JP2863287B2 - 半導体装置のボンディングパッド電極の構造 - Google Patents

半導体装置のボンディングパッド電極の構造

Info

Publication number
JP2863287B2
JP2863287B2 JP24379990A JP24379990A JP2863287B2 JP 2863287 B2 JP2863287 B2 JP 2863287B2 JP 24379990 A JP24379990 A JP 24379990A JP 24379990 A JP24379990 A JP 24379990A JP 2863287 B2 JP2863287 B2 JP 2863287B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wirings
bonding pad
wiring
pad electrode
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP24379990A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04124844A (ja
Inventor
和夫 松村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP24379990A priority Critical patent/JP2863287B2/ja
Publication of JPH04124844A publication Critical patent/JPH04124844A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2863287B2 publication Critical patent/JP2863287B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/03—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
    • H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
    • H01L2224/02165—Reinforcing structures
    • H01L2224/02166—Collar structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05075—Plural internal layers
    • H01L2224/0508—Plural internal layers being stacked
    • H01L2224/05085—Plural internal layers being stacked with additional elements, e.g. vias arrays, interposed between the stacked layers
    • H01L2224/05089—Disposition of the additional element
    • H01L2224/05093—Disposition of the additional element of a plurality of vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05556—Shape in side view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05556—Shape in side view
    • H01L2224/05558—Shape in side view conformal layer on a patterned surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、詳細には半導体装置のワ
イヤボンデイングパッド電極の構造に関する。
〔従来の技術〕
半導体チップ上のパッドとパッケージ上の外部リード
とを金線またはアルミニウム線を用いて結線する際に用
いられるワイヤボンデイングパッド電極の従来の構造の
一例を平面および断面図として第３図に、そして他の例
を同様にして第４図に示す。
第３図の例においては半導体基板１の上に絶縁膜２を
設け、その上に配線用の例えばアルミニウム膜３を形成
し、その上の表面保護絶縁膜４に窓を明けてその部分の
アルミニウム膜３をワイヤボンデイングパッド電極５と
している。また第４図の例では絶縁膜２の上のアルミニ
ウム膜３の上に、中間絶縁膜２′を設け、それにスルー
ホール６を形成し、このスルーホール６を通じてアルミ
ニウム膜３と一体化するアルミニウム膜をその部分にの
み与え、そして窓５を有する表面保護絶縁膜４を設けて
いる。これら半導体チップ内に配線が複数の層として形
成されている場合の配線の層間相互接続に広く用いられ
ている。
〔発明が解決しようとする課題〕
これら従来のワイヤボンデイングパッド電極の構造に
おいては、半導体装置の機能を有する内部能動素子に信
号を与えあるいはそれらから信号を得るための電極であ
るボンデイングパッドの数は一般にそれら信号の数に対
応している。例えば、内部能動素子の内、同一の外部信
号を入力とする素子に対しては夫々その信号用のワイヤ
ボンデイングパッド電極を設けなくてはならず、半導体
チップの面積に対する電極面積はかなり大きな率とな
る。また、ワイヤボンデイングは夫々のボンデイングパ
ッド電極について行わねばならないため、実装工程が複
雑なものとなる。
本発明の目的は１個のボンデイングパッド電極に対し
複数の配線を接続しうるボンデイングパッド電極の構造
を提供し、所要ボンデイングパッド電極数を減少させ、
それによりその半導体チップに対する占有率を低下させ
ると共に、ワイヤボンデイング工程を簡略化することで
ある。
〔課題を解決するための手段〕
複数の能動素子層に形成されて同一の信号を入力とす
る能動素子を有する半導体装置において一つの層におけ
るそのような能動素子からの配線であってその装置のボ
ンデイングパッド電極の領域において接近したものとそ
の上の少くとも１つの層の能動素子からの配線であって
上記ボンデイングパッド電極の領域にある配線をそれら
の層間の中間絶縁層に設けたスルーホールにより接続
し、上側の層の配線をボンデイングパッド電極として使
用する。
〔作 用〕
下の層の複数の配線と上の層の配線の内、共通としう
るものがボンデイングパッド電極領域において１個のボ
ンデイングパッド電極に接続される。
〔実施例〕
第１図（Ａ）は本発明の一実施例によるワイヤボンデ
イングパッド電極構造を示す断面図であり、第１図
（Ｂ）はその平面図である。
第１図（Ａ）において、半導体基板21の上に絶縁膜22
が形成され、その上に第１の配線層が設けられる。この
配線層において共通としうる配線26,27が１つのワイヤ
ボンデイングパッド電極の形成されるべき個所に接近し
て置かれている。
この配線層の上に、スルーホール29を有する中間絶縁
膜22′が形成されその上に第２の配線層における配線23
が配置される。配線26と27はスルーホール29を介して配
線23と接続する。
更にその上に窓（25）を有する表面保護絶縁膜24が形
成され、それにより露出した配線23の部分でワイヤボン
デイングパッド電極25が形成される。その結果、第１図
（Ｂ）に示すように、３個の配線26,27および23が共通
に接続した１個のワイヤボンデイング電極25が得られ
る。
第２図は本発明の第二の実施例によるワイヤボンデイ
ングパッド電極の断面図である。絶縁膜22上の第１層配
線26の上にスルーホール29を有する中間絶縁膜22′が配
置され、第２層配線27と28がその上に形成されており、
配線28はスルーホール29を通じて配線26と接続してい
る。この第２層配線の上にはスルーホール30を有する中
間絶縁膜22′が形成され、その上に第３層配線23が配置
されてスルーホール30を通じて第２層配線27と28に接続
する。
この第３層配線23の上に、窓（25）を有する表面保護
絶縁膜24が形成され、窓（25）内で露出する第３層配線
23により少くとも４個の配線を接続する１個のワイヤボ
ンデイングパッド電極25がつくられる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、１個のワイヤボンデイングパッド電
極に各層の共通化しうる配線が接続する。従って引き出
し電極の数が多くてもパッド電極の数を少くすることが
出来、半導体チップ面積を減少するための内部能動素子
の配列及びボンデイングパッド電極の配列を可能にす
る。また、同一パッド電極から分離配線が可能となるの
で大電流を要する内部能動素子群を集約出来る。更にチ
ップ面積が縮小化しうるから有限寸法のウエハから得ら
れるチップの数の増加が期待出来る。
また、ワイヤボンデイング数が減少することから材料
経済に有利であり、またボンデイング時間も短縮され
る。
【図面の簡単な説明】
第１図（Ａ）および（Ｂ）は本発明の一実施例を示す断
面図および平面図、第２図は本発明の他の実施例を示す
断面図、第３図（Ａ），（Ｂ）は従来のボンデイングパ
ッド電極の一例を示す平面及び断面図、第４図（Ａ），
（Ｂ）は他の従来の構造を示す平面および断面図であ
る。 21……半導体基板、22……絶縁膜、22′……中間絶縁
膜、23,26,27,28……配線、29,30……スルーホール、24
……表面保護絶縁膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 301 H01L 21/88 H01L 21/90 H01L 21/92

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】上層配線及び複数の下層配線が形成された
    半導体装置において、 前記複数の下層配線の内、共通としうる、接近した配線
    が、その上方に形成された前記上層配線と、その間に介
    在する中間絶縁膜に形成されたスルーホールにより接続
    されることを特徴とする半導体装置のボンディングパッ
    ド電極の構造。
JP24379990A 1990-09-17 1990-09-17 半導体装置のボンディングパッド電極の構造 Expired - Fee Related JP2863287B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24379990A JP2863287B2 (ja) 1990-09-17 1990-09-17 半導体装置のボンディングパッド電極の構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24379990A JP2863287B2 (ja) 1990-09-17 1990-09-17 半導体装置のボンディングパッド電極の構造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04124844A JPH04124844A (ja) 1992-04-24
JP2863287B2 true JP2863287B2 (ja) 1999-03-03

Family

ID=17109122

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24379990A Expired - Fee Related JP2863287B2 (ja) 1990-09-17 1990-09-17 半導体装置のボンディングパッド電極の構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2863287B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2734967B2 (ja) * 1993-12-24 1998-04-02 日本電気株式会社 ボンディング用パッド及びその製造方法
US6191023B1 (en) * 1999-11-18 2001-02-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of improving copper pad adhesion

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04124844A (ja) 1992-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5648679A (en) Tape ball lead integrated circuit package
US5646830A (en) Semiconductor device having an interconnecting circuit board
JP2537014B2 (ja) 電子素子用リ―ドフレ―ム・パッケ―ジ
US6291881B1 (en) Dual silicon chip package
JPH05136323A (ja) 集積回路装置
EP0590986B1 (en) Lead-on-chip lead frame
US5442230A (en) High density integrated circuit assembly combining leadframe leads with conductive traces
US5569955A (en) High density integrated circuit assembly combining leadframe leads with conductive traces
JP3171172B2 (ja) 混成集積回路
US4646126A (en) Semiconductor device
US7030489B2 (en) Multi-chip module having bonding wires and method of fabricating the same
US20040245651A1 (en) Semiconductor device and method for fabricating the same
JP2863287B2 (ja) 半導体装置のボンディングパッド電極の構造
JPH0521698A (ja) 半導体装置
JP2785324B2 (ja) マルチチップパッケージ構造
JP2982182B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH04349640A (ja) アナログ・デジタル混在集積回路装置実装体
JPH0770666B2 (ja) 集積回路装置実装パツケ−ジ
JP3405697B2 (ja) 半導体チップ
JP2864684B2 (ja) 半導体集積回路
JPS6239820B2 (ja)
JP2000243903A (ja) 半導体チップ
JP2752262B2 (ja) １チップｌｓｉの製造方法
JP2890795B2 (ja) 混成集積回路
JPH05226404A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees