JP2002151781A - 光素子モジュール - Google Patents
光素子モジュールInfo
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- Semiconductor Lasers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光素子へ入力する信号の高周波特性を向上す
ること。 【解決手段】 伝送線路部材４は、表面に形成された導
体線１１と裏面の全面に形成され導体層を備えるマイク
ロストリップ線路として構成されており、パッケージ６
の電極１４に入力された高周波信号は、ボンディングワ
イヤ１５，伝送線路部材４，ボンディングワイヤ１６を
介して半導体レーザ２の電極８へ伝送される。伝送線路
部材４は、誘電損失が小さいため、高周波信号を低損失
で伝送することができ、半導体レーザ２へ入力する信号
の高周波特性を向上させることができる。
ること。 【解決手段】 伝送線路部材４は、表面に形成された導
体線１１と裏面の全面に形成され導体層を備えるマイク
ロストリップ線路として構成されており、パッケージ６
の電極１４に入力された高周波信号は、ボンディングワ
イヤ１５，伝送線路部材４，ボンディングワイヤ１６を
介して半導体レーザ２の電極８へ伝送される。伝送線路
部材４は、誘電損失が小さいため、高周波信号を低損失
で伝送することができ、半導体レーザ２へ入力する信号
の高周波特性を向上させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光素子モジュー
ルであって、少なくとも一つの光素子と、半導体又は誘
電体の材料からなり前記光素子を表面に載置する載置基
板とを備える光素子モジュールに関する。
ルであって、少なくとも一つの光素子と、半導体又は誘
電体の材料からなり前記光素子を表面に載置する載置基
板とを備える光素子モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光素子モジュールとして、パッシ
ブアライメント方法でシリコン基板に半導体レーザと光
ファイバとを載置したものが提案されている。パッシブ
アライメント方法は、シリコン基板表面に形成されたＶ
字型の溝に光ファイバを埋め込み、所定の位置に半導体
レーザを載置することで、光ファイバと半導体レーザと
を光軸調整無しに所定の位置に固定することができる方
法である。このとき、半導体レーザの電極は、シリコン
基板上に形成された電極層に電気的に接続されており、
この電極層を介して電気信号が半導体レーザへ入力され
る。
ブアライメント方法でシリコン基板に半導体レーザと光
ファイバとを載置したものが提案されている。パッシブ
アライメント方法は、シリコン基板表面に形成されたＶ
字型の溝に光ファイバを埋め込み、所定の位置に半導体
レーザを載置することで、光ファイバと半導体レーザと
を光軸調整無しに所定の位置に固定することができる方
法である。このとき、半導体レーザの電極は、シリコン
基板上に形成された電極層に電気的に接続されており、
この電極層を介して電気信号が半導体レーザへ入力され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、シリコ
ン基板は、誘電損失が大きいため、半導体レーザへ入力
する信号の高周波特性が劣化してしまう。
ン基板は、誘電損失が大きいため、半導体レーザへ入力
する信号の高周波特性が劣化してしまう。
【０００４】この発明は、上述のような課題を解決する
ためになされたもので、光素子へ入力する信号の高周波
特性を向上することを目的とする。
ためになされたもので、光素子へ入力する信号の高周波
特性を向上することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る光素子
モジュールは、光素子と、半導体又は誘電体の材料から
なり前記光素子を表面に載置する載置基板とを備える光
素子モジュールであって、少なくとも一部が前記載置基
板の表面に載置され、前記光素子と電気的に接続される
伝送線路として形成された少なくとも一つの伝送線路部
材を備えるものとする。第２の発明に係る光素子モジュ
ールは、第１の発明に係る光素子モジュールにおいて、
前記載置基板は、表面に形成された溝を備え、前記伝送
線路部材は、少なくとも一部が前記溝の底面に載置され
ているものとする。
モジュールは、光素子と、半導体又は誘電体の材料から
なり前記光素子を表面に載置する載置基板とを備える光
素子モジュールであって、少なくとも一部が前記載置基
板の表面に載置され、前記光素子と電気的に接続される
伝送線路として形成された少なくとも一つの伝送線路部
材を備えるものとする。第２の発明に係る光素子モジュ
ールは、第１の発明に係る光素子モジュールにおいて、
前記載置基板は、表面に形成された溝を備え、前記伝送
線路部材は、少なくとも一部が前記溝の底面に載置され
ているものとする。
【０００６】第３の発明に係る光素子モジュールは、第
２の発明に係る光素子モジュールにおいて、前記溝は、
前記載置基板の側面から切り込み部として形成されると
共に断面が台形形状に形成されてなるものとする。
２の発明に係る光素子モジュールにおいて、前記溝は、
前記載置基板の側面から切り込み部として形成されると
共に断面が台形形状に形成されてなるものとする。
【０００７】第４の発明に係る光素子モジュールは、第
２又は第３の発明に係る光素子モジュールにおいて、前
記光素子の前記載置基板への載置面に異なる面側で前記
光素子と前記伝送線路部材とを電気的及び物理的に接続
する接続部材を備え、前記溝は、前記光素子の前記載置
基板への載置面に異なる面が、前記伝送線路部材の該溝
への載置面に異なる面と略同一の高さとなるよう形成さ
れているものとする。
２又は第３の発明に係る光素子モジュールにおいて、前
記光素子の前記載置基板への載置面に異なる面側で前記
光素子と前記伝送線路部材とを電気的及び物理的に接続
する接続部材を備え、前記溝は、前記光素子の前記載置
基板への載置面に異なる面が、前記伝送線路部材の該溝
への載置面に異なる面と略同一の高さとなるよう形成さ
れているものとする。
【０００８】第５の発明に係る光素子モジュールは、第
２〜第４の発明のいずれかに係る光素子モジュールにお
いて、前記溝は、底面が前記伝送線路部材の幅と略同一
の幅となるよう形成されているものとする。
２〜第４の発明のいずれかに係る光素子モジュールにお
いて、前記溝は、底面が前記伝送線路部材の幅と略同一
の幅となるよう形成されているものとする。
【０００９】第６の発明に係る光素子モジュールは、第
２〜第５の発明のいずれかに係る光素子モジュールにお
いて、前記載置基板は、前記溝の底面に形成された底面
電極を備え、前記伝送線路部材は、前記載置基板への載
置面側の略全面に形成され前記底面電極を介して前記光
素子へ接地電位を供給する導体層と、前記載置面と異な
る面側に形成され前記光素子へ信号を入力する導体線と
を備えるものとする。
２〜第５の発明のいずれかに係る光素子モジュールにお
いて、前記載置基板は、前記溝の底面に形成された底面
電極を備え、前記伝送線路部材は、前記載置基板への載
置面側の略全面に形成され前記底面電極を介して前記光
素子へ接地電位を供給する導体層と、前記載置面と異な
る面側に形成され前記光素子へ信号を入力する導体線と
を備えるものとする。
【００１０】第７の発明に係る光素子モジュールは、第
６の発明に係る光素子モジュールにおいて、前記載置基
板は、裏面と側面ともに前記底面電極が形成されている
ものとする。
６の発明に係る光素子モジュールにおいて、前記載置基
板は、裏面と側面ともに前記底面電極が形成されている
ものとする。
【００１１】第８の発明に係る光素子モジュールは、第
７の発明に係る光素子モジュールにおいて、前記載置基
板は、前記側面角部が面取り加工されているものとす
る。
７の発明に係る光素子モジュールにおいて、前記載置基
板は、前記側面角部が面取り加工されているものとす
る。
【００１２】第９の発明に係る光素子モジュールは、第
１〜第９の発明のいずれかに係る光素子モジュールにお
いて、前記光素子，前記載置基板及び前記伝送線路部材
を封入するとともに樹脂製充填材で内部が充填されてな
る封入部材を備えるものとする。
１〜第９の発明のいずれかに係る光素子モジュールにお
いて、前記光素子，前記載置基板及び前記伝送線路部材
を封入するとともに樹脂製充填材で内部が充填されてな
る封入部材を備えるものとする。
【００１３】第１０の発明に係る光素子モジュールは、
第１の発明に係る光素子モジュールにおいて、前記伝送
線路部材を複数備え、前記載置基板は、表面に形成され
た複数の溝の各々に前記伝送線路部材の各々が載置され
ているものとする。
第１の発明に係る光素子モジュールにおいて、前記伝送
線路部材を複数備え、前記載置基板は、表面に形成され
た複数の溝の各々に前記伝送線路部材の各々が載置され
ているものとする。
【００１４】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、光素子モ
ジュール１の構成の概略を示す平面図であり、図２は、
図１のＡＡ線での断面図である。光素子モジュール１
は、レーザ光を放出する半導体レーザ（光素子）２と、
半導体レーザ２から入射されたレーザ光を低損失に伝搬
させる光ファイバ３と、半導体レーザ２に電気的に接続
される伝送線路部材４と、半導体レーザ２，光ファイバ
３及び伝送線路部材４が載置されたシリコン基板（載置
基板）５と、上部の開口を蓋（図示せず）で塞ぐことに
より半導体レーザ２，光ファイバ３，伝送線路部材４及
びシリコン基板５を封入するパッケージ（封入部材）６
とを備える。
ジュール１の構成の概略を示す平面図であり、図２は、
図１のＡＡ線での断面図である。光素子モジュール１
は、レーザ光を放出する半導体レーザ（光素子）２と、
半導体レーザ２から入射されたレーザ光を低損失に伝搬
させる光ファイバ３と、半導体レーザ２に電気的に接続
される伝送線路部材４と、半導体レーザ２，光ファイバ
３及び伝送線路部材４が載置されたシリコン基板（載置
基板）５と、上部の開口を蓋（図示せず）で塞ぐことに
より半導体レーザ２，光ファイバ３，伝送線路部材４及
びシリコン基板５を封入するパッケージ（封入部材）６
とを備える。
【００１５】半導体レーザ２は、シリコン基板５への載
置面側に形成された電極７と、載置面と異なる面側に形
成された電極８を備え、電極８に高周波信号が入力され
ると発振しレーザ光を放出する。
置面側に形成された電極７と、載置面と異なる面側に形
成された電極８を備え、電極８に高周波信号が入力され
ると発振しレーザ光を放出する。
【００１６】伝送線路部材４は、一部がシリコン基板５
に載置されると共に一部はパッケージ６の底面縁部に設
けられた凸部９に載置されている。伝送線路部材４は、
シリコン基板５への載置面側のほぼ全面に形成された導
体層１０と、シリコン基板５への載置面と異なる面側に
形成された導体線１１と、導体層１０と導体線１１とで
挟持された誘電体層１２とを備えるマイクロストリップ
線路（伝送線路）として構成されている。導体層１０
は、外部からの接地電位を供給することができるように
パッケージ６の凸部９に設けられた電極１３と接続され
ている。また、導体線１１は、外部からの高周波信号を
半導体レーザ２の電極８へ入力できるよう、パッケージ
６に設けられ電極１４にボンディングワイヤ１５を介し
て接続されると共に、半導体レーザ２の電極８にボンデ
ィングワイヤ（接続部材）１６を介して接続されてい
る。
に載置されると共に一部はパッケージ６の底面縁部に設
けられた凸部９に載置されている。伝送線路部材４は、
シリコン基板５への載置面側のほぼ全面に形成された導
体層１０と、シリコン基板５への載置面と異なる面側に
形成された導体線１１と、導体層１０と導体線１１とで
挟持された誘電体層１２とを備えるマイクロストリップ
線路（伝送線路）として構成されている。導体層１０
は、外部からの接地電位を供給することができるように
パッケージ６の凸部９に設けられた電極１３と接続され
ている。また、導体線１１は、外部からの高周波信号を
半導体レーザ２の電極８へ入力できるよう、パッケージ
６に設けられ電極１４にボンディングワイヤ１５を介し
て接続されると共に、半導体レーザ２の電極８にボンデ
ィングワイヤ（接続部材）１６を介して接続されてい
る。
【００１７】図３は、シリコン基板５の構成の概略を示
す斜視図である。シリコン基板５は、光ファイバ３を埋
め込むＶ字型溝１７と、シリコン基板５の側面から切り
込み部として形成されるとともに断面が台形形状に形成
され伝送線路部材４が底面に載置される溝１８と、半導
体レーザ２の載置面から溝１８の底面，溝１８の側面の
一部及びシリコン基板５の裏面全面に形成された底面電
極１９とを備える。溝１８は、エッチング法を用いてＶ
字型溝１７とともにシリコン基板５に形成される。溝１
８は、側面角部２０の角度が９０度より大きくなるよう
側面角部２０がエッチング（面取り加工）されているの
で、側面角部２０で底面電極１９が剥離することを防ぐ
ことができる。また、溝１８の底面の幅Ｂは、伝送線路
部材４の幅Ｃとほぼ同じ幅になるように形成しているの
で、伝送線路部材４の位置決めを容易にすることができ
る。また、溝１８は、底面から半導体レーザ２のシリコ
ン基板５の載置面と異なる面までの高さ（図２のＤ）が
溝１８の底面から伝送線路部材４のシリコン基板５の載
置面と異なる面までの高さ（図２のＥ）とほぼ同一とな
るように形成しているので、高さが異なる場合と比較し
て、ボンディングワイヤ１６の長さが短くなっている。
この結果、ボンディングワイヤ１６のインダクタンス成
分を小さくすることができる。底面電極１９は、半導体
レーザ２の電極７へ接地電位を供給することができるよ
う、半導体レーザ２の電極７と電気的に接続されると共
に伝送線路部材４の導体層１０及びパッケージ６の底面
に形成された電極２１と接続されている。
す斜視図である。シリコン基板５は、光ファイバ３を埋
め込むＶ字型溝１７と、シリコン基板５の側面から切り
込み部として形成されるとともに断面が台形形状に形成
され伝送線路部材４が底面に載置される溝１８と、半導
体レーザ２の載置面から溝１８の底面，溝１８の側面の
一部及びシリコン基板５の裏面全面に形成された底面電
極１９とを備える。溝１８は、エッチング法を用いてＶ
字型溝１７とともにシリコン基板５に形成される。溝１
８は、側面角部２０の角度が９０度より大きくなるよう
側面角部２０がエッチング（面取り加工）されているの
で、側面角部２０で底面電極１９が剥離することを防ぐ
ことができる。また、溝１８の底面の幅Ｂは、伝送線路
部材４の幅Ｃとほぼ同じ幅になるように形成しているの
で、伝送線路部材４の位置決めを容易にすることができ
る。また、溝１８は、底面から半導体レーザ２のシリコ
ン基板５の載置面と異なる面までの高さ（図２のＤ）が
溝１８の底面から伝送線路部材４のシリコン基板５の載
置面と異なる面までの高さ（図２のＥ）とほぼ同一とな
るように形成しているので、高さが異なる場合と比較し
て、ボンディングワイヤ１６の長さが短くなっている。
この結果、ボンディングワイヤ１６のインダクタンス成
分を小さくすることができる。底面電極１９は、半導体
レーザ２の電極７へ接地電位を供給することができるよ
う、半導体レーザ２の電極７と電気的に接続されると共
に伝送線路部材４の導体層１０及びパッケージ６の底面
に形成された電極２１と接続されている。
【００１８】次に、このように構成された光素子モジュ
ール１の半導体レーザ２への高周波信号の伝送について
説明する。パッケージ６の電極１４に入力された高周波
信号は、ボンディングワイヤ１５，伝送線路部材４，ボ
ンディングワイヤ１６を介して半導体レーザ２の電極８
へ伝送される。一方、電極１３からは、導体層１０，底
面電極１９を介して半導体レーザの電極７へ接地電位が
供給される。伝送線路部材４は、マイクロストリップ線
路として形成されているため、シリコン基板５上に直接
形成した電極を信号の伝送線路として用いる場合と比較
して、誘電損失が小さくなる。この結果、高周波信号を
低損失で伝送することができ、半導体レーザ２へ入力す
る信号の高周波特性を向上させることができる。また、
シリコン基板５は、半導体レーザ２の載置面から溝１８
の底面，溝１８の側面の一部及びシリコン基板５の裏面
全面に底面電極１９が形成されており、しかも、この底
面電極１９には接地電位が供給されているので、接地電
位の変動が小さくなり、更に入力信号の高周波特性が向
上する。
ール１の半導体レーザ２への高周波信号の伝送について
説明する。パッケージ６の電極１４に入力された高周波
信号は、ボンディングワイヤ１５，伝送線路部材４，ボ
ンディングワイヤ１６を介して半導体レーザ２の電極８
へ伝送される。一方、電極１３からは、導体層１０，底
面電極１９を介して半導体レーザの電極７へ接地電位が
供給される。伝送線路部材４は、マイクロストリップ線
路として形成されているため、シリコン基板５上に直接
形成した電極を信号の伝送線路として用いる場合と比較
して、誘電損失が小さくなる。この結果、高周波信号を
低損失で伝送することができ、半導体レーザ２へ入力す
る信号の高周波特性を向上させることができる。また、
シリコン基板５は、半導体レーザ２の載置面から溝１８
の底面，溝１８の側面の一部及びシリコン基板５の裏面
全面に底面電極１９が形成されており、しかも、この底
面電極１９には接地電位が供給されているので、接地電
位の変動が小さくなり、更に入力信号の高周波特性が向
上する。
【００１９】尚、光素子モジュール１は、シリコン基板
５上に半導体レーザ２を載置するものとした、発光ダイ
オードなど他の光素子を載置するものとすることもでき
る。
５上に半導体レーザ２を載置するものとした、発光ダイ
オードなど他の光素子を載置するものとすることもでき
る。
【００２０】また、光素子モジュールは、溝１８の断面
形状が台形となるように形成したが、伝送線路部材が底
面に載置できる形状のものであればよく、矩形形状など
様々な断面形状とすることもできる。
形状が台形となるように形成したが、伝送線路部材が底
面に載置できる形状のものであればよく、矩形形状など
様々な断面形状とすることもできる。
【００２１】また、光素子モジュール１は、シリコン基
板５上に半導体レーザ２などを載置するものとしたが、
絶縁性の高い基板であれば良いので、他の半導体基板や
誘電体基板とすることもできる。
板５上に半導体レーザ２などを載置するものとしたが、
絶縁性の高い基板であれば良いので、他の半導体基板や
誘電体基板とすることもできる。
【００２２】そして、光素子モジュール１は、伝送線路
部材４は、マイクロストリップ線路として形成されるも
のとしたが、マイクロストリップ線路に限定したもので
はなく、コプレーナ線路，スロット線路，同軸線路など
の他の伝送線路として形成されているものとすることも
できる。このとき、半導体レーザ２の各電極位置，パッ
ケージ６の各電極位置は、伝送線路部材４と電気的接続
がとれるように適宜変更することができる。
部材４は、マイクロストリップ線路として形成されるも
のとしたが、マイクロストリップ線路に限定したもので
はなく、コプレーナ線路，スロット線路，同軸線路など
の他の伝送線路として形成されているものとすることも
できる。このとき、半導体レーザ２の各電極位置，パッ
ケージ６の各電極位置は、伝送線路部材４と電気的接続
がとれるように適宜変更することができる。
【００２３】実施の形態２．図４は、実施の形態１に示
した光素子モジュール１の内部の一部を樹脂製充填材２
２で充填し各構成部材を気密封止した光素子モジュール
２３の断面図である。尚、図１〜図３に示した構成部材
と同一または同様の機能を果たす部材には同一の符号を
付し説明を省略する。このように、光素子モジュール２
３の内部を気密封止することで、半導体レーザ２へ入力
する信号の高周波特性が更に向上する。
した光素子モジュール１の内部の一部を樹脂製充填材２
２で充填し各構成部材を気密封止した光素子モジュール
２３の断面図である。尚、図１〜図３に示した構成部材
と同一または同様の機能を果たす部材には同一の符号を
付し説明を省略する。このように、光素子モジュール２
３の内部を気密封止することで、半導体レーザ２へ入力
する信号の高周波特性が更に向上する。
【００２４】実施の形態３．図５は、伝送線路部材を２
つ備えた光素子モジュール２４の構成の概略を示す平面
図であり、図６は、光素子モジュール２４のシリコン基
板２５の構成の概略を示す斜視図である。尚、図１〜図
３に示した構成部材と同一または同様の機能を果たす部
材には同一の符号を付し説明を省略する。光素子モジュ
ール２４は、変調器とレーザ器とが集積された変調器付
き半導体レーザ２６と、伝送線路部材４と同様の構成で
あり半導体レーザ２６とボンディングワイヤ２７で接続
され変調器の入力を５０オーム終端する伝送線路部材２
８を備える。シリコン基板２５は、溝１８と同様な形状
であり溝１８と同様な底面電極が形成された溝２９を備
えており、溝２９の底面に伝送線路部材２８が載置され
る。光素子モジュール２４についても、変調器付き半導
体レーザ２６へ入力する信号の高周波特性を向上させる
ことができる。
つ備えた光素子モジュール２４の構成の概略を示す平面
図であり、図６は、光素子モジュール２４のシリコン基
板２５の構成の概略を示す斜視図である。尚、図１〜図
３に示した構成部材と同一または同様の機能を果たす部
材には同一の符号を付し説明を省略する。光素子モジュ
ール２４は、変調器とレーザ器とが集積された変調器付
き半導体レーザ２６と、伝送線路部材４と同様の構成で
あり半導体レーザ２６とボンディングワイヤ２７で接続
され変調器の入力を５０オーム終端する伝送線路部材２
８を備える。シリコン基板２５は、溝１８と同様な形状
であり溝１８と同様な底面電極が形成された溝２９を備
えており、溝２９の底面に伝送線路部材２８が載置され
る。光素子モジュール２４についても、変調器付き半導
体レーザ２６へ入力する信号の高周波特性を向上させる
ことができる。
【００２５】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。
れているので、以下に示すような効果を奏する。
【００２６】第１〜第３の発明によれば、光素子への電
気的接続を伝送線路部材で行なうので、載置基板が半導
体又は誘電体を材料とするものであっても、光素子モジ
ュールの高周波特性を向上させることができる。
気的接続を伝送線路部材で行なうので、載置基板が半導
体又は誘電体を材料とするものであっても、光素子モジ
ュールの高周波特性を向上させることができる。
【００２７】第４の発明によれば、光素子の載置基板へ
の載置面に異なる面が、伝送線路部材の溝への載置面に
異なる面と略同一の高さとなるので、光素子と伝送線路
部材とを接続する接続部材の長さを短くすることができ
る。この結果、接続部材のインダクタンス成分を下げる
ことができ、光素子モジュールの高周波特性をより向上
させることができる。
の載置面に異なる面が、伝送線路部材の溝への載置面に
異なる面と略同一の高さとなるので、光素子と伝送線路
部材とを接続する接続部材の長さを短くすることができ
る。この結果、接続部材のインダクタンス成分を下げる
ことができ、光素子モジュールの高周波特性をより向上
させることができる。
【００２８】第５の発明によれば、溝は、底面が伝送線
路部材の幅と略同一の幅となるよう形成されているの
で、伝送線路部材の底面への位置決めを容易に行なうこ
とができる。
路部材の幅と略同一の幅となるよう形成されているの
で、伝送線路部材の底面への位置決めを容易に行なうこ
とができる。
【００２９】第６の発明によれば、伝送線路部材の載置
面側の略全面に形成された導体層と底面電極とが接地電
位が供給されるので、光素子へ高周波信号を入力しても
接地電位の変動が小さい。この結果、光素子モジュール
の高周波特性をより向上させることができる。
面側の略全面に形成された導体層と底面電極とが接地電
位が供給されるので、光素子へ高周波信号を入力しても
接地電位の変動が小さい。この結果、光素子モジュール
の高周波特性をより向上させることができる。
【００３０】第７の発明によれば、接地電位となり底面
電極の面積が多くなるので、さらに高周波特性を向上さ
せることができる。
電極の面積が多くなるので、さらに高周波特性を向上さ
せることができる。
【００３１】第８の発明によれば、側面角部が面取り加
工されているので、底面電極の溝底面からの剥離を抑え
ることができる。
工されているので、底面電極の溝底面からの剥離を抑え
ることができる。
【００３２】第９の発明によれば、内部が樹脂性充填材
で充填されているので、更に高周波特性を向上させるこ
とができる。
で充填されているので、更に高周波特性を向上させるこ
とができる。
【００３３】第１０の発明によれば、伝送線路部材が複
数必要な光素子モジュールにおいても、高周波特性を向
上させることができる。
数必要な光素子モジュールにおいても、高周波特性を向
上させることができる。
【図１】 光素子モジュール１の構成の概略を示す平面
図である。
図である。
【図２】 図１のＡＡ線での断面図である。
【図３】 図１及び図２で示した光素子モジュールのシ
リコン基板の構成の概略を示す斜視図である。
リコン基板の構成の概略を示す斜視図である。
【図４】 光素子モジュールの内部の一部を樹脂製充填
材で充填し各構成部材を気密封止した光素子モジュール
の断面図である。
材で充填し各構成部材を気密封止した光素子モジュール
の断面図である。
【図５】 伝送線路部材を２つ備えた光素子モジュール
の構成の概略を示す平面図である。
の構成の概略を示す平面図である。
【図６】 図５に示した光素子モジュールのシリコン基
板の構成の概略を示す斜視図である。
板の構成の概略を示す斜視図である。
１，２３，２４ 光素子モジュール、２，２６ 半導体
レーザ（光素子）、４，２８ 伝送線路部材、５，２５
シリコン基板（載置基板）、６ パッケージ（封入部
材）、１０ 導体層、１１ 導体線、１８，２９ 溝、
１６ ボンディングワイヤ（接続線路部材）、１９ 底
面電極、２０ 側面角部、２２ 樹脂製充填材。
レーザ（光素子）、４，２８ 伝送線路部材、５，２５
シリコン基板（載置基板）、６ パッケージ（封入部
材）、１０ 導体層、１１ 導体線、１８，２９ 溝、
１６ ボンディングワイヤ（接続線路部材）、１９ 底
面電極、２０ 側面角部、２２ 樹脂製充填材。
Claims (10)
- 【請求項１】 光素子と、半導体又は誘電体の材料から
なり前記光素子を表面に載置する載置基板とを備える光
素子モジュールであって、 少なくとも一部が前記載置基板の表面に載置され、前記
光素子と電気的に接続される伝送線路として形成された
少なくとも一つの伝送線路部材を備えることを特徴とす
る光素子モジュール。 - 【請求項２】 前記載置基板は、表面に形成された溝を
備え、前記伝送線路部材は、少なくとも一部が前記溝の
底面に載置されていること特徴とする請求項１に記載の
光素子モジュール。 - 【請求項３】 前記溝は、前記載置基板の側面から切り
込み部として形成されると共に断面が台形形状に形成さ
れてなることを特徴とする請求項２に記載の光素子モジ
ュール。 - 【請求項４】 前記光素子と前記伝送線路部材とを前記
光素子の前記載置基板への載置面に異なる面側で電気的
及び物理的に接続する接続部材を備え、前記溝は、前記
光素子の前記載置面に異なる面が前記伝送線路部材の該
溝への載置面に異なる面と略同一の高さとなるよう形成
されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の光
素子モジュール。 - 【請求項５】 前記溝は、底面が前記伝送線路部材の幅
と略同一の幅となるよう形成されていることを特徴とす
る請求項２〜４のいずれかに記載の光素子モジュール。 - 【請求項６】 前記載置基板は、前記溝の底面に形成さ
れた底面電極を備え、前記伝送線路部材は、前記載置基
板への載置面側の略全面に形成され前記底面電極を介し
て前記光素子へ接地電位を供給する導体層と、前記載置
面と異なる面側に形成され前記光素子へ信号を入力する
導体線とを備えることを特徴とする請求項２〜５のいず
れかに記載の光素子モジュール。 - 【請求項７】 前記載置基板は、裏面と側面ともに前記
底面電極が形成されていることを特徴とする請求項６に
記載の光素子モジュール。 - 【請求項８】 前記載置基板は、前記側面角部が面取り
加工されていることを特徴とする請求項７に記載の光素
子モジュール。 - 【請求項９】 前記光素子，前記載置基板及び前記伝送
線路部材を封入するとともに樹脂製充填材で内部が充填
されてなる封入部材を備えることを特徴とする請求項１
〜８のいずれかに記載の光素子モジュール。 - 【請求項１０】 前記伝送線路部材を複数備え、前記載
置基板は、表面に形成された複数の溝の各々に前記伝送
線路部材の各々が載置されていること特徴とする請求項
１に記載の光素子モジュール。
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| CA002349184A CA2349184A1 (en) | 2000-11-10 | 2001-05-29 | Optical element module |
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|---|---|---|---|
| JP2000342946A JP2002151781A (ja) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | 光素子モジュール |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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| JP6988493B2 (ja) * | 2018-01-11 | 2022-01-05 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール及びその製造方法 |
| CN111193181B (zh) * | 2020-01-08 | 2022-09-09 | 索尔思光电（成都）有限公司 | To封装的tosa及光模块 |
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| JP3204355B2 (ja) | 1993-08-09 | 2001-09-04 | 日本電信電話株式会社 | 光／電子ハイブリッド実装基板およびその製造方法ならびに光／電子ハイブリッド集積回路 |
| DE4343494A1 (de) | 1993-12-20 | 1995-06-22 | Sel Alcatel Ag | HF-Zuführung für einen Laser in einem Lasermodul mit Peltierkühler |
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| JPH09138325A (ja) * | 1995-11-13 | 1997-05-27 | Nec Corp | 光ファイバ実装構造とその製造方法 |
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| DE19719853A1 (de) | 1997-05-12 | 1998-11-19 | Bosch Gmbh Robert | Hochfrequenz-Halbleitermodul |
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2000
- 2000-11-10 JP JP2000342946A patent/JP2002151781A/ja active Pending
-
2001
- 2001-05-04 US US09/848,323 patent/US6504177B2/en not_active Expired - Fee Related
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