JP2013054134A - 光変調器モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板に形成された光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、光変調器の電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、光変調器と電気的終端とを収納する筐体とを有する光変調器モジュールにおいて、電気的終端は、高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と電気的終端用接地導体とを備え、入力される高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する抵抗膜が、第1抵抗膜として電気的終端用中心導体と電気的終端用接地導体とを高周波電気信号の搬送方向と交わる向きで接続して配置されるとともに、第2抵抗膜として電気的終端用中心導体を伝搬する高周波電気信号を遮る位置に配置される。
【選択図】図1
Description
図1に、本発明の第1の実施形態のLN光変調器モジュールにおける電気的終端の抵抗部についてその模式的な上面図を示す。この第1の実施形態では、従来と同様の抵抗膜24a´、24b´(第1抵抗膜)に加え、電気的終端用中心導体用として、電気的終端用中心導体22´を伝搬する高周波電気信号の伝搬方向側の端に、新たに抵抗膜28(第2抵抗膜)を設けている。なお、抵抗膜24a´、24b´、28の材料は、例えばニクロムや窒化タンタルなどをあげることができるが、その他の材料でも良いことは言うまでもない。
図3に、本発明の第2の実施形態のLN光変調器モジュールにおける電気的終端の抵抗部について、図1に示した第1の実施形態の変形形態を示す。
本実施形態では高周波電気信号25に抵抗膜28´を伝搬させることによりある程度減衰させた後に、抵抗24a´、24b´によりさらに減衰させるので、第1の実施形態と同様かそれ以上の優れた電気的反射S11特性を実現できる。
図4に、本発明の実施形態のLN光変調器モジュールにおける電気的終端の抵抗部について、第2の実施形態の変形形態を示す。本第3の実施形態では、電気的終端用中心導体22´´と22´´´との間に設けた抵抗膜28´´の面積(あるいは幅)を、図3に示した第2の実施形態に設けた抵抗膜28´の面積(あるいは幅)よりも広くしている。このように構成することにより、抵抗膜28´´での熱放散の効率が改善されるので、高周波電気信号25のパワーがより大きくなっても壊れにくいという特徴がある。
図5に、本発明の実施形態のLN光変調器モジュールにおける電気的終端の抵抗部について、第4の実施形態を示す。22´´と22´´´´は電気的終端用中心導体(複数の中心導体)であり、28と28´は抵抗膜(第2抵抗膜)である。この第4の実施形態は、いわば図1に示した第1の実施形態と図3に示した第2の実施形態を組み合わせた構造となっている。
以上においては、進行波電極としてはCPW電極を例にとり説明したが、非対称コプレーナストリップ(ACPS)や対称コプレーナストリップ(CPS)などの各種進行波電極、あるいは集中定数型の電極でも良いことは言うまでもない。そしてDQPSK型の光変調器などマッハツェンダ型光導波路をネスト状に組み合わせた構造や、シングル電極、あるいはDual電極などについても本発明は勿論有効である。また、光導波路としてはマッハツェンダ型光導波路の他に、方向性結合器や直線など、その他の光導波路でも良いことは言うまでもない。
2:光導波路
3a:中心導体
3b、3c:接地導体
4:ドライバー
5:信号源
6:コンデンサ
7:パッケージ(筐体)
8:電気的終端
9:バイアス用端子
10:バイアス抵抗
11、12:高周波用コンデンサ
13:終端抵抗
14:低周波用コンデンサ
15:バイアス電源
16:CPW進行波電極の分布定数表現
17:インダクタンス
18:抵抗
19:キャパシタンス
20:コンダクタンス
21:電気的終端用基板
22、22´、22´´´、22´´´´:電気的終端用中心導体
22a、22a´:電気的終端用中心導体22、22a´の端部
23:電気的終端用接地導体
24a、24b、24a´、24b´:抵抗膜(第1抵抗膜)
28、28´、28´´:抵抗膜(第2抵抗膜)
25、26a、26b、33a、33b:高周波電気信号
27:反射戻り信号
41、42、43:漏れた高周波電気信号
29:伝搬する漏れた高周波電気信号
50:LN光変調器
100:LN光変調器モジュール
Claims (10)
- 電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、
前記光変調器の前記電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、
前記光変調器と前記電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、
前記電気的終端は、前記高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、前記電気的終端用中心導体と所定間隔を有した位置で前記電気的終端用中心導体を伝搬する前記高周波電気信号の伝搬方向に並んで形成された電気的終端用接地導体とを備え、
また、入力される前記高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する抵抗膜が、第1抵抗膜として前記電気的終端用中心導体と前記電気的終端用接地導体とを前記高周波電気信号の搬送方向と交わる向きで接続して配置されているとともに、第2抵抗膜として前記電気的終端用中心導体を伝搬する前記高周波電気信号を遮る位置に配置されていることを特徴とする光変調器モジュール。 - 前記第2抵抗膜が、前記電気的終端用接地導体の前記高周波電気信号伝搬方向側の端に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の光変調器モジュール。
- 前記電気的終端用中心導体が、前記高周波電気信号伝搬方向に沿って順に第1中心導体と第2中心導体とを含む少なくとも2つ以上の複数で構成され、
前記第1中心導体と前記第2中心導体との間に前記第2抵抗膜が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の光変調器モジュール。 - 前記第2中心導体と前記電気的終端用接地導体との間に、前記第1抵抗膜が配置されていることを特徴とする請求項3に記載の光変調器モジュール。
- 前記電気的終端用中心導体が、前記高周波電気信号伝搬方向に沿って複数で構成され、
複数の前記電気的終端用中心導体間に前記第2抵抗膜が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の光変調器モジュール。 - 前記複数の電気的終端用中心導体のうちの前記高周波電気信号伝搬方向における最後尾の電気的終端用中心導体の、前記高周波電気信号伝搬方向側端に、前記第2抵抗膜がさらに配置されていることを特徴とする請求項5に記載の光変調器モジュール。
- 前記複数の前記電気的終端用中心導体のうちの少なくとも一部が互いに接続されていることを特徴とする請求項3乃至6のいずれか一項に記載の光変調器モジュール。
- 前記第1抵抗膜が、前記電気的終端用中心導体の、前記高周波電気信号の伝搬方向と交わる向きにおける両側に形成されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の光変調器モジュール。
- 前記第1抵抗膜が、前記電気的終端用中心導体の、前記高周波電気信号の伝搬方向と交わる向きにおける一方側のみに形成されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の光変調器モジュール。
- 前記基板が半導体基板であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の光変調器モジュール。
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- 2011-09-01 JP JP2011191051A patent/JP2013054134A/ja active Pending
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