JPH1155008A - 高周波用電力抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 定格電力値に比例して抵抗体の面積を大きく
することなく、必要な耐電力特性を得ることができる高
周波用電力抵抗器を提供する。 【解決手段】 導電性支持体６に設けた嵌合溝７に磁器
基板１を嵌合させる。磁器基板１の表面上に抵抗体パタ
ーン２と電極パターン３とを形成する。入力電極３ａと
アース電極３ｄ及び３ｅとの間に第１の集中定数型アッ
テネータと第２の集中定数型アッテネータと特性インピ
ーダンスを示す終端抵抗とからなる直列回路を形成す
る。入力電力の大部分を第１の集中定数型アッテネータ
及び第２の集中定数型アッテネータで消費するようにそ
れぞれの減衰量を定める。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波伝送線路を
終端するのに用いる高周波用電力抵抗器に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】高周波伝送線路を終端するのに用いる高
周波用電力抵抗器は、通常は終端抵抗器と呼ばれてお
り、入力端子とアース電極との間のインピーダンスが一
般的には５０Ωの特性インピーダンスになるように構成
されている。図３（Ａ）及び（Ｂ）には、従来の高周波
用電力抵抗器の抵抗器本体の表面に形成される抵抗体パ
ターンと電極パターンの例が示されている。従来の高周
波用電力抵抗器１００では、いずれも磁器基板１０１の
表面に矩形状または台形状のＴａ2 Ｎの薄膜抵抗体１０
２をスパッタリングにより形成し、この抵抗体１０２の
両端上に銀または金メッキにより入力電極１０３とアー
ス電極１０４とを形成していた。高周波用電力抵抗器
は、特性インピーダンスが所定の値になるだけでなく、
特にパルス状のピーク電力（例えば１２ＧＨｚ以上の周
波数で、ピーク値が１．５ｋＷ程度のパルス）で損傷を
受けない耐電力特性を有するものでなければならない。
図３に示した従来の構造の高周波用電力抵抗器では、抵
抗体１０２の面積を大きくすることにより、パルス状の
ピーク電力に対する耐電力特性を得ていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の構
造では、定格電力値に比例して抵抗体の面積の大きさが
大きくなるため、小形化を図り難い問題がある。また従
来の構造では、抵抗体のパターンによっては、パルス状
のピーク電力によって抵抗体の一部が損傷を受ける場合
もあった。

【０００４】本発明の目的は、定格電力値に比例して抵
抗体の面積を大きくすることなく、必要な耐電力特性を
得ることができる高周波用電力抵抗器を得ることにあ
る。

【０００５】本発明の他の目的は、アッテネータを用い
て電力消費を分散させることにより、必要な耐電力特性
を得ることができる高周波用電力抵抗器を得ることにあ
る。

【０００６】本発明の更に他の目的は、アッテネータに
損傷を生じさせることなく複数のアッテネータを用いて
電力消費を分散させることにより、必要な耐電力特性を
得ることができる高周波用電力抵抗器を得ることにあ
る。

【０００７】本発明の他の目的は、アッテネータを用い
て電力消費を分散させて、しかも回路構成が簡単な高周
波用電力抵抗器を得ることにある。

【０００８】本発明の他の目的は、磁器基板の固定が容
易な高周波用電力抵抗器を得ることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、高周波伝送線
路を終端するのに用いる高周波用電力抵抗器を改良の対
象とする。

【００１０】本発明の高周波用電力抵抗器は、磁器基板
と、この磁器基板の表面上に形成された抵抗体パターン
と、入力電極とアース電極との間のインピーダンスが所
定の特性インピーダンスを示すように抵抗体パターンに
接続された電極パターンと、磁器基板の表面を露出させ
るように磁器基板を支持し且つアース電極と電気的に接
続された導電性支持体とを備えている。そして本発明に
おいては、抵抗体パターン及び電極パターンを、入力電
極とアース電極との間に第１の集中定数型アッテネータ
と第２の集中定数型アッテネータと特性インピーダンス
を示す終端抵抗とからなる直列回路を構成するように形
成する。この直列回路では、入力電極側からアース電極
側に順に第１の集中定数型アッテネータ、第２の集中定
数型アッテネータ及び終端抵抗が並んでいる。なお第１
の集中定数型アッテネータ、第２の集中定数型アッテネ
ータ及び終端抵抗を構成する抵抗体が相互に共用される
（合成される）ように回路を構成してもよいのは勿論で
ある。

【００１１】本発明においては、第１の集中定数型アッ
テネータ及び第２の集中定数型アッテネータのそれぞれ
の減衰量を、入力電極から入力されるパルス状ピーク電
力を含む入力電力によって終端抵抗が焼損しないように
入力電力の大部分を第１の集中定数型アッテネータ及び
第２の集中定数型アッテネータで消費するように定め
る。集中定数型減衰器即ち集中定数型アッテネータは、
入力電力は減衰させるが特性インピーダンスには何も影
響を与えない。したがってパルス状ピーク電力を第１の
集中定数型アッテネータ及び第２の集中定数型アッテネ
ータ並びに終端抵抗のそれぞれで分散して消費すれば、
局部的に電力が集中して抵抗体に損傷が発生するのを防
止できる。発明者は、当初１つの集中定数型アッテネー
タと終端抵抗の組み合わせにより消費電力の分散を図る
ことを検討した。しかしながら１つの集中定数型アッテ
ネータと終端抵抗の組み合わせでは、１つの集中定数型
アッテネータで分担できる電力に限界があり、１つの集
中定数型アッテネータを構成する抵抗体及び終端抵抗の
面積を大きくせざるを得ず、小形化を図ることができな
かった。研究の結果、本発明のように第１及び第２の集
中定数型アッテネータと終端抵抗とを組み合わせると、
第１及び第２の集中定数型アッテネータ並びに終端抵抗
を構成する抵抗体の面積を小さくして、全体的に電力を
分散することができ、しかもパルス状ピーク電力で抵抗
体の一部に損傷が発生するのを確実に防止できることが
分かった。

【００１２】具体的な構成の一例において、抵抗体パタ
ーンは、磁器基板の中央を延びる中央抵抗体と、中央抵
抗体が延びる方向に所定の間隔をあけて配置されて中央
抵抗体から磁器基板の第１の辺に向かって延びる第１〜
第３の枝状抵抗体と、中央抵抗体が延びる方向に所定の
間隔をあけて配置されて中央抵抗体から磁器基板の第１
の辺と対向する第２の辺に向かって延びる第４及び第５
の枝状抵抗体とから構成される。そして第２及び第４の
枝状抵抗体は中央抵抗体を間に介して直線状に並べられ
且つ第３及び第５の枝状抵抗体も中央抵抗体を間に介し
て直線状に並べられる。

【００１３】そして電極パターンの構成は次の通りであ
る。中央抵抗体の第１の枝状抵抗体側の端部の上に第１
の枝状抵抗体の基部を越える位置まで重なるようにして
入力電極が形成される。また中央抵抗体と第２及び第４
の枝状抵抗体の集合部上に重なるように第１の中間電極
が形成され、中央抵抗体と第３及び第５の枝状抵抗体の
集合部上に重なるように第２の中間電極が形成される。
さらに磁器基板の第１の辺に沿い且つ第１〜第３の枝状
抵抗体の端部と重なるように第１のアース電極が形成さ
れ、磁器基板の第２の辺に沿い且つ第４及び第５の枝状
抵抗体の端部と重なるように第２のアース電極が形成さ
れる。

【００１４】第１の集中定数型アッテネータは、入力電
極と第１の中間電極との間に位置する第１の抵抗部と、
入力電極と第１のアース電極との間に位置する第２の抵
抗部と第１の中間電極と第１のアース電極との間に位置
する第３の抵抗部とにより構成される。また第２の集中
定数型アッテネータは、第３の抵抗部と、第１の中間電
極と第２のアース電極との間に位置する第４の抵抗部
と、第１の中間電極と第２の中間電極との間に位置する
第５の抵抗部と、第２の中間電極と第１のアース電極と
の間に位置する第６の抵抗部の一部と、第２の中間電極
と第２のアース電極との間に位置する第７の抵抗部の一
部とにより構成される。そして第６の抵抗部及び第７の
抵抗部の残部により特性インピーダンスを示す終端抵抗
が構成される。

【００１５】そして第１の集中定数型アッテネータ及び
第２の集中定数型アッテネータのそれぞれの減衰量が、
入力電極から入力されるパルス状ピーク電力を含む入力
電力によって第１の集中定数型アッテネータ及び第２の
集中定数型アッテネータ並びに終端抵抗が焼損しないよ
うに入力電力の大部分を第１の集中定数型アッテネータ
及び第２の集中定数型アッテネータで消費できる減衰量
になるように、抵抗体パターン及び電極パターンが形成
される。

【００１６】このようにすると、磁器基板の表面に簡単
な回路構成で且つコンパクトに抵抗体パターン及び電極
パターンを形成することができる。

【００１７】第１の集中定数型アッテネータ及び第２の
集中定数型アッテネータのそれぞれの減衰量を、入力電
力の８０％以上を第１の集中定数型アッテネータ及び第
２の集中定数型アッテネータで消費するように定める
と、第１の集中定数型アッテネータ及び第２の集中定数
型アッテネータ並びに終端抵抗を構成する各抵抗体の寸
法または面積を小さくすることができて、しかもパルス
状ピーク電力による損傷の発生を防止できる。なおこの
場合において、発明者の研究によると、第１の集中定数
型アッテネータの減衰量を、第２の集中定数型アッテネ
ータの減衰量よりも小さくするのがより好ましいことが
分かった。これは第１の集中定数型アッテネータの減衰
量を、第２の集中定数型アッテネータの減衰量よりも大
きくした場合、その減衰量の設定を誤ると、第１の集中
定数型アッテネータにおける消費電力が大きくなって、
第１の集中定数型アッテネータにおいて損傷が発生する
可能性が出てくるためである。第１の集中定数型アッテ
ネータの減衰量と第２の集中定数型アッテネータの減衰
量との比が、２：８から４：６の範囲に入るように定め
ると、バランスよく入力電力を消費することができて長
寿命を確保できる。

【００１８】特に第１の集中定数型アッテネータをπ型
に構成し、第２の集中定数型アッテネータをＨ型に構成
し、終端抵抗を第２の集中定数型アッテネータを構成す
る抵抗の一部と合成して構成すると、抵抗体パターンが
シンプルになる上、アース電極を磁器基板の対向する２
つの辺に沿う第１及び第２のアース電極として分けて形
成することができる。

【００１９】第１及び第２のアース電極を設けた場合
に、導電性支持体に磁器基板が表面を露出させるように
嵌合される嵌合溝を形成し、この嵌合溝に磁器基板を嵌
合させ、第１及び第２のアース電極を導電性支持体に半
田付け接続すると、アース電極と導電性支持体との電気
的接続と磁器基板の導電性支持体への固定を同時に行う
ことできる。

【００２０】導電性支持体には嵌合溝の両側に取付用の
突出部を設け、入力電極には磁器基板の外周縁から外側
に突出するように入力端子を半田付け接続する。このよ
うにすると、導電性支持体の突出部を取付用フランジと
して利用でき、しかも伝送線の接続が容易になる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施の形態の一例を詳細に説明する。図１（Ａ）は、本発
明の高周波用電力抵抗器の実施の形態の一例の平面図で
あり、図１（Ｂ）は磁器基板の上に形成される抵抗体パ
ターンと電極パターンの関係を示す図であり、図１
（Ｃ）は図１（Ａ）の側面図である。また図２は、図１
の高周波用電力抵抗器の回路図である。図１において、
１は高純度のベリリア系磁器からなる磁器基板であり、
この磁器基板１の表面１ａには図１（Ｂ）に示すような
形状の抵抗体パターン２が形成されている。この抵抗体
パターン２は、スパッタリングによって形成したＴａ2
Ｎの金属被膜によって形成されている。抵抗体パターン
２は、磁器基板１の中央を延びる中央抵抗体２ａと、こ
の中央抵抗体２ａが延びる方向に所定の間隔をあけて配
置されて中央抵抗体２ａから磁器基板１の第１の辺１ｂ
に向かって延びる第１〜第３の枝状抵抗体２ｂ〜２ｄ
と、中央抵抗体２ａが延びる方向に所定の間隔をあけて
配置されて中央抵抗体２ａから磁器基板１の第１の辺１
ｂと対向する第２の辺１ｃに向かって延びる第４及び第
５の枝状抵抗体２ｅ及び２ｆとを具備する。第１の枝状
抵抗体２ｂは他の枝状抵抗体と比べて幅寸法が狭く且つ
途中で曲がった形状を有している。そして第２及び第４
の枝状抵抗体２ｃ及び２ｅは一直線状に並んでおり、ま
た前記第３及び第５の枝状抵抗体２ｄ及び２ｆも一直線
状に並んでいる。

【００２２】図１（Ｂ）において破線で示した部分が抵
抗体パターン２の上に形成される電極パターン３であ
る。電極パターン３は、Ｎｉ−Ｃｒメッキ層の上にＡｕ
メッキ層が形成されて構成されている。この電極パター
ン３は次の構成を有している。まず中央抵抗体２ａの第
１の枝状抵抗体２ｂ側の端部の上に第１の枝状抵抗体２
ｂの基部にを越える位置まで重なるように入力電極３ａ
が形成される。また中央抵抗体２ａと第２及び第４の枝
状抵抗体２ｂ及び２ｅの集合部上に重なるように第１の
中間電極３ｂが形成される。更に中央抵抗体２ａと第３
及び第５の枝状抵抗体２ｄ及び２ｆの集合部上に重なる
ように第２の中間電極３ｃが形成される。そして磁器基
板１の第１の辺１ｂに沿い且つ第１〜第３の枝状抵抗体
２ｂ〜２ｄの端部と重なるように第１のアース電極３ｄ
が形成され、磁器基板１の第２の辺１ｃに沿い且つ第４
及び第５の枝状抵抗体２ｅ及び２ｆの端部と重なるよう
に第２のアース電極３ｅが形成される。

【００２３】電極パターン３が抵抗体パターン２の上に
重なるように形成された結果、図１（Ａ）に示す回路パ
ターンが磁器基板１の上に形成されることになる。なお
図１（Ａ）に示す状態では、第１及び第２のアース電極
３ｄ及び３ｅは、半田層４ａ及び４ｂによって覆われて
いる。電極パターン３が形成された結果、図１（Ａ）の
回路パターンには、入力電極３ａと第１の中間電極３ｂ
との間に第１の抵抗部ｒ1 が形成され、入力電極３ａと
第１のアース電極３ｄとの間に第２の抵抗部ｒ2 が形成
され、第１の中間電極３ｂと第１のアース電極３ｄとの
間に第３の抵抗部ｒ3 が形成され、第１の中間電極３ｂ
と第２のアース電極３ｅとの間に第４の抵抗部ｒ4 が形
成され、第１の中間電極３ｂと第２の中間電極３ｃとの
間に第５の抵抗部ｒ5 が形成され、第２の中間電極３ｃ
と第１のアース電極３ｄとの間に第６の抵抗部ｒ6 が形
成され、第２の中間電極３ｃと第２のアース電極３ｅと
の間に第７の抵抗部ｒ7 が形成される。入力電極３ａに
は、入力端子５が半田付け接続されている。

【００２４】図１（Ａ）に示された回路パターンによっ
て構成される抵抗回路は、図２に示す通りである。抵抗
Ｒ１〜Ｒ３によってπ型の第１の集中定数型アッテネー
タＡＴ１が構成され、抵抗Ｒ３〜Ｒ７によってπ型を二
つに分けてＨ型にした第２の集中定数型アッテネータＡ
Ｔ２が構成され、抵抗Ｒ８及びＲ９によって５０Ωの特
性インピーダンスを示す終端抵抗ＥＲが構成されてい
る。図１の実施の形態では、図２に示した回路を次のよ
うにして構成している。すなわち第１の集中定数型アッ
テネータＡＴ１は、入力電極３ａと第１の中間電極３ｂ
との間の位置する第１の抵抗部ｒ1 と、入力電極３ａと
第１のアース電極３ｄとの間に位置する第２の抵抗部ｒ
2 と第１の中間電極３ｂと第１のアース電極３ｄとの間
に位置する第３の抵抗部ｒ3 とにより構成される。また
第２の集中定数型アッテネータＡＴ２は、第３の抵抗部
ｒ3 と、第１の中間電極３ｂと第２のアース電極３ｄと
の間に位置する第４の抵抗部ｒ4 と、第１の中間電極３
ｂと第２の中間電極３ｃとの間に位置する第５の抵抗部
ｒ5 と、第２の中間電極３ｃと第１のアース電極３ｄと
の間に位置する第６の抵抗部ｒ6 の一部と、第２の中間
電極３ｂと第２のアース電極３ｅとの間に位置する第７
の抵抗部ｒ7 の一部とにより構成される。そして第６の
抵抗部ｒ6 及び第７の抵抗部ｒ7 の残部により特性イン
ピーダンスを示す終端抵抗ＥＲが構成される。すなわち
第７の抵抗部ｒ7 の抵抗値は、抵抗Ｒ６と抵抗Ｒ８の合
成抵抗値に相当し、第６の抵抗部ｒ6 の抵抗値は、抵抗
Ｒ７と抵抗Ｒ９の合成抵抗値に相当する。なお図２に
は、図１に示した電極の符号を付してある。

【００２５】この例では第１の集中定数型アッテネータ
ＡＴ１及び第２の集中定数型アッテネータＡＴ２のそれ
ぞれの減衰量が、入力電極３ａから入力されるパルス状
ピーク電力を含む入力電力によって第１の集中定数型ア
ッテネータＡＴ１及び第２の集中定数型アッテネータＡ
Ｔ２並びに終端抵抗ＥＲが焼損しないように入力電力の
大部分を第１の集中定数型アッテネータＡＴ１及び第２
の集中定数型アッテネータＡＴ２で消費できる減衰量に
なるように、抵抗体パターン２及び電極パターン３が形
成されている。この例では、第１の集中定数型アッテネ
ータＡＴ１の減衰量が３ｄＢとなり、第２の集中定数型
アッテネータＡＴ２の減衰量が７ｄＢとなるように、抵
抗体パターン２及び電極パターン３を形成している。そ
して具体的には、回路全体の消費電力を１００％とした
場合に、第１の抵抗部ｒ1 で２２％、第２の抵抗部ｒ2
で１７％、第３及び第４の抵抗部ｒ3 及びｒ4 でそれぞ
れ１４％ずつ、第５の抵抗部ｒ5 で１７％、そして第６
及び第７の抵抗部ｒ6 及びｒ7 でそれぞれ８％ずつ電力
を消費するように、第１〜第７の抵抗部ｒ1 〜ｒ7の抵
抗値が定められている。

【００２６】第１の集中定数型アッテネータＡＴ１及び
第２の集中定数型アッテネータＡＴ２のそれぞれの減衰
量を、入力電力の８０％以上を第１の集中定数型アッテ
ネータＡＴ１及び第２の集中定数型アッテネータＡＴ２
で消費するように定めると、第１の集中定数型アッテネ
ータＡＴ１及び第２の集中定数型アッテネータＡＴ２並
びに終端抵抗ＥＲを構成する各抵抗体（第１〜第７の抵
抗部ｒ1 〜ｒ7 ）の寸法または面積を小さくすることが
できて、しかもパルス状ピーク電力による損傷の発生を
防止できる。なお第１の集中定数型アッテネータＡＴ１
の減衰量と第２の集中定数型アッテネータＡＴ２の減衰
量との比が、２：８から４：６の範囲に入るように定め
ると、バランスよく入力電力を消費することができて、
長寿命を確保できる。

【００２７】図１（Ａ）及び（Ｃ）に戻って、６は銅タ
ングステンにより一体成形された導電性支持体である。
この導電性支持体６には、磁器基板１が表面１ａを露出
させるように嵌合される嵌合溝７が形成されている。こ
の嵌合溝７に磁器基板１を嵌合した状態で、第１及び第
２のアース電極３ｄ及び３ｅは導電性支持体６に半田付
け接続されている。半田付け部４ａ及び４ｂは、第１及
び第２のアース電極３ｄ及び３ｅに沿って形成されてい
る。この半田付け部４ａ及び４ｂにより、アース電極３
ｄ及び３ｅと導電性支持体６との電気的接続と磁器基板
１の導電性支持体６への固定が同時に行われている。導
電性支持体６の両端部には、取付の際にねじを挿入する
貫通溝７がそれぞれ形成されている。

【００２８】

【発明の効果】本発明によれば、第１及び第２の集中定
数型アッテネータと終端抵抗とを組み合わせることによ
り、第１及び第２の集中定数型アッテネータ並びに終端
抵抗を構成する抵抗体の面積を小さくして、全体的に消
費電力を分散することができ、しかもパルス状ピーク電
力で抵抗体の一部に損傷が発生するのを確実に防止でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）は、本発明の高周波用電力抵抗器の実施
の形態の一例の平面図であり、（Ｂ）は磁器基板の上に
形成される抵抗体パターンと電極パターンの関係を示す
図であり、（Ｃ）は図１（Ａ）の側面図である。

【図２】図１の高周波用電力抵抗器の回路図である。

【図３】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ従来の高周波用電
力抵抗器の抵抗器本体の表面に形成される抵抗体パター
ンと電極パターンの例を示す図である。

【符号の説明】

１ 磁器基板 ２ 抵抗体パターン ３ 電極パターン ３ａ 入力電極 ３ｂ，３ｃ 中間電極 ３ｄ 第１のアース電極 ３ｅ 第２のアース電極 ４ａ，４ｂ 半田層 ５ 入力端子 ６ 導電性支持体 Ｒ１〜Ｒ９ 抵抗 ｒ1 〜ｒ7 第１〜第７の抵抗部

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高周波伝送線路を終端するのに用いる高
   周波用電力抵抗器であって、 磁器基板と、 前記磁器基板の表面上に形成された抵抗体パターンと、 入力電極とアース電極との間のインピーダンスが所定の
   特性インピーダンスを示すように前記抵抗体パターンに
   接続された電極パターンと、 前記磁器基板の前記表面を露出させるように前記磁器基
   板を支持し且つ前記アース電極と電気的に接続された導
   電性支持体とを備え、 前記抵抗体パターン及び前記電極パターンは、前記入力
   電極と前記アース電極との間に第１の集中定数型アッテ
   ネータと第２の集中定数型アッテネータと前記特性イン
   ピーダンスを示す終端抵抗とからなる直列回路を構成す
   るように形成され、 前記第１の集中定数型アッテネータ及び前記第２の集中
   定数型アッテネータのそれぞれの減衰量は、前記入力電
   極から入力されるパルス状ピーク電力を含む入力電力に
   よって前記終端抵抗が焼損しないように前記入力電力の
   大部分を前記第１の集中定数型アッテネータ及び前記第
   ２の集中定数型アッテネータで消費するように定められ
   ていることを特徴とする高周波用電力抵抗器。
2. 【請求項２】 高周波伝送線路を終端するのに用いる高
   周波用電力抵抗器であって、 磁器基板と、 前記磁器基板の表面に形成された抵抗体パターンと、 入力電極とアース電極との間のインピーダンスが所定の
   特性インピーダンスを示すように前記抵抗体パターンの
   一部と重なる電極パターンと、 前記磁器基板の前記表面を露出させるように前記磁器基
   板を支持し且つ前記アース電極と電気的に接続された導
   電性支持体とを備え、 前記抵抗体パターンは、前記磁器基板の中央を延びる中
   央抵抗体と、前記中央抵抗体が延びる方向に所定の間隔
   をあけて配置されて前記中央抵抗体から前記磁器基板の
   第１の辺に向かって延びる第１〜第３の枝状抵抗体と、
   前記中央抵抗体が延びる方向に所定の間隔をあけて配置
   されて前記中央抵抗体から前記磁器基板の第１の辺と対
   向する第２の辺に向かって延びる第４及び第５の枝状抵
   抗体とを具備し、前記第２及び第４の枝状抵抗体が前記
   中央抵抗体を間に介して並び且つ前記第３及び第５の枝
   状抵抗体が前記中央抵抗体を間に介して並ぶように形成
   されており、 前記中央抵抗体の前記第１の枝状抵抗体側の端部の上に
   前記第１の枝状抵抗体の基部を越える位置まで重なるよ
   うに前記入力電極が形成され、前記中央抵抗体と前記第
   ２及び第４の枝状抵抗体の集合部上に重なるように第１
   の中間電極が形成され、前記中央抵抗体と前記第３及び
   第５の枝状抵抗体の集合部上に重なるように第２の中間
   電極が形成され、前記磁器基板の前記第１の辺に沿い且
   つ前記第１〜第３の枝状抵抗体の端部と重なるように第
   １のアース電極が形成され、前記磁器基板の前記第２の
   辺に沿い且つ前記第４及び第５の枝状抵抗体の端部と重
   なるように第２のアース電極が形成されて前記電極パタ
   ーンが構成されており、 前記入力電極と前記第１の中間電極との間に位置する第
   １の抵抗部と、前記入力電極と前記第１のアース電極と
   の間に位置する第２の抵抗部と前記第１の中間電極と前
   記第１のアース電極との間に位置する第３の抵抗部とに
   より第１の集中定数型アッテネータが構成され、 前記第３の抵抗部と、前記第１の中間電極と前記第２の
   アース電極との間に位置する第４の抵抗部と、前記第１
   の中間電極と前記第２の中間電極との間に位置する第５
   の抵抗部と、前記第２の中間電極と前記第１のアース電
   極との間に位置する第６の抵抗部の一部と、前記第２の
   中間電極と前記第２のアース電極との間に位置する第７
   の抵抗部の一部とにより第２の集中定数型アッテネータ
   が構成され、 前記第６の抵抗部及び第７の抵抗部の残部により前記特
   性インピーダンスを示す終端抵抗が構成され、 前記第１の集中定数型アッテネータ及び前記第２の集中
   定数型アッテネータのそれぞれの減衰量が、前記入力電
   極から入力されるパルス状ピーク電力を含む入力電力に
   よって前記第１の集中定数型アッテネータ及び前記第２
   の集中定数型アッテネータ並びに前記終端抵抗が焼損し
   ないように前記入力電力の大部分を前記第１の集中定数
   型アッテネータ及び前記第２の集中定数型アッテネータ
   で消費できる減衰量になるように、前記抵抗体パターン
   及び前記電極パターンが形成されていることを特徴とす
   る高周波用電力抵抗器。
3. 【請求項３】 前記第１の集中定数型アッテネータ及び
   前記第２の集中定数型アッテネータのそれぞれの減衰量
   は、前記入力電力の８０％以上を前記第１の集中定数型
   アッテネータ及び前記第２の集中定数型アッテネータで
   消費するように定められていることを特徴とする請求項
   １または２に記載の高周波用電力抵抗器。
4. 【請求項４】 前記第１の集中定数型アッテネータの減
   衰量は、前記第２の集中定数型アッテネータの減衰量よ
   りも小さいことを特徴とする請求項３に記載の高周波用
   電力抵抗器。
5. 【請求項５】 前記第１の集中定数型アッテネータの減
   衰量と前記第２の集中定数型アッテネータの減衰量との
   比が、２：８から４：６の範囲に入るように定められて
   いる請求項４に記載の高周波用電力抵抗器。
6. 【請求項６】 前記第１の集中定数型アッテネータはπ
   型に構成され、前記第２の集中定数型アッテネータはＨ
   型に構成され、前記終端抵抗は前記第２の集中定数型ア
   ッテネータを構成する抵抗の一部と合成されている請求
   項１に記載の高周波用電力抵抗器。
7. 【請求項７】 前記導電性支持体には前記磁器基板が前
   記表面を露出させるように嵌合される嵌合溝が形成さ
   れ、 前記嵌合溝に嵌合された前記磁器基板の前記表面の前記
   第１及び第２のアース電極が前記導電性支持体に半田付
   け接続されている請求項２に記載の高周波用電力抵抗
   器。
8. 【請求項８】 前記導電性支持体は前記嵌合溝の両側に
   取付用の突出部を有しており、 前記入力電極には前記磁器基板の外周縁から外側に突出
   するように入力端子が半田付け接続されている請求項７
   に記載の高周波用電力抵抗器。