JP6850212B2 - 受光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
半導体基板の台座部をめっきにより形成するステップと、
前記台座部の内側をエッチングしてレンズ部を形成するステップと、
前記台座部を有する半導体基板の裏面と、フォトダイオード部が設けられた基板の裏面とを接合させるステップと、
を含むことを特徴とする。
図5〜図6は、Si基板にレンズ部を形成した後に、InP基板上に作製されたPDと貼り合わせることでレンズ付きPDを作製する実施の形態を示す。
102 PD部
103 半導体レンズ
104 ミラー
105 光導波路
106 入射光線
201a PD用の基板
201b エッチングされたPD用の基板
201c 台座部が形成されたPD用の基板
202a レジストパターン
202b ベーク後のレジストパターン
202c エッチングされたレジストパターンの一部
203 台座部の高さ
204 PD部
205 台座部の形成開始時点のレンズ部形状
301a Si基板
301b エッチングされたSi基板
301c 台座部が形成されたSi基板
302a レジストパターン
302b ベーク後のレジストパターン
302c エッチングされたレジストパターンの一部
303 台座部の高さ
304 PD部
305 PD用の基板
306 接着剤
501a Si基板
502a, 502b パスメタル層
503a レジストパターン
504 メタル層
505a, 505b レジストパターン
506 接着層
601 基板
602 PD
603 光導波路
604 ミラー
Claims (1)
- 半導体基板の台座部をめっきにより形成するステップと、
前記台座部の内側をエッチングしてレンズ部を形成するステップと、
前記台座部を有する半導体基板の裏面と、フォトダイオード部が設けられた基板の裏面とを接合させるステップと、
を含むことを特徴とする受光素子の作製方法。
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JP2017131476A JP6850212B2 (ja) | 2017-07-04 | 2017-07-04 | 受光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2017131476A JP6850212B2 (ja) | 2017-07-04 | 2017-07-04 | 受光素子の製造方法 |
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JP2019016655A JP2019016655A (ja) | 2019-01-31 |
JP6850212B2 true JP6850212B2 (ja) | 2021-03-31 |
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Family Applications (1)
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JP2017131476A Active JP6850212B2 (ja) | 2017-07-04 | 2017-07-04 | 受光素子の製造方法 |
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