JP2013088575A - 光変調器モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板と、光導波路と、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための電極とからなる光変調器と、電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、光変調器と電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、電気的終端は、高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、電気的終端用接地導体と、電気的終端用中心導体と電気的終端用接地導体とを接続し入力される高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する複数でなる抵抗膜とを備え、電気的終端用中心導体の近傍に位置する第1抵抗膜は高周波電気信号が入力されることにより発生するジュール熱によって破壊されない吸収効率でなるとともに、別の抵抗膜は、第1抵抗膜の吸収効率よりも大きい吸収効率でなる。
【選択図】図1
Description
図12からわかるように、図10に示した従来技術では高周波電気信号26aの伝搬距離zが小さい領域において抵抗膜24aを構成するNiCrなどの材料が熱により破壊されてしまう。また、破壊防止対策として抵抗膜に吸収効率の小さい材料を適用したとしても、今度は高周波電気信号を完全に終端することができず、反射戻り信号が発生してしまうことになる。
図1に、本発明における第1の実施形態のLN光変調器モジュールにおける電気的終端の抵抗部について、その模式的な上面図を示す。本発明における第1の実施形態において特徴的な構成は、一定幅W、長さLで構成された抵抗膜であって、高周波電気信号26aの伝搬距離zが延びるとともに(換言すれば、高周波電気信号26aが電気的終端用中心導体22から電気的終端用接地導体23へ向かうとともに)、抵抗膜の吸収効率が小さな第1抵抗膜27aから大きな第2抵抗膜27bへと変わって配置している点である。なお、抵抗膜27c、27dはそれぞれ27a、27bと同一であり、電気的終端用中心導体22を中心に左右対称で構成されている。抵抗膜27a、27bについての議論は抵抗膜27c、27dについても同様と言うことができるので、説明を簡単にするために、ここでは図1における左半分(抵抗膜27a、27b)についてのみで議論する。
図4に、本発明における第2の実施形態のLN光変調器モジュールにおける電気的終端の抵抗部について、その模式的な上面図を示す。本発明における第2の実施形態において特徴的な構成は、不図示の高周波電気信号を吸収する抵抗膜を第1〜4抵抗膜28a、28b、28c、28d(右半分では28e、28f、28g、28hであって、それぞれ28a、28b、28c、28dと同じ)の4種類とし、第1の実施形態の2種類よりも多く構成している点である。なおここでは4種類としたが、これは一例であり、もっと多い構成としても良いことはいうまでもない。
以上においては、進行波電極としてはCPW電極を例にとり説明したが、非対称コプレーナストリップ(ACPS)や対称コプレーナストリップ(CPS)などの各種進行波電極、あるいは集中定数型の電極でも良いことは言うまでもない。そしてDQPSK型の光変調器などマッハツェンダ型光導波路をネスト状に組み合わせた構造や、シングル電極、あるいはDual電極などについても本発明は勿論有効である。また、光導波路としてはマッハツェンダ型光導波路の他に、方向性結合器や直線など、その他の光導波路でも良いことは言うまでもない。
2:光導波路
3a:中心導体
3b、3c:接地導体
4:ドライバー
5:信号源
6:コンデンサ
7:パッケージ(筐体)
8:電気的終端
9:バイアス用端子
10:バイアス抵抗
11、12:高周波用コンデンサ
13:終端抵抗
14:低周波用コンデンサ
15:バイアス電源
16:CPW進行波電極の分布定数表現
17:インダクタンス
18:抵抗
19:キャパシタンス
20:コンダクタンス
21:電気的終端用基板
22:電気的終端用中心導体
23:電気的終端用接地導体
24a、24b:抵抗膜
27a、27c、28a、28e、28a’、28e’:第1抵抗膜
27b、27d、28b、28f、28b’、28f’:第2抵抗膜
28c、28g、28c’、28g’:第3抵抗膜
28d、28h、28d’、28h’:第4抵抗膜
25、26a、26b:高周波電気信号
50:LN光変調器
100:LN光変調器モジュール
Claims (5)
- 電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための中心導体及び接地導体からなる電極とからなる光変調器と、
前記光変調器の前記電極に接続され、当該電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、
前記光変調器と前記電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、
前記電気的終端は、
前記高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、
前記電気的終端用中心導体と所定間隔を有した位置で前記電気的終端用中心導体を伝搬する前記高周波電気信号の伝搬方向に並んで形成された電気的終端用接地導体と、
前記電気的終端用中心導体と前記電気的終端用接地導体とを接続し、接続された前記電気的終端用中心導体から入力される前記高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する抵抗膜とを備え、
前記抵抗膜は前記電気的終端用中心導体から前記電気的終端用接地導体に向かって複数で構成され、当該複数の抵抗膜のうちの前記電気的終端用中心導体の近傍に位置する第1抵抗膜は、前記高周波電気信号が入力されることにより発生する前記ジュール熱によって破壊されない吸収効率でなるとともに、前記第1抵抗膜と前記電気的終端用接地導体との間に位置する別の抵抗膜は、前記第1抵抗膜の吸収効率よりも大きい吸収効率でなることを特徴とする光変調器モジュール。 - 前記別の抵抗膜の厚みが、前記第1抵抗膜の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項1に記載の光変調器モジュール。
- 前記別の抵抗膜の材料が、前記第1抵抗膜の吸収係数よりも大きい吸収係数を持つ材料でなることを特徴とする請求項1または2に記載の光変調器モジュール。
- 前記第1抵抗膜が、前記電気的終端用中心導体に接して配置されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光変調器モジュール。
- 前記抵抗膜が、前記電気的終端用中心導体の、前記高周波電気信号の伝搬方向と交わる向きにおける両側に形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の光変調器モジュール。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1155008A (ja) * | 1997-08-06 | 1999-02-26 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 高周波用電力抵抗器 |
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2011
- 2011-10-17 JP JP2011228113A patent/JP2013088575A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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