JP3184384B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP3184384B2 JP29861293A JP29861293A JP3184384B2 JP 3184384 B2 JP3184384 B2 JP 3184384B2 JP 29861293 A JP29861293 A JP 29861293A JP 29861293 A JP29861293 A JP 29861293A JP 3184384 B2 JP3184384 B2 JP 3184384B2
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    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に係り、特
に、電源配線を単一層で形成する半導体装置のレイアウ
トパターンに関するものである。近年の半導体装置に
は、動作速度をより高速にすることが要求されている。
したがって、電源配線に供給する電流を多くする必要が
ある。
【0002】図4は、従来の半導体装置を説明する図で
あり、半導体装置の要部平面図である。同図において、
21は半導体チップ、22は第1の低電位電源配線(以
下、第1のVss線という)、23は第2の低電位電源
配線(以下、第2のVss線という)、24は高電位電
源配線(以下、Vcc線という)、25は半導体チップ
21内の内部回路部、26はパッド、27はボンディン
グワイヤ、28はリード端子、29は外部電源回路と接
続する電源用リード端子、30はこれらを含んで構成さ
れる半導体装置である。
【0003】同図に示すように、従来の単一層による電
源配線(例えばアルミニウム配線)のレイアウトにおい
ては、例えば第1のVss線22が半導体チップ21の
外周を囲むように環状に周設され、半導体チップ21周
辺部に設けられた入出力回路部(図示せず)に電源を供
給している。また、第1のVss線22と同電位の第2
のVss線23が、第1のVss線22とパッド26を
共通にして半導体チップ21の内部に向けて延設され、
半導体チップ21内部に設けられた内部回路部25に電
源を供給している。さらに、第1のVss線22の内側
には、内部回路部25を囲み、かつ、第2のVss線2
3と重ならないように、Vcc線24がC字状に配設さ
れている。
【0004】このように、第2のVss線23とVcc
線24が交差する領域では、図示するようにVcc線2
4を環状の状態から一部を除去したC字状に形成し、そ
の除去された部分に第2のVss線24を配設すること
によって、入出力回路部用の第1のVss線22と内部
回路部25用の第2のVss線23を共通化し、電源配
線を同一層内で形成していた。また、第1および第2の
Vss線への電源の供給は、共通化されたパッド26と
外部電源回路に接続されている電源用リード端子28a
をボンディングワイヤ27で接続することにより行われ
ていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図示す
るような従来の構成では、Vcc線24(すなわち、最
外周の電源配線と内部回路の間に配設される電源配線)
は、その一部が除去され分断されているために、電源配
線としての電流許容量が少なくなってしまい、マイグレ
ーションなどに対する耐性が低いものであった。
【0006】また、このためにVcc線の電源配線とし
ての電流許容量を十分に得るためには配線幅を太くしな
ければならず、そのためにチップサイズが大きくなって
しまうという問題も生じていた。さらに、入出力回路部
用の第1のVss線22と内部回路部25用の第2のV
ss線23(すなわち、最外周の電源配線と内部回路に
接続される電源配線)を共通化するために、共通のパッ
ド26を用いて外部電源と接続していたので、入出力回
路部のトランジスタ等の動作の影響が内部回路部25に
そのままノイズとして伝わってしまっていた。
【0007】そこで、本発明は以上の点を鑑み、電源配
線を単一層で形成するに際し、電源配線が十分な電流許
容量を有し、かつ、入出回路からのノイズが内部回路に
混入するのを防ぐことが可能な半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】図1は、本発明の原理説
明図であり、本発明の要部を説明する平面図である。同
図において、1は半導体チップ、2は第1の電源配線、
3は第1の電源配線2と同電位の第2の電源配線、4は
電源配線2および3とは電位が異なる第3の電源配線、
5は半導体チップ1内の内部回路部、6は第1の電源配
線2に設けられたパッド、7は第2の電源配線3に設け
られたパッド、8a, 8bはボンディングワイヤ、9は
リード端子、9aは外部電源と接続するリード端子、1
0はこれらを含んで構成される半導体装置である。
【0009】本発明になる半導体装置10は、半導体チ
ップの周辺部に環状に配設された第1の電源配線と、前
記第1の電源配線の内側に配設され前記半導体チップの
内部回路部に電源を供給する該第1の電源配線と同電位
である第2の電源配線と、前記第1の電源配線と前記内
部回路部との間に環状に配設され、該第1の電源配線と
は電位の異なる第3の電源配線と、前記第1の電源配線
に設けられた第1のパッドと、前記第2の電源配線に設
けられた第2のパッドと、を備えた半導体装置であっ
て、前記第1の電源配線は前記第1のパッドを介して第
1のボンディングワイヤにより電源用リード端子に接続
され、前記第2の電源配線は前記第2のパッドを介して
第2のボンディングワイヤにより前記電源用リード端子
に接続され、前記第3の電源配線は少なくとも一部が凹
部を形成するように配設され、該凹部内部に前記第2の
パッドの少なくとも一部が形成されていることを特徴と
する。
【0010】また、第3の電源配線の一部は、少なくと
も一部が凹部を形成するように蛇行して配設され、凹部
内に第2の電源配線に設けられる第2のパッドが形成さ
れており、第2のパッドと電源用リード端子とがボンデ
ィングワイヤにより接続されていることを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明においては、図1に示すように、第3の
電源配線が途中で分断されることなく環状に周設されて
いるので、第3の電源配線が電源配線として十分な電流
許容量を得たものとなり、マイグレーション等に対する
耐性が高くなる。また、第1の電源配線と第2の電源配
線が独立して配設され、それぞれに設けられたパッドを
介して外部電源と接続された電源用リード端子に接続さ
れているので、半導体チップの周辺部に設けられた入出
力回路からのノイズが内部回路へ混入することを防止す
る。
【0012】また、第3の電源配線を蛇行して配設し、
その凹部に第2の電源配線に設けられる第2のパッドを
形成することにより、パッドと電源用リード端子とを近
い距離で接続することができ、ワイヤボンディングによ
るインピーダンスが小さくなる。
【0013】
【実施例】図2は、本発明の第1の実施例を説明する図
であり、図1において点線で囲んで示した、本発明の要
部を拡大して図示したものである。同図において、11
は半導体チップ、12は第1の電源配線となる第1のV
ss線、13は第2の電源配線となる第2のVss線、
14は第3の配線となるVcc線、15は半導体チップ
1の内部回路部、16は第1のVss線12に設けられ
たパッド、17は第2のVss線に設けられたパッド、
18aは第1のVss線とリード端子を接続するボンデ
ィングワイヤ、18bは第2のVss線とリード端子を
接続するボンディングワイヤ、19は外部電源と接続す
る電源用リード端子であり、20はこれらを含んで構成
される半導体装置である。
【0014】同図および図1に示すように、本実施例に
おいては第1の電源配線および第2の電源配線がVss
線12, 13となっており、第3の電源配線がVcc線
14となっている。第1のVss線12は半導体チップ
1の外周を環状に延在し、半導体チップ1周辺部に設け
られた入出力回路部(図示せず)に電源を供給してい
る。そして、その内側にVcc線14が同様に環状に延
在している。さらに、その内側に第2のVss線13が
内部回路部15に向かい延在し、第1のVss線12お
よびVcc線14の内部に設けられた内部回路部15に
電源を供給している。
【0015】また、Vcc線14は図示する領域におい
てコ字状に蛇行しており、この蛇行した凹部に第2のV
ss線13のパッド17が設けられている。一方、第1
のVss線12のパッド16は、蛇行したVcc線14
が第1のVss線12に近接している領域から外れた位
置に設けられている。そして、第1のVss線12と第
2のVss線13はそれぞれ独立して電源用リード端子
19と接続されている。すなわち、第1のVss線12
は、パッド16を介して電源用リード端子19とボンデ
ィングワイヤ18aにより接続され、第2のVss線1
3は、パッド17を介して電源用リード端子19とボン
ディングワイヤ18bによって接続されている。
【0016】このように構成することで、本実施例にお
いてはVcc線14に電源配線として十分な電流許容量
を持たせることになり、マイグレーションなどに対して
も十分な耐性が得られ、また、Vcc線14の配線幅を
太くする必要もないためチップサイズを抑えることがで
きる。さらに、第1のVss線12と第2のVss線1
3は独立して電源用リード端子19に接続されているた
め、入出力回路部の動作によるノイズが直接第2のVs
s線に混入することがなく、内部回路部5の誤動作など
を大幅に減少することができる。
【0017】また、本実施例においてVss線14をコ
字状に蛇行させているのは、第2のVss線13のパッ
ド17と電源用リード端子19を近い距離で接続するた
めであり、このように構成することでインピーダンスを
小さくすることができる。図3は、本発明の第2の実施
例を説明する図であり、第1の電源配線および第2の電
源配線がVcc線12′, 13′であり、第3の電源配
線がVss線14′となっている以外は、図2および図
1と同様の構成であり、その作用・効果も同様なものが
得られる。
【0018】また、上述の本発明の実施例においては、
半導体チップに供給される電源は異なる2種類の電位の
電源であるが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はなく、第1の電源配線と、それと同電位の第2の電源
配線の間に、2種類以上の異なる電位の電源配線が設け
られる場合にも適用できるものである。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電源配線の電流許容量を大きくできるので配線の耐性を
高くすることができ、さらに、内部回路へのノイズの混
入を防止できるため装置の信頼性を向上することができ
る。また、配線幅を太くする必要がないため、半導体装
置の縮小化にも寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理説明図である。
【図2】本発明の第1の実施例を説明する図である。
【図3】本発明の第2の実施例を説明する図である。
【図4】従来の半導体装置を説明する図である。
【符号の説明】
1…半導体チップ 2…第1の電源配線 3…第2の電源配線 4…第3の電源配線 5…内部回路部 6…第1のパッド 7…第2のパッド 8a, 8b…ボンディングワイヤ 9…リード端子 9a…電源用リード端子 10…半導体装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 27/04 H01L 21/822

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体チップの周辺部に環状に配設された
    第1の電源配線と、 前記第1の電源配線の内側に配設され前記半導体チップ
    の内部回路部に電源を供給する該第1の電源配線と同電
    位である第2の電源配線と、 前記第1の電源配線と前記内部回路部との間に環状に配
    設され、該第1の電源配線とは電位の異なる第3の電源
    配線と、 前記第1の電源配線に設けられた第1のパッドと、 前記第2の電源配線に設けられた第2のパッドと、 を備えた半導体装置であって、 前記第1の電源配線は前記第1のパッドを介して第1の
    ボンディングワイヤにより電源用リード端子に接続さ
    れ、 前記第2の電源配線は前記第2のパッドを介して第2の
    ボンディングワイヤにより前記電源用リード端子に接続
    され、 前記第3の電源配線は少なくとも一部が凹部を形成する
    ように配設され、該凹部内部に前記第2のパッドの少な
    くとも一部が形成されていることを特徴とする半導体装
    置。
  2. 【請求項2】前記第1の電源配線と前記第2の電源配線
    とが高電位電源配線であり、 前記第3の電源配線が低電位電源配線であることを特徴
    とする請求項1に記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】前記第1の電源配線と前記第2の電源配線
    とが低電位電源配線であり、 前記第3の電源配線が高電位電源配線であることを特徴
    とする請求項1に記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】前記半導体装置は、 電源配線を単一層で形成することを特徴とする請求項
    1、請求項2又は請求項3に記載の半導体装置。
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