JPH0645636A - 受発光素子およびこれを利用した受発光装置 - Google Patents
受発光素子およびこれを利用した受発光装置Info
- Publication number
- JPH0645636A JPH0645636A JP19844892A JP19844892A JPH0645636A JP H0645636 A JPH0645636 A JP H0645636A JP 19844892 A JP19844892 A JP 19844892A JP 19844892 A JP19844892 A JP 19844892A JP H0645636 A JPH0645636 A JP H0645636A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- chip
- light emitting
- receiving
- photodetection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/061—Disposition
- H01L2224/06102—Disposition the bonding areas being at different heights
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁不良を抑える。
【構成】 受光チップ２３および発光チップ２４を、同
一の絶縁基板上に積載集積化した受発光素子１２を用い
て、前記受発光チップ２３，２４間に透明絶縁層２５を
介して搭載する。透明絶縁層２５を上層側チップ２３の
底面から外方向に突出して形成し、はみ出した分だけ受
発光チップ２３，２４間の沿面距離を広くとる。
一の絶縁基板上に積載集積化した受発光素子１２を用い
て、前記受発光チップ２３，２４間に透明絶縁層２５を
介して搭載する。透明絶縁層２５を上層側チップ２３の
底面から外方向に突出して形成し、はみ出した分だけ受
発光チップ２３，２４間の沿面距離を広くとる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光チップおよび受光
チップを備えた受発光素子およびこれを利用した受発光
装置に関する。
チップを備えた受発光素子およびこれを利用した受発光
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来例１の受発光素子を示す断面
図、図７は従来例１の受発光素子を示す斜視図である。
図、図７は従来例１の受発光素子を示す斜視図である。
【０００３】従来例１にかかる受発光素子は、図６，７
の如く、鉄系もしくは銅系の金属リードフレーム１，２
の先端に、発光ダイオードチップ等の発光チップ３と、
フォトダイオードチップやフォトトランジスタチップ等
の受光チップ４とをそれぞれ銀ペースト等でダイボンド
し、その後、Ａｕワイヤー等のボンディングワイヤーで
ワイヤボンドが施され、その後、両チップ３，４は対向
配置される。
の如く、鉄系もしくは銅系の金属リードフレーム１，２
の先端に、発光ダイオードチップ等の発光チップ３と、
フォトダイオードチップやフォトトランジスタチップ等
の受光チップ４とをそれぞれ銀ペースト等でダイボンド
し、その後、Ａｕワイヤー等のボンディングワイヤーで
ワイヤボンドが施され、その後、両チップ３，４は対向
配置される。
【０００４】そして、前記両チップ３，４は、チップ保
護および光外部量子効率の向上のため、透光性樹脂５に
よる一次モールドを施した後、前記金属リードフレーム
１，２の保護と外乱光の侵入を遮蔽するために、遮光性
樹脂６で二次モールドがなされている。
護および光外部量子効率の向上のため、透光性樹脂５に
よる一次モールドを施した後、前記金属リードフレーム
１，２の保護と外乱光の侵入を遮蔽するために、遮光性
樹脂６で二次モールドがなされている。
【０００５】これらの受発光素子では、発光チップ３と
受光チップ４との間隔が比較的大きいため、光の伝達効
率は低く、光の損失が大きいことが問題となっている。
受光チップ４との間隔が比較的大きいため、光の伝達効
率は低く、光の損失が大きいことが問題となっている。
【０００６】このため、特開昭５９−１０３３８７号、
特開昭５９−１３２１７７号等において、図８の如く、
同一平面内で、厚み方向に受光チップ４（例えばフォト
ダイオード）と発光チップ３（例えば発光ダイオード）
を集積化し、各チップ３，４間を透明絶縁層７（例えば
セレン化亜鉛）により電気的に絶縁させることで、両チ
ップ３，４間を短くとり、受光効率を向上させたものも
ある（従来例２）。
特開昭５９−１３２１７７号等において、図８の如く、
同一平面内で、厚み方向に受光チップ４（例えばフォト
ダイオード）と発光チップ３（例えば発光ダイオード）
を集積化し、各チップ３，４間を透明絶縁層７（例えば
セレン化亜鉛）により電気的に絶縁させることで、両チ
ップ３，４間を短くとり、受光効率を向上させたものも
ある（従来例２）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来例２の場合、両チ
ップ３，４間の絶縁耐圧は、透明絶縁層７の厚みにより
十分高い値を得ることができる。
ップ３，４間の絶縁耐圧は、透明絶縁層７の厚みにより
十分高い値を得ることができる。
【０００８】しかし、透明絶縁層７の厚みは、発光チッ
プ３と受光チップ４との間の沿面距離ａとなり、非常に
短くなる。そして、これら沿面の界面には、外部からの
汚れや水分が侵入しやすく、その汚れや水分によりイオ
ン導電が発生する。この現象は、沿面距離が短いほど起
こりやすくなり、受発光素子において長時間動作後での
電気的絶縁不良が起こる原因となる。
プ３と受光チップ４との間の沿面距離ａとなり、非常に
短くなる。そして、これら沿面の界面には、外部からの
汚れや水分が侵入しやすく、その汚れや水分によりイオ
ン導電が発生する。この現象は、沿面距離が短いほど起
こりやすくなり、受発光素子において長時間動作後での
電気的絶縁不良が起こる原因となる。
【０００９】本発明は、上記課題に鑑み、受発光チップ
間での光の伝達効率を低下させることなく絶縁耐圧を高
めることができるとともに、長時間動作後の絶縁不良を
防止し、安定した動作が可能となる受発光素子の提供を
目的とする。
間での光の伝達効率を低下させることなく絶縁耐圧を高
めることができるとともに、長時間動作後の絶縁不良を
防止し、安定した動作が可能となる受発光素子の提供を
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明請求項１による課
題解決手段は、図１〜５の如く、発光チップ２３と受光
チップ２４とが厚み方向に積層され、該発光チップ２３
および受光チップ２４のうちの上層側チップ２３は、他
方の下層側チップ２４の一部が露出するよう下層側チッ
プ２４より小面積とされた受発光素子１２において、両
チップ２３，２４の間に、電気的絶縁のための透明絶縁
層２５が積層され、該透明絶縁層２５は、上層側チップ
２３の底面から外方向に突出して形成されたものであ
る。
題解決手段は、図１〜５の如く、発光チップ２３と受光
チップ２４とが厚み方向に積層され、該発光チップ２３
および受光チップ２４のうちの上層側チップ２３は、他
方の下層側チップ２４の一部が露出するよう下層側チッ
プ２４より小面積とされた受発光素子１２において、両
チップ２３，２４の間に、電気的絶縁のための透明絶縁
層２５が積層され、該透明絶縁層２５は、上層側チップ
２３の底面から外方向に突出して形成されたものであ
る。
【００１１】本発明請求項２による課題解決手段は、請
求項１記載の透明絶縁層２５の一部は、下層側チップ２
４のワイヤボンディングを妨げないよう折曲されたもの
である。
求項１記載の透明絶縁層２５の一部は、下層側チップ２
４のワイヤボンディングを妨げないよう折曲されたもの
である。
【００１２】本発明請求項３による課題解決手段は、絶
縁ケース基板１１に凹部１３が形成され、該凹部１３か
ら絶縁ケース基板１１の裏面にかけて薄膜状の金属配線
１４が立体的に形成され、該金属配線１４に、請求項１
または請求項２記載の受発光素子１２が搭載されたもの
である。
縁ケース基板１１に凹部１３が形成され、該凹部１３か
ら絶縁ケース基板１１の裏面にかけて薄膜状の金属配線
１４が立体的に形成され、該金属配線１４に、請求項１
または請求項２記載の受発光素子１２が搭載されたもの
である。
【００１３】
【作用】上記請求項１〜３による課題解決手段におい
て、発光チップ２３と受光チップ２４との間に透明絶縁
層２５を介して光結合させているので、両チップ２３，
２４間の間隔を広げることなく、絶縁耐圧の向上が図れ
ると共に、沿面距離を大きくとれることで、長時間動作
後での電気的絶縁不良を抑えることが可能となる。ま
た、透明絶縁層２５の発光チップ２３からの外方向への
突出寸法を長く設定することで、発光チップ２３と受光
チップ２４との沿面距離を長くすることが可能であり、
受発光素子１２において長時間動作後での絶縁不良など
の問題を抑えることができる。
て、発光チップ２３と受光チップ２４との間に透明絶縁
層２５を介して光結合させているので、両チップ２３，
２４間の間隔を広げることなく、絶縁耐圧の向上が図れ
ると共に、沿面距離を大きくとれることで、長時間動作
後での電気的絶縁不良を抑えることが可能となる。ま
た、透明絶縁層２５の発光チップ２３からの外方向への
突出寸法を長く設定することで、発光チップ２３と受光
チップ２４との沿面距離を長くすることが可能であり、
受発光素子１２において長時間動作後での絶縁不良など
の問題を抑えることができる。
【００１４】
【実施例】図１は本発明に係わる受発光装置の第一実施
例を示す断面図、図２は本発明に係わる受発光装置の第
一実施例を示す平面図、図３は本発明に係わる受発光装
置の第一実施例を示す分解斜視図、図４は第一実施例の
受発光装置に用いられる受発光素子の断面図である。
例を示す断面図、図２は本発明に係わる受発光装置の第
一実施例を示す平面図、図３は本発明に係わる受発光装
置の第一実施例を示す分解斜視図、図４は第一実施例の
受発光装置に用いられる受発光素子の断面図である。
【００１５】本実施例の受発光装置は、図１〜３の如
く、絶縁ケース基板１１の内部に、受発光素子１２が搭
載されてなるものである。
く、絶縁ケース基板１１の内部に、受発光素子１２が搭
載されてなるものである。
【００１６】前記絶縁ケース基板１１は、液晶ポリマー
やセラミック等の材料を用いて、例えば射出成型などの
手法により形成される。該絶縁ケース基板１１の上面に
は、受発光素子１２を収納する凹部１３が形成される。
やセラミック等の材料を用いて、例えば射出成型などの
手法により形成される。該絶縁ケース基板１１の上面に
は、受発光素子１２を収納する凹部１３が形成される。
【００１７】該凹部１３から絶縁ケース基板１１の裏面
にかけては、薄膜状の金属配線１４が立体的にめっき形
成されている。該金属配線１４は、凹部１３内の内部電
極部１５，１６，１７と、該内部電極部１５，１６に連
続して絶縁ケース基板１１の上面および側面スルーホー
ルに形成された配線部１８，１９と、該配線部１８，１
９に連続して絶縁ケース基板１１の裏面に形成され外部
実装基板に半田付けされる裏面電極部２１，２２とから
なる。
にかけては、薄膜状の金属配線１４が立体的にめっき形
成されている。該金属配線１４は、凹部１３内の内部電
極部１５，１６，１７と、該内部電極部１５，１６に連
続して絶縁ケース基板１１の上面および側面スルーホー
ルに形成された配線部１８，１９と、該配線部１８，１
９に連続して絶縁ケース基板１１の裏面に形成され外部
実装基板に半田付けされる裏面電極部２１，２２とから
なる。
【００１８】前記受発光素子１２は、フォトダイオード
等の受光チップ２４と、発光ダイオード等の発光チップ
２３とが厚み方向に順次積層され、上層側の発光チップ
２３は、下層側の受光チップ２４の一部が露出するよう
受光チップ２４より小面積とされ、両チップ２３，２４
の間に、電気的絶縁のための透明絶縁層２５が積層され
ている。
等の受光チップ２４と、発光ダイオード等の発光チップ
２３とが厚み方向に順次積層され、上層側の発光チップ
２３は、下層側の受光チップ２４の一部が露出するよう
受光チップ２４より小面積とされ、両チップ２３，２４
の間に、電気的絶縁のための透明絶縁層２５が積層され
ている。
【００１９】前記透明絶縁層２５は、例えばポリイミド
樹脂のような絶縁樹脂が用いられ、上層側チップ２３の
底面から外方向に突出して形成され、透明絶縁層２５の
突出した部分は、下層側の受光チップ２４のワイヤーボ
ンディングの作業性を劣化させないよう折曲されてい
る。
樹脂のような絶縁樹脂が用いられ、上層側チップ２３の
底面から外方向に突出して形成され、透明絶縁層２５の
突出した部分は、下層側の受光チップ２４のワイヤーボ
ンディングの作業性を劣化させないよう折曲されてい
る。
【００２０】なお、前記発光チップ２３、受光チップ２
４および透明絶縁層２５の接着は、透明絶縁層２５に接
着性を持たせてやるか、接着部に透明の絶縁性ペースト
を用いて硬化することで密着される。
４および透明絶縁層２５の接着は、透明絶縁層２５に接
着性を持たせてやるか、接着部に透明の絶縁性ペースト
を用いて硬化することで密着される。
【００２１】該受発光素子１２は、前記金属配線１４の
一方の内部電極部１５にダイボンドされ、他方の内部電
極部１６にＡｕワイヤ等のボンデイングワイヤ２７にて
結線される。
一方の内部電極部１５にダイボンドされ、他方の内部電
極部１６にＡｕワイヤ等のボンデイングワイヤ２７にて
結線される。
【００２２】また、前記絶縁ケース基板１１の凹部１３
には、受発光素子１２の搭載後、発光チップの外部量子
効率の向上、および両チップ２３，２４の保護を目的
に、透光性樹脂２８が封止される。該透光性樹脂２８の
量は、前記受発光チップが充分覆われる程度に設定され
る。
には、受発光素子１２の搭載後、発光チップの外部量子
効率の向上、および両チップ２３，２４の保護を目的
に、透光性樹脂２８が封止される。該透光性樹脂２８の
量は、前記受発光チップが充分覆われる程度に設定され
る。
【００２３】さらに、該透光性樹脂２８の上部は、外乱
光の入射を遮断するため、遮光性樹脂２９にて封止され
る。
光の入射を遮断するため、遮光性樹脂２９にて封止され
る。
【００２４】上記構成の受発光装置では、透明絶縁層２
５を受発光チップ２３，２４間に介在することで、受発
光チップ２３，２４間の絶縁耐圧は得られる。そこで得
られる絶縁耐圧値は、搭載される透明絶縁層２５の厚み
により決まる。
５を受発光チップ２３，２４間に介在することで、受発
光チップ２３，２４間の絶縁耐圧は得られる。そこで得
られる絶縁耐圧値は、搭載される透明絶縁層２５の厚み
により決まる。
【００２５】つまり、従来の受発光素子１２では、各チ
ップ２３，２４間に介した透明絶縁層２５を厚くするこ
とで、高い絶縁耐圧値を得ることができる。しかし、沿
面距離を見ると、図８の如く、従来例２では透明絶縁層
２５の厚みａとなるため、非常に短くなっている。ここ
で、図４の如く、受発光チップ２３，２４間に高抵抗の
透明絶縁層２５を介した本実施例の受発光素子１２で
は、透明絶縁層２５を従来と同様の厚みとすることで、
従来例と同様に高い絶縁耐圧値が得られ、その沿面距離
は、透明絶縁層２５の厚みではなく、透明絶縁層２５の
発光チップ２３からの突出寸法を長く設定することで、
図４の沿面距離ｂまたはｃとなり長い距離が得られる。
そうすると、以下の（１）〜（４）の効果が期待でき
る。
ップ２３，２４間に介した透明絶縁層２５を厚くするこ
とで、高い絶縁耐圧値を得ることができる。しかし、沿
面距離を見ると、図８の如く、従来例２では透明絶縁層
２５の厚みａとなるため、非常に短くなっている。ここ
で、図４の如く、受発光チップ２３，２４間に高抵抗の
透明絶縁層２５を介した本実施例の受発光素子１２で
は、透明絶縁層２５を従来と同様の厚みとすることで、
従来例と同様に高い絶縁耐圧値が得られ、その沿面距離
は、透明絶縁層２５の厚みではなく、透明絶縁層２５の
発光チップ２３からの突出寸法を長く設定することで、
図４の沿面距離ｂまたはｃとなり長い距離が得られる。
そうすると、以下の（１）〜（４）の効果が期待でき
る。
【００２６】（１）受発光チップ間の間隔を狭くするこ
とができ、光の伝達効率が向上する。
とができ、光の伝達効率が向上する。
【００２７】（２）（１）より、受光チップ２４側でよ
り大きな出力を得ることができるため、受発光素子１２
の高速化、高出力化、低コスト化、および低電流駆動化
が可能である。
り大きな出力を得ることができるため、受発光素子１２
の高速化、高出力化、低コスト化、および低電流駆動化
が可能である。
【００２８】（３）受発光チップ２３，２４間の沿面距
離を広くとることで、長時間動作後での受発光チップ２
３，２４間の絶縁不良は抑えることができ、より信頼性
の高い受発光素子１２の提供が可能となる。
離を広くとることで、長時間動作後での受発光チップ２
３，２４間の絶縁不良は抑えることができ、より信頼性
の高い受発光素子１２の提供が可能となる。
【００２９】（４）受発光チップ２３，２４を同一の絶
縁基板上に積層して集積化しているため、実装面積が小
さくすみ、より小型化な受発光素子１２の提供が可能と
なる。
縁基板上に積層して集積化しているため、実装面積が小
さくすみ、より小型化な受発光素子１２の提供が可能と
なる。
【００３０】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
【００３１】例えば、図５の如く、透明絶縁層２５の下
面や上面に絶縁基板３０を挿入してもよい。
面や上面に絶縁基板３０を挿入してもよい。
【００３２】また、上記実施例においては、絶縁ケース
基板１１に凹部１３を形成し、受発光素子１２を凹部１
３の内部に搭載していたが、絶縁ケース基板１１には必
ずしも凹部１３を形成する必要がない。この場合、絶縁
ケース基板１１の上面に受発光素子１２をダイボンドす
ればよい。
基板１１に凹部１３を形成し、受発光素子１２を凹部１
３の内部に搭載していたが、絶縁ケース基板１１には必
ずしも凹部１３を形成する必要がない。この場合、絶縁
ケース基板１１の上面に受発光素子１２をダイボンドす
ればよい。
【００３３】また、受発光素子１２は、リードフレーム
等に搭載しても良い。
等に搭載しても良い。
【００３４】さらに、絶縁ケース基板１１に一組の発光
チップ１と受光チップ２とを配設しているが、これらは
一組に限定されるものではない。
チップ１と受光チップ２とを配設しているが、これらは
一組に限定されるものではない。
【００３５】さらにまた、透明絶縁層２５の形状は、受
発光チップのワイヤーを考慮した形状になっていれば、
どのような形でも良い。
発光チップのワイヤーを考慮した形状になっていれば、
どのような形でも良い。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明請
求項１〜３によると、受光チップおよび発光チップを、
同一の絶縁基板上に積層して集積化した受発光チップに
おいて、受発光チップ間に透明絶縁層を介在させたこと
で、発光チップ間の間隔を狭くすることができると共
に、透明絶縁層を素子から外方向に突出させることで、
受発光チップ間の沿面距離を広くとることが可能である
ことから、以下の効果が期待できる。
求項１〜３によると、受光チップおよび発光チップを、
同一の絶縁基板上に積層して集積化した受発光チップに
おいて、受発光チップ間に透明絶縁層を介在させたこと
で、発光チップ間の間隔を狭くすることができると共
に、透明絶縁層を素子から外方向に突出させることで、
受発光チップ間の沿面距離を広くとることが可能である
ことから、以下の効果が期待できる。
【００３７】（１）受発光チップ間の間隔を狭くするこ
とで、光の伝達効率が向上する。
とで、光の伝達効率が向上する。
【００３８】（２）（１）より、受光チップ側でより大
きな出力を得ることができるため、受発光素子の高速
化、高出力化、低コスト化、および低電流駆動化が可能
である。
きな出力を得ることができるため、受発光素子の高速
化、高出力化、低コスト化、および低電流駆動化が可能
である。
【００３９】（３）発光チップ間の沿面距離を広くとる
ことで、長時間動作後での受発光チップ間の絶縁不良は
抑えることができ、より信頼性の高い受発光素子の提供
が可能となる。
ことで、長時間動作後での受発光チップ間の絶縁不良は
抑えることができ、より信頼性の高い受発光素子の提供
が可能となる。
【００４０】（４）受発光チップを同一の絶縁基板上に
集積化しているため、実装面積が小さくすみ、より小型
化な受発光素子の提供が可能となる。
集積化しているため、実装面積が小さくすみ、より小型
化な受発光素子の提供が可能となる。
【００４１】また、請求項２によると、ワイヤボンディ
ング時の作業性を損なうことなく、透明絶縁層を素子か
ら外方向に突出させることができ、歩留まりの向上を図
り得るといった優れた効果がある。
ング時の作業性を損なうことなく、透明絶縁層を素子か
ら外方向に突出させることができ、歩留まりの向上を図
り得るといった優れた効果がある。
【図１】本発明に係わる受発光装置の第一実施例を示す
断面図
断面図
【図２】本発明に係わる受発光装置の第一実施例を示す
平面図
平面図
【図３】本発明に係わる受発光装置の第一実施例を示す
分解斜視図
分解斜視図
【図４】第一実施例の受発光装置に用いられる受発光素
子の断面図
子の断面図
【図５】本発明に係わる受発光装置の他の実施例を示す
断面図
断面図
【図６】従来例１の受発光装置を示す断面図
【図７】従来例１の受発光装置を示す斜視図
【図８】従来例２の受発光素子を示す断面図
１１ 絶縁ケース基板 １３ 凹部 １４ 金属配線 ２３ 発光チップ ２４ 受光チップ ２５ 透明絶縁層
Claims (3)
- 【請求項１】 発光チップと受光チップとが厚み方向に
積層され、該発光チップおよび受光チップのうちの上層
側チップは、他方の下層側チップの一部が露出するよう
下層側チップより小面積とされた受発光素子において、
両チップの間に、電気的絶縁のための透明絶縁層が積層
され、該透明絶縁層は、上層側チップの底面から外方向
に突出して形成されたことを特徴とする受発光素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の透明絶縁層の一部は、下
層側チップのワイヤボンディングを妨げないよう折曲さ
れたことを特徴とする受発光素子。 - 【請求項３】 絶縁ケース基板に凹部が形成され、該凹
部から絶縁ケース基板の裏面にかけて薄膜状の金属配線
が立体的に形成され、該金属配線に、請求項１または請
求項２記載の受発光素子が搭載されたことを特徴とする
受発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19844892A JPH0645636A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 受発光素子およびこれを利用した受発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19844892A JPH0645636A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 受発光素子およびこれを利用した受発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645636A true JPH0645636A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16391270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19844892A Pending JPH0645636A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 受発光素子およびこれを利用した受発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645636A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9082685B2 (en) | 2013-06-25 | 2015-07-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Optical-coupling semiconductor device |
| JP2016171235A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 株式会社東芝 | 半導体モジュール |
| EP3082170A3 (de) * | 2015-04-17 | 2016-11-09 | AZUR SPACE Solar Power GmbH | Stapelförmiger optokopplerbaustein |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP19844892A patent/JPH0645636A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9082685B2 (en) | 2013-06-25 | 2015-07-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Optical-coupling semiconductor device |
| JP2016171235A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 株式会社東芝 | 半導体モジュール |
| US10204891B2 (en) | 2015-03-13 | 2019-02-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor module |
| EP3082170A3 (de) * | 2015-04-17 | 2016-11-09 | AZUR SPACE Solar Power GmbH | Stapelförmiger optokopplerbaustein |
| US10050169B2 (en) | 2015-04-17 | 2018-08-14 | Azur Space Solar Power Gmbh | Stacked optocoupler component |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5177753A (en) | Semi-conductor laser unit | |
| JP3734017B2 (ja) | 光モジュール | |
| JPS63102379A (ja) | 反射光障壁およびその製造方法 | |
| JP2010516050A (ja) | オプトエレクトロニクス部品用のハウジング及びハウジングにおけるオプトエレクトロニクス部品の配置 | |
| JPH09283790A (ja) | 立体配線型光結合装置及び反射型光結合装置 | |
| JP2816629B2 (ja) | 抵抗内蔵型発光装置 | |
| JPH10294495A (ja) | 電子部品 | |
| JPH0645636A (ja) | 受発光素子およびこれを利用した受発光装置 | |
| JPH1093132A (ja) | 光結合装置 | |
| JPH11351863A (ja) | チルトセンサー及びその製造方法 | |
| JP3816114B2 (ja) | 光結合装置 | |
| JP3242476B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| KR101510474B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 | |
| JPH0661522A (ja) | 反射型光結合装置 | |
| JPH11204808A (ja) | 光半導体素子 | |
| JPH04252082A (ja) | 光結合装置 | |
| JP2506452Y2 (ja) | 側面発光表示装置 | |
| JP3493302B2 (ja) | 光結合装置及びその製造方法 | |
| JP2805563B2 (ja) | 反射型光結合装置およびその製造方法 | |
| JPH11163705A (ja) | 半導体リレー | |
| JP3900595B2 (ja) | 光電装置 | |
| JP2001326381A (ja) | 半導体リレー | |
| JPH0620159B2 (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPS59119774A (ja) | 光結合半導体装置 | |
| JPH1197736A (ja) | 表面実装型フォトカプラ |