JP3386817B2 - 光電子変換器及び製造方法 - Google Patents
光電子変換器及び製造方法Info
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- H01L2924/12041—LED
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、放射を送信及び／又は受信する半導体デバ
イスの放射出射面もしくは入射面が支持板に向くように
半導体デバイスが支持板上に固定され、支持板が送信及
び／又は受信される放射を透過させ、半導体デバイスに
よって送信もしくは受信される放射を集束させる放射集
束手段が設けられ、放射出射面もしくは入射面が少なく
とも１つの第１の接触金属膜を備え、支持板が第２の接
触金属膜を有し、第１の接触金属膜と第２の接触金属膜
とが導電的に高いに結合されている光電子変換器、及び
その製造方法に関する。
イスの放射出射面もしくは入射面が支持板に向くように
半導体デバイスが支持板上に固定され、支持板が送信及
び／又は受信される放射を透過させ、半導体デバイスに
よって送信もしくは受信される放射を集束させる放射集
束手段が設けられ、放射出射面もしくは入射面が少なく
とも１つの第１の接触金属膜を備え、支持板が第２の接
触金属膜を有し、第１の接触金属膜と第２の接触金属膜
とが導電的に高いに結合されている光電子変換器、及び
その製造方法に関する。
このような変換器は例えばヨーロッパ特許第412184号
明細書により知られており、図５に示されている。この
図５に示された変換器は放射検出器装置であり、検出器
デバイス（例えばホトダイオード）32と、共通支持体33
と、絶縁体34と、固定部材35と、レンズ支持体36と、検
出器デバイス32によって受信される放射を集束させるた
めのレンズ37とを含んでいる。検出器デバイス32はその
下面で絶縁体34上に固定され、この絶縁体34は共通支持
体33上に固定されている。固定部材35は絶縁体34と並ん
で共通支持体33上に配置されている。この固定部材35上
には、レンズ支持体36が固定膜38によってレンズ37と共
に、このレンズ37が検出器デバイス32の光線入射面の上
方に位置するように固定されている。
明細書により知られており、図５に示されている。この
図５に示された変換器は放射検出器装置であり、検出器
デバイス（例えばホトダイオード）32と、共通支持体33
と、絶縁体34と、固定部材35と、レンズ支持体36と、検
出器デバイス32によって受信される放射を集束させるた
めのレンズ37とを含んでいる。検出器デバイス32はその
下面で絶縁体34上に固定され、この絶縁体34は共通支持
体33上に固定されている。固定部材35は絶縁体34と並ん
で共通支持体33上に配置されている。この固定部材35上
には、レンズ支持体36が固定膜38によってレンズ37と共
に、このレンズ37が検出器デバイス32の光線入射面の上
方に位置するように固定されている。
この種の光電子変換器の個々の構成部品の取付けは非
常に労力がかかる。この取付けは多数のステップを必要
とし、レンズ37の調整は非常に困難である。その上、レ
ンズ37と検出器デバイス32との間の空隙のために大きな
反射損失が発生する。
常に労力がかかる。この取付けは多数のステップを必要
とし、レンズ37の調整は非常に困難である。その上、レ
ンズ37と検出器デバイス32との間の空隙のために大きな
反射損失が発生する。
本発明の課題は、簡単かつコスト的に有利なやり方で
大量に製造することのできる冒頭で述べた種類の光電子
変換器及びその製造方法を提供することにある。
大量に製造することのできる冒頭で述べた種類の光電子
変換器及びその製造方法を提供することにある。
光電子変換器に関する課題は、本発明によれば、半導
体デバイスの放射出射面もしくは入射面と支持板との間
隔が送信もしくは受信される放射の波長の十分の一より
小さいか又は同じであることによって解決される。
体デバイスの放射出射面もしくは入射面と支持板との間
隔が送信もしくは受信される放射の波長の十分の一より
小さいか又は同じであることによって解決される。
本発明による光電子変換器の実施態様は従属請求項に
記載されている。
記載されている。
光電子変換器の製造方法に関する課題は、本発明によ
れば、 ａ）多数の第２の接触金属膜を基板ウエハ上に規定の基
本格子に従って設けるステップと、 ｂ）半導体デバイスの放射出射面もしくは入射面と支持
板との間隔が送信もしくは受信される放射の波長の十分
の一より小さいか又は同じであるように、多数の半導体
デバイスの第１の接触金属膜を第２の接触金属膜上に固
定するステップと、 ｃ）基板ウエハを規定の基本格子に従って個別化するス
テップと を有することによって解決される。
れば、 ａ）多数の第２の接触金属膜を基板ウエハ上に規定の基
本格子に従って設けるステップと、 ｂ）半導体デバイスの放射出射面もしくは入射面と支持
板との間隔が送信もしくは受信される放射の波長の十分
の一より小さいか又は同じであるように、多数の半導体
デバイスの第１の接触金属膜を第２の接触金属膜上に固
定するステップと、 ｃ）基板ウエハを規定の基本格子に従って個別化するス
テップと を有することによって解決される。
本発明を図1a乃至図４を参照しながら実施例に基づい
て説明する。
て説明する。
図1aは本発明による光電子変換器の第１の実施例の概
略断面図である。
略断面図である。
図1bは第１の実施例における支持板の概略平面図であ
る。
る。
図２は本発明による光電子変換器の第２の実施例の概
略断面図である。
略断面図である。
図３は本発明による光電子変換器の第３の実施例の概
略断面図である。
略断面図である。
図４は図1a又は図２に示された実施例による光電子変
換器の製造ステップを説明するための概略図である。
換器の製造ステップを説明するための概略図である。
図５は光電子変換器の従来例を示す概略断面図であ
る。
る。
図1aに示された光電子変換器は支持板１上に構成され
ており、放射を送信及び／又は受信する半導体デバイス
９と、球面又は非球面を持つレンズ３とを含んでいる。
半導体デバイス９は例えば発光ダイオード、ホトダイオ
ード又はバーティカルキャビティサーフェイスエミッタ
レーザ（Vertical Cavity Surface Emitter Laser
＝VCSEL）である。支持板１は例えばガラス、プラスチ
ック、サファイヤ、ダイヤモンド、又は半導体デバイス
によって送信もしくは受信される放射を透過させる半導
体材料から構成されている。波長λ＞400nm用に例えばS
iC、λ＞550nm用にGaP、λ＞900nm用にGaAs、λ＞1100n
m用にシリコンを使用することができる。支持板１の下
面２にはレンズ３が形成されている。支持板１は上面４
に台形窪み５を有しており、この台形窪み５は支持板１
の上面４を表した平面図（図1b）に示されているように
長方形又は正方形の枠の形状をしている。それゆえ、こ
の枠の内部には長方形又は正方形のアイランド６が形成
されている。
ており、放射を送信及び／又は受信する半導体デバイス
９と、球面又は非球面を持つレンズ３とを含んでいる。
半導体デバイス９は例えば発光ダイオード、ホトダイオ
ード又はバーティカルキャビティサーフェイスエミッタ
レーザ（Vertical Cavity Surface Emitter Laser
＝VCSEL）である。支持板１は例えばガラス、プラスチ
ック、サファイヤ、ダイヤモンド、又は半導体デバイス
によって送信もしくは受信される放射を透過させる半導
体材料から構成されている。波長λ＞400nm用に例えばS
iC、λ＞550nm用にGaP、λ＞900nm用にGaAs、λ＞1100n
m用にシリコンを使用することができる。支持板１の下
面２にはレンズ３が形成されている。支持板１は上面４
に台形窪み５を有しており、この台形窪み５は支持板１
の上面４を表した平面図（図1b）に示されているように
長方形又は正方形の枠の形状をしている。それゆえ、こ
の枠の内部には長方形又は正方形のアイランド６が形成
されている。
窪み５の底面７上には、アイランド６の周りに導電枠
８を形成する導電膜が設けられている。導電枠８は例え
ばアルミニウム又はアルミニウムをベースとした合金か
ら構成されている。半導体材料から成る支持板を使用す
る場合、窪み５内に適当なドーピングによって導電枠を
形成することも考えられる。支持板のドーピングによっ
て作成されるこの種の導電枠を製作するために、例えば
イオン注入のように平均的な専門家に今日知られている
方法を使用することができる。
８を形成する導電膜が設けられている。導電枠８は例え
ばアルミニウム又はアルミニウムをベースとした合金か
ら構成されている。半導体材料から成る支持板を使用す
る場合、窪み５内に適当なドーピングによって導電枠を
形成することも考えられる。支持板のドーピングによっ
て作成されるこの種の導電枠を製作するために、例えば
イオン注入のように平均的な専門家に今日知られている
方法を使用することができる。
半導体デバイス９はその上面に中央接触金属膜13を有
し、その下面に２つの側方接触金属膜12を有している。
この接触金属膜12は例えばろう付け及び／又は接着によ
って導電枠８に電気的かつ機械的に安定して結合され、
そして半導体デバイスの放射出射面もしくは入射面10が
アイランド６上に着座するように形成されている。
し、その下面に２つの側方接触金属膜12を有している。
この接触金属膜12は例えばろう付け及び／又は接着によ
って導電枠８に電気的かつ機械的に安定して結合され、
そして半導体デバイスの放射出射面もしくは入射面10が
アイランド６上に着座するように形成されている。
放射を送信する半導体デバイス９の放射出射面10は、
半導体デバイス９のpn接合11で作成された電磁放射の大
部分を半導体デバイスから出射させる面である。これと
同様に、放射を受信する半導体デバイスの放射入射面
は、受信する電磁放射を半導体デバイス内へ入射させる
面である。
半導体デバイス９のpn接合11で作成された電磁放射の大
部分を半導体デバイスから出射させる面である。これと
同様に、放射を受信する半導体デバイスの放射入射面
は、受信する電磁放射を半導体デバイス内へ入射させる
面である。
導電枠８は半導体デバイス９への電流供給手段として
も利用されるので、外部との電気的接続のために支持板
１の上面に接続面（例えばボンディングパッド）14が設
けられている。この接続面14は導電性結合膜15を介して
導電枠８に結合されている。接続面14及び結合膜15が導
電枠８と同じ材料から構成されると有利である。
も利用されるので、外部との電気的接続のために支持板
１の上面に接続面（例えばボンディングパッド）14が設
けられている。この接続面14は導電性結合膜15を介して
導電枠８に結合されている。接続面14及び結合膜15が導
電枠８と同じ材料から構成されると有利である。
放射を送信する半導体デバイス（例えばLED）９の場
合、この半導体デバイス９のpn接合11で作られた放射16
は半導体デバイス９の半導体基体から出射し支持板１を
透過した後レンズ３で集束させられる。これによって、
半導体デバイス９内に作成された放射の大部分は例えば
光ファイバー17内へ入射し得ることが保証される。
合、この半導体デバイス９のpn接合11で作られた放射16
は半導体デバイス９の半導体基体から出射し支持板１を
透過した後レンズ３で集束させられる。これによって、
半導体デバイス９内に作成された放射の大部分は例えば
光ファイバー17内へ入射し得ることが保証される。
支持板１の厚みはレンズ３のレンズパラメータ（例え
ば焦点距離）及び光ファイバー上へのビームスポットの
所望の結像（拡大又は縮小）に依存する。同じことは放
射を受信する半導体デバイス９内へ光ファイバー17から
放射を出射させる場合にも当てはまる。
ば焦点距離）及び光ファイバー上へのビームスポットの
所望の結像（拡大又は縮小）に依存する。同じことは放
射を受信する半導体デバイス９内へ光ファイバー17から
放射を出射させる場合にも当てはまる。
図1aに示された実施例の重要な利点は、とりわけ、支
持板１の半導体デバイス９の放射出射面もしくは入射面
10とが直接隣接（物理的接触；半導体基体−支持板間の
間隔≦λ/10を意味する）するために、反射損失が図５
に示された公知の変換器の場合より極めて僅かしか発生
しない点にある。即ち、空気と半導体材料との屈折率が
大きく異なるので、公知の変換器においては空気から半
導体材料内へ放射を移行させるために全反射の臨界角が
比較的小さく、従って全反射による放射損失が非常に大
きい。
持板１の半導体デバイス９の放射出射面もしくは入射面
10とが直接隣接（物理的接触；半導体基体−支持板間の
間隔≦λ/10を意味する）するために、反射損失が図５
に示された公知の変換器の場合より極めて僅かしか発生
しない点にある。即ち、空気と半導体材料との屈折率が
大きく異なるので、公知の変換器においては空気から半
導体材料内へ放射を移行させるために全反射の臨界角が
比較的小さく、従って全反射による放射損失が非常に大
きい。
結合光学素子を備えた図1aに示された光電子変換器
は、例えば、開口部19を備えた基板18と、容器側壁20
と、外部電気端子21、22と、接続線23、24と、変換器を
ハーメチックシールするためのプラスチック被覆体25と
を有する容器内に組込まれている。プラスチック被覆体
25の代わりに、容器をハーメチックシールするために容
器壁20に貼着されるか又はろう付けされた容器蓋を使用
することもできる。光電子変換器は例えば接着剤及び／
又はろうから成る固定及び密閉層26によって基板18上
に、レンズ３が開口部19上又は開口部19内に位置するよ
うに固定される。接触金属膜13及び接続面14は接続線2
3、24によって外部電気端子21、22に接続されている。
この外部電気端子21、22は側壁20を通って外部へ導かれ
ている。
は、例えば、開口部19を備えた基板18と、容器側壁20
と、外部電気端子21、22と、接続線23、24と、変換器を
ハーメチックシールするためのプラスチック被覆体25と
を有する容器内に組込まれている。プラスチック被覆体
25の代わりに、容器をハーメチックシールするために容
器壁20に貼着されるか又はろう付けされた容器蓋を使用
することもできる。光電子変換器は例えば接着剤及び／
又はろうから成る固定及び密閉層26によって基板18上
に、レンズ３が開口部19上又は開口部19内に位置するよ
うに固定される。接触金属膜13及び接続面14は接続線2
3、24によって外部電気端子21、22に接続されている。
この外部電気端子21、22は側壁20を通って外部へ導かれ
ている。
結合光学素子を備えた本発明による光電子変換器の図
２に示された第２の実施例は原理が図1aに示された第１
の実施例と同じである。球面又は非球面を持つレンズ３
の代わりに、この第２の実施例においては支持板１は放
射を集束させるために回折光学素子27を有している。こ
の回折光学素子27は以下においては短くDOEと称する。
さらに、支持板１は第１の実施例とは異なって平坦上面
４を有し、この平坦上面４上に導電枠８が設けられてい
る。この導電枠８には１つの側面に電気接続面14が接し
ている。導電枠８上には、半導体デバイス９、例えば発
光ダイオード、ホトダイオード又はバーティカルキャビ
ティサーフェイスエミッタレーザ（VCSEL）が、放射出
射面もしくは入射面と導電枠８によって囲まれた面とが
上下に配置されかつ半導体デバイス９の接触金属膜12が
導電枠８上に着座するように固定されている。接触金属
膜12は例えばろう及び／又は接着剤によって金属膜８に
電気的及び機械的に安定して結合されている。
２に示された第２の実施例は原理が図1aに示された第１
の実施例と同じである。球面又は非球面を持つレンズ３
の代わりに、この第２の実施例においては支持板１は放
射を集束させるために回折光学素子27を有している。こ
の回折光学素子27は以下においては短くDOEと称する。
さらに、支持板１は第１の実施例とは異なって平坦上面
４を有し、この平坦上面４上に導電枠８が設けられてい
る。この導電枠８には１つの側面に電気接続面14が接し
ている。導電枠８上には、半導体デバイス９、例えば発
光ダイオード、ホトダイオード又はバーティカルキャビ
ティサーフェイスエミッタレーザ（VCSEL）が、放射出
射面もしくは入射面と導電枠８によって囲まれた面とが
上下に配置されかつ半導体デバイス９の接触金属膜12が
導電枠８上に着座するように固定されている。接触金属
膜12は例えばろう及び／又は接着剤によって金属膜８に
電気的及び機械的に安定して結合されている。
図２に示された実施例では、半導体デバイス９と支持
板１との間に空隙が形成されている。この空隙は、既に
上記において述べたように、空気の屈折率の支持板材料
の屈折率とが大きく異なる場合、全反射による相当な放
射損失を生ぜしめる。従って、必要な場合には半導体デ
バイス９又は図1aに示されているように支持板１の上面
は、半導体デバイス９の放射出射面もしくは入射面10が
支持板１上に着座するように形成されなければならな
い。しかしながら、その代わりに、適切な結合媒体39、
例えば透明な注型樹脂（例えばエポキシ樹脂）を半導体
デバイス９と支持板１との間に設けることもできる。
板１との間に空隙が形成されている。この空隙は、既に
上記において述べたように、空気の屈折率の支持板材料
の屈折率とが大きく異なる場合、全反射による相当な放
射損失を生ぜしめる。従って、必要な場合には半導体デ
バイス９又は図1aに示されているように支持板１の上面
は、半導体デバイス９の放射出射面もしくは入射面10が
支持板１上に着座するように形成されなければならな
い。しかしながら、その代わりに、適切な結合媒体39、
例えば透明な注型樹脂（例えばエポキシ樹脂）を半導体
デバイス９と支持板１との間に設けることもできる。
本発明による光電子変換器の図３に示された第３の実
施例は、上述の２つの実施例とは、放射集束手段が支持
板１内に形成されているのではなく、予め製作された球
面又は非球面レンズ28が支持板１に固定されている点で
本質的に異なっている。予め製作されたレンズ28の代わ
りに、第４の実施例として予め製作された回折光学素子
を支持板１の下面２に固定するようにしてもよい。
施例は、上述の２つの実施例とは、放射集束手段が支持
板１内に形成されているのではなく、予め製作された球
面又は非球面レンズ28が支持板１に固定されている点で
本質的に異なっている。予め製作されたレンズ28の代わ
りに、第４の実施例として予め製作された回折光学素子
を支持板１の下面２に固定するようにしてもよい。
球面又は非球面レンズ28もしくはDOEの代わりに、ホ
ログラフィック光学素子又はフレネルレンズを使用する
ことも考えられる。さらに、放射集束手段及び半導体デ
バイス９を支持板の同一側に配置することも考えられ
る。
ログラフィック光学素子又はフレネルレンズを使用する
ことも考えられる。さらに、放射集束手段及び半導体デ
バイス９を支持板の同一側に配置することも考えられ
る。
図1aに示された光電子変換器を多数同時に製造するた
めに、図４に示されているように、先ず、基板ウエハ30
の下面29に予め与えられた基本格子に従って多数の球面
又は非球面レンズ３が作られる。基板ウエハ30は例えば
ガラス又はシリコンからなり、レンズ３は例えばエッチ
ング及び／又は研削によって作られる。引き続いて、基
板ウエハ30の上面31に予め与えられた基本格子に従って
例えばエッチング及び／又は研削によって多数の窪み５
が形成される。次のステップで、予め与えられた基本格
子に従って例えば蒸着又はスパッタによって同時に多数
の導電枠８、多数の結合膜15及び多数の接続面14が窪み
５内もしくは基板ウエハ30の上面31上に設けられる。こ
れに続いて、予め与えられた基本格子に従って放射を送
信及び／又は受信する多数の半導体デバイスが固定され
る。これは例えば導電枠８上へ接触金属膜12をろう付け
及び／又は接着することによって行われる。次のステッ
プで、半導体ウエハが例えば切断、又は割れ目の形成及
び折曲げによって個々の光電子変換器に個別化される。
めに、図４に示されているように、先ず、基板ウエハ30
の下面29に予め与えられた基本格子に従って多数の球面
又は非球面レンズ３が作られる。基板ウエハ30は例えば
ガラス又はシリコンからなり、レンズ３は例えばエッチ
ング及び／又は研削によって作られる。引き続いて、基
板ウエハ30の上面31に予め与えられた基本格子に従って
例えばエッチング及び／又は研削によって多数の窪み５
が形成される。次のステップで、予め与えられた基本格
子に従って例えば蒸着又はスパッタによって同時に多数
の導電枠８、多数の結合膜15及び多数の接続面14が窪み
５内もしくは基板ウエハ30の上面31上に設けられる。こ
れに続いて、予め与えられた基本格子に従って放射を送
信及び／又は受信する多数の半導体デバイスが固定され
る。これは例えば導電枠８上へ接触金属膜12をろう付け
及び／又は接着することによって行われる。次のステッ
プで、半導体ウエハが例えば切断、又は割れ目の形成及
び折曲げによって個々の光電子変換器に個別化される。
基板ウエハを小さいチップに個別化する技術は半導体
技術においてはずっと前から知られており、基板ウエハ
30、多数の半導体デバイス９及びレンズ３から成る複合
体を個別化する際に同様に適用することができる。この
場合、個別化する前に複合体を弾性接着シート上に固定
することが通常行われる。このシートはその後全ての後
続プロセスにおいて担持体として使われる。
技術においてはずっと前から知られており、基板ウエハ
30、多数の半導体デバイス９及びレンズ３から成る複合
体を個別化する際に同様に適用することができる。この
場合、個別化する前に複合体を弾性接着シート上に固定
することが通常行われる。このシートはその後全ての後
続プロセスにおいて担持体として使われる。
第２の実施例による光電子変換器を多数製造する製造
方法は本質的に上述の方法と同じステップを有する。レ
ンズ３の代わりに多数の回折光学素子27が基板30の下面
29に形成されるだけである。
方法は本質的に上述の方法と同じステップを有する。レ
ンズ３の代わりに多数の回折光学素子27が基板30の下面
29に形成されるだけである。
第３及び第４の実施例による光電子変換器を多数製造
する製造方法は、上述の方法とは、先ず基板ウエハ30の
上面31に予め与えられた基本格子に従って多数の導電枠
８及び接続面14が設けられる点で相違している。引き続
いて、基板ウエハ30の下面29には、予め与えられた基本
格子に従って多数の予め作られたレンズ28又は回折光学
素子が例えばろう付け及び／又は接着によって設けられ
る。
する製造方法は、上述の方法とは、先ず基板ウエハ30の
上面31に予め与えられた基本格子に従って多数の導電枠
８及び接続面14が設けられる点で相違している。引き続
いて、基板ウエハ30の下面29には、予め与えられた基本
格子に従って多数の予め作られたレンズ28又は回折光学
素子が例えばろう付け及び／又は接着によって設けられ
る。
第１の基板ウエハ30上に予め与えられた基本格子に従
って多数の導電枠８及び接続面14を設け、第２の基板ウ
エハ上に多数の球面レンズ３、28又は多数の回折光学素
子27を形成するか又は設けるような方法も考えられる。
両基板ウエハはそれらの平坦面が重なるように引き続い
てろう付け及び／又は接着によって互いに結合される。
その他のステップは上述の方法と同じである。
って多数の導電枠８及び接続面14を設け、第２の基板ウ
エハ上に多数の球面レンズ３、28又は多数の回折光学素
子27を形成するか又は設けるような方法も考えられる。
両基板ウエハはそれらの平坦面が重なるように引き続い
てろう付け及び／又は接着によって互いに結合される。
その他のステップは上述の方法と同じである。
予め作られたレンズ28又は予め作られたDOEもしくは
第２の基板ウエハがガラスから構成され、基板ウエハ30
もしくは第１の基板ウエハがシリコンから構成される
か、又はその逆に構成されている場合、これらの両構成
要素は例えば陽極ボンディングによっても互いに結合す
ることができる。この公知の技術の場合、結合するべき
面は重ねられ、例えば450℃に加熱され、約−1000Vの電
圧がガラスに印加される。
第２の基板ウエハがガラスから構成され、基板ウエハ30
もしくは第１の基板ウエハがシリコンから構成される
か、又はその逆に構成されている場合、これらの両構成
要素は例えば陽極ボンディングによっても互いに結合す
ることができる。この公知の技術の場合、結合するべき
面は重ねられ、例えば450℃に加熱され、約−1000Vの電
圧がガラスに印加される。
上述した第３及び第４の実施例に関して、予め作られ
たレンズ28もしくは予め作られたDOEが基板ウエハ30の
材料と似た熱膨張係数を有する材料から構成されると有
利である。これによって製造時及び光電子変換器の駆動
時に機械的応力が発生するのを少なくすることができ
る。
たレンズ28もしくは予め作られたDOEが基板ウエハ30の
材料と似た熱膨張係数を有する材料から構成されると有
利である。これによって製造時及び光電子変換器の駆動
時に機械的応力が発生するのを少なくすることができ
る。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平３−201488（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−267718（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−85327（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−55703（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−72307（ＪＰ，Ａ)
特表 平６−503683（ＪＰ，Ａ)
独国特許出願公開4416563（ＤＥ，Ａ
１)
Ｙ．Ｙａｓｕｄａ，”Ｉｎｆｒａｒｅ
ｄ ｈｉｇｈ−ｐｏｗｅｒ ｌｉｇｈｔ
−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ ｅ
ｘｐｅｃｔｅｄ ｔｏ ｅｖｏｌｖｅ
ｔｏ ｎｅｗ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ
ｓ”，ＪＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅｎｇｉｎｅｅ
ｒｉｎｇ，1989年，ｖｏｌ．26，ｎｏ.
270，ｐ．52−54
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 31/00 - 31/0392
H01L 33/00
H01S 5/00 - 5/50
Claims (10)
- 【請求項１】放射を送信及び／又は受信する半導体デバ
イス（９）の放射出射面もしくは入射面（10）が支持板
（１）に向くように半導体デバイス（９）が支持板
（１）上に固定され、支持板（１）が送信及び／又は受
信される放射を透過させ、半導体デバイス（９）によっ
て送信もしくは受信される放射を集束させる放射集束手
段（３、27）が設けられ、放射出射面もしくは入射面
（10）が少なくとも１つの第１の接触金属膜（12）を備
え、支持板（１）が第２の接触金属膜（８）を有し、第
１の接触金属膜（12）と第２の接触金属膜（８）とが導
電的に互いに結合されている光電子変換器において、 半導体デバイス（９）の放射出射面もしくは入射面（1
0）と支持板（１）との間隔が送信もしくは受信される
放射の波長の十分の一より小さいか又は同じであること
を特徴とする光電子変換器。 - 【請求項２】支持板（１）上にアイランド（６）が形成
され、このアイランド（６）の表面上に半導体デバイス
（９）の放射出射面もしくは入射面（10）が着座してい
ることを特徴とする請求項１記載の光電子変換器。 - 【請求項３】アイランド（６）が第２の接触金属膜
（８）を有する窪み（５）によって取囲まれていること
を特徴とする請求項２記載の光電子変換器。 - 【請求項４】支持板（１）が送信もしくは受信される放
射を透過させる半導体材料から構成されていることを特
徴とする請求項１乃至３の１つに記載の光電子変換器。 - 【請求項５】放射集束手段（３、27）が支持板（１）と
共に一体に形成されていることを特徴とする請求項１乃
至４の１つに記載の光電子変換器。 - 【請求項６】放射集束手段（28）が独立して作られ、支
持板（１）に取付けられていることを特徴とする請求項
１乃至４の１つに記載の光電子変換器。 - 【請求項７】放射集束手段が集光レンズ（３、28）であ
ることを特徴とする請求項１乃至６の１つに記載の光電
子変換器。 - 【請求項８】放射集束手段が回折光学素子（27）である
ことを特徴とする請求項１乃至６の１つに記載の光電子
変換器。 - 【請求項９】放射集束手段（３、27、28）と半導体デバ
イス（９）とが支持板（１）の対向位置する面に配置さ
れていることを特徴とする請求項１乃至８の１つに記載
の光電子変換器。 - 【請求項１０】ａ）多数の第２の接触金属膜（８）を基
板ウエハ（30）上に規定の基本格子に従って設けるステ
ップと、 ｂ）半導体デバイス（９）の放射出射面もしくは入射面
（10）と支持板（１）との間隔が送信もしくは受信され
る放射の波長の十分の一より小さいか又は同じであるよ
うに、多数の半導体デバイス（９）の第１の接触金属膜
（12）を第２の接触金属膜（８）上に固定するステップ
と、 ｃ）基板ウエハ（30）を規定の基本格子に従って個別化
するステップと を有することを特徴とする請求項１乃至９の１つの記載
の光電子変換器の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19527026A DE19527026C2 (de) | 1995-07-24 | 1995-07-24 | Optoelektronischer Wandler und Herstellverfahren |
| DE19527026.6 | 1995-07-24 | ||
| PCT/DE1996/001316 WO1997004491A1 (de) | 1995-07-24 | 1996-07-18 | Optoelektronischer wandler und herstellverfahren |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11509687A JPH11509687A (ja) | 1999-08-24 |
| JP3386817B2 true JP3386817B2 (ja) | 2003-03-17 |
Family
ID=7767658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50616497A Expired - Lifetime JP3386817B2 (ja) | 1995-07-24 | 1996-07-18 | 光電子変換器及び製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0842543B1 (ja) |
| JP (1) | JP3386817B2 (ja) |
| KR (1) | KR19990035849A (ja) |
| DE (2) | DE19527026C2 (ja) |
| TW (1) | TW337555B (ja) |
| WO (1) | WO1997004491A1 (ja) |
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