JPS6130742B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6130742B2 JPS6130742B2 JP53035535A JP3553578A JPS6130742B2 JP S6130742 B2 JPS6130742 B2 JP S6130742B2 JP 53035535 A JP53035535 A JP 53035535A JP 3553578 A JP3553578 A JP 3553578A JP S6130742 B2 JPS6130742 B2 JP S6130742B2
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- heat dissipation
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- chip
- semiconductor chip
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Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置に関し、特に熱放散特性
が改善されたチツプキヤリヤ型半導体装置に関す
る。
が改善されたチツプキヤリヤ型半導体装置に関す
る。
従来提案されているチツプキヤリヤ型半導体装
置としては、第１図に示す如く、チツプキヤリヤ
をセラミツクで構成したものがある。
置としては、第１図に示す如く、チツプキヤリヤ
をセラミツクで構成したものがある。
第１図において、チツプキヤリヤはセラミツク
ベース１と、このベース１と一体焼結されたセラ
ミツク環７とからなつている。
ベース１と、このベース１と一体焼結されたセラ
ミツク環７とからなつている。
セラミツクベース１の中央窪み部２に、半導体
チツプ３が固定されており、セラミツクベース１
の窪み部周辺のベース表面には、メタライジング
によつて金属層４Ａ，４Ｂが形成されている。こ
の金属層４Ａ，４Ｂは、ベースの側面を通つてベ
ース裏面まで伸びている。半導体チツプ３の電極
と金属層４Ａ，４Ｂとは、ワイヤボンデイングに
よつてアルミニウム（Al）線６で結合され、電
気的に接続される。セラミツクベース１の窪み形
成側の主面には、セラミツク環７が一体焼結さ
れ、セラミツク環７の内側には、窪み部２を含ん
だ形でチツプキヤリヤの凹部が定められる。半導
体チツプ３を配置した窪み部２を含むチツプキヤ
リヤの凹部を封止するために、金属性の蓋８がセ
ラミツク環７に固着される。この金属性蓋８には
半導体チツプで発生する熱を外部に放散するため
に、放熱フイン９が取り付けられている。チツプ
キヤリヤは、プリンテツドサーキツトボード１０
上に配置され、セラミツクベース１の裏面に延長
した金属層４Ａ，４Ｂの端部がプリンテツドサー
キツトボート１０上の配線層１１Ａ，１１Ｂにそ
れぞれ接続されている。
チツプ３が固定されており、セラミツクベース１
の窪み部周辺のベース表面には、メタライジング
によつて金属層４Ａ，４Ｂが形成されている。こ
の金属層４Ａ，４Ｂは、ベースの側面を通つてベ
ース裏面まで伸びている。半導体チツプ３の電極
と金属層４Ａ，４Ｂとは、ワイヤボンデイングに
よつてアルミニウム（Al）線６で結合され、電
気的に接続される。セラミツクベース１の窪み形
成側の主面には、セラミツク環７が一体焼結さ
れ、セラミツク環７の内側には、窪み部２を含ん
だ形でチツプキヤリヤの凹部が定められる。半導
体チツプ３を配置した窪み部２を含むチツプキヤ
リヤの凹部を封止するために、金属性の蓋８がセ
ラミツク環７に固着される。この金属性蓋８には
半導体チツプで発生する熱を外部に放散するため
に、放熱フイン９が取り付けられている。チツプ
キヤリヤは、プリンテツドサーキツトボード１０
上に配置され、セラミツクベース１の裏面に延長
した金属層４Ａ，４Ｂの端部がプリンテツドサー
キツトボート１０上の配線層１１Ａ，１１Ｂにそ
れぞれ接続されている。
ところで、第１図に示され且つ上記された従来
のチツプキヤリヤは、発熱源である半導体チツプ
３と放熱フイン９との間の熱伝達系路が長いため
に、放熱効果が悪いという欠点がある。
のチツプキヤリヤは、発熱源である半導体チツプ
３と放熱フイン９との間の熱伝達系路が長いため
に、放熱効果が悪いという欠点がある。
そこで、本発明の目的は、放熱効果が改善され
たチツプキヤリヤ型半導体装置を提供するにあ
る。
たチツプキヤリヤ型半導体装置を提供するにあ
る。
本発明は、従来のチツプキヤリヤ型半導体装置
において、放熱効果が悪いのは、半導体チツプと
放熱フインとの間の熱伝達距離が長いことに起因
していることに鑑み、放熱フインをセラミツクベ
ースの裏面に取付け、半導体チツプで発生する熱
を効果的に放散させるようにしたものである。
において、放熱効果が悪いのは、半導体チツプと
放熱フインとの間の熱伝達距離が長いことに起因
していることに鑑み、放熱フインをセラミツクベ
ースの裏面に取付け、半導体チツプで発生する熱
を効果的に放散させるようにしたものである。
以下、本発明の実施例を第２図に基づき説明す
る。第２図において第１図におけると同一符号は
同一部分を示す。セラミツクベース１の表面中央
窪み部２内に半導体チツプ３が固着され、窪み部
２周辺のベース１の表面には金属層４Ａ，４Ｂが
設けられ、それらが半導体チツプの電極とアルミ
ニウム（Al）線６によつて、電気的に接続され
ている。セラミツクベース１の窪み形成側の主面
にセラミツク環７が一体焼結され、その固着面に
沿つて金属層４Ａ，４Ｂがセラミツク環７の側面
から裏面にのびるようになつている。金属蓋８
は、半導体チツプをセラミツク製チツプキヤリヤ
の凹部内に封止すべくセラミツク環７に固着され
る。プリンテツドサーキツトボード１０上におい
て、チツプキヤリヤの金属蓋側の主面にある金属
層４Ａ，４Ｂの端部が配線層１１Ａ，１１Ｂにそ
れぞれ接続される。放熱フイン９は、セラミツク
ベース１の裏面に取付けられる。このようにベー
ス裏面に放熱フイン９を取り付けることが、本発
明の主要な特徴の１つである。このような特徴に
よれば、放熱フイン９が半導体チツプ３に近いた
め、放熱効果は大幅に改善され、本実施例では、
チツプキヤリヤの熱抵抗を約50％低減することが
できた。
る。第２図において第１図におけると同一符号は
同一部分を示す。セラミツクベース１の表面中央
窪み部２内に半導体チツプ３が固着され、窪み部
２周辺のベース１の表面には金属層４Ａ，４Ｂが
設けられ、それらが半導体チツプの電極とアルミ
ニウム（Al）線６によつて、電気的に接続され
ている。セラミツクベース１の窪み形成側の主面
にセラミツク環７が一体焼結され、その固着面に
沿つて金属層４Ａ，４Ｂがセラミツク環７の側面
から裏面にのびるようになつている。金属蓋８
は、半導体チツプをセラミツク製チツプキヤリヤ
の凹部内に封止すべくセラミツク環７に固着され
る。プリンテツドサーキツトボード１０上におい
て、チツプキヤリヤの金属蓋側の主面にある金属
層４Ａ，４Ｂの端部が配線層１１Ａ，１１Ｂにそ
れぞれ接続される。放熱フイン９は、セラミツク
ベース１の裏面に取付けられる。このようにベー
ス裏面に放熱フイン９を取り付けることが、本発
明の主要な特徴の１つである。このような特徴に
よれば、放熱フイン９が半導体チツプ３に近いた
め、放熱効果は大幅に改善され、本実施例では、
チツプキヤリヤの熱抵抗を約50％低減することが
できた。
第１図は従来の半導体装置の断面図、第２図は
本発明の一実施例による半導体装置の断面図であ
る。 １……セラミツク、３……半導体チツプ、４
Ａ，４Ｂ……金属層、８……蓋、９……放熱フイ
ン、１０……プリンテツドサーキツトボード。
本発明の一実施例による半導体装置の断面図であ
る。 １……セラミツク、３……半導体チツプ、４
Ａ，４Ｂ……金属層、８……蓋、９……放熱フイ
ン、１０……プリンテツドサーキツトボード。
Claims (1)
- １ 表面に選択的にメタライジングによつて形成
された複数の第１の配線層を有する第１のセラミ
ツク部と、前記複数の第１の配線層によつて囲ま
れる位置に固定された半導体チツプと、前記複数
の配線層と半導体チツプとを電気的に接続するワ
イヤと、前記第１の配線層上を覆う第２のセラミ
ツク部と、前記複数の第１の配線層に接続し前記
第２のセラミツク部の側面を通り前記第２のセラ
ミツク部の表面まで延在するメタライジングによ
つて形成された複数の第２の配線層と、前記ワイ
ヤが接続される前記半導体チツプ表面側とは反対
側に設けられた放熱手段とを有することを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3553578A JPS54128277A (en) | 1978-03-29 | 1978-03-29 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3553578A JPS54128277A (en) | 1978-03-29 | 1978-03-29 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54128277A JPS54128277A (en) | 1979-10-04 |
| JPS6130742B2 true JPS6130742B2 (ja) | 1986-07-15 |
Family
ID=12444418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3553578A Granted JPS54128277A (en) | 1978-03-29 | 1978-03-29 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54128277A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4338621A (en) * | 1980-02-04 | 1982-07-06 | Burroughs Corporation | Hermetic integrated circuit package for high density high power applications |
| JPS57126153A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-05 | Nec Corp | Multichip lsi package |
| JPS57155749A (en) * | 1981-03-21 | 1982-09-25 | Nec Corp | Chip carrier structure |
| JPS57155750A (en) * | 1981-03-21 | 1982-09-25 | Nec Corp | Chip carrier structure |
| JPS6027433U (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-25 | 松下電工株式会社 | 電子部品の実装構造 |
| JPS6078141U (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-31 | 松下電工株式会社 | 電子部品の実装構造 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50120266A (ja) * | 1974-03-06 | 1975-09-20 | ||
| JPS5321002U (ja) * | 1976-08-02 | 1978-02-22 | ||
| JPS5321002B2 (ja) * | 1973-02-19 | 1978-06-30 | ||
| JPS595977A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | Ｐｐｉ掃引信号発生方式 |
| JPS595977U (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-14 | 菅原 通明 | 児童用室内土俵 |
-
1978
- 1978-03-29 JP JP3553578A patent/JPS54128277A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5321002B2 (ja) * | 1973-02-19 | 1978-06-30 | ||
| JPS50120266A (ja) * | 1974-03-06 | 1975-09-20 | ||
| JPS5321002U (ja) * | 1976-08-02 | 1978-02-22 | ||
| JPS595977A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | Ｐｐｉ掃引信号発生方式 |
| JPS595977U (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-14 | 菅原 通明 | 児童用室内土俵 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54128277A (en) | 1979-10-04 |
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