワ
イヤー７及び８でワイヤーボンディングをおこなう。こ
こでワイヤーを半導体チップ５の上面と導体チップ２０
との間でワイヤーボンドし、ヒートシンク６の上面とリ
ード４との間でワイヤーボンドすることにより、半導体
レーザー５の上面がわの電極はＧＮＤとなる。また逆に
５の半導体レーザーチップ上面とリード４との間、６の
ヒートシンク上面と導体チップ２０との間をワイヤーボ
ンディングすることで半導体レーザーチップ５の裏面が
わをＧＮＤとすることもできる。
【０００９】なおマウントベース部１−２はステム１と
同時に金型成形できるため非常に安価となり、導体チッ
プ２０も単純形状の長方形の板であるために安価に大量
生産可能である。
同時に金型成形できるため非常に安価となり、導体チッ
プ２０も単純形状の長方形の板であるために安価に大量
生産可能である。
【００１０】また導体チップ２０をヒートシンク６とマ
ウントベース部１−２の間に介したことで、半導体レー
ザーチップ５の光軸を光量フィードバック用のフォトダ
イオード１３の中心に近づけることが可能となり、より
正確な光量のモニターが可能となった。
ウントベース部１−２の間に介したことで、半導体レー
ザーチップ５の光軸を光量フィードバック用のフォトダ
イオード１３の中心に近づけることが可能となり、より
正確な光量のモニターが可能となった。
【００１１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、単純形状を
したマウントベースに単純形状の導体チップをダイボン
ディングする様にしたことで、ワイヤーボンディングに
より容易に電極の極性を変更可能な光半導体装置を、安
価に製作できるようになった。更にマウントベースとヒ
ートシンクの間に導体チップを介したことで、半導体レ
ーザーの光軸をフォトダイオードの中心に近づけること
が可能となり、より正確な光量のモニターが可能となっ
た。
したマウントベースに単純形状の導体チップをダイボン
ディングする様にしたことで、ワイヤーボンディングに
より容易に電極の極性を変更可能な光半導体装置を、安
価に製作できるようになった。更にマウントベースとヒ
ートシンクの間に導体チップを介したことで、半導体レ
ーザーの光軸をフォトダイオードの中心に近づけること
が可能となり、より正確な光量のモニターが可能となっ
た。
【図１】本発明の実施例の製造手順
【図２】本発明の実施例の構造斜視図
【図３】従来の製造手順
【図４】従来例の構造図
１ ステム
１−２ マウントベース部
４，９，１５ リード
５ 半導体レーザーチップ
６ ヒートシンク
７，８，１４ ワイヤー
１０ シール部
１３ フォトダイオード
２０ 導体チップ
Claims (2)
- 【請求項１】 ステム上のマウントベースに半導体レ
ーザーチップを搭載した構成の光半導体装置の製造方法
において、半導体レーザーチップをヒートシンクにボン
ディングした後、該ヒートシンクを導体チップにボンデ
ィングし、次いでその半導体チップをマウントベースに
ボンディングする手順で製造することを特徴とする光半
導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 円盤状のステムの一面に長方形板状の
突起を垂直に一体成形したマウントベースに導体チップ
をボンディングしてあることを特徴とする光半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3095226A JPH04324987A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3095226A JPH04324987A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04324987A true JPH04324987A (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=14131845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3095226A Pending JPH04324987A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 光半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04324987A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
| US6932522B2 (en) | 1998-12-30 | 2005-08-23 | Finisar Corporation | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP3095226A patent/JPH04324987A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6932522B2 (en) | 1998-12-30 | 2005-08-23 | Finisar Corporation | Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices |
| US6792178B1 (en) | 2000-01-12 | 2004-09-14 | Finisar Corporation | Fiber optic header with integrated power monitor |
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