JPS6354736A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS6354736A JPS6354736A JP61199226A JP19922686A JPS6354736A JP S6354736 A JPS6354736 A JP S6354736A JP 61199226 A JP61199226 A JP 61199226A JP 19922686 A JP19922686 A JP 19922686A JP S6354736 A JPS6354736 A JP S6354736A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 8
- 208000001490 Dengue Diseases 0.000 description 1
- 206010012310 Dengue fever Diseases 0.000 description 1
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- 208000025729 dengue disease Diseases 0.000 description 1
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
大発明は、特に、高周波又は高速半導体チップを容器に
実装した状態の構造に関するものである。
実装した状態の構造に関するものである。
従来の高周波又は高速牛導体チップの多くは、第2図a
1及びその断面図である第2図51で示芒れる様に、接
地端子に接げされた基体1上にチップ3をマウントし、
外部引出し端子2にチップ3上の各ボンデングパッドよ
りボンデングワイヤー4によ)接続され、接地用ボンデ
ングパッドは、ボンデングワイヤー5により、基体1上
に接続されていた。
1及びその断面図である第2図51で示芒れる様に、接
地端子に接げされた基体1上にチップ3をマウントし、
外部引出し端子2にチップ3上の各ボンデングパッドよ
りボンデングワイヤー4によ)接続され、接地用ボンデ
ングパッドは、ボンデングワイヤー5により、基体1上
に接続されていた。
しかし、第2図a及びbに示す半導体装置では、半導体
チップ3には100〜400μm程度の高さを有するた
め、ボンデングワイヤー5の長さが、半導体チップ3の
高さの数倍程度必要となり、そのインダクタンスが、高
周波特性の劣化をきたす大きな要因となっていた。
チップ3には100〜400μm程度の高さを有するた
め、ボンデングワイヤー5の長さが、半導体チップ3の
高さの数倍程度必要となり、そのインダクタンスが、高
周波特性の劣化をきたす大きな要因となっていた。
不発明は、上記問題点を解決するため、基体上にマウン
トさn文子導体チップの近傍に、半導体チップと同程度
の高さを有する導体ブロックを同様にマウントし、半導
体チップ上の接地用ボンデングパッドより、ボンデング
ワイヤーにより前記導体ブロック上へ接続することで、
非常(て短距離で接続を可能とし、接地インダクタンス
?低減した構造を有する半導体装置を提供するものであ
る。
トさn文子導体チップの近傍に、半導体チップと同程度
の高さを有する導体ブロックを同様にマウントし、半導
体チップ上の接地用ボンデングパッドより、ボンデング
ワイヤーにより前記導体ブロック上へ接続することで、
非常(て短距離で接続を可能とし、接地インダクタンス
?低減した構造を有する半導体装置を提供するものであ
る。
以下、本発明の実施例を図によって説明する。
第1図a及びbは本発明の実施例である。基体1上に、
半導体ペレット3をマウントし、その各ボンデングパッ
ドよシ外部引出し端子2に、ボンデングワイヤー4によ
り接続されている。半導体ベレット3上の接地用ボンデ
ングパッドは、ボンデングワイヤー5により、基体1上
に半導体ペレット3に近接してマウントされた半導体ペ
レット3と同程度の高さを有する導体ブロック6上へ接
続されている。導体ブロック6は、高式に対して十分な
表面積を有し、ボンデングワイヤー5により接続された
点より基体1゛までの間のインダクタンスは、ボンデン
グワイヤーに比べて十分小はなものとする。
半導体ペレット3をマウントし、その各ボンデングパッ
ドよシ外部引出し端子2に、ボンデングワイヤー4によ
り接続されている。半導体ベレット3上の接地用ボンデ
ングパッドは、ボンデングワイヤー5により、基体1上
に半導体ペレット3に近接してマウントされた半導体ペ
レット3と同程度の高さを有する導体ブロック6上へ接
続されている。導体ブロック6は、高式に対して十分な
表面積を有し、ボンデングワイヤー5により接続された
点より基体1゛までの間のインダクタンスは、ボンデン
グワイヤーに比べて十分小はなものとする。
本発明の半導体装置では、接地用ボンデングワイヤー5
は、非常に短くてすみ、接地用インダクタンスは十分低
減可能であるため、艮好な高周波特性全有するものとな
る。
は、非常に短くてすみ、接地用インダクタンスは十分低
減可能であるため、艮好な高周波特性全有するものとな
る。
なお、本実施例では、接地用ボンデングワイヤーは、1
本のみであったが、複数本とすることで、さらに接地用
インダクタンスの低減が可能なことは言うまでもない。
本のみであったが、複数本とすることで、さらに接地用
インダクタンスの低減が可能なことは言うまでもない。
第1図aは本発明の半導体装置の平面図、第1図すはそ
のA−A’断面図、第2図aは従来の半導体装置の平面
図、第2図すはそのA−A’断面図である。 1・・・・・・ケースの基体、2・・・・・・外部引出
し端子、3・・・・−・半導体チップ、4・・・・・・
外部引出しボンデングワイヤー、5・・・・・・接地用
ボンデングワイヤー、6・・・・・・導体ブロック。 代理人 弁理士 内 原 @ :〜
のA−A’断面図、第2図aは従来の半導体装置の平面
図、第2図すはそのA−A’断面図である。 1・・・・・・ケースの基体、2・・・・・・外部引出
し端子、3・・・・−・半導体チップ、4・・・・・・
外部引出しボンデングワイヤー、5・・・・・・接地用
ボンデングワイヤー、6・・・・・・導体ブロック。 代理人 弁理士 内 原 @ :〜
Claims (1)
- 接地基体、その上にマウントされた半導体チップ、及び
半導体チップの近傍にマウントされ、半導体チップより
ボンデングワイヤーで接続された導体ブロックにより構
成されたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61199226A JPS6354736A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61199226A JPS6354736A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6354736A true JPS6354736A (ja) | 1988-03-09 |
Family
ID=16404243
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61199226A Pending JPS6354736A (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6354736A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5219666A (en) * | 1990-03-23 | 1993-06-15 | W.R. Grace & Co.-Conn. | Oriented film of high clarity and gloss |
US5389448A (en) * | 1990-08-13 | 1995-02-14 | W.R. Grace & Co.-Conn. | Blends of polypropylene and ethylene copolymer and films made from the blend |
US5674608A (en) * | 1989-07-28 | 1997-10-07 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Double bubble process for making strong, thin film |
-
1986
- 1986-08-25 JP JP61199226A patent/JPS6354736A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5674608A (en) * | 1989-07-28 | 1997-10-07 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Double bubble process for making strong, thin film |
US5674607A (en) * | 1989-07-28 | 1997-10-07 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Double bubble process for making strong, thin films |
US5219666A (en) * | 1990-03-23 | 1993-06-15 | W.R. Grace & Co.-Conn. | Oriented film of high clarity and gloss |
US5389448A (en) * | 1990-08-13 | 1995-02-14 | W.R. Grace & Co.-Conn. | Blends of polypropylene and ethylene copolymer and films made from the blend |
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