JP4920212B2 - 光変調器 - Google Patents
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Description
ここでは、第1の従来技術としてx−カットLN基板とコプレーナウェーブガイド(CPW)進行波電極を使用したx−カット基板LN光変調器をとり上げ、その斜視図を図4に示す。図5は図4のA−A’における断面図である。なお、以下の議論はz−カットでも同様に成り立つ。
ここで、nmとnoは各々進行波電極4と相互作用光導波路3a、3bを伝搬するRF電気信号と光の等価屈折率、c0は真空中の光速である。
第1の従来技術におけるDCドリフトの問題を解決しようとする試みである第2の従来技術について上面から見た模式図を図15に示す。
図1に本発明における第1の実施形態の模式的な上面図を示す。図6に示した第1の従来技術と同様に、中心導体4aと接地導体4b、4cからなりRF電気信号とDCバイアス電圧を印加する長さL4の相互作用部20を具備している。また、図15に示した第2の従来技術と同様に、中心導体19aと接地導体19b、19cからなりDCバイアス電圧のみを印加する長さL5のバイアス電極を有するDCバイアス電圧用相互作用部21を有している。
図3には本発明の第2の実施形態の光変調器について模式的な上面図を示す。図1に示した本発明の第1の実施形態の光変調器が具備していた中心導体4a、接地導体4b、4cからなりRF電気信号とDCバイアス電圧を印加する長さL6の相互作用部25と、中心導体23a、接地導体23b、23cからなりDCバイアス電圧を印加する長さL7のバイアス電極を有するDCバイアス用相互作用部26(ここでは第1のDCバイアス用相互作用部と呼ぶ)に加えて、本発明ではさらに、中心導体24aと接地導体24b、24cからなるとともにDCバイアスを印加する長さL8のバイアス電極を有するDCバイアス用相互作用部27(第2のDCバイアス用相互作用部と呼ぶ)も具備している。なお、第1のDCバイアス用相互作用部26と第2のDCバイアス用相互作用部27の断面は図2(あるいは図16)と同様である。
なお、x−カットLN基板の代わりにz−カット基板を使用する際には、DCバイアス用相互作用部において光導波路の直上にバッファ層が必要となる。本発明ではDCバイアス用相互作用部の総和を長くとれるので、DCバイアス電圧を低く設定できる。つまり、バッファ層内の電界強度も下げることができるので、z−カットLN基板内におけるDCドリフトのみならず、バッファ層に起因するDCドリフトも低減することが可能となる。
2:SiO2バッファ層(バッファ層)
3:光導波路
3a、3b:相互作用部の光導波路(光導波路)
4:進行波電極
4a:中心導体
4b、4c:接地導体
10:コンデンサー
11:電気信号源
12:電気的な終端
13:コンデンサー
14:DC電源
15:相互作用部
16a:中心導体
16b、16c:接地導体
17:RF電気信号用相互作用部
18:DCバイアス用相互作用部
19a:中心導体
19b、19c:接地導体
20:相互作用部
21:相互作用部
22a、22b、22c、22d:SiO2バッファ層
23a:中心導体
23b、23c:接地導体
24a:中心導体
24b、24c:接地導体
25:相互作用部
26:相互作用部
27:相互作用部
30、31:電気的結線
Claims (1)
- 電気光学効果を有する基板と、該基板に形成され光を導波するための光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光を変調する高周波電気信号を伝搬するための中心導体及び接地導体からなる進行波電極と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光にバイアス電圧を印加する中心導体及び接地導体からなるバイアス電極とを有し、
前記光導波路には前記進行波電極に前記高周波電気信号が印加されることにより前記光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、前記バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより前記光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とが具備されている光変調器において、
前記高周波電気信号用相互作用部を挟んで、前記光が伝搬する方向の前後に前記バイアス用相互作用部を具備し、当該バイアス用相互作用部を構成する各々の前記バイアス電極の中心導体が、前記高周波電気信号用相互作用部の中心導体と接地導体との間を除く位置で電気的に接続されてなり、
前記高周波電気信号用相互作用部に設けた前記進行波電極の前記中心導体と前記バイアス用相互作用部に設けた前記バイアス電極の前記中心導体とが電気的に接続されてなり、
接続すべき単一の電源から、前記光が伝搬する方向の前後に配置された前記バイアス用相互作用部の中心導体のうちの1つに前記バイアス電圧が印加されるとともに、前記高周波電気信号用相互作用部に設けた前記進行波電極の前記中心導体にも前記バイアス電圧が印加されることを特徴とする光変調器。
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