JPS6348145Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の目的〕 （産業上の利用分野） この考案は、セラミツク基板が用いられ、主と
して高周波用にあてられるハイブリツド集積回路
に関する。

（従来の技術） 主としてマイクロ波帯で用いられるハイブリツ
ド集積回路は、セラミツク基板面に金属導体を真
空蒸着した薄膜回路やペースト状の導体パターン
を印刷し焼成したいわゆる厚膜印刷回路がしばし
ば用いられている。

この型のハイブリツド集積回路現行例の高周波
スイツチを第２図に示す。この図例ではPINダイ
オード１は、バイアス端子２に印加する制御電圧
によつて、順方向あるいは逆方向にバイアスされ
高周波コネクタ３から入出力する高周波信号をオ
ン、オフする機能を備える。なお、チツプキヤパ
シタ４は、セラミツク基板５の表側の回路導体に
ハンダ付けされ、セラミツク基板の裏側に形成さ
れた接地導体６は、筐体７に接地されている。

（考案が解決しようとする問題点） 上記従来の回路構成に用いられているセラミツ
ク基板には、製作や加工工程で生じた固有の機械
的反りが認められる。実際使用状態にある基板を
仔細にみると、第３図ａ，ｂのいづれかの様式、
すなわち、接地導体側に凸または基板側に凸の様
式が一般的であるが、基板の高周波的な接地を確
実にするためや、基板の割れが少ない等の理由か
ら、ａよりはｂの配置が好まれよく用いられてき
た。しかし金属薄膜で接地導体が形成されている
場合、セラミツク基板端部で接地導体６がエツチ
ング液でオーバーエツチされたり、あるいはセラ
ミツク基板が基板端部で部分的に欠けがあつたり
して基板裏面の接地導体６が筐体７に完全に接地
されないことがある。

上記欠点を避けるために接地導体６と筐体７の
間に、第４図に示す様な突起８を備えた銅箔９を
はさんで接地をとるか、あるいは金箔やインジウ
ム箔等の比較的展性に富む金属を接地導体６と筐
体７間にはさんだり、接地導体６の一部あるいは
全面にウエルデイングして筐体７との確実な接地
をとることが行われている。しかし、第２図の高
周波回路では特に入出力コネクタ直下の接地を確
実にとるという事が高周波特性上重要であるが、
中央部での接地は、基板端部での接地が確実であ
る限りほとんど問題とならない。それ故このよう
な現行のハイブリツド回路では接地工程を余分に
要し作業時間を要している点で不都合である。

この考案は上記従来の問題点に鑑み、改良され
たハイブリツド回路の構造を提供するものであ
る。

〔考案の構成〕

（問題点を解決するための手段） この考案にかかるハイブリツド集積回路は、セ
ラミツク基板の一面に回路が形成され、他面全面
に接地導体が設けられているハイブリツド集積回
路において、前記セラミツク基板上の回路の入出
力部の直下の接地導体面に形成された接地電極導
体膜を具備することを特徴とする。

（作用） この考案はこのような欠点を除去するもので、
セラミツク基板の表面上の回路の入出力部の直下
のセラミツク基板裏面に接地電極導体膜を設け、
この接地電極導体膜と筐体との接地を確実にする
ことで、セラミツク基板裏面の接地を量産に適す
るよう良好にする。

（実施例） 以下、この考案の一実施例につき図面を参照し
て説明する。第１図は、この例の高周波スイツチ
を示すもので、ａは斜視図、ｂはその横断面図で
ある。この例では、接地電極導体膜１０がセラミ
ツク基板の表面上に形成された回路の入出力部直
下のセラミツク基板裏面に設けられている。な
お、符号１〜５及び７は第２図と同義に用いてあ
る。このような接地電極導体膜は二枚のスクリー
ンを用い、厚膜導体ペーストをまず接地面に塗
り、焼成した後、さらに周辺域にのみ選択的にス
クリーン印刷し、再び焼成して作ることができ
る。

この例では、高周波コネクタ３の直下、すなわ
ち、回路の入出力部直下の接地電極導体膜１０が
筐体７に接地されることになるため、高周波がセ
ラミツク基板裏面の接地導体と筐体間にまわり込
むのが防止され接地導体中央域が第１図ｂに示す
ように筐体７と離れていても問題を生じない。ま
た、反りのあるセラミツク基板に厚膜印刷をして
接地導体を形成した場合でも、電極導体膜を設け
ることにより接地を不完全にすることがない。さ
らに、上に述べたように高周波回路の接地が完全
にできる点以外にも、第１図に示す様に直流電流
を流すループが接地部分を含んで形成されている
時、筐体の機械的歪、振動等に対し直流電流値が
安定であるという利点も数えられる。

この考案で接地電極導体膜は厚膜導体に限定さ
れない。しかしセラミツク基板の反りは通常基板
の長さ10mm当り0.03mm程度あるので、厚膜導体を
用いることが有効である。厚膜導体は、例えば銀
（Ag）およびパラジウム（Pd）を適当なバイン
ダに分散し、セラミツク基板の上に印刷し高温で
焼成したもので良く、薄膜導体に比べ高周波損失
が多少大きいが、接地導体に用いる場合はその影
響は微少であり高周波損失はほとんど増大しな
い。

〔考案の効果〕

上に述べたようにこの考案によれば、セラミツ
ク基板表面上の回路の入出力部の直下の裏面に接
地電極導体膜を設けることで接地を確実、容易に
し、しかも量産化に適したハイブリツド集積回路
を提供できたものである。

【図面の簡単な説明】

第１図ａはこの考案の高周波スイツチを示す斜
視図、第１図ｂは断面図、第２図は従来の高周波
スイツチを示す斜視図、第３図ａ，ｂは第２図の
スイツチでセラミツク基板と筐体との接触状態を
示すいずれも断面図、第４図は第２図のスイツチ
に適用するための突起を有する銅箔の斜視図であ
る。 １…PINダイオード、２…バイアス端子、３…
高周波コネクタ、４…チツプキヤパシタ、５…セ
ラミツク基板、６…接地導体、７…筐体、８…突
起、９…銅箔、１０…接地電極導体膜。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. セラミツク基板の一面に回路が形成され、他面
   全面に接地導体が設けられているハイブリツド集
   積回路において、前記セラミツク基板上の回路の
   入出力部の直下の接地導体面に形成された接地電
   極導体膜を具備することを特徴とするハイブリツ
   ド集積回路。