JPS6077436A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特にモノリシックチップ上の回路ブロック間
の相互干渉の少ない半導体集積回路の組立構造′に四す
る。
の相互干渉の少ない半導体集積回路の組立構造′に四す
る。
第1図は、18ピンデユアルインパツケージにA1−A
4の4個の増幅器を内蔵した半導体集積回路の模式図で
ある。それぞれの増幅器A1〜A4して出力端より構成
されCいる。第1図では、各増幅器の相互干渉(クロス
トーク)會なくすため接地端子は独立に3. 7. 1
2. 16ピンに設けられている。
4の4個の増幅器を内蔵した半導体集積回路の模式図で
ある。それぞれの増幅器A1〜A4して出力端より構成
されCいる。第1図では、各増幅器の相互干渉(クロス
トーク)會なくすため接地端子は独立に3. 7. 1
2. 16ピンに設けられている。
しかしながら半導体集積回路が多機能化してくると、ピ
ン数の制約から接地端子に4ピンも使用することができ
ず、接地端子を共通にしなければならない。
ン数の制約から接地端子に4ピンも使用することができ
ず、接地端子を共通にしなければならない。
半導体集積回路では、配線としてはアルミニウムが一般
に使用されアルミニウムの厚さが1.5μmのときアル
ミニウムの層抵抗は約25mΩ/口になる。従って、モ
ノリシックチップ上で2個の増幅器の接地配線を共通に
して幅W=20μで長さL=l暉布締布線ときの共、■
インピーダンスR+は式+1)で示される。
に使用されアルミニウムの厚さが1.5μmのときアル
ミニウムの層抵抗は約25mΩ/口になる。従って、モ
ノリシックチップ上で2個の増幅器の接地配線を共通に
して幅W=20μで長さL=l暉布締布線ときの共、■
インピーダンスR+は式+1)で示される。
第2図はクロースドータを示す図である。A2゜A4は
増幅器、l、5は入力端子、3.7はそれぞれA2.A
4の接地端子、R+は共通インピー源を示す。接地電流
12+”4は共通インピーダンスRtに流れ込むため、
増幅器A20入力信号は式(2)に示される81′に、
増幅器A4の入力信号は式(3)に示されるSz’にそ
れぞれ変化し、クロストークを生じる。
増幅器、l、5は入力端子、3.7はそれぞれA2.A
4の接地端子、R+は共通インピー源を示す。接地電流
12+”4は共通インピーダンスRtに流れ込むため、
増幅器A20入力信号は式(2)に示される81′に、
増幅器A4の入力信号は式(3)に示されるSz’にそ
れぞれ変化し、クロストークを生じる。
S 1’ =S t −4−i 4几l ・・・(2)
8z’=Sz−1−i2Rt ・・・(3)例えば、増
幅器A2.A4の増幅度を40dB(100倍)?’2
+’4を1mA、増幅器の出力電圧3■、すなわちS
r = S z =−’−M−= 30 mV00 のとき、クロストークを4odB以上の減衰率を得るた
めには式(4)を満足しなければならない。
8z’=Sz−1−i2Rt ・・・(3)例えば、増
幅器A2.A4の増幅度を40dB(100倍)?’2
+’4を1mA、増幅器の出力電圧3■、すなわちS
r = S z =−’−M−= 30 mV00 のとき、クロストークを4odB以上の減衰率を得るた
めには式(4)を満足しなければならない。
IQQ x i 1 ・ ■も 1(S 1i00 x
i 2・R1(S 2 ・°・ R1(0,30・・・(4) すなわち共通インピータンスは0.3Ω以下でなければ
ならない。
i 2・R1(S 2 ・°・ R1(0,30・・・(4) すなわち共通インピータンスは0.3Ω以下でなければ
ならない。
このような低い共通布線インピーダンスを得るために従
来の半導体集積回路は第3図に示す構造をとっていた。
来の半導体集積回路は第3図に示す構造をとっていた。
21はモノリシックチップ22を搭載するためのアイラ
ンド、23〜27はボンディングをする為のパッド、2
8.29は34〜36のリードに電気的に接続するため
の金属ワイヤ、30.31は最低電位のアルミニウム配
線。
ンド、23〜27はボンディングをする為のパッド、2
8.29は34〜36のリードに電気的に接続するため
の金属ワイヤ、30.31は最低電位のアルミニウム配
線。
32は最高電位のアルミニウム配線を示す。このように
、従来構造では、共通インピータンスを小さくするため
に最低電位のアルミニウム配#j!30゜31に図示し
たようにパッド23.27の外側を独立に布線し、更に
独立のパッド25.26から共通リード34に金属ワイ
ヤ28.29で接続していた。この様な方法では最低電
位のアルミニウム配線30.31の引きまわしによりチ
ップサイズが大きくなってコスト高となりまた、クロス
トークはなくなるが配線30.31の布線抵抗が大きい
ため自分の信号・電流により出力が形骨をうけるという
欠点があった。更には、増幅器が4個以上になると、マ
スクパターンレイアウトが不可能になった。
、従来構造では、共通インピータンスを小さくするため
に最低電位のアルミニウム配#j!30゜31に図示し
たようにパッド23.27の外側を独立に布線し、更に
独立のパッド25.26から共通リード34に金属ワイ
ヤ28.29で接続していた。この様な方法では最低電
位のアルミニウム配線30.31の引きまわしによりチ
ップサイズが大きくなってコスト高となりまた、クロス
トークはなくなるが配線30.31の布線抵抗が大きい
ため自分の信号・電流により出力が形骨をうけるという
欠点があった。更には、増幅器が4個以上になると、マ
スクパターンレイアウトが不可能になった。
本発明は係る不具合を解決するためになされたものであ
り、その実施例を第4図に示す、第3図と同一番号が付
されているものは同一名称である。
り、その実施例を第4図に示す、第3図と同一番号が付
されているものは同一名称である。
本発明ではA I −A 4の増幅器の独立の接地電位
パッド50〜53よりアイランド21に金属ワイヤ40
〜43でそれぞれ接続しており、更にアイランド21と
リード34を金属ワイヤ44で接続している。アイラン
ド21の共通インピーダンスは1QyiΩ以下なので無
視できる。従って、共通インピーダンスは金属ワイヤ4
4とリード34の抵抗和となり0.3Ω以下を容易に実
現できる。ワイヤ44を複数ボンディングで接続すれば
更にクロストーク特性を向上させることができる。第4
図の実施例ではリード34を最低電位としたが、本発明
では第4図から明らかなように任意のリードを最低・電
位にすることができる。
パッド50〜53よりアイランド21に金属ワイヤ40
〜43でそれぞれ接続しており、更にアイランド21と
リード34を金属ワイヤ44で接続している。アイラン
ド21の共通インピーダンスは1QyiΩ以下なので無
視できる。従って、共通インピーダンスは金属ワイヤ4
4とリード34の抵抗和となり0.3Ω以下を容易に実
現できる。ワイヤ44を複数ボンディングで接続すれば
更にクロストーク特性を向上させることができる。第4
図の実施例ではリード34を最低電位としたが、本発明
では第4図から明らかなように任意のリードを最低・電
位にすることができる。
以上述べてきたように本発明に係る半導体集積回路では
チップサイズを大きくすることなしにクロストークを減
少することができるので多機能化されたICに非常に適
する。
チップサイズを大きくすることなしにクロストークを減
少することができるので多機能化されたICに非常に適
する。
第1図は4個の増幅器を内蔵した従来の半導体集積回路
の模式図、化2図はクロストークを説明するための図、
第3図は従来の半導体集積回路の模式平面図、第4図は
本発明に係る半導体集積回路の一実施例を示す平面図で
ある。
の模式図、化2図はクロストークを説明するための図、
第3図は従来の半導体集積回路の模式平面図、第4図は
本発明に係る半導体集積回路の一実施例を示す平面図で
ある。
Al−A4・・・・・・増幅器、1〜18・・・・・・
ピン。
ピン。
22・・・・・・チップ、21・・・・・・アイランド
、23. 26゜50〜51・・・・・・接地電位パッ
ド、24・・・・・・VCCパッド、30. 31.
32−・・・・・アルミニウム配線、34〜36・・・
・・・リード。
、23. 26゜50〜51・・・・・・接地電位パッ
ド、24・・・・・・VCCパッド、30. 31.
32−・・・・・アルミニウム配線、34〜36・・・
・・・リード。
Claims (1)
- モノリシック半導体チップ上の複数個の同電位パッドを
前記モノリシック半導体チップが搭載されているアイラ
ンドに金属ワイヤで接続し、該アイランドを1本以上の
リードに他の金属ワイヤで接続したことを特徴とする半
導体集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58185416A JPS6077436A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58185416A JPS6077436A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6077436A true JPS6077436A (ja) | 1985-05-02 |
Family
ID=16170402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58185416A Pending JPS6077436A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6077436A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6225445A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-03 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
JPS62283636A (ja) * | 1986-06-02 | 1987-12-09 | Matsushita Electronics Corp | 半導体集積回路装置 |
JPS6362336A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JPS6355539U (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-14 | ||
JPS63246832A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-13 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
US7068521B2 (en) * | 1998-07-06 | 2006-06-27 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
US7525813B2 (en) | 1998-07-06 | 2009-04-28 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP58185416A patent/JPS6077436A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6225445A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-03 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
JPS62283636A (ja) * | 1986-06-02 | 1987-12-09 | Matsushita Electronics Corp | 半導体集積回路装置 |
JPS6362336A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
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JPS63246832A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-13 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
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US7817437B2 (en) | 1998-07-06 | 2010-10-19 | Renensas Electronics Corporation | Semiconductor device |
US8295057B2 (en) | 1998-07-06 | 2012-10-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device |
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