JPH02143450A - リードフレーム - Google Patents

リードフレーム

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Publication number
JPH02143450A
JPH02143450A JP29595088A JP29595088A JPH02143450A JP H02143450 A JPH02143450 A JP H02143450A JP 29595088 A JP29595088 A JP 29595088A JP 29595088 A JP29595088 A JP 29595088A JP H02143450 A JPH02143450 A JP H02143450A
Authority
JP
Japan
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lead
tab
leads
lead frame
width
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Pending
Application number
JP29595088A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Yasuda
武 安田
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Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPH02143450A publication Critical patent/JPH02143450A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置用リードフレーム構造に関【7、主
に腐周波用1cに使用するリードフレームを対象とする
〔従来の技術〕
半導体装置の外付はリードを構成するために素子組立段
階で使用するリードフレームは、半導体素子(チップ)
が取付けられるタブと、タブを挾みオたは取り囲んで外
側へ延びる複数のリードと、タブ及び複数のリード間を
接続するフレーム(枠体)とからなり、これらは−枚の
金属板を打ち抜いて一体に形成したものである。
第3図はSUP (Small Qutline Pa
kage)タイプのリードフレームの従来例の外形(平
面形状)を示すもので、1はタブ、2a、2b・・・は
リード、3Viタブ釣クリートである。
第4図1dMSP (Mini 5quare Pac
kage)タイプのリードフレームの従来例の外形を示
すものである。
これらのリードフレームは各リードの幅(太さ)を等し
くしてあるが、一方、タグの中心に近い部分圧対応する
り−ド2aに比べて中心から遠い部分に対応するり一部
2eは長さが長く、かつ、複雑な形状に折り曲っている
のが普通である。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のリードフレーム構造では、リードの長さがタブの
中心からの位置によって大きく異なり複雑に折れ曲って
いるにもかかわらず、各リードの幅は同一寸法に形成さ
れているため、タブ中心からピン位置が離れるほどリー
ド部分のインダクタンス(L)やコンダクタンス(C)
が高くなった。このようなリードフレームを高周波用(
I 082以上)のICに使用する場合、LやCが高く
なると周波数特性が劣化する問題がある。
なお、lCの外付手段と(7てのセラミックパッケージ
において、リードに相当するメタライメ配@鳩を重a[
7て引き回すことによりインピーダンス・マツチングを
行った例としては、特開昭6〇−154632公報に記
載されている。
LカL、、リードフレームにおいて、リードの長さや形
状の相異によるインダクタンスやコンダクタンスのマツ
チングを行う例は報告されていない。
本発明は上記の課題を解決するためのものであり、その
目的は、ある程度以上筒い周波数に使用する場合にもタ
ブとリード外端との間のLCが一定に確保できるリード
フレーム構造を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明のリードフレームに
おいては、リードの幅をリード長に応じて太くすること
により、タブと各リードの間のインダクタンス(L)と
コンダクタンス(qの棟がある一定の値となるように調
整したものである。
〔作用〕
リード等のインダクタンスを小さくする条件としてはリ
ード幅を大きくすること、リード長を短かくすることリ
ード形状を真直にすること、及び比抵抗を小さくするこ
とが挙げられ、−万、コンダクタンスを小さくするため
にはリードを−X直にすること、リード間隔を小さくす
る必要がある。
本発明のようにリードの幅をその長さに比例するように
太くすることにより、少々くともインダクタンスを小さ
くする作用効果が得られ、また、同時にコンダクタンス
をある程度小さくすることができ、高い周波数のIC用
として好適なリードフレームを提供できる。
〔実施例〕
第1図は面実装形フラットパッケージであるSOPタイ
プのリードフレームに本発明を適用した場合の実施例を
示すものであって、リードフレームの要部平面図である
。同図においてxIII及びY軸に対称のリード群を省
略してある。
1はタブ、2a、2b・・・リード、3はタブ釣りリー
ドである。同図に示すように、タブ中上・に近いリード
2aから中心より離れた位置にあるり−ド2bcf)幅
を〜1.W2・・・〜■5として、冑≦W2・・・〈V
v5とする。一方、リード長fz11.12・・・15
(11≦12・・・〈15)として、Wl/A’1’=
iW2.#2・・・!;W5/15とする。
例えば共振周波数f=1/(2Tv/〒7)の式におい
てLCを2 X 10−”以下になるように各リード寸
法を設計すれはf=12(3Hzとなυ数GH2〜6G
H2tで使用することができる。
第2図は面実装形チップキャリア4方向タイプのMAP
のリードフレームに本発明を適用【7た場合の実施例を
示すリードフレーム平面図である。
同図において第1図と共通する構成部分には同一の番号
記号が使用し7である。
同図に示すようにタブ中心(タフ釣りリード3から遠い
)に近いリード2a・・・の幅を小さく、中心から遠い
(タブ釣りリードに近い)リード(・・・2e)の幅を
太くすることでLCの一定値化を図っている。
〔発明の効果〕
本シれ明は以上説明したように構成されているので、以
下に記載のような効果を奏する。
(11リード幅(形状)をLCが−νの値となるように
調整してあることにより冒周波用フレームと[7て;闇
合し、高周波信号(例えばU HF信号)の入出力端子
をどのピンでも使用することができ、デバイスの設計自
由度が大きくなった。
(2)外1111jのビン(リード)がもっとも太いこ
とによりリード曲り等の不良防止に寄与できる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の一実施例を示すリードフ
レーム要部の平面図である。 第3図および第4図は従来例を示すリードフレームの一
部平面図である。 1・・・タブ、 2a。 2b・・・リード、 3・・・タブ釣り ノード。 第 図 第 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体素子取付用のタブと、タブを取り囲む複数の
    リードと、タブ・複数のリード間を接続するフレームと
    が一体に形成されたリードフレームであって、各リード
    とタブ間のコンダクタンス(C)及びインダクタンス(
    L)の積がある一定の値となるようにリードの幅を調整
    したことを特徴とするリードフレーム。 2、請求項1に記載のリードフレームにおいて、リード
    幅はリード長に比例して太くする。
JP29595088A 1988-11-25 1988-11-25 リードフレーム Pending JPH02143450A (ja)

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JP29595088A JPH02143450A (ja) 1988-11-25 1988-11-25 リードフレーム

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JP29595088A JPH02143450A (ja) 1988-11-25 1988-11-25 リードフレーム

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JPH02143450A true JPH02143450A (ja) 1990-06-01

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JP (1) JPH02143450A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04312964A (ja) * 1991-04-02 1992-11-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
WO2021124576A1 (ja) * 2019-12-20 2021-06-24 三菱電機ビルテクノサービス株式会社 昇降路の間仕切り方法および昇降路の間仕切り装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04312964A (ja) * 1991-04-02 1992-11-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
WO2021124576A1 (ja) * 2019-12-20 2021-06-24 三菱電機ビルテクノサービス株式会社 昇降路の間仕切り方法および昇降路の間仕切り装置

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