JPH08274503A - マイクロ波集積回路 - Google Patents
マイクロ波集積回路Info
- Publication number
- JPH08274503A JPH08274503A JP7077628A JP7762895A JPH08274503A JP H08274503 A JPH08274503 A JP H08274503A JP 7077628 A JP7077628 A JP 7077628A JP 7762895 A JP7762895 A JP 7762895A JP H08274503 A JPH08274503 A JP H08274503A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- dielectric substrate
- integrated circuit
- microstrip line
- microwave integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 温度変化・振動衝撃等に対し安定した特性を
有するマイクロ波集積回路の提供。 【構成】 隣接する２つのデバイス１，２の入出力マイ
クロストリップ線路８を接続する導体リボン８，９の下
部にて、キャリア６，７の厚みを誘電体基板が取付けら
れている部分より厚くし、入出力マイクロストリップ線
路８だけでなく隣接するキャリア６，７どうしも導体リ
ボンにて接続する。
有するマイクロ波集積回路の提供。 【構成】 隣接する２つのデバイス１，２の入出力マイ
クロストリップ線路８を接続する導体リボン８，９の下
部にて、キャリア６，７の厚みを誘電体基板が取付けら
れている部分より厚くし、入出力マイクロストリップ線
路８だけでなく隣接するキャリア６，７どうしも導体リ
ボンにて接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、マイクロ波集積回路
の接続部における特性改善に関するものである。
の接続部における特性改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来のマイクロ波集積回路の接続
の一例を示したものであり（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。これらの図において、１は第一のデバイ
ス、２は第二のデバイス、３は導体シャーシ、４は第一
の誘電体基板、５は第二の誘電体基板、６は第一のキャ
リア、７は第二のキャリア、８は入出力マイクロストリ
ップ線路、９は導体リボン、１１は固定用ネジである。
の一例を示したものであり（ａ）は平面図、（ｂ）は断
面図である。これらの図において、１は第一のデバイ
ス、２は第二のデバイス、３は導体シャーシ、４は第一
の誘電体基板、５は第二の誘電体基板、６は第一のキャ
リア、７は第二のキャリア、８は入出力マイクロストリ
ップ線路、９は導体リボン、１１は固定用ネジである。
【０００３】次に動作について説明する。第一のデバイ
ス１の入出力マイクロストリップ線路８は、第二のデバ
イス２の入出力マイクロストリップ線路８と、導体リボ
ン９によって接続されている。一方、第一のデバイスの
グランドは第一のキャリア６と圧着している導体シャー
シ３を経由して、第二のデバイスのグランドである第二
のキャリア７と接続されている。
ス１の入出力マイクロストリップ線路８は、第二のデバ
イス２の入出力マイクロストリップ線路８と、導体リボ
ン９によって接続されている。一方、第一のデバイスの
グランドは第一のキャリア６と圧着している導体シャー
シ３を経由して、第二のデバイスのグランドである第二
のキャリア７と接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波集積
回路は、以上のようにネジ止めされているシャーシを経
由してグランドどうしが接続されていた。そのため、温
度変化・振動衝撃等により金属キャリアまたはシャーシ
に歪みが生じると、グランドの接触点が変化し、信号線
路とグランド経路にアンバランスが生じるため、マイク
ロ波集積回路の特性が変化してしまうという課題があっ
た。
回路は、以上のようにネジ止めされているシャーシを経
由してグランドどうしが接続されていた。そのため、温
度変化・振動衝撃等により金属キャリアまたはシャーシ
に歪みが生じると、グランドの接触点が変化し、信号線
路とグランド経路にアンバランスが生じるため、マイク
ロ波集積回路の特性が変化してしまうという課題があっ
た。
【０００５】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、温度変化・振動衝撃等が生じて
も、安定したマイクロ波集積回路の特性を得ることを目
的とする。
めになされたもので、温度変化・振動衝撃等が生じて
も、安定したマイクロ波集積回路の特性を得ることを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の実施例１のマ
イクロ波集積回路は、隣接する２つのデバイスの入出力
マイクロストリップ線路を接続する導体リボン下部に
て、キャリアの厚みを誘電体基板が取付けられている部
分より厚くし、入出力マイクロストリップ線路だけでな
く隣接するキャリアどうしも導体リボンにて接続したも
のである。
イクロ波集積回路は、隣接する２つのデバイスの入出力
マイクロストリップ線路を接続する導体リボン下部に
て、キャリアの厚みを誘電体基板が取付けられている部
分より厚くし、入出力マイクロストリップ線路だけでな
く隣接するキャリアどうしも導体リボンにて接続したも
のである。
【０００７】また、実施例２のマイクロ波集積回路は、
隣接する２つのデバイスの入出力マイクロストリップ線
路を接続する導体リボンの幅をマイクロストリップ線路
の線路幅より広くし、かつ、入出力マイクロストリップ
線路だけでなく隣接するキャリアどうしも導体リボンに
て接続したものである。
隣接する２つのデバイスの入出力マイクロストリップ線
路を接続する導体リボンの幅をマイクロストリップ線路
の線路幅より広くし、かつ、入出力マイクロストリップ
線路だけでなく隣接するキャリアどうしも導体リボンに
て接続したものである。
【０００８】また、実施例３のマイクロ波集積回路は、
隣接する２つのデバイスの入出力マイクロストリップ線
路を接続する導体リボン下部にて、キャリア形状を段違
い状とし隣接するキャリアどうしを同一の固定用ネジで
固定できるようにしたものである。
隣接する２つのデバイスの入出力マイクロストリップ線
路を接続する導体リボン下部にて、キャリア形状を段違
い状とし隣接するキャリアどうしを同一の固定用ネジで
固定できるようにしたものである。
【０００９】
【作用】この発明の実施例１によるマイクロ波集積回路
は、入出力マイクロストリップ線路だけでなく、グラン
ドも導体リボンによる接続を行い、接続部下部のキャリ
アの厚みを変化させることにより接続部の特性インピー
ダンスをマイクロストリップ線路の特性インピーダンス
と同一にできるため、温度変化・振動衝撃等が生じて
も、安定した特性を得ることが可能である。
は、入出力マイクロストリップ線路だけでなく、グラン
ドも導体リボンによる接続を行い、接続部下部のキャリ
アの厚みを変化させることにより接続部の特性インピー
ダンスをマイクロストリップ線路の特性インピーダンス
と同一にできるため、温度変化・振動衝撃等が生じて
も、安定した特性を得ることが可能である。
【００１０】また、実施例２によるマイクロ波集積回路
は、実施例１と同様に、入出力マイクロストリップ線路
だけでなく、グランドも導体リボンによる接続を行い、
かつ入出力マイクロストリップ線路を接続する導体リボ
ンの幅をマイクロストリップ線路の線路幅より広くする
ことにより接続部の特性インピーダンスをマイクロスト
リップ線路の特性インピーダンスと同一にできるため、
温度変化・振動衝撃等が生じても、安定した特性を得る
ことが可能である。
は、実施例１と同様に、入出力マイクロストリップ線路
だけでなく、グランドも導体リボンによる接続を行い、
かつ入出力マイクロストリップ線路を接続する導体リボ
ンの幅をマイクロストリップ線路の線路幅より広くする
ことにより接続部の特性インピーダンスをマイクロスト
リップ線路の特性インピーダンスと同一にできるため、
温度変化・振動衝撃等が生じても、安定した特性を得る
ことが可能である。
【００１１】また、実施例３によるマイクロ波集積回路
は、隣接するデバイスのグランドが、シャーシを介さず
直接キャリアどうしで接続されるため、温度変化・振動
衝撃等が生じても、安定した特性を得ることが可能であ
る。
は、隣接するデバイスのグランドが、シャーシを介さず
直接キャリアどうしで接続されるため、温度変化・振動
衝撃等が生じても、安定した特性を得ることが可能であ
る。
【００１２】
実施例１．図１はこの発明の実施例１を示したものであ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。これらの
図において、１は第一のデバイス、２は第二のデバイ
ス、３は導体シャーシ、４は第一の誘電体基板、５は第
二の誘電体基板、６は第一のキャリア、７は第二のキャ
リア、８は入出力マイクロストリップ線路、９は第一の
導体リボン、１０は第二の導体リボン、１１は固定用ネ
ジである。
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。これらの
図において、１は第一のデバイス、２は第二のデバイ
ス、３は導体シャーシ、４は第一の誘電体基板、５は第
二の誘電体基板、６は第一のキャリア、７は第二のキャ
リア、８は入出力マイクロストリップ線路、９は第一の
導体リボン、１０は第二の導体リボン、１１は固定用ネ
ジである。
【００１３】上記に示すマイクロ波集積回路において、
第一のデバイス１と第二のデバイス２とは、入出力マイ
クロストリップ線路は第一の導体リボン９によって、グ
ランドは第二の導体リボン１０によってそれぞれ接続さ
れている。
第一のデバイス１と第二のデバイス２とは、入出力マイ
クロストリップ線路は第一の導体リボン９によって、グ
ランドは第二の導体リボン１０によってそれぞれ接続さ
れている。
【００１４】一般的にマイクロストリップ線路の特性イ
ンピーダンスＺ０は”数１”で表される通り、同一の線
路幅ｗ・基板厚ｈでは比誘電率εｒが低いほど特性イン
ピーダンスＺ０は高くなり、また同一の線路幅ｗ・比誘
電率εｒでは基板厚ｈが薄いほど特性インピーダンスＺ
０は低くなる。
ンピーダンスＺ０は”数１”で表される通り、同一の線
路幅ｗ・基板厚ｈでは比誘電率εｒが低いほど特性イン
ピーダンスＺ０は高くなり、また同一の線路幅ｗ・比誘
電率εｒでは基板厚ｈが薄いほど特性インピーダンスＺ
０は低くなる。
【００１５】
【数１】
【００１６】図１に示すマイクロ波集積回路において、
接続部は比誘電率がほぼ１の空気を用いたマイクロスト
リップ線路と見なすことができる。また一般的にマイク
ロ波集積回路に用いられる誘電体基板の比誘電率は３〜
１２程度である。このように接続部の比誘電率と誘電体
基板部の比誘電率は異なるが、第一の導体リボン９と第
二の導体リボン１０との間隔ｈａを、第一及び第二のキ
ャリアの厚みで適切な値に設定することにより、接続部
の特性インピーダンスを入出力マイクロストリップ線路
の特性インピーダンスと同一にできる。
接続部は比誘電率がほぼ１の空気を用いたマイクロスト
リップ線路と見なすことができる。また一般的にマイク
ロ波集積回路に用いられる誘電体基板の比誘電率は３〜
１２程度である。このように接続部の比誘電率と誘電体
基板部の比誘電率は異なるが、第一の導体リボン９と第
二の導体リボン１０との間隔ｈａを、第一及び第二のキ
ャリアの厚みで適切な値に設定することにより、接続部
の特性インピーダンスを入出力マイクロストリップ線路
の特性インピーダンスと同一にできる。
【００１７】以上のとおり、本発明では各デバイスのグ
ランドを直接導体リボンで接続可能であり、かつ接続部
の特性インピーダンスを入出力マイクロストリップ線路
の特性インピーダンスと同一にできるため、温度変化・
振動衝撃等に対し安定した特性を得ることが可能であ
る。
ランドを直接導体リボンで接続可能であり、かつ接続部
の特性インピーダンスを入出力マイクロストリップ線路
の特性インピーダンスと同一にできるため、温度変化・
振動衝撃等に対し安定した特性を得ることが可能であ
る。
【００１８】実施例２．図２はこの発明の実施例２を示
したものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図であ
る。図において図１と同一番号のものは同一のものを示
す。”数１”より、マイクロストリップ線路の特性イン
ピーダンスＺ０は同一の基板厚ｈ・比誘電率εｒでは線
路幅ｗが太いほど特性インピーダンスＺ０は低くなる。
このため、第一の導体リボン９の幅Ｗａを入出力マイク
ロストリップ線路８の線路幅より太い適切な値に設定す
ることにより、接続部の特性インピーダンスを入出力マ
イクロストリップ線路の特性インピーダンスと同一にで
きる。
したものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図であ
る。図において図１と同一番号のものは同一のものを示
す。”数１”より、マイクロストリップ線路の特性イン
ピーダンスＺ０は同一の基板厚ｈ・比誘電率εｒでは線
路幅ｗが太いほど特性インピーダンスＺ０は低くなる。
このため、第一の導体リボン９の幅Ｗａを入出力マイク
ロストリップ線路８の線路幅より太い適切な値に設定す
ることにより、接続部の特性インピーダンスを入出力マ
イクロストリップ線路の特性インピーダンスと同一にで
きる。
【００１９】以上のとおり、本発明では実施例１と同
様、各デバイスのグランドを直接導体リボンで接続可能
であり、かつ接続部の特性インピーダンスを入出力マイ
クロストリップ線路の特性インピーダンスと同一にでき
るため、温度変化・振動衝撃等に対し安定した特性を得
ることが可能である。
様、各デバイスのグランドを直接導体リボンで接続可能
であり、かつ接続部の特性インピーダンスを入出力マイ
クロストリップ線路の特性インピーダンスと同一にでき
るため、温度変化・振動衝撃等に対し安定した特性を得
ることが可能である。
【００２０】実施例３．図３はこの発明の実施例３を示
したものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図であ
る。図において図１と同一番号のものは同一のものを示
す。隣接する２つのデバイスを接続する導体リボン９の
下部にて、第一のキャリア６及び第二のキャリア７の形
状を段違い状とし、同一の固定用ネジ１１で固定できる
ようにしたものである。各デバイスのグランド接続がシ
ャーシ３を介さず直接キャリアどうしで接続されるた
め、温度変化・振動衝撃等に対し安定した特性を得るこ
とができる。
したものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図であ
る。図において図１と同一番号のものは同一のものを示
す。隣接する２つのデバイスを接続する導体リボン９の
下部にて、第一のキャリア６及び第二のキャリア７の形
状を段違い状とし、同一の固定用ネジ１１で固定できる
ようにしたものである。各デバイスのグランド接続がシ
ャーシ３を介さず直接キャリアどうしで接続されるた
め、温度変化・振動衝撃等に対し安定した特性を得るこ
とができる。
【００２１】
【発明の効果】この発明の実施例１のマイクロ波集積回
路によれば、隣接する２つのデバイスを接続する導体リ
ボン下部にて、キャリアの厚みを誘電体基板が取付けら
れている部分より厚くし、入出力マイクロストリップ線
路だけでなく隣接するキャリアどうしも導体リボンにて
接続したので、接続部の特性インピーダンスをマイクロ
ストリップ線路の特性インピーダンスと同一にでき、温
度変化・振動衝撃等に対し安定した特性を得ることが可
能である。
路によれば、隣接する２つのデバイスを接続する導体リ
ボン下部にて、キャリアの厚みを誘電体基板が取付けら
れている部分より厚くし、入出力マイクロストリップ線
路だけでなく隣接するキャリアどうしも導体リボンにて
接続したので、接続部の特性インピーダンスをマイクロ
ストリップ線路の特性インピーダンスと同一にでき、温
度変化・振動衝撃等に対し安定した特性を得ることが可
能である。
【００２２】この発明の実施例２のマイクロ波集積回路
によれば、隣接する２つのデバイスを接続する導体リボ
ンの幅をマイクロストリップ線路の線路幅より広くし、
かつ、入出力マイクロストリップ線路だけでなく隣接す
るキャリアどうしも導体リボンにて接続したので、接続
部の特性インピーダンスをマイクロストリップ線路の特
性インピーダンスと同一にでき、温度変化・振動衝撃等
に対し安定した特性を得ることが可能である。
によれば、隣接する２つのデバイスを接続する導体リボ
ンの幅をマイクロストリップ線路の線路幅より広くし、
かつ、入出力マイクロストリップ線路だけでなく隣接す
るキャリアどうしも導体リボンにて接続したので、接続
部の特性インピーダンスをマイクロストリップ線路の特
性インピーダンスと同一にでき、温度変化・振動衝撃等
に対し安定した特性を得ることが可能である。
【００２３】この発明の実施例３のマイクロ波集積回路
によれば、隣接する２つのデバイスを接続する導体リボ
ン下部にて、キャリアの形状を段違い状とし隣接するキ
ャリアどうしを同一の固定用ネジで固定できるようにし
たので、各デバイスのグランド接続がシャーシを介さず
直接キャリアどうしで接続されるため、温度変化・振動
衝撃等に対し安定した特性を得ることができる。
によれば、隣接する２つのデバイスを接続する導体リボ
ン下部にて、キャリアの形状を段違い状とし隣接するキ
ャリアどうしを同一の固定用ネジで固定できるようにし
たので、各デバイスのグランド接続がシャーシを介さず
直接キャリアどうしで接続されるため、温度変化・振動
衝撃等に対し安定した特性を得ることができる。
【図１】 この発明によるマイクロ波集積回路の実施例
１を示す図である。
１を示す図である。
【図２】 この発明によるマイクロ波集積回路の実施例
２を示す図である。
２を示す図である。
【図３】 この発明によるマイクロ波集積回路の実施例
３を示す図である。
３を示す図である。
【図４】 従来のマイクロ波集積回路を示す図である。
１ 第一のデバイス、２ 第二のデバイス、３ 導体シ
ャーシ、４ 第一の誘電体基板、５ 第二の誘電体基
板、６ 第一のキャリア、７ 第二のキャリア、８ 入
出力マイクロストリップ線路、９ 第一の導体リボン、
１０ 第二の導体リボン、１１ 固定用ネジ。
ャーシ、４ 第一の誘電体基板、５ 第二の誘電体基
板、６ 第一のキャリア、７ 第二のキャリア、８ 入
出力マイクロストリップ線路、９ 第一の導体リボン、
１０ 第二の導体リボン、１１ 固定用ネジ。
Claims (3)
- 【請求項１】 導体シャーシと、第一のデバイスを構成
する第一のキャリア及び第一の誘電体基板と、第二のデ
バイスを構成する第二のキャリア及び第二の誘電体基板
と、上記第一の誘電体基板の入出力マイクロストリップ
線路と上記第二の誘電体基板の入出力マイクロストリッ
プ線路とを接続する第一の導体リボンと、上記第一のキ
ャリアと上記第二のキャリアとを接続する第二の導体リ
ボンから構成されるマイクロ波集積回路において、上記
第一の導体リボンの下部にあたる部分の上記第一のキャ
リア及び上記第二のキャリアの厚みを上記第一の誘電体
基板及び上記第二の誘電体基板の取付けられている部分
より厚くしたことを特徴とするマイクロ波集積回路。 - 【請求項２】 導体シャーシと、第一のデバイスを構成
する第一のキャリア及び第一の誘電体基板と、第二のデ
バイスを構成する第二のキャリア及び第二の誘電体基板
と、上記第一の誘電体基板の入出力マイクロストリップ
線路と上記第二の誘電体基板の入出力マイクロストリッ
プ線路とを接続する第一の導体リボンと、上記第一のキ
ャリアと上記第二のキャリアとを接続する第二の導体リ
ボンから構成されるマイクロ波集積回路において、上記
第一の導体リボンの幅を上記誘電体基板上のマイクロス
トリップ線路の線路幅より広くしたことを特徴とするマ
イクロ波集積回路。 - 【請求項３】 導体シャーシと、第一のデバイスを構成
する第一のキャリア及び第一の誘電体基板と、第二のデ
バイスを構成する第二のキャリア及び第二の誘電体基板
と、上記第一の誘電体基板の入出力マイクロストリップ
線路と上記第二の誘電体基板の入出力マイクロストリッ
プ線路とを接続する導体リボンから構成されるマイクロ
波集積回路において、上記第一の導体リボンの下部にあ
たる部分の上記第一のキャリア及び上記第二のキャリア
の形状を段違い状にしたことを特徴とするマイクロ波集
積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7077628A JPH08274503A (ja) | 1995-04-03 | 1995-04-03 | マイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7077628A JPH08274503A (ja) | 1995-04-03 | 1995-04-03 | マイクロ波集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274503A true JPH08274503A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13639175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7077628A Pending JPH08274503A (ja) | 1995-04-03 | 1995-04-03 | マイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08274503A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000091802A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波回路 |
-
1995
- 1995-04-03 JP JP7077628A patent/JPH08274503A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000091802A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波回路 |
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