JP2018182172A - 受光素子およびその作製方法 - Google Patents
受光素子およびその作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018182172A JP2018182172A JP2017082317A JP2017082317A JP2018182172A JP 2018182172 A JP2018182172 A JP 2018182172A JP 2017082317 A JP2017082317 A JP 2017082317A JP 2017082317 A JP2017082317 A JP 2017082317A JP 2018182172 A JP2018182172 A JP 2018182172A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- lens
- pedestal
- light receiving
- receiving element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【課題】光受信器に搭載される受光素子(フォトダイオード)およびその作製方法を提供する。【解決手段】受光素子は、フォトダイオード部が設けられた基板と、レンズ部が設けられた半導体基板501bと、台座部を含む基板を含む半導体受光素子において、台座部と、半導体基板501bの表面上の端部とが接し、台座部に囲まれた開口部内にレンズ部がある。【選択図】図5
Description
本発明は、光通信用の受光素子およびその作製方法に関する。
光通信の高速化に伴って、光受信器に搭載される受光素子(フォトダイオード:本明細書では、以下、PDという)の受光径の微小化が進んでいる。
微小な受光径を持つPDに高効率に光を入射するために、非特許文献1に示すように、屈折率の高い半導体レンズを用いて集光させる方法を採用することが一般的である。
特に図1(a)のようなPD用の基板101、PD部102、半導体レンズ103、及びミラー104を含み、光導波路105を用いる光受信器で、微小径のPDに光を結合するには入射光線106を空間中で広げ、高曲率・高屈折率の半導体レンズ103で入射光線106を急峻に絞る必要がある。(図1(b)光受信器の拡大図)
半導体レンズ103としては、図2のように、小型化が進む光受信器に高集積化や製造コストの面で適した、半導体基板を直接加工するモノリシックレンズや、図3のようにレンズを形成した半導体基板をウェハ接合によって、PD用の基板に貼り合わせた接合レンズを用いることが多い。
この半導体レンズ付PDを図1の光受信器に搭載する場合、導波路の出射端とレンズとの間に空間をとるための、数十μm程度の高さを有する高い台座部が必要となる。
台座の無い半導体レンズ付PDを光導波路に搭載する時に、接着剤やスペーサーを挟むことで台座の代わりをさせる方法も存在するが、台座の高さの精密な制御が困難であり、また個別に実装が必要なため光受信器には適さない。
従って、この半導体レンズおよび台座部の製造方法は次に示す通り、フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術を用いて製造されることができる。このフォトリソグラフィ技術およびこのドライエッチング技術は、公知の技術を用いればよい。
図2に、従来のモノリシックレンズの製造方法を示す。図2(a)は、PD用の基板201aに設けられたPD部204を示している。また、図3に、従来の接合レンズの製造方法を示す。図3(a)は、Si基板301aを示している。
図2(b)、図3(b)(レジストパターンの形成)のように、フォトリソグラフィ技術を用いて、半導体基板上に円柱状のレジストパターン202a、302aを形成する。その後、高温で焼き鈍すことで、図2(c)、図3(c)のようなレンズ形状に成形し、ベーク後のレジストパターン202b、302bを得る(図2(c)、図3(c)レジストパターンのベーク)。このフォトリソグラフィ技術は公知の方法を用いればよい。なお、レンズ部以外の台座部はレンズ部より厚いレジストで保護しておけばよい。
次に、図2(d)、図3(d)のようにドライエッチング技術によって、レジストパターンと半導体基板をエッチングすることで、半導体基板をレンズ形状に加工し、レンズ形状の表面を有する、エッチングされたPD用の基板201b、レンズ形状の表面を有する、エッチングされたSi基板301bを得る(図2(d)、図3(d)ドライエッチング(レンズ形状転写))。なお、エッチングされたレジストパターンの一部202c、エッチングされたレジストパターンの一部302cが残っている。
さらにレンズ形状の形成後もエッチングを続けることで、図2(e)、図3(e)のように台座部が形成されたPD用の基板201c、台座部が形成されたSi基板301cを得る(図2(e)、図3(e)ドライエッチング(台座部形成))。
図3(f)のように、台座部が形成されたSi基板301cの裏面と、PD部304が形成されたPD用の基板305の裏面とを接着剤306を介して貼り合わせ、台座を有する半導体レンズ付PDを得る(図3(f)Si基板とPD用の基板とのウェハ接合)。
"100Gbit/s Compact Receiver Module with the Built−in Optical De−multiplexer",F. Nakajima, et. al., 2013 IEEE Photonics Conference, (2013) 305−306.
図4(a)は、図2(d)の拡大図である。前述の方法では、図4(b)のように、台座部を形成するためのエッチング中に、台座部の形成開始時点のレンズ部形状205から、レンズ部のエッチングも進むため、レンズの直径や曲率半径が設計値からずれてしまう問題が発生してしまっている。
よって、長時間のエッチングが必要な台座を有する半導体レンズの製造は困難である課題を有していた。
本発明は、このような目的を達成するために、以下のような構成を備えることを特徴とする。本発明においては、台座構造をガラスモールド法で作製したガラス基板と、ドライエッチングで作製した半導体レンズ基板をそれぞれ作製しておき、各基板とPD用の基板をウェハ接合技術よって貼り合わせたのちに、チップ化することで台座を有する半導体レンズ付PDを実現している。
本発明の光検出器の一様態は、
フォトダイオード部が設けられた基板と、
レンズ部が設けられた半導体基板と、
台座部を含む基板を含む受光素子において、
前記台座部と、前記半導体基板の表面上の端部とが接し、
前記台座部に囲まれた開口部内に前記レンズ部があることを特徴とする半導体受光素子である。
フォトダイオード部が設けられた基板と、
レンズ部が設けられた半導体基板と、
台座部を含む基板を含む受光素子において、
前記台座部と、前記半導体基板の表面上の端部とが接し、
前記台座部に囲まれた開口部内に前記レンズ部があることを特徴とする半導体受光素子である。
前記半導体基板は、Si、Ge及びそれらの混合物を含んでいてもよい。
前記台座部を含む基板は、ガラス基板、プラスチック基板及び石英基板からなる群から選ばれた一であってもよい。
前記台座部を含む基板の開口部の幅φglassの大きさは、前記レンズ部の直径φlensの大きさより大きいことを特徴とする。
本発明の光検出器の作製方法の一様態は、基板に開口部を形成することにより、前記基板の台座部を形成するステップと、
前記開口部と半導体基板のレンズ部とが対向するように、前記半導体基板の表面上の端部と前記台座部とを接合させるステップと、
前記半導体基板の裏面と、フォトダイオード部が設けられた基板の裏面とを接合させるステップとを含むことを特徴とする受光素子の作製方法である。
前記開口部と半導体基板のレンズ部とが対向するように、前記半導体基板の表面上の端部と前記台座部とを接合させるステップと、
前記半導体基板の裏面と、フォトダイオード部が設けられた基板の裏面とを接合させるステップとを含むことを特徴とする受光素子の作製方法である。
前記基板の開口部は、ガラスモールド法によって形成されてもよい。
前記基板の開口部が設けられた表面と対向する裏面、前記半導体基板の裏面及びフォトダイオード部が設けられた基板の裏面のうち少なくとも一面を研磨によって薄層化されてもよい。
台座部の高さは、ガラスモールド法の型で制御することができ、また、半導体レンズ側に台座部を形成する必要がないためレンズ形状が設計値からずれてしまうことを防ぐことができる。
本明細書の作製方法では、レンズ部形成後に、台座部を形成するためのエッチングをレンズ部およびSi基板に対して行わないため、レンズ部の形状が変化することはない。
レンズ部の作動距離は、ガラス基板に形成した台座部の高さで調節でき、その台座部の高さは、ガラス基板の厚さ以内であれば、ガラスモールド法の型で調整することができる。
あらかじめ個別に作製したPD用の基板、半導体レンズ基板、及び台座構造を有するガラス基板をウェハ接合技術を用いて接合し、チップ化することで、台座部を有する半導体レンズ付PDを高精度に作製することができる。
以下、本発明の光変調器の形態について、図を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定されず、本明細書等において開示する発明の趣旨から逸脱することなく形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。また、異なる実施の形態に係る構成は、適宜組み合わせて実施することが可能である。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を用い、その繰り返しの説明は省略する。
以下に本発明の実施の形態の一例を示す。
(実施の形態1)
図5(台座を有する半導体レンズ付PD)に半導体レンズとしてSi基板501aを加工したSiレンズ部を用い、PD用の基板としてInP基板を用いた実施の形態の概略図を示す。
図5(台座を有する半導体レンズ付PD)に半導体レンズとしてSi基板501aを加工したSiレンズ部を用い、PD用の基板としてInP基板を用いた実施の形態の概略図を示す。
まず、図5(a) 〜図5(d)を参照して、Si基板501a上にSiレンズ部を形成する方法を述べる。
図5(b)のように、スピンコート法およびフォトリソグラフィ技術を用いて、Si基板501a上にレジストを塗布し、円柱状のレジストパターン502aを形成する。スピンコート法およびフォトリソグラフィ技術は公知の方法を用いればよい。ここで、典型的には、レジスト厚は10μm前後である。円柱の直径は、Siレンズの開口直径と同じにしておく。
続いて、図5(c)のように、上記のSi基板501aに形成したレジストパターンを焼き鈍らせることで、レジストをレンズ形状に成形し、ベーク後のレジストパターン502bを形成する(ベーク後のレジストパターン)。
その後、公知のドライエッチング技術を用いて、ドライエッチングの選択比がSi:レジスト=1:1となるような条件で、レンズ形状のベーク後のレジストパターン502bを完全に削りきるまでSi基板をエッチングすることで、図5(d)のようなSiレンズ部を有するSi基板501bを形成する(図5(d)ドライエッチング(レンズ形状転写))。
次に、台座部503a付きガラス基板503を図6〜図7のように、型601を用いたガラスモールド法を用いて作製する。
ここで、台座部の開口部503bの幅φglassの大きさは、図5(a)〜図5(d)で作製したSiレンズ部の直径φlensの大きさより大きくなるように設計する。また、台座部の開口の配置も同様に、Siレンズ部の配置にあわせて設計しておく。
一方、図7(a)中の台座部の高さHglassは、図5(d)中のレンズの高さHlensにSiレンズ部の作動距離を足した値とする。
続いて、図5(e)のように、上記の台座部503aが形成されたガラス基板503およびSiレンズを有するSi基板501bをウェハ接合(1)504する方法と、Siレンズを有するSi基板501b及びPD部507が形成されたPD用の基板506をウェハ接合(2)508する方法を述べる。
まず、上記の各基板を所望の厚さまで、研磨によって薄層化しておく。ガラス基板503の開口部503bが設けられた表面と対向する裏面、前記Si基板501bの裏面及びPD用の基板506の裏面のうち少なくとも一面を研磨によって薄層化されればよい。
次に、プラズマ活性化法や陽極酸化法によってガラス基板503とSiレンズ部を有するSi基板501bをウェハ接合(1)504する。そのプラズマ活性化法や陽極酸化法は、公知の方法を用いればよい。また、ガラス基板503とSiレンズ部を有するSi基板501bとの間に紫外線硬化性接着剤を設け、紫外線照射により紫外線硬化性接着剤を硬化させることによって、ガラス基板503とSiレンズ部を有するSi基板501bとを接合してもよい。
続いで、熱硬化性接着剤505であるBCB(ベンゾシクロブテン)やポリイミドをスピンコート法を用いて、この接合したガラス基板503とSi基板501bに塗布し、PD用の基板506とウェハ接合(2)508を行う。Siレンズ部がガラス基板で被われているため、ウェハ接合(2)でスピンコート法を採用することができる。
最後に、ダイシングをすることで、図5(f)のような台座部を有するSiレンズ部付のPDを作製することができる。なお、熱硬化性接着剤505は、接合後、超薄膜となるので、図5(f)では図示を省略している。
上記の作製方法では、Siレンズ形成後に、台座部を形成するためのエッチングをSiレンズおよびSi基板に対して行わないため、Siレンズ形状が変化することはおこらない。
レンズの作動距離は、ガラス基板503に形成した台座部503aの高さで調節でき、その台座部の高さは、ガラス基板503の厚さ以内であれば、ガラスモールド法の型で調整することができる。
本実施形態1に示したように、あらかじめ個別に作製したPD用の基板、半導体レンズ基板、および台座構造を有するガラス基板をウェハ接合技術を用いて接合し、チップ化することで、台座を有する半導体レンズ付PDを高精度に作製することができる。
本実施の形態では、台座部付き基板として、ガラス基板503を用いたが、透明基板であればよく、石英基板や、プラスチック基板を用いてもよい。本明細書において、透明基板とは、紫外光又は赤外光(通信波長1.3−1.55μm帯)の光線透過率が50%以上、100%未満の基板を指す。
本実施の形態では、半導体基板としてSi基板を用いたが、半導体基板に、Ge又はSiとGeとの混合物を用いてもよい。
(実施の形態2)
実施の形態1に記載されたPDは、電話機など電子機器に設けられた表示部へ適用することが可能である。
実施の形態1に記載されたPDは、電話機など電子機器に設けられた表示部へ適用することが可能である。
本発明は、光受信器に搭載される受光素子(フォトダイオード)およびその作製方法に適用することができる。
101 PD用の基板
102 PD部
103 半導体レンズ
104 ミラー
105 光導波路
106 入射光線
201a PD用の基板
201b エッチングされたPD用の基板
201c 台座部が形成されたPD用の基板
202a レジストパターン
202b ベーク後のレジストパターン
202c エッチングされたレジストパターンの一部
203 台座部の高さ
204 PD部
205 台座部の形成開始時点のレンズ部形状
301a Si基板
301b エッチングされたSi基板
301c 台座部が形成されたSi基板
302a レジストパターン
302b ベーク後のレジストパターン
302c エッチングされたレジストパターンの一部
303 台座部の高さ
304 PD部
305 PD用の基板
306 接着剤
501a Si基板
501b Siレンズ部を有するSi基板
502a レジストパターン
502b ベーク後のレジストパターン
503 ガラス基板
503a 台座部
503b 開口部
505 熱硬化性接着剤
506 PD用の基板
507 PD部
601 型
102 PD部
103 半導体レンズ
104 ミラー
105 光導波路
106 入射光線
201a PD用の基板
201b エッチングされたPD用の基板
201c 台座部が形成されたPD用の基板
202a レジストパターン
202b ベーク後のレジストパターン
202c エッチングされたレジストパターンの一部
203 台座部の高さ
204 PD部
205 台座部の形成開始時点のレンズ部形状
301a Si基板
301b エッチングされたSi基板
301c 台座部が形成されたSi基板
302a レジストパターン
302b ベーク後のレジストパターン
302c エッチングされたレジストパターンの一部
303 台座部の高さ
304 PD部
305 PD用の基板
306 接着剤
501a Si基板
501b Siレンズ部を有するSi基板
502a レジストパターン
502b ベーク後のレジストパターン
503 ガラス基板
503a 台座部
503b 開口部
505 熱硬化性接着剤
506 PD用の基板
507 PD部
601 型
Claims (7)
- フォトダイオード部が設けられた基板と、
レンズ部が設けられた半導体基板と、
台座部を含む基板を含む受光素子において、
前記台座部と、前記半導体基板の表面上の端部とが接し、
前記台座部に囲まれた開口部内に前記レンズ部があることを特徴とする受光素子。 - 請求項1に記載の受光素子において、
前記半導体基板は、Si、Ge及びそれらの混合物を含んでいることを特徴とする受光素子。 - 請求項1または請求項2に記載の受光素子において、
前記台座部を含む基板は、ガラス基板、プラスチック基板及び石英基板からなる群から選ばれた一であることを特徴とする受光素子。 - 請求項1乃至3いずれか一項に記載の受光素子において、
前記台座部を含む基板の開口部の幅φglassの大きさは、前記レンズ部の直径φlensの大きさより大きいことを特徴とする受光素子。 - 基板に開口部を形成することにより、台座部を形成するステップと、
前記開口部と半導体基板のレンズ部とが対向するように、前記半導体基板の表面上の端部と前記台座部とを接合させるステップと、
前記半導体基板の裏面と、フォトダイオード部が設けられた基板の裏面とを接合させるステップとを含むことを特徴とする受光素子の作製方法。 - 請求項5に記載の受光素子の作製方法において、
前記基板の開口部は、ガラスモールド法によって形成されることを特徴とする受光素子の作製方法。 - 請求項5または請求項6に記載の受光素子の作製方法において、
前記基板の開口部が設けられた表面と対向する裏面、前記半導体基板の裏面及びフォトダイオード部が設けられた基板の裏面のうち少なくとも一面を研磨によって薄層化することを特徴とする受光素子の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017082317A JP2018182172A (ja) | 2017-04-18 | 2017-04-18 | 受光素子およびその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017082317A JP2018182172A (ja) | 2017-04-18 | 2017-04-18 | 受光素子およびその作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018182172A true JP2018182172A (ja) | 2018-11-15 |
Family
ID=64277091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017082317A Pending JP2018182172A (ja) | 2017-04-18 | 2017-04-18 | 受光素子およびその作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2018182172A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2021095090A1 (ja) * | 2019-11-11 | 2021-05-20 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11509687A (ja) * | 1995-07-24 | 1999-08-24 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 光電子変換器及び製造方法 |
US20010021287A1 (en) * | 1999-06-01 | 2001-09-13 | Jack Jewell | Electro-opto mechanical assembly for coupling a light source or receiver to an optical waveguide |
JP2001351997A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Canon Inc | 受光センサーの実装構造体およびその使用方法 |
JP2002100785A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-04-05 | Infineon Technologies Ag | 表面実装可能なオプトエレクトロニクスモジュールおよび該オプトエレクトロニクスモジュールを有するオプトエレクトロニクス結合ユニット |
JP2010008612A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体機械構造体 |
JP2012186272A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Fujikura Ltd | 光学装置 |
JP2013038346A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Olympus Corp | 光学装置 |
-
2017
- 2017-04-18 JP JP2017082317A patent/JP2018182172A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11509687A (ja) * | 1995-07-24 | 1999-08-24 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 光電子変換器及び製造方法 |
US20010021287A1 (en) * | 1999-06-01 | 2001-09-13 | Jack Jewell | Electro-opto mechanical assembly for coupling a light source or receiver to an optical waveguide |
JP2001351997A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Canon Inc | 受光センサーの実装構造体およびその使用方法 |
JP2002100785A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-04-05 | Infineon Technologies Ag | 表面実装可能なオプトエレクトロニクスモジュールおよび該オプトエレクトロニクスモジュールを有するオプトエレクトロニクス結合ユニット |
JP2010008612A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体機械構造体 |
JP2012186272A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Fujikura Ltd | 光学装置 |
JP2013038346A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Olympus Corp | 光学装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2021095090A1 (ja) * | 2019-11-11 | 2021-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9671574B2 (en) | Optical integrated circuit comprising light path turning micro-mirror inside the optical waveguide and method of manufacturing the same | |
US10761279B2 (en) | Method of producing a device for adiabatic coupling between waveguide arrays, corresponding device, and system | |
US6328482B1 (en) | Multilayer optical fiber coupler | |
US9470846B2 (en) | Wavelength division multiplexing with multi-core fiber | |
US8755644B2 (en) | Silicon based optical vias | |
US20220390693A1 (en) | Micro-optical interconnect component and its method of fabrication | |
TWI675229B (zh) | 包含矽光晶片和耦合器晶片的光學模組 | |
JPH0774342A (ja) | 集積化光装置及び製造方法 | |
JP2010092904A (ja) | 光モジュール | |
JP2017194565A (ja) | 光通信モジュール及びその製造方法 | |
US9927576B2 (en) | Optical modules for wavelength multiplexing | |
JP2019186317A (ja) | 受光素子および素子の製造方法 | |
US20230213703A1 (en) | Optical coupling and mode-selective separation or superposition of optical fields | |
US20190386464A1 (en) | Opto-electronic device having a backside illuminating vcsel array with integrated diffractive optical elements (doe), diffuser and/or lens | |
JP2018182172A (ja) | 受光素子およびその作製方法 | |
KR100492534B1 (ko) | 광 발생기 모듈, 광 검출기 모듈, 그들을 결합한 광픽업장치 및 그들의 제조방법 | |
JP6850212B2 (ja) | 受光素子の製造方法 | |
JP2005164801A (ja) | 光導波路フィルムおよびその作製方法 | |
JPH05107428A (ja) | 光フアイバの端部構造及びその製造方法 | |
US20040161193A1 (en) | Optical resonator, fabrication of concave mirror thereof, and optical filter using the same | |
JP7124672B2 (ja) | 光接続部品および光接続構造 | |
JP2017134228A (ja) | 光導波路 | |
KR100935741B1 (ko) | 피마킹체 및 그 제조 방법 | |
JP2016014842A (ja) | 光導波路部品およびその製造方法 | |
JP5908369B2 (ja) | 受光デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190620 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200715 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200721 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210202 |