JPH0326642Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、分割可能な高周波伝送線路のハウ
ジングに所望の伝送特性を得るための回路基板を
挟持して成り、高周波回路が形成されている回路
基板のアース電極とハウジングとの電気的な接続
を行う高周波導体接地構造を備えた高周波伝送線
路に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、第４図に示すような導波管のハウジング
を構成する導電体１内の相対向する凹部１ａ，１
ｂに、第５図に示すようにセラミツク基板の表面
に形成されている高周波回路、例えば高周波減衰
回路２を挿入し高周波減衰器を構成する場合、第
６図に示すようなバネ部材３を高周波減衰回路２
のアース電極２ａ，２ｂに嵌入し、このバネ部材
３によつて第７図に示すようにアース電極２ａ，
２ｂと、導電体１の電気的な接続を行つていた。

しかし、かかるバネ部材３による高周波導体接
地構造では以下のような問題点がある。

バネ部材３にはバネ効果を利用してアース電極
２ａ，２ｂの全面と導電体１の接触が良好になる
ように切込み３ａが設けられているため、第５図
に示すアース電極２ａ，２ｂの伝送方向の全面で
導電体１との接触を行わせることができない。そ
のため減衰させる信号の周波数が、例えばSHF
帯の領域（CHz）になると、この接続部分にリ
アクタンス成分が生じ、高域の周波数で減衰特性
が悪化するという問題がある。

〔考案が解決しようとする問題点〕

そこで、高周波減衰特性を改善するために、バ
ネ部材３で接続する代わりにアース電極２ａ，２
ｂと導電体１を直接半田付けする方法などが採用
されているが、この場合はバネ部材３による構造
に比較した組立てが困難になり、高周波減衰回路
２の交換作業にも問題がある。

この考案は、かかる問題を解消し、さらに高周
波特性が改善できるようにした高周波導体接地構
造を提供し、その構造を備えた高周波伝送線路を
提供するものである。

〔問題点を解決するための手段〕

２分割された伝送線路のハウジングを構成する
導電体の接合面に形成されている凹部に、回路基
板の側辺に形成されている高周波回路のアース電
極とバネ部材と良導体である金属細線を嵌入し、
前記２分割されているハウジング（導電体で成る
囲い）で圧接挟持することによつてアース電極
と、導電体の電気的な接続が行われるようにした
ものである。

〔作用〕

２個の導電体を締付ネジ等で圧接すると、幅が
狭いアース電極も、その長さ方向の全面で良導体
を介して導電体に十分な圧力で接触させることが
できるので、きわめて良好な電気的な接続構造と
することができ、高周波の特性を劣化しないよう
にすることができる。

また凹部の深さは良導体の幅とほぼ同程度とす
るが、細線を使うことにより、この深さを浅くで
き、伝送方向と直交する方向でも、不要なリアク
タンス分を除き理想状態に近づけることができ
る。

また高周波回路の特性でしばしば問題となるア
ース回路を主眼として以後の説明をするが、アー
ス電極に限ることなく、高周波回路の共通電極で
あつてもよい。

〔実施例〕

第１図はこの考案の高周波導体接地構造を斜視
図とした分解図を示すもので、１０ａ，１０ｂは
シールド筐体となる２分割された導電体（ハウジ
ング）である。下側の導電体１０ａには凹部１２
を形成するための凹部があり、また分割されたハ
ウジングは締付ボルト１１とネジ穴１３によつて
一体とされ、回路基板を保持固定している。

１４は、例えば銅、真鍮等にみられるように比
較的弾性率の高い材料からなる細線状のバネ部
材、１５は金、銀、銅、アルミ等からなる良導体
金属を細線状とした接続部材で、これらは前述し
た高周波回路が形成されている回路基板（セラミ
ツク板）１６の側辺に形成されているアース電極
１６ａ，１６ａを上下から挟むように配置され、
導電体１０ａの凹部１２，１２に搭載されるもの
である。なお、回路基板１６には分布抵抗体１６
ｂと中心導体１６ｃより形成した減衰回路が実施
例として形成されている。

上述したように下側にある導電体１０ａの凹部
１２，１２にバネ部材１４，１４、回路基板１
６、接続部材１５，１５を順次重ねて設置しさら
に、上側の導電体１０ｂを重ねて締付ボルト１１
によつて圧着すると、第２図に示すように回路基
板１６のアース電極１６ａの部分が導電体１０
ａ，１０ｂによつて形成される凹部１２，１２内
に圧接され電気的な接地構造が形成される。

バネ部材１４はその断面形状も丸棒に限るもの
ではない。

上記した実施例によると、バネ部材１４によつ
て回路基板１６のアース電極１６ａ，１６ａの全
面が接続部材１５を介して導電体１０ａ，１０ｂ
に均一に圧着挟持されるため、アース電極１６
ａ，１６ａと導電体１０ａ，１０ｂの電気的な接
続がきわめて良好になり、高周波信号に対しても
完全な接地構造を実現することができる。

回路基板１６の一辺の長さはSHF帯の減衰回
路を構成する場合、ほぼ３mm程度の寸法になり、
アース電極１６ａの幅寸法ｗが、例えば1.2mmの
場合と、0.25mmの場合では、第３図に示すように
高域の減衰特性に変化があるが、この考案の高周
波導体接地構造は、アース電極１６ａの幅ｗが十
分小さいものでも組立が容易であるから、減衰特
性を優れたものにすることができる。

なお、減衰器の接地構造を実施例としたが、同
一形状のアース電極が形成される他の高周波回路
であるマイクロ波スイツチ回路、高周波終端回
路、高周波増幅回路、分布定数形のバランス・ア
ンバランス変換回路、導波管内に組み込まれるフ
イン・ライン回路等に利用できることはいうまで
もない。

〔考案の効果〕

以上説明したように、この考案の高周波伝送線
路は高周波導体接地構造を具備し、その接地構造
は２分割された導電体（ハウジング）の接合面に
凹部を設け、この凹部に回路基板に形成されてい
る電極と細線状の金属良導体及びバネ材を挿入
し、２個の導電体の圧接によつて接続構造が得ら
れるようにしているので、電極の幅が狭い場合で
も全面にわたつて電気的に良好な接続をすること
が容易であり、しかも着脱も可能になるという利
点がある。又、バネ材によつて接合面の温度変化
による圧接力が緩和され、常に良好な接続状態を
保つことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の一実施例を示す高周波伝送
線路の分解斜視図、第２図は第１図の組立状態を
示す正面図、第３図はこの考案の減衰特性を示す
図、第４図は従来の高周波伝送線路の斜視図、第
５図は高周波減衰回路の構成を示す斜視図、第６
図は従来用いられていたバネ部材を示す拡大斜視
図、第７図は第６図のバネ部材を用いて組立てた
高周波伝送線路の正面図である。 図中、１０ａ，１０ｂは導電体（ハウジング）、
１１は締付ボルト、１２は凹部、１３はネジ穴、
１４はバネ部材、１５は接続部材、１６は回路基
板である。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 第１の導電体と第２の導電体を重ね合わせたハ
   ウジングと、前期第１、及び第２の導電体の接合
   面に所望の伝送特性を得るための回路基板を挟持
   して成る高周波伝送路において、 前期回路基板に形成されている共通電極とほぼ
   同一の長さを有する良導体からなる金属細線と、
   バネ部材を前記回路基板の共通電極の上側、およ
   び下側に配置し、前記金属細線と共通電極および
   バネ部材が前記第１の導電体および第２の導電体
   の接合面に形成されている凹内で挟着される固定
   手段を備えていることを特徴とする高周波伝送線
   路。