JPS63211658A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS63211658A
JPS63211658A JP4429787A JP4429787A JPS63211658A JP S63211658 A JPS63211658 A JP S63211658A JP 4429787 A JP4429787 A JP 4429787A JP 4429787 A JP4429787 A JP 4429787A JP S63211658 A JPS63211658 A JP S63211658A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
leads
supply
terminal
lead frame
semiconductor device
Prior art date
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Pending
Application number
JP4429787A
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English (en)
Inventor
Muneyuki Hagiwara
萩原　宗幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、リードフレームを用いて外部リード付は組立
を行った半導体装置、特に前記リードフレームのリード
部の構造に関する。
〔従来の技術〕
従来、リードフレームを用いて外部リード付けを行った
樹脂封止の半導体装置では、耐湿性向上のためリードフ
レームの多数のリードの断面積を機械的強度の許す限り
、或いはリードフレームの製造精度の許す限り差別なく
一様に小さくしてきている。すなわち、第２図は従来の
半導体装置用リードフレームの部分平面図である。第２
図において、半導体素子搭載部ｌを囲んで多数のリード
Ｌ１〜Ｌ１ｇが配置されている。これらリードのうち、
Ｌｌは電源端子用、Ｌ９は接地端子用であるが、このＬ
ｌおよびＬ９は他の信号用のリードＬ２〜Ｌ８　＋　Ｌ
ｌｏ　’＝　Ｌ　１４と同じ断面積を有している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のリードフレームの構造では、電源端子（
■ｃｃ）＋接地端子（Ｖｓｓ）用のリードにおいても、
′他のリードと同じように断面積を小さくしているので
、これら電源端子または接地端子は他の端子と異なり大
きな電流増減を示すので、大きな電位の変動が現出する
。例えは、樹脂封止されたリードのインタ′クタンスを
１０　ｎＨ，２５６ＫＤＲＡＭの電源電流の変化率を１
５　ｆｆｌ　Ａ／ｎ　Ｓとすると、 の電源電位低下を生じてしまう。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点に対し本発明では、外部リード付けに用いら
れているリードフレームの多数のリードのうち、大きな
電流変動の起る電源端子または接地端子用のリードの断
面積を信号用などの他の端子用リードよりも大きくする
ことによって自己インダクタンスを小さくし、これら端
子の電位低下を小さくしている。
〔実施例〕
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置に用いられてい
るリードフレームの部分平面図である。
第１図において、半導体素子搭載部ＩＱ周囲を囲んで多
数のリードＬＬ、、Ｌ、〜Ｌ１　＋　Ｌ　Ｌ９　＊　Ｌ
　ｔ。
〜Ｌ１６が配置されている。これらのリードのうち、Ｌ
Ｌｌは電源端子用、ＬＬ、は接地端子用である。
しかして、リードＬＬ、　とＬＬ、は、他のリードＬ、
〜Ｉｌｌ　＋　Ｌ　１（１−Ｌ　ｔｓに比べ、厚さは同
じであるが横幅において１．５倍、すなわち、断面積で
も１．５倍大きくなっている。したがって断面積の増加
に反比例して自己インダクタンスが減少し電源電位また
は接地電位の変動を１／１．５に減少できる。
〔発明の効果〕
上述のとおシ本発明に係るリードフレームでは、電流量
の大きい電源端子用または接地端子用のリードの断面積
を特に他のリードに比べて大きくしているので、それだ
け電源端子および接地端子の電位低下を少くし、動作特
性改善の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例半導体装置の外部リード付は
組立量のリードフレームの部分平面図、第２図は従来の
半導体装置に係るリードフレームの部分平面図である。 １・・・・・・半導体素子搭載部、ＬＬｌ・・・・・・
断面積の大きい電源端子用リード、ＬＬ、・・・・・・
断面積の大きい接地端子用リード、Ｌ、〜Ｌ、、Ｌ、。 〜Ｌ１８・・・・・・信号端子用リード。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リードフレームを用いて外部リード付けの行なわれた半
    導体装置において、前記リードフレームの多数のリード
    のうち電源端子用または接地端子用の何れか一方のリー
    ドまたは両方のリードの断面積が他のリードの断面積よ
    り大であることを特徴とする半導体装置。
JP4429787A 1987-02-26 1987-02-26 半導体装置 Pending JPS63211658A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01295429A (ja) * 1988-05-24 1989-11-29 Toshiba Corp 半導体集積回路
JPH02170547A (ja) * 1988-12-23 1990-07-02 Toshiba Corp 半導体集積回路

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55108755A (en) * 1979-02-14 1980-08-21 Nec Corp Resin seal type semiconductor device

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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