JPS6233328Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6233328Y2 JPS6233328Y2 JP8981886U JP8981886U JPS6233328Y2 JP S6233328 Y2 JPS6233328 Y2 JP S6233328Y2 JP 8981886 U JP8981886 U JP 8981886U JP 8981886 U JP8981886 U JP 8981886U JP S6233328 Y2 JPS6233328 Y2 JP S6233328Y2
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- JP
- Japan
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- ceramic porcelain
- semiconductor
- ceramic
- metallization
- terminal
- Prior art date
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- Expired
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 46
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 45
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 16
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は半導体容器、特に高周波用半導体容器
に関する。
に関する。
従来の高周波用半導体容器、特に高周波高出力
用半導体容器は、第１図の斜視図に示すように、
金属放熱板１の上に熱伝導の良いセラミツク磁器
２が取り付けられ、このセラミツク磁器２の上に
は出力端子用メタライズ３、入力端子用メタライ
ズ４、共通端子用メタライズ５，５′が印刷され
ており、出力端子６、入力端子７、共通端子８，
８′がそれぞれのメタライズパターンに取り付け
られ、かつ各端子はメタライズパターンと同一面
上に配置されたいわゆるフラツトタイプの構造に
なつている。
用半導体容器は、第１図の斜視図に示すように、
金属放熱板１の上に熱伝導の良いセラミツク磁器
２が取り付けられ、このセラミツク磁器２の上に
は出力端子用メタライズ３、入力端子用メタライ
ズ４、共通端子用メタライズ５，５′が印刷され
ており、出力端子６、入力端子７、共通端子８，
８′がそれぞれのメタライズパターンに取り付け
られ、かつ各端子はメタライズパターンと同一面
上に配置されたいわゆるフラツトタイプの構造に
なつている。
そして半導体チツプ９は出力端子用メタライズ
３の上にマウントされ、入力端子用ボンデイング
線１０で半導体チツプ９と入力端子用メタライズ
４を接続し、共通端子用ボンデイング線１１，１
１′で半導体チツプ９と共通端子用メタライズ
５，５′を接続して半導体装置をつくり上げる。
３の上にマウントされ、入力端子用ボンデイング
線１０で半導体チツプ９と入力端子用メタライズ
４を接続し、共通端子用ボンデイング線１１，１
１′で半導体チツプ９と共通端子用メタライズ
５，５′を接続して半導体装置をつくり上げる。
この様な構造の半導体容器では、セラミツク磁
器２の上に出力端子用メタライズ３、入力端子用
メタライズ４、共通端子用メタライズ５，５′の
様な各々独立した島状の複雑なメタライズパター
ンを印刷しなければならない。また半導体装置を
より高出力化する場合、半導体容器自体も大型化
されるため、それにともないセラミツク磁器２の
形状も大きくなる。そのため半導体容器自体の浮
遊容量が増大し、半導体装置の高周波特性を劣化
させる原因となる。その上、更にセラミツク磁器
の形状が大きくなれば、セラミツク磁器にクラツ
クが生じる様になるため半導体容器の大型化を制
限してしまう、等の欠点があつた。
器２の上に出力端子用メタライズ３、入力端子用
メタライズ４、共通端子用メタライズ５，５′の
様な各々独立した島状の複雑なメタライズパター
ンを印刷しなければならない。また半導体装置を
より高出力化する場合、半導体容器自体も大型化
されるため、それにともないセラミツク磁器２の
形状も大きくなる。そのため半導体容器自体の浮
遊容量が増大し、半導体装置の高周波特性を劣化
させる原因となる。その上、更にセラミツク磁器
の形状が大きくなれば、セラミツク磁器にクラツ
クが生じる様になるため半導体容器の大型化を制
限してしまう、等の欠点があつた。
本考案は金属放熱板の上に、半導体チツプを搭
載するためのセラミツク磁器と各リード端子を支
持するためのセラミツク磁器とをそれぞれ独立さ
せて分離して取り付け、かつ半導体チツプを搭載
する部分にのみ熱伝導のよいセラミツク磁器を使
用したもので、その際出力端子用メタライズが２
分されてしまうため、外部導出用リード端子の１
本を延長して半導体チツプ搭載用セラミツク磁器
の上面のメタライズパターンに接続したことを特
徴とする半導体容器である。
載するためのセラミツク磁器と各リード端子を支
持するためのセラミツク磁器とをそれぞれ独立さ
せて分離して取り付け、かつ半導体チツプを搭載
する部分にのみ熱伝導のよいセラミツク磁器を使
用したもので、その際出力端子用メタライズが２
分されてしまうため、外部導出用リード端子の１
本を延長して半導体チツプ搭載用セラミツク磁器
の上面のメタライズパターンに接続したことを特
徴とする半導体容器である。
第２図は本考案の半導体容器の一実施例を示す
斜視図である。第２図について説明すると、金属
放熱板１２の上に熱伝導の良い半導体チツプ搭載
用セラミツク磁器１３、熱伝導の悪い出力端子支
持用セラミツク磁器１４、熱伝導の悪い入力端子
支持用セラミツク磁器１５、熱伝導の悪い共通端
子支持用セラミツク磁器１６，１６′がそれぞれ
独立にかつ分離して取り付けられ、これら半導体
チツプ搭載用セラミツク磁器１３及び各端子支持
用セラミツク磁器１４，１５，１６，１６′の上
には、それぞれ全面にメタライズパターン１７，
１８，１９，２０，２０′が印刷されており、出
力端子２１は出力端子支持用セラミツク磁器１４
上のメタライズパターン１８を介して延長され半
導体チツプ搭載用セラミツク磁器１３上のメタラ
イズパターン１７に取り付けられ、また入力端子
２２がメタライズパターン１９に、共通端子２
３，２３′はメタライズパターン２０，２０′にそ
れぞれ取り付けられ、かつ各端子はメタライズパ
ターンと同一面上に配置されたフラツトタイプの
構造になつている。
斜視図である。第２図について説明すると、金属
放熱板１２の上に熱伝導の良い半導体チツプ搭載
用セラミツク磁器１３、熱伝導の悪い出力端子支
持用セラミツク磁器１４、熱伝導の悪い入力端子
支持用セラミツク磁器１５、熱伝導の悪い共通端
子支持用セラミツク磁器１６，１６′がそれぞれ
独立にかつ分離して取り付けられ、これら半導体
チツプ搭載用セラミツク磁器１３及び各端子支持
用セラミツク磁器１４，１５，１６，１６′の上
には、それぞれ全面にメタライズパターン１７，
１８，１９，２０，２０′が印刷されており、出
力端子２１は出力端子支持用セラミツク磁器１４
上のメタライズパターン１８を介して延長され半
導体チツプ搭載用セラミツク磁器１３上のメタラ
イズパターン１７に取り付けられ、また入力端子
２２がメタライズパターン１９に、共通端子２
３，２３′はメタライズパターン２０，２０′にそ
れぞれ取り付けられ、かつ各端子はメタライズパ
ターンと同一面上に配置されたフラツトタイプの
構造になつている。
そして従来の半導体容器と同様、半導体チツプ
２４が半導体チツプ搭載用セラミツク磁器１３上
のメタライズパターン１７の上にろう付けされ、
入力端子用ボンデイング線２５で半導体チツプ２
４と入力端子支持用セラミツク磁器１５上のメタ
ライズ１９とを接続し、共通端子用ボンデイング
線２６，２６′で半導体チツプ２４と共通端子支
持用セラミツク磁器１６，１６′上のメタライズ
２０，２０′とを接続して半導体装置をつくり上
げる。この際、出力端子２１だけはボンデイング
線で接続せずにそのまま延長して半導体チツプ搭
載用セラミツク磁器１３上のメタライズパターン
１７に接続したものである。
２４が半導体チツプ搭載用セラミツク磁器１３上
のメタライズパターン１７の上にろう付けされ、
入力端子用ボンデイング線２５で半導体チツプ２
４と入力端子支持用セラミツク磁器１５上のメタ
ライズ１９とを接続し、共通端子用ボンデイング
線２６，２６′で半導体チツプ２４と共通端子支
持用セラミツク磁器１６，１６′上のメタライズ
２０，２０′とを接続して半導体装置をつくり上
げる。この際、出力端子２１だけはボンデイング
線で接続せずにそのまま延長して半導体チツプ搭
載用セラミツク磁器１３上のメタライズパターン
１７に接続したものである。
以上説明したように本考案は、半導体チツプ２
４をろう付けするセラミツク磁器１３にのみ熱伝
導の良いセラミツク磁器を用いるため、半導体装
置の熱抵抗は悪くならない。また半導体容器を大
型化する場合でも、セラミツク磁器は半導体チツ
プ２４を搭載するセラミツク磁器１３のみを大き
くすればよいため、従来の半導体容器の様なセラ
ミツク磁器のクラツク事故も改善でき、より一層
の半導体容器の大型化を可能にする。
４をろう付けするセラミツク磁器１３にのみ熱伝
導の良いセラミツク磁器を用いるため、半導体装
置の熱抵抗は悪くならない。また半導体容器を大
型化する場合でも、セラミツク磁器は半導体チツ
プ２４を搭載するセラミツク磁器１３のみを大き
くすればよいため、従来の半導体容器の様なセラ
ミツク磁器のクラツク事故も改善でき、より一層
の半導体容器の大型化を可能にする。
また各セラミツク磁器１３，１４，１５，１
６，１６′の上のメタライズパターン１７，１
８，１９，２０，２０′の印刷は、セラミツク磁
器上の全面にするだけでよいため、全面にメタラ
イズパターンを印刷した大きなセラミツク磁器の
板を切断するだけでつくることができ、セラミツ
ク磁器の加工が非常に簡単になる。
６，１６′の上のメタライズパターン１７，１
８，１９，２０，２０′の印刷は、セラミツク磁
器上の全面にするだけでよいため、全面にメタラ
イズパターンを印刷した大きなセラミツク磁器の
板を切断するだけでつくることができ、セラミツ
ク磁器の加工が非常に簡単になる。
更にセラミツク磁器が半導体チツプ２４を搭載
するセラミツク磁器１３と各端子を支持するセラ
ミツク磁器１４，１５，１６，１６′とに分離し
ているため、各セラミツク磁器の間にはセラミツ
ク磁器よりも誘電率の小さい空気が介在すること
になり、半導体装置の高周波特性を向上させるこ
とができる。また従来の半導体容器の様な容器の
大型化による高周波特性の劣化も改善できる。
するセラミツク磁器１３と各端子を支持するセラ
ミツク磁器１４，１５，１６，１６′とに分離し
ているため、各セラミツク磁器の間にはセラミツ
ク磁器よりも誘電率の小さい空気が介在すること
になり、半導体装置の高周波特性を向上させるこ
とができる。また従来の半導体容器の様な容器の
大型化による高周波特性の劣化も改善できる。
第１図は従来の高周波用半導体容器の斜視図、
第２図は本考案による高周波用半導体容器の斜視
図である。 第１図において、１……金属放熱板、２……セ
ラミツク磁器、３……出力端子用メタライズ、４
……入力端子用メタライズ、５，５′……共通端
子用メタライズ、６……出力端子、７……入力端
子、８，８′……共通端子、９……半導体チツ
プ、１０……入力端子用ボンデイング線、１１，
１１′……共通端子用ボンデイグ線。 第２図において、１２……金属放熱板、１３…
…半導体チツプ搭載用セラミツク磁器、１４……
出力端子支持用セラミツク磁器、１５……入力端
子支持用セラミツク磁器、１６，１６′……共通
端子支持用セラミツク磁器、１７，１８，１９，
２０，２１′……メタライズパターン、２１……
出力端子、２２……入力端子、２３，２３′……
共通端子、２４……半導体チツプ、２５……入力
端子用ボンデイング線、２６，２６′……共通端
子用ボンデイング線。
第２図は本考案による高周波用半導体容器の斜視
図である。 第１図において、１……金属放熱板、２……セ
ラミツク磁器、３……出力端子用メタライズ、４
……入力端子用メタライズ、５，５′……共通端
子用メタライズ、６……出力端子、７……入力端
子、８，８′……共通端子、９……半導体チツ
プ、１０……入力端子用ボンデイング線、１１，
１１′……共通端子用ボンデイグ線。 第２図において、１２……金属放熱板、１３…
…半導体チツプ搭載用セラミツク磁器、１４……
出力端子支持用セラミツク磁器、１５……入力端
子支持用セラミツク磁器、１６，１６′……共通
端子支持用セラミツク磁器、１７，１８，１９，
２０，２１′……メタライズパターン、２１……
出力端子、２２……入力端子、２３，２３′……
共通端子、２４……半導体チツプ、２５……入力
端子用ボンデイング線、２６，２６′……共通端
子用ボンデイング線。
Claims (1)
- 金属放熱板上面の周辺部に複数個の外部導出用
リード端子取付用のセラミツク磁器が取り付けら
れ、また中央部には該セラミツク磁器よりも熱伝
導の良い半導体チツプ搭載用のセラミツク磁器が
取り付けられ、前記周辺部のセラミツク磁器上面
にそれぞれ取り付けられて外部に放射状に延びる
外部導出用リード端子のうちの１本は内部に延長
されて前記中央部のセラミツク磁器上面に接続さ
れていることを特徴とする半導体容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8981886U JPS6233328Y2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8981886U JPS6233328Y2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6245838U JPS6245838U (ja) | 1987-03-19 |
| JPS6233328Y2 true JPS6233328Y2 (ja) | 1987-08-26 |
Family
ID=30949140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8981886U Expired JPS6233328Y2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6233328Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0810474Y2 (ja) * | 1988-06-09 | 1996-03-29 | アイダエンジニアリング株式会社 | プレス操作装置 |
| JPH0222298U (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-14 |
-
1986
- 1986-06-12 JP JP8981886U patent/JPS6233328Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6245838U (ja) | 1987-03-19 |
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