JPH07307420A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH07307420A
JPH07307420A JP6124624A JP12462494A JPH07307420A JP H07307420 A JPH07307420 A JP H07307420A JP 6124624 A JP6124624 A JP 6124624A JP 12462494 A JP12462494 A JP 12462494A JP H07307420 A JPH07307420 A JP H07307420A
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JP
Japan
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lead
semiconductor device
heat spreader
dielectric film
seal plate
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JP6124624A
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English (en)
Inventor
Fumio Miyagawa
文雄 宮川
Takaharu Miyamoto
隆春 宮本
Toshiichi Takenouchi
敏一 竹之内
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Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
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Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高周波用の半導体チップを高熱放散性の簡便
なパッケージに収容してなる汎用タイプの半導体装置を
得る。 【構成】 高熱放散性のヒートスプレッダー１０上に半
導体チップ２０をマウントする。半導体チップ２０周囲
のヒートスプレッダー１０上には、複数本のリード３０
を第１誘電体フィルム４０を介して並べて接合する。複
数本のリード３０上には、半導体チップ２０の上方を覆
うメタル材からなるキャップ６０を第２誘電体フィルム
５０を介して接合する。そして、半導体チップ２０をヒ
ートスプレッダー１０と第１誘電体フィルム４０、第２
誘電体フィルム５０とキャップ６０との内側に気密に封
入する。それと共に、キャップ６０とヒートスプレッダ
ー１０との間に挿通したストリップ伝送線路構造をした
信号線路用のリード３０の特性インピーダンスを５０Ω
等にマッチングさせる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波用の半導体チッ
プを収容してなる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記半導体装置は、従来一般に、セラミ
ックパッケージに半導体チップを収容している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記セ
ラミックパッケージは、その製造に多大な手数を要し、
高価なものである。それに対して、近時の高周波用の半
導体チップは、その製造技術が進歩したために、安価な
ものとなっている。そのため、セラミックパッケージに
半導体チップを収容してなる半導体装置は、半導体チッ
プに比べて、高価なものとなってしまい、一般に汎用さ
れる電子機器用の半導体装置には、用い難かった。
【０００４】それと共に、近時の半導体チップは、高集
積化が一段と進んで、高熱を発するため、熱放散性の良
いパッケージに収納する必要がある。
【０００５】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たもので、近時の高集積化が進んだ安価な半導体チップ
を高熱放散性の簡便なパッケージに収容してなる安価な
汎用タイプの半導体装置を提供することを目的としてい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体装置は、メタル材からなるヒートス
プレッダー上に半導体チップをマウントして、その半導
体チップ周囲の前記ヒートスプレッダー上に複数本のリ
ードを第１誘電体フィルムを介して並べて接合すると共
に、前記複数本のリード上に前記半導体チップの上方を
覆うメタル材からなるキャップを第２誘電体フィルムを
介して接合してなることを特徴としている。
【０００７】本発明の半導体装置においては、キャップ
と第２誘電体フィルムとの間に、メタル材からなるシー
ル板を介在させても良い。
【０００８】本発明の半導体装置においては、ヒートス
プレッダーをグランド線路用のリードに電気的に接続す
ることが好ましく、その際には、ヒートスプレッダーを
グランド線路用のリードに前記ヒートスプレッダー又は
グランド線路用のリードから延出したメタル材からなる
サブリードを介して電気的に接続することを好適として
いる。
【０００９】また、本発明の半導体装置においては、キ
ャップをグランド線路用のリードに電気的に接続するこ
とが好ましく、その際には、キャップをグランド線路用
のリードに前記キャップから延出したメタル材からなる
サブリードを介して電気的に接続することを好適として
いる。
【００１０】また、キャップと第２誘電体フィルムとの
間にシール板を介在させた本発明の半導体装置において
は、シール板をグランド線路用のリードに電気的に接続
することが好ましく、その際には、シール板をグランド
線路用のリードに前記シール板から延出したメタル材か
らなるサブリードを介して電気的に接続することを好適
としている。
【００１１】また、キャップと第２誘電体フィルムとの
間にシール板を介在させた本発明の半導体装置において
は、シール板とヒートスプレッダーとを電気的に接続す
ることが好ましく、その際には、シール板とヒートスプ
レッダーとを前記シール板から延出したメタル材からな
るサブリードを介して電気的に接続したり、シール板と
ヒートスプレッダーとを前記シール板から延出したメタ
ル材からなるサブリードとそのサブリードに接続したワ
イヤとを介して電気的に接続したりすることを好適とし
ている。
【００１２】
【作用】本発明の半導体装置においては、ヒートスプレ
ッダー上にマウントした半導体チップの周囲とその上方
とを、第１誘電体フィルム、第２誘電体フィルムとキャ
ップ又はそれに加えてシール板とで覆って、それらのヒ
ートスプレッダーと第１誘電体フィルム、第２誘電体フ
ィルムとキャップ又はそれに加えてシール板の内側に半
導体チップを気密に封入できる。
【００１３】また、ヒートスプレッダー上にマウントし
た半導体チップが発する熱をヒートスプレッダーを通し
て半導体装置外部に効率良く迅速に放散できる。
【００１４】また、信号線路用のリードの上方にメタル
材からなるキャップ又はシール板を第２誘電体フィルム
を介して配置すると共に、信号線路用のリードの下方に
メタル材からなるヒートスプレッダーを第１誘電体フィ
ルムを介して配置して、信号線路用のリードをストリッ
プ伝送線路に形成し、そのリードの特性インピーダンス
を５０Ω等にマッチングさせることができる。
【００１５】また、キャップと第２誘電体フィルムとの
間に、メタル材からなるシール板を介在させた本発明の
半導体装置にあっては、キャップに代えて、シール板を
用いてシール板下方の信号線路用のリードをストリップ
伝送線路に的確に形成して、そのリードの特性インピー
ダンスを５０Ω等に正確にマッチングさせることができ
る。それと共に、シール板を介して第２誘電体フィルム
上にキャップを確実に気密に接合できる。
【００１６】また、ヒートスプレッダーをグランド線路
用のリードに電気的に接続したり、キャップ又はシール
板をグランド線路用のリードに電気的に接続したりした
本発明の半導体装置にあっては、ヒートスプレッダーを
グランド線路用のリードを介して接地したり、キャップ
又はシール板をグランド線路用のリードを介して接地し
たりして、ヒートスプレッダーとキャップ又はシール板
との間に挿通したストリップ伝送線路構造をした信号線
路用のリードの特性インピーダンスを５０Ω等に正確に
マッチングさせることができる。
【００１７】また、シール板とヒートスプレッダーとを
電気的に接続した本発明の半導体装置にあっては、シー
ル板とヒートスプレッダーとを同一電位に保持して、シ
ール板とヒートスプレッダーとの間に挿通したストリッ
プ伝送線路構造をした信号線路用のリードの特性インピ
ーダンスを５０Ω等に正確にマッチングさせることがで
きる。
【００１８】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に従い説明す
る。図１と図２は本発明の半導体装置の好適な実施例を
示し、図１はその正面断面図、図２はその一部破断平面
図である。以下に、この半導体装置を説明する。
【００１９】図の半導体装置では、高熱放散性のＣｕ等
のメタル材からなるほぼ方形板状のヒートスプレッダー
１０の中央部上に、高周波用の半導体チップ２０をマウ
ントしている。
【００２０】半導体チップ２０周囲のヒートスプレッダ
ー１０上には、Ｆｅ、Ｃｕ等からなる複数本の細帯状の
リード３０を、方形枠体状をしたポリイミドフィルム等
からなる第１誘電体フィルム４０を介して、ほぼ放射状
に並べて接合している。具体的には、第１誘電体フィル
ム４０下面をヒートスプレッダー１０上面に接着剤を用
いて接合していると共に、第１誘電体フィルム４０上面
に複数本のリード３０下面を接着剤を用いて接合してい
る。
【００２１】複数本のリード３０上には、半導体チップ
２０の上方を覆うＣｕ等のメタル材からなる方形平板状
のキャップ６０を、方形枠体状をしたポリイミドフィル
ム等からなる第２誘電体フィルム５０を介して、接合し
ている。具体的には、第２誘電体フィルム５０下面を複
数本のリード３０上面とそれらの間に露出した第１誘電
体フィルム５０上面とに接着剤を用いて接合していると
共に、第２誘電体フィルム５０上面にキャップ６０下面
の周囲を接着剤を用いて接合している。
【００２２】第２誘電体フィルム５０は、第１誘電体フ
ィルム４０に比べて、細幅に形成していて、第２誘電体
フィルム５０の内側に第１誘電体フィルム４０上面に接
合したリード３０の内端を露出させている。そして、そ
のリード３０の内端に半導体チップ２０の電極（図示せ
ず）をワイヤ７０を介して電気的に接続している。そし
て、半導体チップ２０の電極をリード３０を介して半導
体装置外部の電子機器の接続端子（図示せず）に電気的
に接続できるようにしている。
【００２３】図１と図２に示した半導体装置は以上のよ
うに構成していて、この半導体装置においては、ヒート
スプレッダー１０上にマウントした半導体チップ２０の
周囲とその上方とを第１誘電体フィルム４０、第２誘電
体フィルム５０とキャップ６０とで覆って、それらの第
１誘電体フィルム４０、第２誘電体フィルム５０とキャ
ップ６０とヒートスプレッダー１０との内側に半導体チ
ップ２０を気密に封入している。それと共に、信号線路
用のリード３０の上方にメタル材からなるキャップ６０
を第２誘電体フィルム５０を介して配置すると共に、信
号線路用のリード３０の下方にメタル材からなるヒート
スプレッダー１０を第１誘電体フィルム４０を介して配
置して、信号線路用のリード３０をストリップ伝送線路
に形成し、そのリード３０の特性インピーダンスを５０
Ω等にマッチングさせている。さらに、半導体チップ２
０が発する熱をヒートスプレッダー１０を通して半導体
装置外部に効率良く放散できるようにしている。
【００２４】図３と図４は本発明の半導体装置の他の好
適な実施例を示し、図３はその正面正面断面図、図４は
その一部破断平面図である。以下に、この半導体装置を
説明する。
【００２５】図の半導体装置では、キャップ６０と第２
誘電体フィルム５０との間に、Ｃｕ等のメタル材からな
る方形枠体状をしたシール板８０を介在させている。具
体的には、第２誘電体フィルム５０上面にシール板８０
下面を接着剤を用いて接合していると共に、シール板８
０上面にキャップ６０下面の周囲を接着剤を用いて接合
している。このキャップ６０下面をシール板８０上面に
接合する接着剤には、熱可塑性の接着剤を用いている。
それに対して、ヒートスプレッダー１０上面に第１誘電
体フィルム４０下面を接合する接着剤や第１誘電体フィ
ルム４０上面にリード３０下面や第２誘電体フィルム５
０下面を接合する接着剤には、熱硬化性の接着剤を用い
ている。そして、キャップ６０下面の周囲をシール板８
０上面に高温な雰囲気中で上記熱可塑性の接着剤を用い
て接合した際に、それ以前に上記熱硬化性の接着剤を用
いて接合したヒートスプレッダー１０と第１誘電体フィ
ルム４０との間や第１誘電体フィルム４０とリード３０
や第２誘電体フィルム５０との間が剥離するのを防いで
いる。
【００２６】図３と図４に示した半導体装置は、以上の
ように構成していて、この半導体装置においては、シー
ル板８０とその下方のヒートスプレッダー１０とを用い
てそれらの間に挿通した信号線路用のリード３０をスト
リップ伝送線路に的確に形成して、そのリード３０の特
性インピーダンスを５０Ω等に正確にマッチングさせて
いる。それと共に、シール板８０を介して第２誘電体フ
ィルム５０上面にキャップ６０下面の周囲を確実に気密
に接合している。
【００２７】なお、図３と図４に示した半導体装置にお
いては、キャップ６０下面をシール板８０上面にはんだ
付け、シーム溶接等の溶接により接合しても良く、その
ようにしても、上述半導体装置と同様な作用を有する半
導体装置を形成できる。
【００２８】図５ないし図８は本発明の半導体装置のも
う一つの好適な実施例を示し、図５はその一部底面図、
図６は図５のＡ−Ａ断面図、図７はそのヒートスプレッ
ダーの一部平面図、図８はその第１誘電体フィルムの一
部平面図である。以下に、この半導体装置を説明する。
【００２９】図の半導体装置では、図５と図６に示した
ように、ヒートスプレッダー１０からサブリード１２を
延出して、そのサブリード１２先端をグランド線路用の
リード３０に電気的に接続している。そして、ヒートス
プレッダー１０をグランド線路用のリード３０を介して
接地できるようにしている。
【００３０】具体的には、図７に示したように、グラン
ド線路用のリード３０直下に位置するヒートスプレッダ
ー１０部分をコの字状にカットして、そのコの字状にカ
ットしたヒートスプレッダー１０の内側部分に細帯状の
サブリード１２であって、その後端をヒートスプレッダ
ー１０に連ねたメタル材からなるサブリード１２をヒー
トスプレッダー１０の一部を用いて形成している。サブ
リード１２は、ヒートスプレッダー１０の端部又はその
中途部（図では、中途部としている）に形成している。
【００３１】サブリード１２直上の第１誘電体フィルム
４０部分には、図８に示したように、長穴４２を開口し
ている。そして、その長穴４２内方にサブリード１２を
折曲させて、サブリード１２先端を長穴４２を通して長
穴４２内側に露出したグランド線路用のリード３０下面
にはんだ付け、溶接、導電性接着剤等により接続してい
る。
【００３２】この図５ないし図８に示した半導体装置の
その他の構成並びにその作用は、前述図３と図４に示し
た半導体装置と同様であって、この半導体装置は、前述
図１と図２に示した半導体装置にも利用可能である。
【００３３】図９は本発明の半導体装置のさらにもう一
つの好適な実施例を示し、詳しくはその正面断面図を示
している。以下に、この半導体装置を説明する。
【００３４】図の半導体装置では、グランド線路用のリ
ード３０先端からサブリード３２を延出して、そのサブ
リード３２先端をヒートスプレッダー１０に電気的に接
続している。そして、ヒートスプレッダー１０をグラン
ド線路用のリード３０を介して接地できるようにしてい
る。
【００３５】具体的には、グランド線路用のリード３０
先端から延出したメタル材からなるサブリード３２をヒ
ートスプレッダー１０上にマウントした半導体チップ２
０側面とそれに対向する第１誘電体フィルム４０内側面
との間の空隙９０内方に折曲させて、サブリード３２先
端を空隙９０内側に露出したヒートスプレッダー１０部
分にはんだ付け、溶接、導電性接着剤等により接続して
いる。
【００３６】この図９に示した半導体装置のその他の構
成並びにその作用は、前述図３と図４に示した半導体装
置と同様であって、この半導体装置は、前述図１と図２
に示した半導体装置にも利用可能である。
【００３７】図１０ないし図１３は本発明の半導体装置
の他の好適な実施例を示し、図１０はその一部平面図、
図１１は図１０のＢ−Ｂ断面図、図１２はそのキャップ
の一部平面図、図１３はその第２誘電体フィルムの一部
平面図である。以下に、この半導体装置を説明する。
【００３８】図の半導体装置では、図１０と図１１に示
したように、キャップ６０からサブリード６２を延出し
て、そのサブリード６２先端をグランド線路用のリード
３０に電気的に接続している。そして、キャップ６０を
グランド線路用のリード３０を介して接地できるように
している。
【００３９】具体的には、図１２に示したように、グラ
ンド線路用のリード３０直上に位置するキャップ６０部
分をコの字状にカットして、そのコの字状にカットした
キャップ６０の内側部分にメタル材からなる細帯状のサ
ブリード６２であって、その後端をキャップ６０に連ね
たサブリード６２をキャップ６０の一部を用いて形成し
ている。サブリード６２は、キャップ６０の端部又はそ
の中途部（図では、中途部としている）に形成してい
る。
【００４０】サブリード６２直下の第２誘電体フィルム
５０部分には、図１３に示したように、長穴５２を開口
している。そして、その長穴５２内方にサブリード６２
を折曲させて、サブリード６２先端を長穴５２を通して
長穴５２内側に露出したグランド線路用のリード３０上
面にはんだ付け、溶接、導電性接着剤等により接続して
いる。
【００４１】この図１０ないし図１３に示した半導体装
置のその他の構成並びにその作用は、前述図１と図２に
示した半導体装置と同様であって、この半導体装置は、
前述図３と図４に示した半導体装置にも利用可能であ
る。
【００４２】図１４ないし図１８は本発明の半導体装置
のもう一つの好適な実施例を示し、図１４はそのキャッ
プを取り除いた一部平面図、図１５は図１４のＣ−Ｃ断
面図、図１６はそのシール板の一部平面図、図１７と図
１８はその第２誘電体フィルムの一部平面図である。以
下に、この半導体装置を説明する。
【００４３】図の半導体装置では、図１４と図１５に示
したように、シール板８０からサブリード８２を延出し
て、そのサブリード８２先端をグランド線路用のリード
３０に電気的に接続している。そして、シール板８０を
グランド線路用のリード３０を介して接地できるように
している。
【００４４】具体的には、図１６に示したように、グラ
ンド線路用のリード３０直上に位置するシール板８０部
分をコの字状にカットして、そのコの字状にカットした
シール板８０の内側部分にメタル材からなる細帯状のサ
ブリード８２であって、その後端をシール板８０に連ね
たサブリード８２をシール板８０の一部を用いて形成し
ている。サブリード８２は、シール板８０の中途部又は
その端部（図では、端部としている）に形成している。
【００４５】サブリード８２直下の第２誘電体フィルム
５０部分には、図１７に示したような外端を切欠いた長
穴５２、又は図１８に示したような切欠きのない長穴５
２を開口している。そして、その長穴５２内方にサブリ
ード８２を折曲させて、サブリード８２先端を長穴５２
を通して長穴５２内側に露出したグランド線路用のリー
ド３０上面にはんだ付け、溶接、導電性接着剤等により
接続している。
【００４６】この図１４ないし図１８に示した半導体装
置のその他の構成並びにその作用は、前述図３と図４に
示した半導体装置と同様である。
【００４７】なお、図１４ないし図１８に示した半導体
装置においては、キャップ６０下面をシール板８０上面
にはんだ付け、シーム溶接等の溶接により接合しても良
く、そのようにした場合には、キャップ６０をシール板
８０、サブリード８２及びグランド線路用のリード３０
を介して接地できて都合が良い。
【００４８】図１９と図２０は本発明の半導体装置のも
う一つの好適な実施例を示し、図１９はそのキャップを
取り除いた一部平面図、図２０は図１９のＤ−Ｄ断面図
である。以下に、この半導体装置を説明する。
【００４９】図の半導体装置では、シール板８０からサ
ブリード８２を延出して、そのサブリード８２先端をヒ
ートスプレッダー１０に電気的に接続している。そし
て、シール板８０とヒートスプレッダー１０とを同一電
位に保持できるようにしている。それと共に、半導体チ
ップ２０のグランド電極をヒートスプレッダー１０とグ
ランド線路用のリード３０とにワイヤ７０を介してそれ
ぞれ電気的に接続して、シール板８０とヒートスプレッ
ダー１０とをグランド線路用のリード３０を介してそれ
ぞれ接地できるようにしている。
【００５０】具体的には、シール板８０の内端にメタル
材からなる細帯状のサブリード８２を延出して、そのサ
ブリード８２をヒートスプレッダー１０にマウントした
半導体チップ２０側面とそれに対向する第１誘電体フィ
ルム４０内側面との間の空隙９０内方に折曲させてい
る。そして、サブリード８２先端を空隙９０内側に露出
したヒートスプレッダー１０部分にはんだ付け、溶接、
導電性接着剤等により接続している。それと共に、半導
体チップ２０のグランド電極を上記空隙９０内側に露出
したヒートスプレッダー１０部分とグランド線路用のリ
ード３０の内端とにワイヤ７０を介してそれぞれ電気的
に接続している。
【００５１】この図１９と図２０に示した半導体装置の
その他の構成並びにその作用は、前述図３と図４に示し
た半導体装置と同様である。
【００５２】図２１は本発明の半導体装置のさらにもう
一つの好適な実施例を示し、詳しくはそのキャップを取
り除いた一部平面図である。以下に、この半導体装置を
説明する。
【００５３】図の半導体装置では、シール板８０からサ
ブリード８２を延出して、そのサブリード８２先端を半
導体チップ２０のグランド電極にワイヤ７０を介して電
気的に接続している。半導体チップ２０のグランド電極
は、グランド線路用のリード３０とヒートスプレッダー
１０とにワイヤ７０を介してそれぞれ電気的に接続して
いる。そして、シール板８０とヒートスプレッダー１０
とを同一電位に保持できるようにしている。それと共
に、シール板８０とヒートスプレッダー１０とをグラン
ド線路用のリード３０を介してそれぞれ接地できるよう
にしている。
【００５４】具体的には、シール板８０の内端にメタル
材からなる細帯状のサブリード８２を延出して、そのサ
ブリード８２を第２誘電体フィルム５０内側に折曲させ
て、サブリード８２先端を第２誘電体フィルム５０内側
に露出した第１誘電体フィルム４０上面に搭載してい
る。サブリード８２先端は、半導体チップ２０のグラン
ド電極にワイヤ７０を介して電気的に接続している。半
導体チップ２０のグランド電極は、半導体チップ２０側
面とそれに対向する第１誘電体フィルム４０内側面との
間の空隙９０内側に露出したヒートスプレッダー１０部
分とグランド線路用のリード３０の内端とにワイヤ７０
を介してそれぞれ電気的に接続している。
【００５５】この図２１に示した半導体装置のその他の
構成並びにその作用は、前述図３と図４に示した半導体
装置と同様である。
【００５６】なお、図１９と図２０又は図２１に示した
半導体装置においては、ワイヤ７０に代えて、図５ない
し図８に示したように、ヒートスプレッダー１０から延
出したサブリード１２をグランド線路用のリード３０に
電気的に接続したり、図９に示したように、グランド線
路用のリード３０から延出したサブリード３２をヒート
スプレッダー１０に電気的に接続したり、図１４と図１
５に示したように、シール板８０から延出したサブリー
ド８２をグランド線路用のリード３０に電気的に接続し
たりして、ヒートスプレッダー１０やシール板８０をグ
ランド線路用のリード３０を介して接地できるようにし
ても良く、そのようにしても、上述図１９と図２０又は
図２１に示した半導体装置と同様な作用を持つ半導体装
置を形成できる。
【００５７】また、図５と図６、図９、図１０と図１
１、図１４と図１５、図１９と図２０、図２１にそれぞ
れ示した半導体装置においては、キャップ６０やシール
板８０やヒートスプレッダー１０をそれらの外端から延
出したサブリード（図示せず）又はワイヤ（図示せず）
等を介して第１誘電体フィルム４０や第２誘電体フィル
ム５０外方に突出したグランド線路用のリード３０中途
部に電気的に接続して、キャップ６０やシール板８０や
ヒートスプレッダー１０をグランド線路用のリード３０
を介して接地できるようにしても良く、そのようにして
も、上述半導体装置と同様な作用を持つ半導体装置を形
成できる。
【００５８】また、図１と図２、図３と図４等にそれぞ
れ示した半導体装置においては、図２や図４に示したよ
うに、キャップ６０に細孔６４を多数設けたり、シール
板８０に細孔８４を多数設けたり、ヒートスプレッダー
１０に細孔（図示せず）を多数設けたりして、それらの
細孔６４又は８４にキャップ６０やシール板８０やヒー
トスプレッダー１０接合用の接着剤の一部を食い込ませ
ることにより、キャップ６０下面やシール板８０下面を
第２誘電体フィルム５０上面に強固に接合できるように
したり、キャップ６０下面をシール板８０上面に強固に
接合できるようにしたり、ヒートスプレッダー１０上面
を第１誘電体フィルム４０下面に強固に接合できるよう
にしたりしても良い。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置によれば、ヒートスプレッダーと複数本のリードと第
１誘電体フィルム、第２誘電体フィルムとキャップ又は
それに加えてシール板とからなる製造容易で簡便なパッ
ケージに半導体チップを収容してなる安価な汎用タイプ
の半導体装置を提供できる。
【００６０】それと共に、半導体チップが発する熱を高
熱伝導性のヒートスプレッダーを通して半導体装置外部
に効率良く迅速に放散させることができる。
【００６１】また、信号線路用のリードの上方にメタル
材からなるキャップ又はシール板を第２誘電体フィルム
を介して配置すると共に、信号線路用のリードの下方に
ヒートスプレッダーを第１誘電体フィルムを介して配置
して、信号線路用のリードをストリップ伝送線路に形成
し、そのリードの特性インピーダンスを５０Ω等にマッ
チングさせることができる。
【００６２】また、ヒートスプレッダーをグランド線路
用のリードに電気的に接続したり、キャップ又はシール
板をグランド線路用のリードに電気的に接続したりした
本発明の半導体装置にあっては、信号線路用のリードの
下方に配置したヒートスプレッダーをグランド線路用の
リードを介して接地したり、信号線路用のリードの上方
に配置したキャップ又はシール板をグランド線路用のリ
ードを介して接地したりできる。そして、ヒートスプレ
ッダーとキャップ又はシール板との間に挿通したストリ
ップ伝送線路構造をした信号線路用のリードの特性イン
ピーダンスを５０Ω等に正確にマッチングさせて、その
リードを高周波信号を伝送損失少なく伝えることができ
る。
【００６３】また、シール板とヒートスプレッダーとを
電気的に接続した本発明の半導体装置にあっては、シー
ル板とヒートスプレッダーとを同一電位に保持して、そ
れらの間に挿通したストリップ伝送線路構造をした信号
線路用のリードの特性インピーダンスを５０Ω等に正確
にマッチングさせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の正面断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の一部破断平面図である。
【図３】本発明の半導体装置の正面断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の一部破断平面図である。
【図５】本発明の半導体装置の一部底面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ断面図である。
【図７】本発明の半導体装置のヒートスプレッダーの一
部平面図である。
【図８】本発明の半導体装置の第１誘電体フィルムの一
部平面図である。
【図９】本発明の半導体装置の正面断面図である。
【図１０】本発明の半導体装置の一部平面図である。
【図１１】図１０のＢ−Ｂ断面図である。
【図１２】本発明の半導体装置のキャップの一部平面図
である。
【図１３】本発明の半導体装置の第２誘電体フィルムの
一部平面図である。
【図１４】本発明の半導体装置のキャップを取り除いた
一部平面図である。
【図１５】図１４のＣ−Ｃ断面図である。
【図１６】本発明の半導体装置のシール板の一部断面図
である。
【図１７】本発明の半導体装置の第２誘電体フィルムの
一部平面図である。
【図１８】本発明の半導体装置の第２誘電体フィルムの
一部平面図である。
【図１９】本発明の半導体装置のキャップを取り除いた
一部平面図である。
【図２０】図１９のＤ−Ｄ断面図である。
【図２１】本発明の半導体装置のキャップを取り除いた
一部平面図である。
【符号の説明】
１０ ヒートスプレッダー １２ サブリード ２０ 半導体チップ ３０ リード ３２ サブリード ４０ 第１誘電体フィルム ５０ 第２誘電体フィルム ６０ キャップ ６２ サブリード ７０ ワイヤ ８０ シール板 ８２ サブリード ９０ 空隙

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 メタル材からなるヒートスプレッダー上
    に半導体チップをマウントして、その半導体チップ周囲
    の前記ヒートスプレッダー上に複数本のリードを第１誘
    電体フィルムを介して並べて接合すると共に、前記複数
    本のリード上に前記半導体チップ上方を覆うメタル材か
    らなるキャップを第２誘電体フィルムを介して接合して
    なる半導体装置。
  2. 【請求項２】 キャップと第２誘電体フィルムとの間
    に、メタル材からなるシール板を介在させた請求項１記
    載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 ヒートスプレッダーをグランド線路用の
    リードに電気的に接続した請求項１又は２記載の半導体
    装置。
  4. 【請求項４】 ヒートスプレッダーをグランド線路用の
    リードに前記ヒートスプレッダー又はグランド線路用の
    リードから延出したメタル材からなるサブリードを介し
    て電気的に接続した請求項３記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】 キャップをグランド線路用のリードに電
    気的に接続した請求項１、２、３又は４記載の半導体装
    置。
  6. 【請求項６】 キャップをグランド線路用のリードに前
    記キャップから延出したメタル材からなるサブリードを
    介して電気的に接続した請求項５記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】 シール板をグランド線路用のリードに電
    気的に接続した請求項２、３、４又は５記載の半導体装
    置。
  8. 【請求項８】 シール板をグランド線路用のリードに前
    記シール板から延出したメタル材からなるサブリードを
    介して電気的に接続した請求項７記載の半導体装置。
  9. 【請求項９】 シール板とヒートスプレッダーとを電気
    的に接続した請求項２、３、４、５、６、７又は８記載
    の半導体装置。
  10. 【請求項１０】 シール板とヒートスプレッダーとを前
    記シール板から延出したメタル材からなるサブリードを
    介して電気的に接続した請求項９記載の半導体装置。
  11. 【請求項１１】 シール板とヒートスプレッダーとを前
    記シール板から延出したメタル材からなるサブリードと
    そのサブリードに接続したワイヤとを介して電気的に接
    続した請求項９記載の半導体装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990032607A (ko) * 1997-10-20 1999-05-15 윤종용 에어-캐버티 플라스틱 패키지와 그 제조 방법
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