JPH0659221A - 電界吸収型光変調器の実装方法と光変調装置 - Google Patents
電界吸収型光変調器の実装方法と光変調装置Info
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- JPH0659221A JPH0659221A JP18596992A JP18596992A JPH0659221A JP H0659221 A JPH0659221 A JP H0659221A JP 18596992 A JP18596992 A JP 18596992A JP 18596992 A JP18596992 A JP 18596992A JP H0659221 A JPH0659221 A JP H0659221A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 バイアス電圧の印加時に発生する抵抗器の発
熱による抵抗器の特性変化がなく、電界吸収型光変調器
の変調特性に影響を与えず、低域遮断特性を生じること
がなく、電界吸収型光変調器とマイクロストリップライ
ンの心線とをつなぐボンディングワイヤが長くなること
による高周波応答特性の劣化を防止することができる電
界吸収型光変調器の実装方法と光変調装置とを提供する
ことを目的とするものである。 【構成】 マイクロストリップラインの誘電体基板にス
ルーホールを形成し、そのスルーホールに全部または途
中まで金属を埋め込んでアースとし、スルーホール上に
電界吸収型光変調器を実装した後に、電界吸収型光変調
器の電極とマイクロストリップラインの心線とを接続す
るものである。また、スルーホールに電界吸収型光変調
器そのものを実装するものである。
熱による抵抗器の特性変化がなく、電界吸収型光変調器
の変調特性に影響を与えず、低域遮断特性を生じること
がなく、電界吸収型光変調器とマイクロストリップライ
ンの心線とをつなぐボンディングワイヤが長くなること
による高周波応答特性の劣化を防止することができる電
界吸収型光変調器の実装方法と光変調装置とを提供する
ことを目的とするものである。 【構成】 マイクロストリップラインの誘電体基板にス
ルーホールを形成し、そのスルーホールに全部または途
中まで金属を埋め込んでアースとし、スルーホール上に
電界吸収型光変調器を実装した後に、電界吸収型光変調
器の電極とマイクロストリップラインの心線とを接続す
るものである。また、スルーホールに電界吸収型光変調
器そのものを実装するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電界吸収型光変調器の
実装方法に関するものである。
実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電界吸収型光変調器は、近年盛んに研究
が行なわれている光変調器であり、ＰＮ接合された半導
体に逆バイアス電圧を印加したときに、その半導体の吸
収端が移動することに伴い吸収係数が変化することを利
用して光信号の変調を行なうものである。電界吸収型光
変調器は、従来用いられているＬｉＮｂＯ3 変調器と比
較して、高速応答、低駆動電圧動作等の特長を有する。
が行なわれている光変調器であり、ＰＮ接合された半導
体に逆バイアス電圧を印加したときに、その半導体の吸
収端が移動することに伴い吸収係数が変化することを利
用して光信号の変調を行なうものである。電界吸収型光
変調器は、従来用いられているＬｉＮｂＯ3 変調器と比
較して、高速応答、低駆動電圧動作等の特長を有する。
【０００３】特に、活性層に多重量子井戸構造を形成し
た場合、励起子吸収に伴う急峻なピークが吸収特性に存
在し、これが高電界下においても存在することから、大
きな吸収変化が得られる。光強度変調器として変調帯域
が４０ＧＨｚを越えるもの、駆動電圧が１Ｖ以下のもの
が既に報告されている。
た場合、励起子吸収に伴う急峻なピークが吸収特性に存
在し、これが高電界下においても存在することから、大
きな吸収変化が得られる。光強度変調器として変調帯域
が４０ＧＨｚを越えるもの、駆動電圧が１Ｖ以下のもの
が既に報告されている。
【０００４】この電界吸収型光変調器では、半導体レー
ザを直接変調する場合とは異なり、変調に際しキャリア
の移動を伴わないことから、キャリアの緩和時間による
応答速度の制限を無視できる。応答速度は、ほぼ素子の
ＲＣ時定数によって決まるので、電気信号を光変調器に
入力するための実装技術が重要となる。
ザを直接変調する場合とは異なり、変調に際しキャリア
の移動を伴わないことから、キャリアの緩和時間による
応答速度の制限を無視できる。応答速度は、ほぼ素子の
ＲＣ時定数によって決まるので、電気信号を光変調器に
入力するための実装技術が重要となる。
【０００５】電界吸収型光変調器を用いる場合、伝送路
とのインピーダンス整合をとるために、通常、その電界
吸収型光変調器と並列に終端抵抗器を接続する。この終
端抵抗器としては、チップ抵抗器を用いる方法と、外づ
け終端抵抗器を用いる方法とがある。図１１（１）に、
チップ抵抗器５を使用して終端する従来例の斜視図を示
してあり、図１１（２）に、外づけ終端抵抗器５０を使
用して終端する従来例の斜視図を示してある。
とのインピーダンス整合をとるために、通常、その電界
吸収型光変調器と並列に終端抵抗器を接続する。この終
端抵抗器としては、チップ抵抗器を用いる方法と、外づ
け終端抵抗器を用いる方法とがある。図１１（１）に、
チップ抵抗器５を使用して終端する従来例の斜視図を示
してあり、図１１（２）に、外づけ終端抵抗器５０を使
用して終端する従来例の斜視図を示してある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図１１（１）に示すよ
うにチップ抵抗器５を終端抵抗器として用いると、バイ
アス電圧を印加したときに、抵抗器５が発熱し、その抵
抗器５の特性が変化するばかりでなく、電界吸収型光変
調器３に近接して抵抗器５を設置するので、温度に敏感
な電界吸収型光変調器３の変調特性に影響を与えるとい
う問題が考えられる。また、一般に、チップ抵抗器５は
耐電圧が低いので、バイアス電圧の印加によって電界吸
収型光変調器３が破損するという問題が考えられる。こ
の問題を解決するには、チップ抵抗器５とアースとの間
にチップコンデンサを挿入することによって、チップ抵
抗器５に直流電流を流さないようにすればよいが、この
ようにすると、チップ抵抗器５の抵抗値とチップコンデ
ンサの容量値とで決まる低域遮断特性により、信号の低
周波成分が電界吸収型光変調器３に作用しないという別
の問題が生じる。
うにチップ抵抗器５を終端抵抗器として用いると、バイ
アス電圧を印加したときに、抵抗器５が発熱し、その抵
抗器５の特性が変化するばかりでなく、電界吸収型光変
調器３に近接して抵抗器５を設置するので、温度に敏感
な電界吸収型光変調器３の変調特性に影響を与えるとい
う問題が考えられる。また、一般に、チップ抵抗器５は
耐電圧が低いので、バイアス電圧の印加によって電界吸
収型光変調器３が破損するという問題が考えられる。こ
の問題を解決するには、チップ抵抗器５とアースとの間
にチップコンデンサを挿入することによって、チップ抵
抗器５に直流電流を流さないようにすればよいが、この
ようにすると、チップ抵抗器５の抵抗値とチップコンデ
ンサの容量値とで決まる低域遮断特性により、信号の低
周波成分が電界吸収型光変調器３に作用しないという別
の問題が生じる。
【０００７】これらの問題を解決するには、図１１
（２）に示すように外づけ終端抵抗器５０を使用して終
端すればよい。しかし、このように外づけ終端抵抗器５
０を使用して終端すると、電界吸収型光変調器３の電極
とストリップライン１の心線とを結ぶワイヤが長くな
り、これによって高周波応答特性が劣化し、変調速度が
制限されるという問題が発生する。
（２）に示すように外づけ終端抵抗器５０を使用して終
端すればよい。しかし、このように外づけ終端抵抗器５
０を使用して終端すると、電界吸収型光変調器３の電極
とストリップライン１の心線とを結ぶワイヤが長くな
り、これによって高周波応答特性が劣化し、変調速度が
制限されるという問題が発生する。
【０００８】本発明は、バイアス電圧の印加時に発生す
る抵抗器の発熱による抵抗器の特性変化がなく、電界吸
収型光変調器の変調特性に影響を与えず、低域遮断特性
を生じることがなく、電界吸収型光変調器とマイクロス
トリップラインの心線とをつなぐボンディングワイヤが
長くなることによる高周波応答特性の劣化を防止するこ
とができる電界吸収型光変調器の実装方法を提供するこ
とを目的とするものである。
る抵抗器の発熱による抵抗器の特性変化がなく、電界吸
収型光変調器の変調特性に影響を与えず、低域遮断特性
を生じることがなく、電界吸収型光変調器とマイクロス
トリップラインの心線とをつなぐボンディングワイヤが
長くなることによる高周波応答特性の劣化を防止するこ
とができる電界吸収型光変調器の実装方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、マイクロストリップラインの誘電体基板にスルーホ
ールを形成し、アースと接続すべき金属をスルーホール
に埋め込み、上記金属に電界吸収型光変調器を実装し、
マイクロストリップラインの心線と電界吸収型光変調器
の電極とを接続するものである。
は、マイクロストリップラインの誘電体基板にスルーホ
ールを形成し、アースと接続すべき金属をスルーホール
に埋め込み、上記金属に電界吸収型光変調器を実装し、
マイクロストリップラインの心線と電界吸収型光変調器
の電極とを接続するものである。
【００１０】請求項２に記載の発明は、基本的には請求
項１に記載の発明と同じであるが、マイクロストリップ
ラインの誘電体基板に形成されたスルーホールに金属を
埋め込む場合、そのスルーホールの途中までのみ埋め込
むようにしたものである。
項１に記載の発明と同じであるが、マイクロストリップ
ラインの誘電体基板に形成されたスルーホールに金属を
埋め込む場合、そのスルーホールの途中までのみ埋め込
むようにしたものである。
【００１１】請求項３に記載の発明は、基本的には請求
項１に記載の発明と同じであるが、金属をスルーホール
に埋め込まずに、電界吸収型光変調器をスルーホールに
埋め込み、アースに電界吸収型光変調器を直接、アース
に接続するものである。
項１に記載の発明と同じであるが、金属をスルーホール
に埋め込まずに、電界吸収型光変調器をスルーホールに
埋め込み、アースに電界吸収型光変調器を直接、アース
に接続するものである。
【００１２】
【作用】請求項１に記載の発明は、外づけの終端抵抗器
を用いることによって、チップ抵抗器で終端するときに
発生する抵抗器の発熱による特性変化、破損、電界吸収
型光変調器の特性変化、信号の低周波成分の遮断等の問
題を克服することができ、しかも、高周波応答特性の劣
化を防止することができる。また、請求項２に記載の発
明は、マイクロストリップラインの誘電体基板に形成さ
れたスルーホールに金属を埋め込む場合、そのスルーホ
ールの途中までのみ埋め込むようにしたので、電界吸収
型光変調器の電極とストリップラインの心線とを結ぶワ
イヤが短くなり、これによって高周波応答特性の劣化を
より一層防止できる。さらに、請求項３に記載の発明
は、電界吸収型光変調器をスルーホールに埋め込み、ア
ースに電界吸収型光変調器を直接、アースに接続するの
で、電界吸収型光変調器の下面の電極とアースとの間に
金属を設ける工程を必要としないので、光変調装置の製
造が容易である。
を用いることによって、チップ抵抗器で終端するときに
発生する抵抗器の発熱による特性変化、破損、電界吸収
型光変調器の特性変化、信号の低周波成分の遮断等の問
題を克服することができ、しかも、高周波応答特性の劣
化を防止することができる。また、請求項２に記載の発
明は、マイクロストリップラインの誘電体基板に形成さ
れたスルーホールに金属を埋め込む場合、そのスルーホ
ールの途中までのみ埋め込むようにしたので、電界吸収
型光変調器の電極とストリップラインの心線とを結ぶワ
イヤが短くなり、これによって高周波応答特性の劣化を
より一層防止できる。さらに、請求項３に記載の発明
は、電界吸収型光変調器をスルーホールに埋め込み、ア
ースに電界吸収型光変調器を直接、アースに接続するの
で、電界吸収型光変調器の下面の電極とアースとの間に
金属を設ける工程を必要としないので、光変調装置の製
造が容易である。
【００１３】
【実施例】図１は、本発明の一実施例で使用するマイク
ロストリップライン１０を示す斜視図である。
ロストリップライン１０を示す斜視図である。
【００１４】この実施例である光変調装置は、マイクロ
ストリップライン１０の誘電体基板１１にスルーホール
２０を形成し、このスルーホール２０に金属２１を挿入
し、この金属２１の上に電界吸収型光変調器３０を実装
するものである。
ストリップライン１０の誘電体基板１１にスルーホール
２０を形成し、このスルーホール２０に金属２１を挿入
し、この金属２１の上に電界吸収型光変調器３０を実装
するものである。
【００１５】すなわち、マイクロストリップライン１０
は、誘電体基板１１と心線１２とで構成され、誘電体基
板１１を貫通するスルーホール２０が形成され、このス
ルーホール２０とほぼ同じ高さに金属２１を埋め込む。
この場合、スルーホール２０に金属２１を流し込み、そ
の金属２１の上部を徐々に研削することによって、誘電
体基板１１の上面の高さと金属２１の上面の高さとをほ
ぼ同じにする。図１中、マイクロストリップライン１０
の下面にアースＥが設けられている。つまり、スルーホ
ール２０の最下部とその最上部との間に金属２１が充填
され、導電性接着剤によって金属２１の底面がアースＥ
に接続され、金属２１の上面が誘電体基板１１の上面と
ほぼ同一面を形成している。
は、誘電体基板１１と心線１２とで構成され、誘電体基
板１１を貫通するスルーホール２０が形成され、このス
ルーホール２０とほぼ同じ高さに金属２１を埋め込む。
この場合、スルーホール２０に金属２１を流し込み、そ
の金属２１の上部を徐々に研削することによって、誘電
体基板１１の上面の高さと金属２１の上面の高さとをほ
ぼ同じにする。図１中、マイクロストリップライン１０
の下面にアースＥが設けられている。つまり、スルーホ
ール２０の最下部とその最上部との間に金属２１が充填
され、導電性接着剤によって金属２１の底面がアースＥ
に接続され、金属２１の上面が誘電体基板１１の上面と
ほぼ同一面を形成している。
【００１６】図２は、上記実施例である光変調装置の完
成された状態を示す斜視図であり、図３は、図２におけ
る３Ａー３Ｂ線で切断した場合の縦断面図である。
成された状態を示す斜視図であり、図３は、図２におけ
る３Ａー３Ｂ線で切断した場合の縦断面図である。
【００１７】図１の状態から、電界吸収型光変調器３と
同様の電界吸収型光変調器３０が金属２１に実装され、
マイクロストリップライン１０の心線１２と電界吸収型
光変調器３０の電極３１とを、ボンディングワイヤ４０
で接続する。なお、スルーホール２０の大きさ（横断面
の大きさ）は、電界吸収型光変調器３０の大きさ（横断
面の大きさ）と同程度である。終端抵抗器５０はコネク
タで結合される。
同様の電界吸収型光変調器３０が金属２１に実装され、
マイクロストリップライン１０の心線１２と電界吸収型
光変調器３０の電極３１とを、ボンディングワイヤ４０
で接続する。なお、スルーホール２０の大きさ（横断面
の大きさ）は、電界吸収型光変調器３０の大きさ（横断
面の大きさ）と同程度である。終端抵抗器５０はコネク
タで結合される。
【００１８】上記実施例においては、外づけ終端抵抗器
５０を使用することができ、これによって、外づけ終端
抵抗器５０の発熱が少なく、この発熱による終端抵抗器
５０の特性変化は無視できる程に少なく、電界吸収型光
変調器３０の破損が生じず、電界吸収型光変調器３０の
特性変化が非常に少なく、低周波成分における信号の遮
断が生じない。また、上記実施例においては、従来の方
法と比較すると、ボンディングワイヤ４０を大幅に短く
することが可能となり、したがって高周波特性が改善さ
れる。なお、図２において、電界吸収型光変調器３０の
上面に描かれた直線であって、心線１２と直交する直線
で示された部分の一端に、被変調光が導かれ、その他端
から変調光が放出される。上記被変調光、変調光は、図
示しない光ファイバで伝送される。
５０を使用することができ、これによって、外づけ終端
抵抗器５０の発熱が少なく、この発熱による終端抵抗器
５０の特性変化は無視できる程に少なく、電界吸収型光
変調器３０の破損が生じず、電界吸収型光変調器３０の
特性変化が非常に少なく、低周波成分における信号の遮
断が生じない。また、上記実施例においては、従来の方
法と比較すると、ボンディングワイヤ４０を大幅に短く
することが可能となり、したがって高周波特性が改善さ
れる。なお、図２において、電界吸収型光変調器３０の
上面に描かれた直線であって、心線１２と直交する直線
で示された部分の一端に、被変調光が導かれ、その他端
から変調光が放出される。上記被変調光、変調光は、図
示しない光ファイバで伝送される。
【００１９】図４は、上記実施例において、電界吸収型
光変調器３０としてＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＡｓＭ
ＱＷの電界吸収型光変調器を使用し、これを実装した場
合における周波数特性の測定結果を示す図である。
光変調器３０としてＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＡｓＭ
ＱＷの電界吸収型光変調器を使用し、これを実装した場
合における周波数特性の測定結果を示す図である。
【００２０】なお、マイクロストリップライン１０にお
いて、その誘電体基板１１は、誘電率が９．８、厚さが
３００μｍ、長さが８ｍｍのアルミナで構成され、イン
ピーダンスを５０Ωに設定するために、心線１２の幅が
３００μｍであり、スルーホール２０の横断面は３００
μｍ×３００μｍである。電界吸収型光変調器３０のサ
イズは、３００μｍ×３００μｍ×１００μｍであり、
そのアース側の電極面積はスルーホール２０の面積にほ
ぼ等しい。図１中、スルーホール２０の左端と心線１２
の右端との間隔は５μｍである。上記実施例は、図４に
示すように、３ｄＢ帯域１３ＧＨｚの良好な特性が得ら
れた。これは、電界吸収型光変調器３０の寄生容量を
０．１４ｐＦ、ボンディングワイヤ４０のインダクタン
スを０．３ｎＨとした場合の計算とほぼ一致し、誘電体
基板１１にスルーホール２０を形成したことによる周波
数特性の劣化は生じていないと考えられる。
いて、その誘電体基板１１は、誘電率が９．８、厚さが
３００μｍ、長さが８ｍｍのアルミナで構成され、イン
ピーダンスを５０Ωに設定するために、心線１２の幅が
３００μｍであり、スルーホール２０の横断面は３００
μｍ×３００μｍである。電界吸収型光変調器３０のサ
イズは、３００μｍ×３００μｍ×１００μｍであり、
そのアース側の電極面積はスルーホール２０の面積にほ
ぼ等しい。図１中、スルーホール２０の左端と心線１２
の右端との間隔は５μｍである。上記実施例は、図４に
示すように、３ｄＢ帯域１３ＧＨｚの良好な特性が得ら
れた。これは、電界吸収型光変調器３０の寄生容量を
０．１４ｐＦ、ボンディングワイヤ４０のインダクタン
スを０．３ｎＨとした場合の計算とほぼ一致し、誘電体
基板１１にスルーホール２０を形成したことによる周波
数特性の劣化は生じていないと考えられる。
【００２１】なお、ボンディングワイヤ４０のインダク
タンスをＬ、電界吸収型光変調器３０の寄生容量をＣと
した場合の周波数伝達関数は次式で表される。 Ｈ（ω）＝［｛１−（ω／ω0 ）2 ｝2 ＋｛ω／（ω0
・Ｑ）｝2 ］-1/2 ここで、ω0 はカットオフ周波数であり、ω0 およびＱ
は次式で表される。 ω0 ＝｛（Ｒg ＋Ｒ）／（Ｒ・Ｃ・Ｌ）｝1/2 Ｑ＝｛Ｒ・Ｃ・Ｌ（Ｒg ＋Ｒ）｝1/2 ／｛Ｌ＋（Ｒg ・
Ｃ・Ｒ）｝ ここでＲg は伝送路のインピーダンスであり、通常は５
０Ωである。たとえば電界吸収型光変調器３０の寄生容
量を０．１５ｐＦ、ボンディングワイヤ４０のインダク
タンスを０．３ｎＨ（ワイヤ長約０．５ｍｍに相当）、
Ｒを５０Ωとした場合のカットオフ周波数は約１３ＧＨ
ｚとなる。
タンスをＬ、電界吸収型光変調器３０の寄生容量をＣと
した場合の周波数伝達関数は次式で表される。 Ｈ（ω）＝［｛１−（ω／ω0 ）2 ｝2 ＋｛ω／（ω0
・Ｑ）｝2 ］-1/2 ここで、ω0 はカットオフ周波数であり、ω0 およびＱ
は次式で表される。 ω0 ＝｛（Ｒg ＋Ｒ）／（Ｒ・Ｃ・Ｌ）｝1/2 Ｑ＝｛Ｒ・Ｃ・Ｌ（Ｒg ＋Ｒ）｝1/2 ／｛Ｌ＋（Ｒg ・
Ｃ・Ｒ）｝ ここでＲg は伝送路のインピーダンスであり、通常は５
０Ωである。たとえば電界吸収型光変調器３０の寄生容
量を０．１５ｐＦ、ボンディングワイヤ４０のインダク
タンスを０．３ｎＨ（ワイヤ長約０．５ｍｍに相当）、
Ｒを５０Ωとした場合のカットオフ周波数は約１３ＧＨ
ｚとなる。
【００２２】図５は、本発明の他の実施例で使用するマ
イクロストリップライン１０ａを示す斜視図である。
イクロストリップライン１０ａを示す斜視図である。
【００２３】図５に示す実施例である光変調装置は、マ
イクロストリップラインの誘電体基板にスルーホールを
形成し、このスルーホールに金属を挿入し、この金属の
上に電界吸収型光変調器を実装する点では、図１に示す
実施例と同じであるが、上記金属をスルーホールの途中
まで埋め込むようにしている点が図１に示す実施例とは
異なる。
イクロストリップラインの誘電体基板にスルーホールを
形成し、このスルーホールに金属を挿入し、この金属の
上に電界吸収型光変調器を実装する点では、図１に示す
実施例と同じであるが、上記金属をスルーホールの途中
まで埋め込むようにしている点が図１に示す実施例とは
異なる。
【００２４】マイクロストリップライン１０ａは、誘電
体基板１１と心線１２とで構成され、誘電体基板１１を
貫通するスルーホール２０が形成され、このスルーホー
ル２０と同じ高さよりもやや低く金属２１ａを埋め込
む。つまり、スルーホール２０の最下部とその最上部よ
りもやや低い位置との間にのみ金属２１ａが充填され、
金属２１ａの底面がアースＥに接続されている。金属２
１ａの高さを所定の高さに設定する場合、スルーホール
２０に金属２１ａを埋め込む代わりに、アースＥ上でス
ルーホール２０に対応する位置に、金属突起を設け、こ
の金属突起を研削することによって、その形状、高さを
調整するようにしてもよい。このようにすれば、スルー
ホール２０に金属２１ａを埋め込んだ後に金属２１ａの
上面を研削するよりも研削作業が容易である。
体基板１１と心線１２とで構成され、誘電体基板１１を
貫通するスルーホール２０が形成され、このスルーホー
ル２０と同じ高さよりもやや低く金属２１ａを埋め込
む。つまり、スルーホール２０の最下部とその最上部よ
りもやや低い位置との間にのみ金属２１ａが充填され、
金属２１ａの底面がアースＥに接続されている。金属２
１ａの高さを所定の高さに設定する場合、スルーホール
２０に金属２１ａを埋め込む代わりに、アースＥ上でス
ルーホール２０に対応する位置に、金属突起を設け、こ
の金属突起を研削することによって、その形状、高さを
調整するようにしてもよい。このようにすれば、スルー
ホール２０に金属２１ａを埋め込んだ後に金属２１ａの
上面を研削するよりも研削作業が容易である。
【００２５】図６は、図５に示す実施例である光変調装
置の完成された状態を示す斜視図であり、図７は、図６
における７Ａー７Ｂ線で切断した場合の縦断面図であ
る。
置の完成された状態を示す斜視図であり、図７は、図６
における７Ａー７Ｂ線で切断した場合の縦断面図であ
る。
【００２６】図５の状態から、電界吸収型光変調器３０
と同様の電界吸収型光変調器３０ａが金属２１ａに実装
され、マイクロストリップライン１０ａの心線１２と電
界吸収型光変調器３０ａの電極３１ａとをボンディング
ワイヤ４０ａで接続する。
と同様の電界吸収型光変調器３０ａが金属２１ａに実装
され、マイクロストリップライン１０ａの心線１２と電
界吸収型光変調器３０ａの電極３１ａとをボンディング
ワイヤ４０ａで接続する。
【００２７】図５〜図７の実施例においては、図１〜図
３の実施例と同様に、外づけ終端抵抗器５０の発熱によ
る終端抵抗器５０の特性変化は無視できる程に少なく、
電界吸収型光変調器３０ａの破損が生じず、電界吸収型
光変調器３０ａの特性変化が非常に少なく、低周波成分
における信号の遮断が生じない。また、図５〜図７の実
施例においては、図１〜図３の実施例の場合よりも、ボ
ンディングワイヤ４０をさらに短くすることができ、し
たがって高周波特性がさらに改善される。
３の実施例と同様に、外づけ終端抵抗器５０の発熱によ
る終端抵抗器５０の特性変化は無視できる程に少なく、
電界吸収型光変調器３０ａの破損が生じず、電界吸収型
光変調器３０ａの特性変化が非常に少なく、低周波成分
における信号の遮断が生じない。また、図５〜図７の実
施例においては、図１〜図３の実施例の場合よりも、ボ
ンディングワイヤ４０をさらに短くすることができ、し
たがって高周波特性がさらに改善される。
【００２８】なお、図６、７において、電界吸収型光変
調器３０ａの上面に、光ファイバとの光結合部分が設け
られており、電界吸収型光変調器３０ａの上面と誘電体
基板１１の表面とがほぼ同じ高さであってもよいが、上
記光結合をより確実に行うためには、電界吸収型光変調
器３０ａの上面が誘電体基板１１よりも７０μｍ程度突
出していることが好ましい。したがって、金属２１ａの
高さは、スルーホール２０の高さから、電界吸収型光変
調器３０ａの高さを引き、この値に、上記光結合に必要
な高さを加えた値にほぼ等しい。
調器３０ａの上面に、光ファイバとの光結合部分が設け
られており、電界吸収型光変調器３０ａの上面と誘電体
基板１１の表面とがほぼ同じ高さであってもよいが、上
記光結合をより確実に行うためには、電界吸収型光変調
器３０ａの上面が誘電体基板１１よりも７０μｍ程度突
出していることが好ましい。したがって、金属２１ａの
高さは、スルーホール２０の高さから、電界吸収型光変
調器３０ａの高さを引き、この値に、上記光結合に必要
な高さを加えた値にほぼ等しい。
【００２９】図８は、本発明のさらに他の実施例で使用
するマイクロストリップライン１０ｂを示す斜視図であ
り、図９は、図８に示す実施例の完成された状態を示す
斜視図であり、図１０は図９における１０Ａー１０Ｂ線
で切断した場合の縦断面図である。
するマイクロストリップライン１０ｂを示す斜視図であ
り、図９は、図８に示す実施例の完成された状態を示す
斜視図であり、図１０は図９における１０Ａー１０Ｂ線
で切断した場合の縦断面図である。
【００３０】この実施例は、図１〜図３に示す実施例に
おいて、金属２１を使用しない場合の例であり、スルー
ホール２０の深さと電界吸収型光変調器３０ｂの高さと
がほぼ同じであってもよいが、光ファイバとの光結合を
より確実に行うためには、電界吸収型光変調器３０ｂの
上面が誘電体基板１１よりも７０μｍ程度突出している
ことが好ましい。なお、電界吸収型光変調器３０ｂは、
電界吸収型光変調器３０と同様のものである。
おいて、金属２１を使用しない場合の例であり、スルー
ホール２０の深さと電界吸収型光変調器３０ｂの高さと
がほぼ同じであってもよいが、光ファイバとの光結合を
より確実に行うためには、電界吸収型光変調器３０ｂの
上面が誘電体基板１１よりも７０μｍ程度突出している
ことが好ましい。なお、電界吸収型光変調器３０ｂは、
電界吸収型光変調器３０と同様のものである。
【００３１】図８〜図１０に示す実施例において、マイ
クロストリップライン１０ｂの誘電体基板１１にスルー
ホール２０を形成し、電界吸収型光変調器３０ｂをスル
ーホール２０に埋め込むことによってアースＥに電界吸
収型光変調器３０ｂを実装し、マイクロストリップライ
ン１０ｂの心線１２と電界吸収型光変調器３０ｂの電極
３１ｂとをボンディングワイヤ４０ｂによって接続す
る。スルーホール２０の深さと電界吸収型光変調器３０
ｂの高さとがほぼ同じ長さであれば、金属を使用して嵩
上げする必要がないので、電界吸収型光変調器３０ｂの
下面に設けられた電極をアースＥに直接、接続する。図
８〜図１０に示す実施例においては、電界吸収型光変調
器３０ｂの下面に設けられた電極とアースＥとの間に金
属を設ける必要がないので、電界吸収型光変調器を実装
する場合に、その加工が非常に容易である。
クロストリップライン１０ｂの誘電体基板１１にスルー
ホール２０を形成し、電界吸収型光変調器３０ｂをスル
ーホール２０に埋め込むことによってアースＥに電界吸
収型光変調器３０ｂを実装し、マイクロストリップライ
ン１０ｂの心線１２と電界吸収型光変調器３０ｂの電極
３１ｂとをボンディングワイヤ４０ｂによって接続す
る。スルーホール２０の深さと電界吸収型光変調器３０
ｂの高さとがほぼ同じ長さであれば、金属を使用して嵩
上げする必要がないので、電界吸収型光変調器３０ｂの
下面に設けられた電極をアースＥに直接、接続する。図
８〜図１０に示す実施例においては、電界吸収型光変調
器３０ｂの下面に設けられた電極とアースＥとの間に金
属を設ける必要がないので、電界吸収型光変調器を実装
する場合に、その加工が非常に容易である。
【００３２】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、チップ
抵抗器で終端するときに発生する抵抗器の発熱による特
性変化、破損、電界吸収型光変調器の特性変化、信号の
低周波成分の遮断を防止することができ、しかも、高周
波応答特性の劣化を防止することができるという効果を
奏する。また、請求項２に記載の発明によれば、上記効
果の他に、電界吸収型光変調器の電極とストリップライ
ンの心線とを結ぶワイヤが短くなり、これによって高周
波応答特性の劣化をより一層防止できるという効果を奏
する。請求項３に記載の発明によれば、電界吸収型光変
調器の下面の電極とアースとの間に金属を設ける工程を
必要としないので、光変調装置の製造が容易であるとい
う効果を奏する。
抵抗器で終端するときに発生する抵抗器の発熱による特
性変化、破損、電界吸収型光変調器の特性変化、信号の
低周波成分の遮断を防止することができ、しかも、高周
波応答特性の劣化を防止することができるという効果を
奏する。また、請求項２に記載の発明によれば、上記効
果の他に、電界吸収型光変調器の電極とストリップライ
ンの心線とを結ぶワイヤが短くなり、これによって高周
波応答特性の劣化をより一層防止できるという効果を奏
する。請求項３に記載の発明によれば、電界吸収型光変
調器の下面の電極とアースとの間に金属を設ける工程を
必要としないので、光変調装置の製造が容易であるとい
う効果を奏する。
【図１】本発明の一実施例で使用するマイクロストリッ
プライン１０を示す斜視図である。
プライン１０を示す斜視図である。
【図２】上記実施例の完成された状態を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】図２における３Ａー３Ｂ線で切断した場合の縦
断面図である。
断面図である。
【図４】上記実施例において、電界吸収型光変調器３０
としてＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＡｓＭＱＷの電界吸
収型光変調器を使用し、これを実装した場合における周
波数特性の測定結果を示す図である。
としてＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＡｓＭＱＷの電界吸
収型光変調器を使用し、これを実装した場合における周
波数特性の測定結果を示す図である。
【図５】本発明の他の実施例で使用するマイクロストリ
ップライン１０ａを示す斜視図である。
ップライン１０ａを示す斜視図である。
【図６】図５に示す実施例の完成された状態を示す斜視
図である。
図である。
【図７】図６における７Ａー７Ｂ線で切断した場合の縦
断面図である。
断面図である。
【図８】本発明のさらに他の実施例で使用するマイクロ
ストリップライン１０ｂを示す斜視図である。
ストリップライン１０ｂを示す斜視図である。
【図９】図８に示す実施例の完成された状態を示す斜視
図である。
図である。
【図１０】図９における１０Ａー１０Ｂ線で切断した場
合の縦断面図である。
合の縦断面図である。
【図１１】従来例の斜視図であり、チップ抵抗器５、外
づけ終端抵抗器５０を使用して電界吸収型光変調器を終
端する例の斜視図である。
づけ終端抵抗器５０を使用して電界吸収型光変調器を終
端する例の斜視図である。
１０、１０ａ、１０ｂ…ストリップライン、 １１…誘電体基板、 １２…心線、 ２０…スルーホール、 ２１、２１ａ…金属、 ３０、３０ａ、３０ｂ…電界吸収型光変調器、 ３１、３１ａ、３１ｂ…電極、 ４０、４０ａ、４０ｂ…ボンディングワイヤ、 ５０…外づけ終端抵抗器。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年５月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 電界吸収型光変調器の実装方法と光変
調装置
調装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】 本発明は、電界吸収型光変調器
の実装方法と光変調装置とに関するものである。
の実装方法と光変調装置とに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】 本発明は、バイアス電圧の印加時に発生
する抵抗器の発熱による抵抗器の特性変化がなく、電界
吸収型光変調器の変調特性に影響を与えず、低域遮断特
性を生じることがなく、電界吸収型光変調器とマイクロ
ストリップラインの心線とをつなぐボンディングワイヤ
が長くなることによる講習は応答特性の劣化を防止する
ことができる電界吸収型光変調器の実装方法と光変調装
置とを提供することを目的とするものである。
する抵抗器の発熱による抵抗器の特性変化がなく、電界
吸収型光変調器の変調特性に影響を与えず、低域遮断特
性を生じることがなく、電界吸収型光変調器とマイクロ
ストリップラインの心線とをつなぐボンディングワイヤ
が長くなることによる講習は応答特性の劣化を防止する
ことができる電界吸収型光変調器の実装方法と光変調装
置とを提供することを目的とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】 請求項２に記載の発明は、基本的には請
求項１に記載の発明と同じであるが、金属をスルーホー
ルに埋め込まずに、電界吸収型光変調器をスルーホール
に埋め込み、アースに電界吸収型光変調器を直接、アー
スに接続するものである。
求項１に記載の発明と同じであるが、金属をスルーホー
ルに埋め込まずに、電界吸収型光変調器をスルーホール
に埋め込み、アースに電界吸収型光変調器を直接、アー
スに接続するものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】 請求項３および請求項４に記載の発明
は、それぞれ請求項１および請求項２に記載の発明に対
応する光変調装置である。
は、それぞれ請求項１および請求項２に記載の発明に対
応する光変調装置である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】
【作用】請求項１および請求項３に記載の発明は、外づ
けの終端抵抗器を用いることによって、チップ抵抗器で
終端するときに発生する抵抗器の発熱による特性変化、
破損、電界吸収型光変調器の特性変化、信号の低周波成
分の遮断等の問題を克服することができ、しかも、高周
波応答特性の劣化を防止することができる。また、請求
項１に記載の発明は、マイクロストリップラインの誘電
体基板に形成されたスルーホールに金属を埋め込む場
合、そのスルーホールの全部または途中までのみ埋め込
むようにすればよく、途中までのみ埋め込むようにした
ときには、電界吸収型光変調器の電極とストリップライ
ンの心線とを結ぶワイヤが短くなり、これによって高周
波応答特性の劣化をより一層防止できる。さらに、請求
項２および請求項４に記載の発明は、電界吸収型光変調
器をスルーホールに埋め込み、アースに電界吸収型光変
調器を直接、アースに接続するので、電界吸収型光変調
器の下面の電極とアースとの間に金属を設ける工程を必
要としないので、光変調装置の製造が容易である。
けの終端抵抗器を用いることによって、チップ抵抗器で
終端するときに発生する抵抗器の発熱による特性変化、
破損、電界吸収型光変調器の特性変化、信号の低周波成
分の遮断等の問題を克服することができ、しかも、高周
波応答特性の劣化を防止することができる。また、請求
項１に記載の発明は、マイクロストリップラインの誘電
体基板に形成されたスルーホールに金属を埋め込む場
合、そのスルーホールの全部または途中までのみ埋め込
むようにすればよく、途中までのみ埋め込むようにした
ときには、電界吸収型光変調器の電極とストリップライ
ンの心線とを結ぶワイヤが短くなり、これによって高周
波応答特性の劣化をより一層防止できる。さらに、請求
項２および請求項４に記載の発明は、電界吸収型光変調
器をスルーホールに埋め込み、アースに電界吸収型光変
調器を直接、アースに接続するので、電界吸収型光変調
器の下面の電極とアースとの間に金属を設ける工程を必
要としないので、光変調装置の製造が容易である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】
【発明の効果】請求項１および請求項３に記載の発明に
よれば、チップ抵抗器で終端するときに発生する抵抗器
の発熱による特性変化、破損、電界吸収型光変調器の特
性変化、信号の低周波成分の遮断を防止することがで
き、しかも、高周波応答特性の劣化を防止することがで
きるという効果を奏する。また、スルーホールへの金属
の埋め込みを途中までにすることにより、上記効果の他
に、電界吸収型光変調器の電極とストリップラインの心
線とを結ぶワイヤが短くなり、これによって高周波応答
特性の劣化をより一層防止できるという効果を奏する。
請求項２および請求項４に記載の発明によれば、電界吸
収型光変調器の下面の電極とアースとの間に金属を設け
る工程を必要としないので、光変調装置の製造が容易で
あるという効果を奏する。
よれば、チップ抵抗器で終端するときに発生する抵抗器
の発熱による特性変化、破損、電界吸収型光変調器の特
性変化、信号の低周波成分の遮断を防止することがで
き、しかも、高周波応答特性の劣化を防止することがで
きるという効果を奏する。また、スルーホールへの金属
の埋め込みを途中までにすることにより、上記効果の他
に、電界吸収型光変調器の電極とストリップラインの心
線とを結ぶワイヤが短くなり、これによって高周波応答
特性の劣化をより一層防止できるという効果を奏する。
請求項２および請求項４に記載の発明によれば、電界吸
収型光変調器の下面の電極とアースとの間に金属を設け
る工程を必要としないので、光変調装置の製造が容易で
あるという効果を奏する。
Claims (3)
- 【請求項１】 電界吸収型光変調器の実装方法におい
て、 マイクロストリップラインの誘電体基板にスルーホール
を形成する段階と；アースと接続すべき金属を、上記ス
ルーホールに埋め込む段階と；上記金属に上記電界吸収
型光変調器を実装する段階と；上記マイクロストリップ
ラインの心線と上記電界吸収型光変調器の電極とを接続
する段階と；を有することを特徴とする電界吸収型光変
調器の実装方法。 - 【請求項２】 電界吸収型光変調器の実装方法におい
て、 マイクロストリップラインの誘電体基板にスルーホール
を形成する段階と；アースと接続すべき金属を、上記ス
ルーホールの途中まで埋め込む段階と；上記金属に上記
電界吸収型光変調器を実装する段階と；上記マイクロス
トリップラインの心線と上記電界吸収型光変調器の電極
とを接続する段階と；を有することを特徴とする電界吸
収型光変調器の実装方法。 - 【請求項３】 電界吸収型光変調器の実装方法におい
て、 マイクロストリップラインの誘電体基板にスルーホール
を形成する段階と；上記電界吸収型光変調器を上記スル
ーホールに埋め込むことによってアースに上記電界吸収
型光変調器を実装する段階と；上記マイクロストリップ
ラインの心線と上記電界吸収型光変調器の電極とを接続
する段階と；を有することを特徴とする電界吸収型光変
調器の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18596992A JPH0659221A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 電界吸収型光変調器の実装方法と光変調装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18596992A JPH0659221A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 電界吸収型光変調器の実装方法と光変調装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0659221A true JPH0659221A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16180049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18596992A Pending JPH0659221A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 電界吸収型光変調器の実装方法と光変調装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0659221A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3728255A1 (de) * | 1987-08-25 | 1989-03-09 | Huesker Synthetic Gmbh & Co | Erdankerband |
| JPH09304746A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Nec Corp | 導波路型光デバイス |
-
1992
- 1992-06-19 JP JP18596992A patent/JPH0659221A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3728255A1 (de) * | 1987-08-25 | 1989-03-09 | Huesker Synthetic Gmbh & Co | Erdankerband |
| JPH09304746A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Nec Corp | 導波路型光デバイス |
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