JP2000091802A - マイクロ波回路 - Google Patents

マイクロ波回路

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JP2000091802A
JP2000091802A JP10258270A JP25827098A JP2000091802A JP 2000091802 A JP2000091802 A JP 2000091802A JP 10258270 A JP10258270 A JP 10258270A JP 25827098 A JP25827098 A JP 25827098A JP 2000091802 A JP2000091802 A JP 2000091802A
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JP
Japan
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microstrip line
metal
metal carrier
microwave circuit
carrier
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JP10258270A
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English (en)
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Taku Fujita
卓 藤田
Kazuaki Takahashi
和晃 高橋
Ushio Sagawa
潮 寒川
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 主としてマイクロ波、ミリ波帯のマイクロ波
回路において、個別回路部を単独で検査することができ
て、容易かつ低損失で組み立てられることを目的とす
る。 【解決手段】 第1、第2のマイクロストリップ線路基
板101aは、金属キャリア102から両端がはみ出る
長さとし、金属キャリア102は、金属ベース板105
の凹部に組み込んで第1、第2のマイクロストリップ線
路基板101aのはみ出た部分の接地面を金属ベース板
105に接合した構造を有するもので、各キャリアに構
成された個別回路部をそれぞれ単体で検査することがで
き、容易かつ低損失で組み立てることが可能なマイクロ
波回路が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は主として、マイクロ
波、ミリ波帯のマイクロ波回路の構成に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、マイクロ波回路は特開平9−18
205に記載されたものが知られている。
【0003】図16に従来のマイクロ波回路の構造を示
す。グランド用プレート1601上に三導体構造の回路
1602とマイクロストリップ構造の回路1603が形
成されるマイクロ波回路において、マイクロストリップ
構造の回路1603の上方を覆う電磁シールド用の金属
ふた1605を設け、このふた1605の端部を、グラ
ンド用プレート1601および三導体構造の回路160
2の上面導体1606に電気的に接続し、三導体構造の
回路1602の上面導体1606と下面導体をスルーホ
ール1608で接続している。
【0004】しかしながらこのような構造は、組み立て
に手間がかかるとともに、各回路部の検査が必要なと
き、各回路部単独では検査が困難になってしまってい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このマイクロ波回路に
おいては、個別回路部を単独で検査することができて、
容易かつ低損失で組み立てられることが要求されてい
る。
【0006】本発明は、このようなマイクロ波回路にお
いて、個別回路部を単独で検査することができて、容易
かつ低損失で組み立てられることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、能動素子及び前記能動素子を介して接続さ
れる第1、第2のマイクロストリップ線路基板を装着し
た金属キャリアと、前記金属キャリアを装着する凹部及
び前記凹部の両側または近傍に第3、第4のマイクロス
トリップ線路基板を装着した金属ベース板とを有し、前
記第1、第2のマイクロストリップ線路基板は、前記金
属キャリアから両端がはみ出る長さとし、前記第3、第
4のマイクロストリップ線路基板は、前記金属キャリア
を前記金属ベース板に装着したときに前記第1、第2の
マイクロストリップ線路基板と接続可能な長さとし、前
記金属キャリアは、前記金属ベース板の凹部に組み込ん
で前記第1、第2のマイクロストリップ線路基板のはみ
出た部分の接地面を前記金属ベース板に接合した構造を
有するように構成したものである。
【0008】また、本発明は、第1能動素子及び前記第
1能動素子を介して接続される第1、第2のマイクロス
トリップ線路基板を装着した第1金属キャリアと、第2
能動素子及び前記第2能動素子を介して接続される第
3、第4のマイクロストリップ線路基板を装着した第2
金属キャリアとを有し、前記第1のマイクロストリップ
線路基板は、前記第1金属キャリアの上面の一部を露出
する長さとし、前記第3のマイクロストリップ線路基板
は、前記第2金属キャリアの一端からはみ出る長さと
し、前記第3のマイクロストリップ線路基板のはみ出た
部分の接地面を、前記第1金属キャリアの上面の一部が
露出した部分に重ねて接合した構造を有するように構成
したものである。
【0009】また、本発明は、第1能動素子及び前記第
1能動素子を介して接続される第1、第2のマイクロス
トリップ線路基板を装着した第1金属キャリアと、第2
能動素子及び前記第2能動素子を介して接続される第
3、第4のマイクロストリップ線路基板を装着した第2
金属キャリアとを有し、前記第1のマイクロストリップ
線路基板は、その一方の端部が前記第1金属キャリアの
端部に一致する長さとし、前記第3のマイクロストリッ
プ線路基板は、その一方の端部が前記第2金属キャリア
の端部に一致する長さとし、前記第1金属キャリアの端
部と前記第2の金属キャリアの端部とを突き合わせると
ともに、突き合わせて接続する部分の上面部に導電性ペ
ースト又は半田材料を用いて接合した構造を有するよう
に構成したものである。
【0010】また、本発明は、第1能動素子及び前記第
1能動素子を介して接続される第1、第2のマイクロス
トリップ線路基板を装着した第1金属キャリアと、第2
能動素子及び前記第2能動素子を介して接続される第
3、第4のマイクロストリップ線路基板を装着した第2
金属キャリアとを有し、前記第1金属キャリアは端面下
部に段差を設けたL字型、前記第2金属キャリアは端面
上部に段差を設けた逆L字型として双方の段差を組み合
わせ、実装されたマイクロストリップ線路の接続部真下
を、下方からネジで押さえつけることにより接合する
か、または、前記第1金属キャリアは、端面下部に段差
を設けたL字型とするとともにその段差上面に窪みを設
けて半田材料を挿入し、前記第2金属キャリアは、端面
上部に段差を設けた逆L字型とし、双方の段差を組み合
わせて加熱することにより、前記第1金属キャリアと前
記第2金属キャリアとを接合するように構成したもので
ある。
【0011】また、本発明は、マイクロストリップ線路
基板を実装した金属ベース板、同軸コネクタ、前記同軸
コネクタを保持する金属壁、前記金属壁と前記金属ベー
ス板を固定するネジを有し、前記同軸コネクタの信号ピ
ンとマイクロストリップ線路との接続部の真下で、前記
ネジを用いて前記金属壁と前記金属ベース板とを固定す
るか、または、前記金属壁は、前記金属ベース板底部の
一部が重なるように突起部を有し、前記金属ベース板底
部の一部と前記突起部上面とを、共晶接合にて接続する
ように構成したものである。
【0012】また、本発明は、2つの金属キャリア、ま
たは金属キャリアと金属ベース板、または金属キャリア
と金属壁を有し、それぞれの端部を同じ高さで突き合わ
せ、突き合わせて接続する部分の上面部双方に向かい合
うように切り欠きを形成し、その切り欠きに半田材料を
挿入して加熱することで共晶接合した構造を有するよう
に構成したものである。
【0013】これにより、個別回路部を単独で検査する
ことができ、容易かつ低損失で組み立てることが可能な
マイクロ波回路が得られる。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、能動素子及び前記能動素子を介して接続される第
1、第2のマイクロストリップ線路基板を装着した金属
キャリアと、前記金属キャリアを装着する凹部及び前記
凹部の両側または近傍に第3、第4のマイクロストリッ
プ線路基板を装着した金属ベース板とを有し、前記第
1、第2のマイクロストリップ線路基板は、前記金属キ
ャリアから両端がはみ出る長さとし、前記第3、第4の
マイクロストリップ線路基板は、前記金属キャリアを前
記金属ベース板に装着したときに前記第1、第2のマイ
クロストリップ線路基板と接続可能な長さとし、前記金
属キャリアは、前記金属ベース板の凹部に組み込んで前
記第1、第2のマイクロストリップ線路基板のはみ出た
部分の接地面を前記金属ベース板に接合した構造を有す
ることを特徴とするマイクロ波回路であり、各キャリア
に構成された個別回路部をそれぞれ単体で検査すること
ができ、容易かつ低損失で組み立てることが可能なマイ
クロ波回路が得られるという作用を有する。
【0015】請求項2に記載の発明は、金属キャリアと
第1、第2のマイクロストリップ線路基板、および、金
属ベース板と第3、第4のマイクロストリップ線路基板
の接合を、第1の半田材料を用いた共晶接合とし、前記
第1、第2のマイクロストリップ線路基板のはみ出た部
分の接地面と前記金属ベース板との接合を、前記第1の
半田材料より融点の低い第2の半田材料を用いた共晶接
合とすることを特徴とする請求項1記載のマイクロ波回
路であり、個別回路部を単体で検査することができ、金
属キャリアを金属ベース板に組み込む際の影響が小さ
く、容易かつ低損失で組み立てることが可能なマイクロ
波回路が得られるという作用を有する。
【0016】請求項3に記載の発明は、第1能動素子及
び前記第1能動素子を介して接続される第1、第2のマ
イクロストリップ線路基板を装着した第1金属キャリア
と、第2能動素子及び前記第2能動素子を介して接続さ
れる第3、第4のマイクロストリップ線路基板を装着し
た第2金属キャリアとを有し、前記第1のマイクロスト
リップ線路基板は、前記第1金属キャリアの上面の一部
を露出する長さとし、前記第3のマイクロストリップ線
路基板は、前記第2金属キャリアの一端からはみ出る長
さとし、前記第3のマイクロストリップ線路基板のはみ
出た部分の接地面を、前記第1金属キャリアの上面の一
部が露出した部分に重ねて接合した構造を有することを
特徴とするマイクロ波回路であり、個別回路部を単体で
検査することができ、複数の個別回路を容易かつ低損失
で接続することが可能なマイクロ波回路が得られるとい
う作用を有する。
【0017】請求項4に記載の発明は、第1金属キャリ
アの上面の一部が露出した部分に窪みを設け、前記窪み
に半田材料を挿入し、第3のマイクロストリップ線路基
板のはみ出た部分の接地面を、前記第1金属キャリアの
上面の一部が露出した部分に重ねて加熱することにより
接合することを特徴とする請求項3記載のマイクロ波回
路であり、個別回路部を単体で検査することができ、マ
イクロストリップ線路基板の他の金属キャリアへの半田
付けが容易で、低損失で組み立てることが可能なマイク
ロ波回路が得られるという作用を有する。
【0018】請求項5に記載の発明は、第1金属キャリ
アと第1、第2のマイクロストリップ線路基板、およ
び、第2金属キャリアと第3、第4のマイクロストリッ
プ線路基板の接合を、第1の半田材料を用いた共晶接合
とし、前記第3のマイクロストリップ線路基板のはみ出
た部分の接地面と前記第1金属キャリアとの接合を、前
記第1の半田材料より融点の低い第2の半田材料を用い
た共晶接合とすることを特徴とする請求項3または4記
載のマイクロ波回路であり、個別回路部を単体で検査す
ることができ、容易かつ低損失で組み立てることが可能
なマイクロ波回路が得られるという作用を有する。
【0019】請求項6に記載の発明は、第3のマイクロ
ストリップ線路基板のはみ出た部分の接地面を、第1金
属キャリアの上面の一部が露出した部分に重ねて上方か
らネジで押さえつけることにより接合することを特徴と
する請求項3記載のマイクロ波回路であり、個別回路部
を単体で検査することができ、マイクロストリップ線路
基板の他の金属キャリアへの実装及び取り外しが容易
で、低損失で組み立てることが可能なマイクロ波回路が
得られるという作用を有する。
【0020】請求項7に記載の発明は、第3のマイクロ
ストリップ線路基板のはみ出た部分の接地面を、第1金
属キャリアの上面の一部が露出した部分に重ね、その上
から、前記第3のマイクロストリップ線路基板のはみ出
た部分を押さえつけるとともにマイクロストリップ線路
と接触しないように切り欠き部を設けた金属壁を配置
し、前記金属壁を介して上方からネジで押さえつけるこ
とにより接合することを特徴とする請求項6記載のマイ
クロ波回路であり、個別回路部を単体で検査することが
でき、マイクロストリップ線路基板の他の金属キャリア
への実装及び取り外しが容易で、低損失で組み立てるこ
とが可能なマイクロ波回路が得られるという作用を有す
る。
【0021】請求項8に記載の発明は、第1能動素子及
び前記第1能動素子を介して接続される第1、第2のマ
イクロストリップ線路基板を装着した第1金属キャリア
と、第2能動素子及び前記第2能動素子を介して接続さ
れる第3、第4のマイクロストリップ線路基板を装着し
た第2金属キャリアとを有し、前記第1のマイクロスト
リップ線路基板は、その一方の端部が前記第1金属キャ
リアの端部に一致する長さとし、前記第3のマイクロス
トリップ線路基板は、その一方の端部が前記第2金属キ
ャリアの端部に一致する長さとし、前記第1金属キャリ
アの端部と前記第2の金属キャリアの端部とを突き合わ
せるとともに、突き合わせて接続する部分の上面部に導
電性ペースト又は半田材料を用いて接合した構造を有す
ることを特徴とするマイクロ波回路であり、個別回路部
を単体で検査することができ、複数の個別回路を容易か
つ低損失で接続することが可能なマイクロ波回路が得ら
れるという作用を有する。
【0022】請求項9に記載の発明は、第1、第3のマ
イクロストリップ線路基板それぞれが有する誘電体の接
続側上面端部の一部を切り欠いて第1、第2金属キャリ
アの接地面の一部を露出し、その露出した接地面同士を
導電性ペースト又は半田材料を用いて接合した構造を有
することを特徴とする請求項8記載のマイクロ波回路で
あり、個別回路部を単体で検査することができ、複数の
個別回路を容易かつ低損失で接続することが可能なマイ
クロ波回路が得られるという作用を有する。
【0023】請求項10に記載の発明は、第1、第3の
マイクロストリップ線路基板それぞれが有する誘電体の
接続側上面端部に、スルーホールを介して基板底部の接
地面と電気的に接続した上部接地面を形成し、前記上部
接地面同士を導電性ペースト又は半田材料を用いて接合
した構造を有することを特徴とする請求項8記載のマイ
クロ波回路であり、個別回路部を単体で検査することが
でき、複数の個別回路を容易かつ低損失で接続すること
が可能なマイクロ波回路が得られるという作用を有す
る。
【0024】請求項11に記載の発明は、第1能動素子
及び前記第1能動素子を介して接続される第1、第2の
マイクロストリップ線路基板を装着した第1金属キャリ
アと、第2能動素子及び前記第2能動素子を介して接続
される第3、第4のマイクロストリップ線路基板を装着
した第2金属キャリアとを有し、前記第1金属キャリア
は端面下部に段差を設けたL字型、前記第2金属キャリ
アは端面上部に段差を設けた逆L字型として双方の段差
を組み合わせ、実装されたマイクロストリップ線路の接
続部真下を、下方からネジで押さえつけることにより接
合することを特徴とするのマイクロ波回路であり、個別
回路部を単体で検査することができ、複数の個別回路を
容易かつ低損失で接続することが可能なマイクロ波回路
が得られるという作用を有する。
【0025】請求項12に記載の発明は、第1能動素子
及び前記第1能動素子を介して接続される第1、第2の
マイクロストリップ線路基板を装着した第1金属キャリ
アと、第2能動素子及び前記第2能動素子を介して接続
される第3、第4のマイクロストリップ線路基板を装着
した第2金属キャリアとを有し、前記第1金属キャリア
は、端面下部に段差を設けたL字型とするとともにその
段差上面に窪みを設けて半田材料を挿入し、前記第2金
属キャリアは、端面上部に段差を設けた逆L字型とし、
双方の段差を組み合わせて加熱することにより、前記第
1金属キャリアと前記第2金属キャリアとを接合するこ
とを特徴とするマイクロ波回路であり、個別回路部を単
体で検査することができ、複数の個別回路を容易かつ低
損失で接続することが可能なマイクロ波回路が得られる
という作用を有する。
【0026】請求項13に記載の発明は、マイクロスト
リップ線路基板を実装した金属ベース板、同軸コネク
タ、前記同軸コネクタを保持する金属壁、前記金属壁と
前記金属ベース板を固定するネジを有し、前記同軸コネ
クタの信号ピンとマイクロストリップ線路との接続部の
真下で、前記ネジを用いて前記金属壁と前記金属ベース
板とを固定するように構成したことを特徴とするマイク
ロ波回路であり、マイクロストリップ線路と同軸線路を
容易かつ低損失で接続することが可能なマイクロ波回路
が得られるという作用を有する。
【0027】請求項14に記載の発明は、金属壁は、金
属ベース板底部の一部が重なるように突起部を有し、同
軸コネクタの信号ピンとマイクロストリップ線路との接
続部の真下で、前記突起部下方から、ネジを用いて前記
金属壁と前記金属ベース板とを固定するように構成した
ことを特徴とする請求項13記載のマイクロ波回路であ
り、マイクロストリップ線路と同軸線路を容易かつ低損
失で接続することが可能なマイクロ波回路が得られると
いう作用を有する。
【0028】請求項15に記載の発明は、マイクロスト
リップ線路基板を実装した金属ベース板、同軸コネク
タ、前記同軸コネクタを保持する金属壁を有し、前記金
属ベース板と前記金属壁とを共晶接合にて接続するよう
に構成したことを特徴とするマイクロ波回路であり、マ
イクロストリップ線路と同軸線路を容易かつ低損失で接
続することが可能なマイクロ波回路が得られるという作
用を有する。
【0029】請求項16に記載の発明は、第1金属キャ
リアと、第2金属キャリアとを有し、前記第1金属キャ
リアの端部と前記第2の金属キャリアの端部とを同じ高
さで突き合わせ、突き合わせて接続する部分の上面部双
方に向かい合うように切り欠きを形成し、前記切り欠き
に半田材料を挿入して加熱することで前記第1金属キャ
リアと前記第2金属キャリアを共晶接合した構造を有す
ることを特徴とするマイクロ波回路であり、個別回路部
を単体で検査することができて、マイクロストリップ線
路基板の他の金属キャリアへの実装及び取り外しが容易
で、低損失で組み立てることが可能なマイクロ波回路が
得られるという作用を有する。
【0030】請求項17に記載の発明は、金属キャリア
と、金属ベース板とを有し、前記金属キャリアの端部と
前記金属ベース板の端部とを同じ高さで突き合わせ、突
き合わせて接続する部分の上面部双方に向かい合うよう
に切り欠きを形成し、前記切り欠きに半田材料を挿入し
て加熱することで前記金属キャリアと前記金属ベース板
を共晶接合した構造を有することを特徴とするマイクロ
波回路であり、個別回路部を単体で検査することができ
て、個別回路部の接続が容易で、低損失で組み立てるこ
とが可能なマイクロ波回路が得られるという作用を有す
る。
【0031】請求項18に記載の発明は、金属キャリア
と、金属壁とを有し、前記金属キャリアの端部と前記金
属壁の端部とを同じ高さで突き合わせ、突き合わせて接
続する部分の上面部双方に向かい合うように切り欠きを
形成し、前記切り欠きに半田材料を挿入して加熱するこ
とで前記金属キャリアと前記金属壁を共晶接合した構造
を有することを特徴とするマイクロ波回路であり、個別
回路部を単体で検査することができて、個別回路部の接
続が容易で、低損失で組み立てることが可能なマイクロ
波回路が得られるという作用を有する。
【0032】請求項19に記載の発明は、請求項1から
12のいずれかに記載のマイクロ波回路を用いたことを
特徴とする無線基地局装置であり、個別回路部を単体で
検査することができて、個別回路部の接続が容易で、低
損失で組み立てることが可能なマイクロ波回路を有する
無線基地局装置が得られるという作用を有する。
【0033】請求項20に記載の発明は、請求項1から
12のいずれかに記載のマイクロ波回路を用いたことを
特徴とする無線端末装置であり、個別回路部を単体で検
査することができて、個別回路部の接続が容易で、低損
失で組み立てることが可能なマイクロ波回路を有する無
線端末装置が得られるという作用を有する。
【0034】請求項21に記載の発明は、請求項1から
12のいずれかに記載のマイクロ波回路を用いたことを
特徴とする無線計測装置であり、個別回路部を単体で検
査することができて、個別回路部の接続が容易で、低損
失で組み立てることが可能なマイクロ波回路を有する無
線計測装置が得られるという作用を有する。
【0035】以下、本発明の実施の形態について、図1
から図15を用いて説明する。 (実施の形態1)図1はマイクロ波回路の断面図を示
し、図1において、マイクロストリップ線路基板101
aは、能動素子103の入出力回路であり、金属キャリ
ア102に半田A106を用いて共晶接合されている。
マイクロストリップ線路基板101bは各回路を接続す
る配線で、金属ベース板105に半田A106を用いて
共晶接合されている。
【0036】金属キャリア102上に実装された能動素
子103及びマイクロストリップ線路よりなる各回路
は、回路特性の検査を行った後、共通グランド導体とし
ての作用及び取り付けの位置決めとしての作用を有して
いる金属ベース板105に組み込まれる。取り付けの位
置決めとしては、金属ベース板105に金属キャリア1
02を組み込むための溝を設けるのがよい。
【0037】この時、金属キャリア102からはみ出し
ているマイクロストリップ線路基板101aの接地面の
一部を、金属ベース板105に半田B107を用いて共
晶接合する。
【0038】金属キャリア、金属ベース板としては、例
えば真鍮又は金メッキした真鍮板等が使用でき、特に金
メッキした真鍮板は低価格であり、酸化防止の点からも
好ましい。能動素子としては、例えば単体トランジス
タ、単体ダイオード、MMICが使用でき、半田、銀ペ
ースト等によって金属キャリアに実装される。
【0039】以上、本実施の形態によれば、各キャリア
に構成された個別回路部をそれぞれ単体で検査すること
ができ、容易かつ低損失で組み立てることが可能なマイ
クロ波回路を実現することができる。
【0040】なお、半田Aに融点の高い半田、半田Bに
融点の低い半田を用いて実施してもよい。融点の高い半
田の組成としては、例えばSn−Pb−Ag、融点の低
い半田の組成としては、例えばPb−Sn−Biが使用
でき、特にペースト状の半田は非加熱で塗布できる点か
らも好ましい。また、シート状の半田も非加熱で適量を
配置できる点からも好ましい。
【0041】これにより、個別回路部を単体で検査する
ことができ、容易かつ低損失で組み立てることが可能と
なるだけでなく、金属キャリアを金属ベース板に組み込
む際の影響を小さくすることができる。
【0042】また、このようなマイクロ波回路を用いて
無線基地局や無線端末装置、無線計測装置を構成するこ
とにより、同様に、個別回路部を単体で検査することが
でき、個別回路部の接続が容易且つ低損失で組み立てる
ことが可能なマイクロ波回路を有する各装置を得ること
ができる。
【0043】(実施の形態2)図2はマイクロ波回路の
個別回路部の接続前斜視図、図3はマイクロ波回路の個
別回路部の接続斜視図を示す。図2に示す2つの個別回
路部において、マイクロストリップ線路基板201a〜
dは、能動素子202の入出力回路であり、金属キャリ
ア203a、203bに、半田A204を用いて共晶接
合されている。但し、マイクロストリップ線路基板20
1bは、金属キャリア203aの上面の一部が露出する
程度の長さとする。また、各個別回路部においてマイク
ロストリップ線路は、能動素子202の電極パッドとワ
イヤ206によって接続される。
【0044】金属キャリア203a、203b上に実装
された能動素子202及びマイクロストリップ線路より
なる各回路は、回路特性の検査を行った後、マイクロス
トリップ線路基板201cの接地面の一部を、金属キャ
リア203aの上面が露出している部分に重ねるよう
に、半田B205を用いて共晶接合する。
【0045】図3は、上記2つの個別回路部の接続後の
状態を示す。基板201bと201cのマイクロストリ
ップ線路は、ワイヤ301で接続する。
【0046】金属キャリア、金属ベース板としては、例
えば真鍮又は金メッキした真鍮板等が使用でき、特に金
メッキした真鍮板は低価格であり、酸化防止の点からも
好ましい。能動素子としては、例えば単体トランジス
タ、単体ダイオード、MMICが使用でき、半田、銀ペ
ースト等によって金属キャリアに実装される。
【0047】以上、本実施の形態によれば、個別回路部
を単体で検査することができ、複数の個別回路を容易か
つ低損失で接続して、金属ベース板に組み込むことが可
能なマイクロ波回路を実現することができる。
【0048】なお、半田Aに融点の高い半田、半田Bに
融点の低い半田を用いて実施してもよい。融点の高い半
田の組成としては、例えばSn−Pb−Ag、融点の低
い半田の組成としては、例えばPb−Sn−Biが使用
でき、特にペースト状の半田は非加熱で塗布できる点か
らも好ましい。また、シート状の半田も非加熱で適量を
配置できる点からも好ましい。
【0049】これにより、個別回路部を単体で検査する
ことができ、容易かつ低損失で組み立てることが可能と
なるだけでなく、金属キャリアを金属ベース板に組み込
む際の影響を小さくすることができる。
【0050】また、このようなマイクロ波回路を用いて
無線基地局や無線端末装置、無線計測装置を構成するこ
とにより、同様に、個別回路部を単体で検査することが
でき、個別回路部の接続が容易且つ低損失で組み立てる
ことが可能なマイクロ波回路を有する各装置を得ること
ができる。
【0051】(実施の形態3)図4はマイクロ波回路の
個別回路部の接続上面図及び断面図を示す。図4は2つ
の個別回路部を接続した状態を示しているが、接続前に
おけるそれぞれの個別回路部は、マイクロストリップ線
路基板402a、402bを、それぞれ金属キャリア4
01a、401bに、あらかじめ半田A405を用いて
共晶接合しておく。その際、一方は金属キャリア401
aの上面の一部が露出するようにし、他方はマイクロス
トリップ線路基板402bが金属キャリア401bから
はみ出るように形成してある。必要ならば回路特性の検
査等を行っておく。そして更に、金属キャリア401a
の上面の露出した部分に半田窪403を形成し、そこに
半田B404を挿入しておく。
【0052】次に、以下のように上記2つの個別回路部
を接続する。図4に示すように、マイクロストリップ線
路基板402bが金属キャリア401bからはみ出た部
分を、他方の金属キャリア401a上面の露出した部分
の上方に、半田窪403を覆うように載せ、加熱する。
【0053】これにより、マイクロストリップ線路基板
402bの接地導体の一部が、金属キャリア401aと
共晶接合される。基板402aと402bのマイクロス
トリップ線路はワイヤ406で接続する。
【0054】以上、本実施の形態によれば、個別回路部
を単体で検査することができるとともに、マイクロスト
リップ線路基板の他の金属キャリアへの半田付けが容易
で、且つ低損失で組み立てることが可能なマイクロ波回
路を実現することができる。
【0055】また、このようなマイクロ波回路を用いて
無線基地局や無線端末装置、無線計測装置を構成するこ
とにより、同様に、個別回路部を単体で検査することが
でき、個別回路部の接続が容易且つ低損失で組み立てる
ことが可能なマイクロ波回路を有する各装置を得ること
ができる。
【0056】(実施の形態4)図5はマイクロ波回路の
個別回路部の接続上面図及び断面図を示す。図5は2つ
の個別回路部を接続した状態を示しているが、接続前に
おけるそれぞれの個別回路部は、マイクロストリップ線
路基板501a、501bを、それぞれ金メッキしんち
ゅうキャリア502a、502bに、あらかじめ半田A
507を用いて共晶接合しておく。その際、一方は金メ
ッキしんちゅうキャリア502aの上面の一部が露出す
るようにし、他方はマイクロストリップ線路基板501
bが金メッキしんちゅうキャリア502bからはみ出る
ように形成してある。必要ならば回路特性の検査等を行
っておく。
【0057】次に、以下のように上記2つの個別回路部
を接続する。図5に示すように、マイクロストリップ線
路基板501bが金メッキしんちゅうキャリア502b
からはみ出た部分を、他方の金メッキしんちゅうキャリ
ア502a上面の露出した部分の上に重ね、その上から
押さえつけ壁503を介してネジ504でねじ止めし、
押さえつけることで固定する。その際、マイクロストリ
ップ線路は、押さえつけ壁503の切り欠き部505の
下を通り、ワイヤ506によってつなげられる。ここ
で、押さえつけ壁503の切り欠き部505としては、
例えばマイクロストリップ線路幅より広く、線路幅の5
倍以下の半円柱状にすることがアイソレーションと押さ
えつけ位置の点から好ましい。
【0058】なお、以上の説明では、マイクロストリッ
プ線路の接続をワイヤで構成した例で説明したが、その
他の金リボンについても同様に実施可能である。
【0059】なお、以上の説明では、マイクロストリッ
プ線路基板を押さえつけ壁で押さえつけて構成した例で
説明したが、その他のフィルタ用の金属ふたについても
同様に実施可能である。
【0060】なお、以上の説明では、マイクロストリッ
プ線路基板を押さえつけ壁で押さえつけて構成した例で
説明したが、その他のネジで抑える構成についても同様
に実施可能である。
【0061】以上、本実施の形態によれば、個別回路部
を単体で検査することができるとともに、マイクロスト
リップ線路基板の他の金属キャリアへの実装及び取り外
しが容易で、且つ低損失で組み立てることが可能なマイ
クロ波回路を実現することができる。
【0062】また、このようなマイクロ波回路を用いて
無線基地局や無線端末装置、無線計測装置を構成するこ
とにより、同様に、個別回路部を単体で検査することが
でき、個別回路部の接続が容易且つ低損失で組み立てる
ことが可能なマイクロ波回路を有する各装置を得ること
ができる。
【0063】(実施の形態5)図6はマイクロ波回路の
個別回路部の接続上面図及び断面図を示す。図6は2つ
の個別回路部を接続した状態を示しているが、接続前に
おけるそれぞれの個別回路部は、マイクロストリップ線
路基板602a、602bを、それぞれ金属キャリア6
01a、601bに、あらかじめ半田A603を用いて
共晶接合しておく。その際、マイクロストリップ線路基
板602a、602bの基板端605は、図6に示すよ
うに、ステップ状に狭めておく。必要ならば回路特性の
検査等を行っておく。
【0064】次に、以下のように上記2つの個別回路部
を接続する。図6に示すように、マイクロストリップ線
路基板602a、602bのステップ状に狭めた部分を
つき合わせ、この双方のステップ状に狭めた部分付近の
金属キャリア表面を、導電性ペースト604を用いて接
続する。マイクロストリップ線路は、ワイヤ606によ
ってつなげられる。
【0065】なお、図6では、マイクロストリップ線路
基板602a、602bの基板端をステップ状に狭めて
構成した例で説明したが、図7のようにテーパー状に狭
めて構成してもよい。
【0066】図8のように、マイクロストリップ線路基
板端の上面の、マイクロストリップ線路から線路幅程度
離れた位置に、基板にあけたスルーホールを介して金属
キャリア(基板の誘電体裏面の接地面)と電気的に接続
した上面接地部801を設け、導電性ペースト604で
接続する構成としてもよい。また、図6から図8では金
属キャリアを導電性ペーストで接続して構成した例で説
明したが、ワイヤ、金リボン等の金属線についても同様
に実施可能である。
【0067】以上、本実施の形態によれば、個別回路部
を単体で検査することができるとともに、複数の個別回
路を容易且つ低損失で接続することができ、最終的に非
常に簡単に金属ベース板に組み込むことが可能なマイク
ロ波回路を実現することができる。
【0068】また、このようなマイクロ波回路を用いて
無線基地局や無線端末装置、無線計測装置を構成するこ
とにより、同様に、個別回路部を単体で検査することが
でき、個別回路部の接続が容易且つ低損失で組み立てる
ことが可能なマイクロ波回路を有する各装置を得ること
ができる。
【0069】(実施の形態6)図9はマイクロ波回路の
個別回路部の接続前斜視図及び接続断面図を示す。図9
に示す2つの個別回路部において、マイクロストリップ
線路基板901a、901bは、それぞれ金属キャリア
903a、903bに、あらかじめ半田A902を用い
て共晶接合しておく。その際、一方の金属キャリア90
3aはL字型、他方の金属キャリア903bは逆L字型
となるようにステップ状に形成し、ステップの奥行きは
同じ長さにしておく。必要ならば回路特性の検査等を行
っておく。
【0070】次に、以下のように上記2つの個別回路部
を接続する。図9に示すように、金属キャリア903a
と903bを、ステップを重ね合わせるように隙間なく
組み合わせ、マイクロストリップ線路の接続部直下から
ネジ穴904を通してネジ905で止めることで固定す
る。
【0071】なお、図9では金属キャリア903をL字
型、逆L字型に構成した例で説明したが、図10のよう
に、金属キャリアの組み合せ部1001の幅をマイクロ
ストリップ線路の幅の2倍程度とし、一方を他方に組み
込むように構成してもよい。
【0072】また、図11のように、金属キャリア90
3aのステップに半田窪み1102を設け、半田B11
01を入れて加熱することで固定する構成としてもよ
い。
【0073】以上、本実施の形態によれば、個別回路部
を単体で検査することができるとともに、複数の個別回
路を容易且つ低損失で接続することができ、最終的に非
常に簡単に金属ベース板に組み込むことが可能なマイク
ロ波回路を実現することができる。
【0074】また、このようなマイクロ波回路を用いて
無線基地局や無線端末装置、無線計測装置を構成するこ
とにより、同様に、個別回路部を単体で検査することが
でき、個別回路部の接続が容易且つ低損失で組み立てる
ことが可能なマイクロ波回路を有する各装置を得ること
ができる。
【0075】(実施の形態7)図12はマイクロ波回路
の断面図を示し、図12において、マイクロストリップ
線路基板1201は、金属ベース板1203にあらかじ
め半田A1207を用いて共晶接合されている。必要な
らば、回路特性の検査等を行っておく。
【0076】同軸コネクタ1205は金属壁1204に
固定され、信号ピンはマイクロストリップ線路に接続さ
れて、同軸―マイクロストリップ変換を行っている。金
属壁1204と金属ベース板1203は、信号ピンとマ
イクロストリップ線路の接続部直下に挿入されたネジ1
206によって固定される。
【0077】なお、図12では、金属壁と金属ベース板
とを側方からネジ1206で固定した構成した例で説明
したが、図13のように、金属ベース板下方よりネジ1
301で固定するように構成してもよい。
【0078】あるいは図14のように、金属壁と金属ベ
ース板を、半田B1401で固定するように構成しても
良い。
【0079】なお、以上の説明では半田A、半田Bを熱
可逆性のある金属で構成した例で説明したが、その他
の、例えば銀ペースト等の熱非可逆性の導電性ペースト
についても同様に実施可能である。
【0080】以上、本実施の形態によれば、個別回路部
を単独で検査することができるとともに、マイクロスト
リップ線路と同軸線路を、容易且つ低損失で接続するこ
とが可能なマイクロ波回路が実現できる。
【0081】なお、以上の説明では金属キャリアと金属
ベース板、金属キャリアと金属キャリア、金属壁と金属
ベース板を、あらかじめ塗った半田、またはネジによっ
て固定して構成した例を説明したが、接続する部分の高
さが同じ場合、例えば図15に示すように、金属キャリ
ア1501同士の接続で接続部の高さが同じ場合、それ
ぞれ端部に切り欠き1503を設け、半田B1502を
後から挿入し加熱することによって固定するように構成
してもよい。または、金属キャリアと金属ベース板との
接続、あるいは、金属キャリアと金属壁との接続におい
て、接続部の高さが同じであれば、同様に、接続するそ
れぞれの端部に切り欠きを設けて半田を挿入し、加熱し
て固定しても良い。
【0082】また、このようなマイクロ波回路を用いて
無線基地局や無線端末装置、無線計測装置を構成するこ
とにより、同様に、個別回路部を単体で検査することが
でき、個別回路部の接続が容易且つ低損失で組み立てる
ことが可能なマイクロ波回路を有する各装置を得ること
ができる。
【0083】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、個別回路
部を単独で検査することができ、容易且つ低損失でマイ
クロ波回路を組み立てられるという有利な効果が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態によるマイクロ波回路の
断面図
【図2】本発明の一実施の形態によるマイクロ波回路の
個別回路部の接続前斜視図
【図3】本発明の一実施の形態によるマイクロ波回路の
個別回路部の接続斜視図
【図4】本発明の一実施の形態によるマイクロ波回路の
個別回路部の接続上面図及び断面図
【図5】本発明の一実施の形態によるマイクロ波回路の
個別回路部の接続上面図及び断面図
【図6】本発明の一実施の形態によるマイクロ波回路の
個別回路部の接続上面図及び断面図
【図7】本発明の一実施の形態によるマイクロ波回路の
個別回路部の接続上面図及び断面図
【図8】本発明の一実施の形態によるマイクロ波回路の
個別回路部の接続上面図及び断面図
【図9】本発明の一実施の形態によるマイクロ波回路の
個別回路部の接続前斜視図及び接続断面図
【図10】本発明の一実施の形態によるマイクロ波回路
の個別回路部の接続前斜視図及び接続断面図
【図11】本発明の一実施の形態によるマイクロ波回路
の個別回路部の接続前斜視図及び接続断面図
【図12】本発明の一実施の形態によるマイクロ波回路
の断面図
【図13】本発明の一実施の形態によるマイクロ波回路
の断面図
【図14】本発明の一実施の形態によるマイクロ波回路
の断面図
【図15】本発明の一実施の形態によるマイクロ波回路
の個別回路部の接続斜視図
【図16】従来のマイクロ波回路の構成を示す概略図
【符号の説明】
101、201、402、501、602、901、1
201 マイクロストリップ線路基板 102、203、401、601、903、1501
金属キャリア 103、202 能動素子 104、206、301、406、506、606、1
202 ワイヤ 105、1203 金属ベース板 106、204、405、508、603、902、1
207 半田A 107、205、404、1101、1401、150
2 半田B 403、1102 半田窪み 502 金メッキしんちゅうキャリア 503 押さえつけ壁 504、905、1206、1301 ネジ 505 切り欠き部 604 導電性ペースト 605、701 基板端 801 上面接地部 904 ネジ穴 1001 組み合わせ部 1204 金属壁 1205 同軸コネクタ 1503 切り欠き
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寒川 潮 神奈川県川崎市多摩区東三田3丁目10番1 号 松下技研株式会社内 Fターム(参考) 5J011 DA12 5J014 CA11 CA15

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 能動素子及び前記能動素子を介して接続
    される第1、第2のマイクロストリップ線路基板を装着
    した金属キャリアと、前記金属キャリアを装着する凹部
    及び前記凹部の両側または近傍に第3、第4のマイクロ
    ストリップ線路基板を装着した金属ベース板とを有し、
    前記第1、第2のマイクロストリップ線路基板は、前記
    金属キャリアから両端がはみ出る長さとし、前記第3、
    第4のマイクロストリップ線路基板は、前記金属キャリ
    アを前記金属ベース板に装着したときに前記第1、第2
    のマイクロストリップ線路基板と接続可能な長さとし、
    前記金属キャリアは、前記金属ベース板の凹部に組み込
    んで前記第1、第2のマイクロストリップ線路基板のは
    み出た部分の接地面を前記金属ベース板に接合した構造
    を有することを特徴とするマイクロ波回路。
  2. 【請求項2】 金属キャリアと第1、第2のマイクロス
    トリップ線路基板、および、金属ベース板と第3、第4
    のマイクロストリップ線路基板の接合を、第1の半田材
    料を用いた共晶接合とし、前記第1、第2のマイクロス
    トリップ線路基板のはみ出た部分の接地面と前記金属ベ
    ース板との接合を、前記第1の半田材料より融点の低い
    第2の半田材料を用いた共晶接合とすることを特徴とす
    る請求項1記載のマイクロ波回路。
  3. 【請求項3】 第1能動素子及び前記第1能動素子を介
    して接続される第1、第2のマイクロストリップ線路基
    板を装着した第1金属キャリアと、第2能動素子及び前
    記第2能動素子を介して接続される第3、第4のマイク
    ロストリップ線路基板を装着した第2金属キャリアとを
    有し、前記第1のマイクロストリップ線路基板は、前記
    第1金属キャリアの上面の一部を露出する長さとし、前
    記第3のマイクロストリップ線路基板は、前記第2金属
    キャリアの一端からはみ出る長さとし、前記第3のマイ
    クロストリップ線路基板のはみ出た部分の接地面を、前
    記第1金属キャリアの上面の一部が露出した部分に重ね
    て接合した構造を有することを特徴とするマイクロ波回
    路。
  4. 【請求項4】 第1金属キャリアの上面の一部が露出し
    た部分に窪みを設け、前記窪みに半田材料を挿入し、第
    3のマイクロストリップ線路基板のはみ出た部分の接地
    面を、前記第1金属キャリアの上面の一部が露出した部
    分に重ねて加熱することにより接合することを特徴とす
    る請求項3記載のマイクロ波回路。
  5. 【請求項5】 第1金属キャリアと第1、第2のマイク
    ロストリップ線路基板、および、第2金属キャリアと第
    3、第4のマイクロストリップ線路基板の接合を、第1
    の半田材料を用いた共晶接合とし、前記第3のマイクロ
    ストリップ線路基板のはみ出た部分の接地面と前記第1
    金属キャリアとの接合を、前記第1の半田材料より融点
    の低い第2の半田材料を用いた共晶接合とすることを特
    徴とする請求項3または4記載のマイクロ波回路。
  6. 【請求項6】 第3のマイクロストリップ線路基板のは
    み出た部分の接地面を、第1金属キャリアの上面の一部
    が露出した部分に重ねて上方からネジで押さえつけるこ
    とにより接合することを特徴とする請求項3記載のマイ
    クロ波回路。
  7. 【請求項7】 第3のマイクロストリップ線路基板のは
    み出た部分の接地面を、第1金属キャリアの上面の一部
    が露出した部分に重ね、その上から、前記第3のマイク
    ロストリップ線路基板のはみ出た部分を押さえつけると
    ともにマイクロストリップ線路と接触しないように切り
    欠き部を設けた金属壁を配置し、前記金属壁を介して上
    方からネジで押さえつけることにより接合することを特
    徴とする請求項6記載のマイクロ波回路。
  8. 【請求項8】 第1能動素子及び前記第1能動素子を介
    して接続される第1、第2のマイクロストリップ線路基
    板を装着した第1金属キャリアと、第2能動素子及び前
    記第2能動素子を介して接続される第3、第4のマイク
    ロストリップ線路基板を装着した第2金属キャリアとを
    有し、前記第1のマイクロストリップ線路基板は、その
    一方の端部が前記第1金属キャリアの端部に一致する長
    さとし、前記第3のマイクロストリップ線路基板は、そ
    の一方の端部が前記第2金属キャリアの端部に一致する
    長さとし、前記第1金属キャリアの端部と前記第2の金
    属キャリアの端部とを突き合わせるとともに、突き合わ
    せて接続する部分の上面部に導電性ペースト又は半田材
    料を用いて接合した構造を有することを特徴とするマイ
    クロ波回路。
  9. 【請求項9】 第1、第3のマイクロストリップ線路基
    板それぞれが有する誘電体の接続側上面端部の一部を切
    り欠いて第1、第2金属キャリアの接地面の一部を露出
    し、その露出した接地面同士を導電性ペースト又は半田
    材料を用いて接合した構造を有することを特徴とする請
    求項8記載のマイクロ波回路。
  10. 【請求項10】 第1、第3のマイクロストリップ線路
    基板それぞれが有する誘電体の接続側上面端部に、スル
    ーホールを介して基板底部の接地面と電気的に接続した
    上部接地面を形成し、前記上部接地面同士を導電性ペー
    スト又は半田材料を用いて接合した構造を有することを
    特徴とする請求項8記載のマイクロ波回路。
  11. 【請求項11】 第1能動素子及び前記第1能動素子を
    介して接続される第1、第2のマイクロストリップ線路
    基板を装着した第1金属キャリアと、第2能動素子及び
    前記第2能動素子を介して接続される第3、第4のマイ
    クロストリップ線路基板を装着した第2金属キャリアと
    を有し、前記第1金属キャリアは端面下部に段差を設け
    たL字型、前記第2金属キャリアは端面上部に段差を設
    けた逆L字型として双方の段差を組み合わせ、実装され
    たマイクロストリップ線路の接続部真下を、下方からネ
    ジで押さえつけることにより接合することを特徴とする
    のマイクロ波回路。
  12. 【請求項12】 第1能動素子及び前記第1能動素子を
    介して接続される第1、第2のマイクロストリップ線路
    基板を装着した第1金属キャリアと、第2能動素子及び
    前記第2能動素子を介して接続される第3、第4のマイ
    クロストリップ線路基板を装着した第2金属キャリアと
    を有し、前記第1金属キャリアは、端面下部に段差を設
    けたL字型とするとともにその段差上面に窪みを設けて
    半田材料を挿入し、前記第2金属キャリアは、端面上部
    に段差を設けた逆L字型とし、双方の段差を組み合わせ
    て加熱することにより、前記第1金属キャリアと前記第
    2金属キャリアとを接合することを特徴とするマイクロ
    波回路。
  13. 【請求項13】 マイクロストリップ線路基板を実装し
    た金属ベース板、同軸コネクタ、前記同軸コネクタを保
    持する金属壁、前記金属壁と前記金属ベース板を固定す
    るネジを有し、前記同軸コネクタの信号ピンとマイクロ
    ストリップ線路との接続部の真下で、前記ネジを用いて
    前記金属壁と前記金属ベース板とを固定するように構成
    したことを特徴とするマイクロ波回路。
  14. 【請求項14】 金属壁は、金属ベース板底部の一部が
    重なるように突起部を有し、同軸コネクタの信号ピンと
    マイクロストリップ線路との接続部の真下で、前記突起
    部下方から、ネジを用いて前記金属壁と前記金属ベース
    板とを固定するように構成したことを特徴とする請求項
    13記載のマイクロ波回路。
  15. 【請求項15】 マイクロストリップ線路基板を実装し
    た金属ベース板、同軸コネクタ、前記同軸コネクタを保
    持する金属壁を有し、前記金属ベース板と前記金属壁と
    を共晶接合にて接続するように構成したことを特徴とす
    るマイクロ波回路。
  16. 【請求項16】 第1金属キャリアと、第2金属キャリ
    アとを有し、前記第1金属キャリアの端部と前記第2の
    金属キャリアの端部とを同じ高さで突き合わせ、突き合
    わせて接続する部分の上面部双方に向かい合うように切
    り欠きを形成し、前記切り欠きに半田材料を挿入して加
    熱することで前記第1金属キャリアと前記第2金属キャ
    リアを共晶接合した構造を有することを特徴とするマイ
    クロ波回路。
  17. 【請求項17】 金属キャリアと、金属ベース板とを有
    し、前記金属キャリアの端部と前記金属ベース板の端部
    とを同じ高さで突き合わせ、突き合わせて接続する部分
    の上面部双方に向かい合うように切り欠きを形成し、前
    記切り欠きに半田材料を挿入して加熱することで前記金
    属キャリアと前記金属ベース板を共晶接合した構造を有
    することを特徴とするマイクロ波回路。
  18. 【請求項18】 金属キャリアと、金属壁とを有し、前
    記金属キャリアの端部と前記金属壁の端部とを同じ高さ
    で突き合わせ、突き合わせて接続する部分の上面部双方
    に向かい合うように切り欠きを形成し、前記切り欠きに
    半田材料を挿入して加熱することで前記金属キャリアと
    前記金属壁を共晶接合した構造を有することを特徴とす
    るマイクロ波回路。
  19. 【請求項19】 請求項1から12のいずれかに記載の
    マイクロ波回路を用いたことを特徴とする無線基地局装
    置。
  20. 【請求項20】 請求項1から12のいずれかに記載の
    マイクロ波回路を用いたことを特徴とする無線端末装
    置。
  21. 【請求項21】 請求項1から12のいずれかに記載の
    マイクロ波回路を用いたことを特徴とする無線計測装
    置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011082962A (ja) * 2009-09-08 2011-04-21 Toshiba Corp モジュールの接続構造

Citations (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4945433U (ja) * 1972-07-27 1974-04-20
JPS5219190Y2 (ja) * 1972-09-08 1977-04-30
JPS58122458U (ja) * 1982-02-15 1983-08-20 株式会社東芝 マイクロ波集積回路モジユ−ル
JPS59111346A (ja) * 1982-12-17 1984-06-27 Fujitsu Ltd 集積回路ユニツトの接続方法
JPS61158702U (ja) * 1985-03-26 1986-10-01
JPS6221539U (ja) * 1985-07-22 1987-02-09
JPS6284603A (ja) * 1985-10-09 1987-04-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ波回路装置
JPS6275607U (ja) * 1985-10-31 1987-05-14
JPS6351465U (ja) * 1986-09-22 1988-04-07
JPS63107194A (ja) * 1986-10-24 1988-05-12 日本電気株式会社 高周波回路装置
JPS6374802U (ja) * 1986-11-06 1988-05-18
JPS6411547U (ja) * 1987-07-09 1989-01-20
JPS6454903A (en) * 1987-08-26 1989-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Microwave circuit device
JPH0170343U (ja) * 1987-10-28 1989-05-10
JPH0174607U (ja) * 1987-11-05 1989-05-19
JPH01190004A (ja) * 1988-01-25 1989-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ波回路装置
JPH01199439A (ja) * 1988-02-04 1989-08-10 Hitachi Ltd 半導体実装構造体
JPH01233802A (ja) * 1988-03-14 1989-09-19 Fujitsu Ltd マイクロ波・ミリ波半導体集積回路
JPH01238303A (ja) * 1988-03-18 1989-09-22 Sharp Corp マイクロストリップ線路の接続構造
JPH0227784U (ja) * 1988-08-09 1990-02-22
JPH0235443U (ja) * 1988-08-29 1990-03-07
JPH0247801U (ja) * 1988-09-28 1990-04-03
JPH04150204A (ja) * 1990-10-09 1992-05-22 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波デバイス
JPH04133491U (ja) * 1991-05-30 1992-12-11 沖電気工業株式会社 ハイパワーrfアンプの取付構造
JPH0541621A (ja) * 1991-08-02 1993-02-19 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波増幅器
JPH0567697A (ja) * 1991-09-10 1993-03-19 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH05299784A (ja) * 1992-04-21 1993-11-12 Toshiba Corp セラミック誘電体基板
JPH0653702A (ja) * 1992-07-30 1994-02-25 Kokusai Electric Co Ltd マイクロ波集積回路の実装構造
JPH06112707A (ja) * 1992-09-29 1994-04-22 Fujitsu Ltd マイクロ波回路モジュールの実装構造
JPH06164214A (ja) * 1992-08-07 1994-06-10 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波回路
JPH06260581A (ja) * 1993-03-04 1994-09-16 Hitachi Cable Ltd 複合リードフレーム
JPH07283339A (ja) * 1994-04-04 1995-10-27 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH08274503A (ja) * 1995-04-03 1996-10-18 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波集積回路
JPH09321501A (ja) * 1996-05-30 1997-12-12 Mitsubishi Electric Corp 多層高周波回路基板

Patent Citations (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4945433U (ja) * 1972-07-27 1974-04-20
JPS5219190Y2 (ja) * 1972-09-08 1977-04-30
JPS58122458U (ja) * 1982-02-15 1983-08-20 株式会社東芝 マイクロ波集積回路モジユ−ル
JPS59111346A (ja) * 1982-12-17 1984-06-27 Fujitsu Ltd 集積回路ユニツトの接続方法
JPS61158702U (ja) * 1985-03-26 1986-10-01
JPS6221539U (ja) * 1985-07-22 1987-02-09
JPS6284603A (ja) * 1985-10-09 1987-04-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ波回路装置
JPS6275607U (ja) * 1985-10-31 1987-05-14
JPS6351465U (ja) * 1986-09-22 1988-04-07
JPS63107194A (ja) * 1986-10-24 1988-05-12 日本電気株式会社 高周波回路装置
JPS6374802U (ja) * 1986-11-06 1988-05-18
JPS6411547U (ja) * 1987-07-09 1989-01-20
JPS6454903A (en) * 1987-08-26 1989-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Microwave circuit device
JPH0170343U (ja) * 1987-10-28 1989-05-10
JPH0174607U (ja) * 1987-11-05 1989-05-19
JPH01190004A (ja) * 1988-01-25 1989-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロ波回路装置
JPH01199439A (ja) * 1988-02-04 1989-08-10 Hitachi Ltd 半導体実装構造体
JPH01233802A (ja) * 1988-03-14 1989-09-19 Fujitsu Ltd マイクロ波・ミリ波半導体集積回路
JPH01238303A (ja) * 1988-03-18 1989-09-22 Sharp Corp マイクロストリップ線路の接続構造
JPH0227784U (ja) * 1988-08-09 1990-02-22
JPH0235443U (ja) * 1988-08-29 1990-03-07
JPH0247801U (ja) * 1988-09-28 1990-04-03
JPH04150204A (ja) * 1990-10-09 1992-05-22 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波デバイス
JPH04133491U (ja) * 1991-05-30 1992-12-11 沖電気工業株式会社 ハイパワーrfアンプの取付構造
JPH0541621A (ja) * 1991-08-02 1993-02-19 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波増幅器
JPH0567697A (ja) * 1991-09-10 1993-03-19 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH05299784A (ja) * 1992-04-21 1993-11-12 Toshiba Corp セラミック誘電体基板
JPH0653702A (ja) * 1992-07-30 1994-02-25 Kokusai Electric Co Ltd マイクロ波集積回路の実装構造
JPH06164214A (ja) * 1992-08-07 1994-06-10 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波回路
JPH06112707A (ja) * 1992-09-29 1994-04-22 Fujitsu Ltd マイクロ波回路モジュールの実装構造
JPH06260581A (ja) * 1993-03-04 1994-09-16 Hitachi Cable Ltd 複合リードフレーム
JPH07283339A (ja) * 1994-04-04 1995-10-27 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH08274503A (ja) * 1995-04-03 1996-10-18 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波集積回路
JPH09321501A (ja) * 1996-05-30 1997-12-12 Mitsubishi Electric Corp 多層高周波回路基板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011082962A (ja) * 2009-09-08 2011-04-21 Toshiba Corp モジュールの接続構造
US8441797B2 (en) 2009-09-08 2013-05-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Module connection structure

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