JPS6025243A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6025243A
JPS6025243A JP58134029A JP13402983A JPS6025243A JP S6025243 A JPS6025243 A JP S6025243A JP 58134029 A JP58134029 A JP 58134029A JP 13402983 A JP13402983 A JP 13402983A JP S6025243 A JPS6025243 A JP S6025243A
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JP
Japan
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semiconductor
semiconductor chip
chip
electrodes
vessel
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JP58134029A
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Tadashi Tachibana
立花 董
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 +a) 発明の技術分野 本発明は半導体装置のうち、特にボンディングワイヤ配
線構造に関する。
fbl 従来技術と問題点 半導体集積回路(IC)は高度に集積化され、また半導
体チップは高密度化されている。このような高集積化傾
向は回路の高速動作に適うものであるから、今後益々進
行する方向にあることは疑う余地がない。
従って、半導体チップは外形寸法が余り大きくならずに
、内臓する回路が増加することになる。
且つ、半導体容器6収容可能な出来るだけ小さし)容器
に取りつける方が配線が短(なってICの特性向上に寄
与する。
第1図は従来のICの一実施例の組立平面図で、D I
 P2O(16本の外部リード端子を有するデュアルイ
ンライン)型パッケージに組み込んだ例を示している。
1は半導体チップ10上の接続バンド。
2は半導体容器20上の接続電極で、ボンディングワイ
ヤ3は接続バンド1と接続電極2とをボンディング(繋
ぐ)しており、21は外部リード端子である。一般にボ
ンディングワイヤ3は直径20〜30μmのアルミニウ
ム線又は金線が用いられる。
このようなICパッケージにおいて、外部リード端子間
の間隔R3は規格化されており、例えば間隔R5は30
0m1l、 400m1l、 600m11等と決めら
れている。そのために、高集積化して半導体チップが少
し大きくなると半導体チップ100面積の増加率以上に
大きなICパッケージに収納されることにもなる。従っ
て、従来はこれを勘案し、時には第2図に示すように半
導体チップを横方向に細長い形状にして、横方向の両側
にのみ半導体チップ1o上の接続パッド1と半導体容器
2o上の接続電極2とを設け、両者をボンディングワイ
ヤ3で接続する構造にしている。しかし、このような方
式にも限界があり、余り細長い半導体チップ1oを作成
するとICパッケージのソリなどが原因してチップとパ
ンケージとの接着が悪くなる問題が起こる。また、半導
体チップ内の配線パターンが長くなることも欠点である
(C1発明の目的 本発明の目的は、このような問題点を解消させる構造の
半導体装置を提案するものである。
+d+ 発明の構成 その目的は、半導体チップを収容する半導体容器の四部
側壁にボンディングワイヤ接続用の電極を有し、半導体
チップ上に設けられた電極パッドと前記接続電極との間
をボンディングワイヤで接続してなる半導体装置によっ
て達成される。
tel 発明の実施例 以下2図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第3図は本発明にかかる一実施例の組立平面図を示して
おり、第4図はそのAA断面図、第5図はそのBB断面
図である。
図示のように半導体容器20の内部に形成した接続電極
のうち、容器の横方向(長さの長い方向)の接続電極2
は従来と同じく半導体チップ10の面に平行に形成した
電極である。しかし、容器の縦方向(長さの短い方向)
の接続電極12は半導体チップの面に対して垂直に形成
した電極、換云すればこの電極は半導体容器の凹部の側
壁に設けられる。このようにすれば、半導体容器のチッ
プ接着面を縦方向に出来るだけ広(設けることができる
から、細長い半導体チップに形成する必要がなく、正方
形に近い方形のチップに形成できる。而も、半導体チッ
プlOの全周囲に接続パッド1を設けることができて、
ボンディングワイヤが短くなる上に、半導体チップ内の
配線をも短縮することが可能になる。かくすれば、回路
動作の高速化などXC特性の向上に役立つ。
このような接続電極は半導体セラミック容器を作成する
際にメタライズペーストを塗布し、グリーンシートと同
時に焼成するのみであるから、接続電極12を有する半
導体容器の作成は容易である。
しかし、ワイヤをボンディングする組立作業は従来とは
異なる方法が用いられる。例えばボンディングツールを
90”回転させる法、あるいは半導体容器を直角に回転
させてボンディングツールを上下運動だけにする法によ
って対処させる。
上記は半導体容器の縦方向にのみ本発明にかかる接続電
極12を形成した例であるが、半導体容器のすべての接
続電極を本発明にかかる接続電極12としてもよい。そ
の場合は更に小型の半導体容器を使用することができる
(fl 発明の効果 以上の実施例から明らかなように、本発明によればIC
は小型化した半導体容器に封入されて、ICの性能を一
層向上することができるものである。 。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は従来の半導体装置の組立平面図、
第3図は本発明にがかる一実施例の組立平面図、第4図
はそのAA断面図、第5図はそのBB断面図である。 図中、1は電極パッド、2は接続電極、3はボンディン
グワイヤ、10は半導体チップ、12は本発明にかかる
接続電極、20は半導体容器、21は外部リード端子を
示している。 第1図 第12図 第3図 第 4図 第5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップを収容する半導体容器の凹部側壁にボンデ
    ィングワイヤ接続用の電極を有し、半導体チップ上に設
    けられた電極バンドと前記接続電極との間をボンディン
    グワイヤで接続してなることを特徴とする半導体装置。
JP58134029A 1983-07-21 1983-07-21 半導体装置 Pending JPS6025243A (ja)

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JP58134029A JPS6025243A (ja) 1983-07-21 1983-07-21 半導体装置

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JP58134029A JPS6025243A (ja) 1983-07-21 1983-07-21 半導体装置

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JPS6025243A true JPS6025243A (ja) 1985-02-08

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ID=15118708

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JP58134029A Pending JPS6025243A (ja) 1983-07-21 1983-07-21 半導体装置

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