JP2005038984A - 光伝送モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、電気信号を受けて光信号の変調を行う光素子2と、電気信号を伝える伝送線路Lとを具備した基板1であって、前記伝送線路の終端を目的とした抵抗素子R及び該抵抗素子の側方近傍にグランド線路が配設されたコプレーナ型若しくはコプレーナスプリット型の線路を備え、反射が少なく、広帯域な光変調動作をする光伝送モジュールを得る。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ファイバ通信に用いられ、電気信号を光信号に変換する発光素子もしくは変調素子もしくは変調器付発光素子において、特に良好な高周波特性が要求される光通信に用いて好適な光伝送モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
図7は、特開2001−308130号公報に開示された従来の光伝送モジュールの上面図で、図8は、図7の従来例のリターンロスS11を示す。
【0003】
図7においては、導電性ベース基板上11に、変調器付発光素子20が実装されたヒートシンク13と、伝送線路17を形成した誘電体基板12と、インピーダンス整合用の終端抵抗であるマッチング抵抗14が配設した構成となっている。
【0004】
誘電体基板12上の伝送線路17は高周波電気信号を伝送するコプレーナ型の線路で信号線路18の両側にグランド線路19が配設されている。
【0005】
変調器付発光素子20は裏面電極により発光素子22および外部変調素子21がヒートシンク13と電気的に接続され、ヒートシンク13を介し接地され、一方、グランド線路19、マッチング抵抗14の一端はビアホール23を介してベース基板11に接地され、それぞれ同一電位にされている。
【0006】
各部品間の配線は、信号線路18から外部変調器21上面の電極パットを介してマッチング抵抗14へ、変調器付発光素子20の光源である発光素子22にはワイヤボンディング15、16によって各々接続されている。また、発光素子22は、ぺデスタル(浮きパット)にワイヤボンデング24によって接続される。
【0007】
上記従来技術においては、信号線路18に外部より高周波信号が入力され、信号に基づく光変調を行い、光結合系(図示せず)を介して光ファイバ(図示せず)へ入射する。なお、高周波信号は2〜10GHzである。
【0008】
【特許文献1】
特開2001−308130号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように電気信号にて発光素子若しくは変調素子若しくは変調器付発光素子を変調する場合、信号源から見たこれら回路のインピーダンスと、回路から見た信号源のインピーダンスとが一致しないときは、信号源からの入力信号のすべてが素子へ到達せず、反射成分として信号源へ戻る。一般にこの反射成分はリターンロスS11と呼ばれ、この値が大きい場合電気信号の波形に乱れが生じる。光伝送モジュールにおいて、特に光信号を高い周波数・長い距離で受信側まで誤りなく伝送したときに良好な光波形を得るためにはリターンロスS11を小さくすることが求められる。このため、伝送路・抵抗等はこれを考慮して特性インピーダンスの整合をとった設計がなされている。
【0010】
しかし、実際には伝送路・抵抗は有限のサイズを有しており、このサイズに起因した反射が発生してしまう。抵抗自身も特性上無視できないサイズを有しており、抵抗値を信号源や伝送路と同じ値に設定してもその部分で必ず反射は発生してしまう。
【0011】
また従来例の場合、外部変調器と抵抗を接続するワイヤボンディング用電極パットと、ベース基板とで容量成分を持つため、より特性に悪影響を及ぼす。
【0012】
上記従来技術においてのリターンロスS11解析結果を図8に示す。このとき、10GHzにおいて良好な光波形を得るのにリターンロスS11の余裕があるとは言い難く、例えば伝送線路形成時の誤差など、各構成部品の寸法や搭載位置、特性の誤差を考慮すると、特に長距離・大容量伝送を実施する場合において製造上歩留まりが低下するという課題があった。
【0013】
本発明の目的は、上記課題を鑑みて、駆動回路を通し発光素子もしくは外部変調素子に流れ込む電気信号が、終端部の抵抗サイズに起因する反射を少なくし、広帯域な光変調特性の光伝送モジュールを実現することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、伝送線路の終端を目的とした抵抗素子及び該抵抗素子の側方近傍にグランド線路が配設されたコプレーナ型若しくはコプレーナスプリット型の線路を前記伝送線路が形成された基板に備えたことを特徴とする光伝送モジュールである。
【0015】
また、本発明は、前記終端抵抗素子における特性インピーダンスが前記伝送線路における特性インピーダンスと±5%の範囲内で整合がとられていることを特徴とする。即ち、前記終端抵抗素子及び電極パットの幅と、前記終端抵抗素子及び電極パットとグランド線路との間隔とを、前記伝送線路の特性インピーダンスと同等の値(±5%範囲内)になる構成とする。
【0016】
また、本発明は、前記終端抵抗素子を、前記伝送線路の信号線路又は該信号線路に接続された電極パットから信号伝搬方向に対して交差する方向(ほぼ垂直方向も含む)に伸ばして前記グランド線路に接続するように形成したことを特徴とする。
【0017】
また、本発明は、前記終端抵抗素子を、前記伝送線路の信号線路又は該信号線路に接続された電極パットから分岐して前記グランド線路に接続するように形成したことを特徴とする。
【0018】
また、本発明は、前記伝送線路の信号線路の端部と前記光素子の電極との間をワイヤ若しくはリボンで接続し、前記光素子の電極と前記抵抗素子の所定の箇所に設けられた電極パットとの間をワイヤ若しくはリボンで接続して構成したことを特徴とする。
【0019】
また、本発明は、前記基板の材質がセラミック若しくはシリコンであるのことを特徴とする。前記終端抵抗素子及び電極パットの幅と、前記終端抵抗素子及び電極パットとグランド線路との間隔とを、信号源及び伝送線路の特性インピーダンスと同等の値(±5%範囲内)になる構成とする。
【0020】
以上説明した構成によれば、終端抵抗素子及び電極パットが特性インピーダンスの整合がとれたコプレーナ型若しくはコプレーナスプリット型の線路の一部としてほぼ集中定数と見なすことができるので、駆動回路を通し発光素子若しくは変調素子若しくは変調器付発光素子に流れ込む電気信号の反射を少なくすることができ、その結果、広帯域な光変調特性の光伝送モジュールを実現することが可能となる。
【0021】
【発明の実施の形態】
本発明の光伝送モジュールの実施の形態について図面を用いて説明する。
【0022】
図1(a)(b)は各々本発明に係る光伝送モジュールの基板の2つの基本構成を示す図である。図2(a)〜(d)は各々本発明に係る伝送線路の信号線路から信号伝搬方向に対して交差する複数方向に分岐する終端抵抗素子の実施例を示す図である。図3(a)(b)は各々終端抵抗素子の異なるトリミング形状を示す図である。図4は図1(a)(b)及び図2(a)〜(d)に示す各種終端抵抗形状における解析された結果である周波数[GHz]に対するリターンロスS11[dB]を示す図である。
【0023】
まず、本発明に係る光伝送モジュールの第1の基本構成について図1(a)を用いて説明する。即ち、第1の基本構成は、図1(a)に示す様に、電気信号を伝える高周波伝送線路L1と終端を目的とした抵抗素子R1とが形成されたベースとなる基板1に、発光素子もしくは変調素子もしくは変調器付発光素子の光素子2が搭載されている。
【0024】
基板1はセラミックもしくはシリコンなどの材質が適しており、伝送線路L1、光素子搭載用はんだパターン3、薄膜の終端抵抗素子R1をウエハプロセスにより一括に形成している。これにより大量生産・低価格化には好適である。また、これら両材質のうち、セラミックは信号の損失が少なく比較的長い信号路の形成が可能であり、一方シリコンはレンズ等の光学素子を位置決めするためのV溝を容易に形成できるため、発光素子を精度よく搭載するためのインデックス(図示せず)や、上記レンズ等の光学素子を搭載する超高精度位置決め用溝を具備することが可能であり、組立精度の向上・工程の短縮や、部品点数の削減・低背化ができ、価格低減によい。
【0025】
伝送線路L1は、信号線路L11の両側をグランド線路L21に挟まれたコプレーナ型の伝送線路としており、その特性インピーダンスは外部の信号源(図示せず)と同じく、例えば50Ωに設計し、作製時±5%以内になる様に設定している。なお、伝送線路L1としては、グランド線路がスプリットされたコプレーナスプリット型の伝送線路であってもよい。そして、伝送線路L1の信号線路L11の端部と光素子2の電極との間はワイヤ若しくはリボンW1によってボンディング接続されている。
【0026】
また、信号線路L11には光伝送モジュールの仕様に応じてインピーダンス調整を行うための抵抗素子Rdを具備してもよく、必要に応じてワイヤ若しくはリボンボンディングなどでオープン/ショートすることで調整する。ショートとは、抵抗素子Rdの両端をワイヤボンディング接続する場合であり、オープンとは接続しない場合である。
【0027】
はんだパターン3にはAn/Sn等のはんだが用いられ、発光素子もしくは変調素子もしくは変調器付発光素子の光素子2が搭載されて電気的に接地が行なわれる。即ち、光素子2は、はんだパターン3を介して接地されることになる。
【0028】
終端を目的とする抵抗素子R1は、材質にTa2Nなどを用い、図示の通り伝送線路L1の先端から信号の伝搬方向に向かって伸びて、両側をグランド線路L21に挟まれたコプレーナ型の線路で形成すべく形成されている。勿論、伸びた終端抵抗素子R1の側方近傍にグランド線路L21が配設されたコプレーナスプリット型の線路で形成してもよい。そして、上記終端抵抗素子R1の抵抗値は伝送線路L1と同じく例えば50Ωに調整され、終端抵抗素子R1の一端はワイヤ若しくはリボンボンディング用電極パットP1に接続され、他端はグランド線路L21に接続されて接地されている。更に、光素子2の電極パターンと電極パットP1との間はワイヤW2によりボンディング接続される。これにより、抵抗素子R1は、他端をグランド線路L21に接続された終端を目的とすることが可能となり、しかも、側方にグランド線路L21が配設されたコプレーナ型若しくはコプレーナスプリット型の線路を形成して伝送線路L1と同じく例えば50Ωに調整された特性インピーダンスを得ることが可能となる。
【0029】
この場合、終端抵抗素子R1及び電極パットP1は、両側に形成されたグランド線路L21とで例えば50Ωの特性インピーダンスとなる様に、終端抵抗素子R1及び電極パットP1の幅と、終端抵抗素子R1及び電極パットP1とグランド線路L21との間隔とを設計することにより、図4に細い実線で示す通り、太い実線で示す従来例と比較してリターンロスS11を抑制することが可能となる。例えば、周波数10GHzにおいてリターンロスS11が約5dBが改善されていることが分かる。
【0030】
次に、本発明に係る光伝送モジュールの第2の基本構成について図1(b)を用いて説明する。第2の基本構成において、第1の基本構成との相違点は伸びた終端抵抗素子R2を少なくとも1本または複数本に分岐させたことにある。図1(b)の場合は、両側にグランド線路L22が配設された電極パットP1の他端とグランド線路L22とを接続する終端抵抗素子R2の形状は、図示の通り信号線路L12からグランド線路L22へ信号伝搬方向に対し垂直な電界方向にほぼ平行な複数本に分岐して配設してコプレーナ型の線路を形成している。これは、信号線路L12とグランド線路L22との間に常に生じている信号伝搬方向と垂直方向の電界方向にほぼ向けて終端抵抗素子R2を配設することにより、つまり電界方向に対してほぼ平行に1本または複数本に分岐した例えばT字形状の終端抵抗素子R2を配設することにより、終端抵抗素子R2に流れる電流をスムーズに、つまり反射を少なく電流を流し、終端させる効果を狙ったものである。終端抵抗素子R2が1本の場合には、電極パットP1の他端と片側のグランド線路L22との間に接続されることになる。また、終端抵抗素子R2は、上記信号伝搬方向に対して垂直方向を含めて傾き(交差する方向)を有して配設してもよい。
【0031】
これによりリターンロスS11は図4に示す通り、大幅に改善することが可能となる。図1(b)に示す形状の場合、例えば、周波数10GHzにおいては約20dB改善されていることになる。なお、第2の基本構成においても、終端抵抗素子R2及び電極パットP1は側方近傍にグランド線路L22が配設されたコプレーナ型もしくはコプレーナスプリット型の線路を形成し、伝送線路L2と同じく例えば50Ωに調整された特性インピーダンスを得るように、終端抵抗素子R2及び電極パットP1の幅と、終端抵抗素子R2及び電極パットP1とグランド線路L22との間隔とが設計される。
【0032】
第2の基本構成における様々な変形例を図2(a)、(b)、(c)、(d)に示す。
【0033】
図2(a)は、伝送線路L2の信号線路L12の端部に直接終端抵抗素子R2を接続してコプレーナ型若しくはコプレーナスプリット型の線路を形成している。そして、信号線路L12の端部と光素子2の電極との間でワイヤ若しくはリボンW1をボンディング接続して構成する。その結果、リターンロスS11は図4に長い鎖線で示す通り、大幅に改善されていることが分かる。
【0034】
また、図2(b)は、図1(b)の構成とほぼ同様に、光素子2の電極との間でワイヤ若しくはリボンW2でボンディング接続された電極パットP1の他端に上記電界方向に対してほぼ平行に一本の終端抵抗素子R2の中間部を繋げて構成した。その結果、リターンロスS11は図4に2点鎖線で示す通り、大幅に改善されていることが分かる。
【0035】
また、図2(c)は、光素子2の電極との間でワイヤ若しくはリボンW2でボンディング接続された電極パットP1の他端にT字状の終端抵抗素子R2を繋げて構成した。その結果、リターンロスS11は図4に短い鎖線で示す通り、より大幅に改善されていることが分かる。特に、周波数10GHzにおいては、リターンロスS11として約50dBより大幅に改善されていることが分かる。
【0036】
また、電流は電界方向に力を受けるのと他に、当然信号伝搬方向にも受けているので、図2(d)に示すように終端抵抗素子R2を電界方向だけではなく、信号伝搬方向成分を持つように配設したり、信号伝搬方向に対してある傾斜角度を持たせるように配設することにより、更にリターンロスS11を図4に細い1点鎖線で示すように、リターンロスS11は、図1(b)及び図2(a)に示す形状よりも改善していることが分かる。
【0037】
また、図2(b)〜(d)に示すように例えば発光素子の電極から終端抵抗素子R2の端部である電極パットP1へ、インダクタンスの効果があるワイヤ若しくはリボンW2でボンディング接続して配線することにより、発光素子上の電極と裏面グランド線路L22との間、即ち発光素子上下面で生ずる容量成分Cを打ち消すことができるため、よりリターンロスS11が少なく、広帯域な特性を得ることが可能となる。
【0038】
薄膜プロセスにより抵抗を作製する場合は抵抗値のばらつきを抑制するためレーザトリミングなどの手法による抵抗値の調整が用いられるが、このときトリミング10の形状は図3(a)の様な方法が最も良く、次に図3(b)の様に実施するとリターンロスS11はよい。
【0039】
なお、図1(a)、(b)双方について、信号線路や光信号源である発光素子の配線にはワイヤボンディングもしくはリボンボンディングによって図示の通りに接続される。
【0040】
【実施例】
以下、本発明に係る光伝送モジュールの実施例について説明する。
【0041】
図5には光伝送モジュールの基板の実施例を示す。図6には本実施例でのリターンロスS11のグラフを表す。
【0042】
本実施例では、基板1にはシリコンを選択し、基板上には伝送路L3と、はんだパターン5、薄膜抵抗素子R3とレンズ搭載用のV溝6と光素子搭載用インデックス7を一括に作製した。
【0043】
伝送線路L3は、基板1との絶縁を目的としたSiO2等の酸化膜(絶縁膜)を堆積させた上に、図5の様な信号線路L13の両側にグランド線路L23を配設した例えば50Ωのコプレーナ型の伝送線路とした。なお、線路メタライズ膜構成はTiPtAuとし、表皮効果を考慮してAu厚を2μm以上とした。そして、信号線路L13の端部と光素子である変調器付発光素子8の電極との間を、ワイヤ若しくはリボンW1でボンディング接続した。
【0044】
終端を目的とした抵抗素子R3は、リターンロスS11と基板サイズ小型化の観点から、図示の通り、変調器付発光素子8の電極との間でワイヤ若しくはリボンW2でボンディング接続された電極パットP1を含めてT字形状を選択し、終端抵抗素子R3の幅と、終端抵抗素子R3とグランド線路L23との間の間隔とを最適化し、インピーダンス整合をとっている。また、抵抗値はレーザトリミングにより調整を行い、2つの抵抗の合成値が伝送線路L3と同様に50Ωに設定し、誤差は±5%以内とするようにした。なお、抵抗材質にはTa2Nを使用した。
【0045】
光素子には変調器付発光素子8を用い、変調器付発光素子8の表面の電極パターン9とインデックス7とを画像認識し、変調器付発光素子8を精密搭載機により、基板はんだパターン5に高精度に搭載した。
【0046】
また、変調器付発光素子8への配線はφ25μm程度のAuワイヤを使用し、特にワイヤボンディングW2は素子容量Cを鑑みて、上記素子容量Cを打ち消すリアクタンスLから長さを0.7mmとした。
【0047】
これにより、得られたリターンロスS11が図6の通りである。これによると、リターンロスS11は10GHzで−36dBに改善された。
【0048】
【発明の効果】
本発明によれば、光伝送モジュールにおいて低周波領域から高周波領域までの広い周波数範囲でリターンロスを低減することが可能な光伝送モジュールを提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態による、光伝送モジュールに使用する基板の基本構成を模式的に示す上面図である。
【図2】本発明の実施の形態による、光伝送モジュールに使用する基板に形成される終端抵抗素子の様々な形状を模式的に示す上面図である。
【図3】本発明に係る終端抵抗素子のトリミング形状を模式的に示す上面図である。
【図4】本発明の実施の形態による、各終端抵抗素子の形状におけるリターンロスS11の解析結果を示す図である。
【図5】本発明の実施例による、光伝送モジュールの基板を模式的に示す上面図である。
【図6】本発明の実施例による、リターンロスS11の解析結果を示す図である。
【図7】従来例の、光伝送モジュールに使用する基板を模式的に示す上面図である。
【図8】従来例の、リターンロスS11を示す図である。
【符号の説明】
1…基板、2…光素子(発光素子若しくは変調素子若しくは変調器付発光素子)、3…はんだパターン、5…はんだパターン、6…V溝、7…インデックス、8…変調器付発光素子、9…電極パターン(電極)、10…トリミング、L1、L2、L3…伝送線路、L11、L12、L13…信号線路、L21、L22、L23…グランド線路、R1、R2、R3…終端抵抗素子、Rd…抵抗素子、S11…リターンロス、P1…電極パット、W1、W2、W3…ワイヤ若しくはリボンボンディング。
Claims (6)
- 電気信号を受けて光信号の変調を行う発光素子若しくは変調素子若しくは変調器付発光素子からなる光素子と、該光素子に電気信号を伝えるようにコプレーナ型若しくはコプレーナスプリット型の線路で形成された伝送線路とを具備した基板を有し、さらに、前記光素子と光ファイバとを光結合する光学系を有する光伝送モジュールであって、
前記伝送線路の終端を目的とした抵抗素子及び該抵抗素子の側方近傍にグランド線路が配設されたコプレーナ型若しくはコプレーナスプリット型の線路を前記基板に備えたことを特徴とする光伝送モジュール。 - 前記抵抗素子における特性インピーダンスが前記伝送線路における特性インピーダンスと±5%の範囲内で整合がとられていることを特徴とする請求項1記載の光伝送モジュール。
- 前記抵抗素子を、前記伝送線路の信号線路又は該信号線路に接続された電極パットから信号伝搬方向に対して交差する方向に伸ばして前記グランド線路に接続するように形成したことを特徴とする請求項1又は2記載の光伝送モジュール。
- 前記抵抗素子を、前記伝送線路の信号線路又は該信号線路に接続された電極パットから分岐して前記グランド線路に接続するように形成したことを特徴とする請求項1又は2記載の光伝送モジュール。
- 前記伝送線路の信号線路の端部と前記光素子の電極との間をワイヤ若しくはリボンで接続し、前記光素子の電極と前記抵抗素子の所定の箇所に設けられた電極パットとの間をワイヤ若しくはリボンで接続して構成したことを特徴とする請求項1又は2記載の光伝送モジュール。
- 前記基板の材質がセラミック若しくはシリコンであるのことを特徴とする請求項1又は2記載の光伝送モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003198911A JP3823102B2 (ja) | 2003-07-18 | 2003-07-18 | 光伝送モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005038984A true JP2005038984A (ja) | 2005-02-10 |
JP3823102B2 JP3823102B2 (ja) | 2006-09-20 |
Family
ID=34208517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003198911A Expired - Lifetime JP3823102B2 (ja) | 2003-07-18 | 2003-07-18 | 光伝送モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3823102B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009152472A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Mitsubishi Electric Corp | 光伝送モジュール |
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-
2003
- 2003-07-18 JP JP2003198911A patent/JP3823102B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3823102B2 (ja) | 2006-09-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060302 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110630 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110630 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120630 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120630 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130630 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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