JPH05145306A - 終端装置 - Google Patents
終端装置Info
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- JPH05145306A JPH05145306A JP30464691A JP30464691A JPH05145306A JP H05145306 A JPH05145306 A JP H05145306A JP 30464691 A JP30464691 A JP 30464691A JP 30464691 A JP30464691 A JP 30464691A JP H05145306 A JPH05145306 A JP H05145306A
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- resistor
- bush
- dielectric substrate
- conductor
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】マイクロ波回路における終端装置に関し、誘電
体基板上の導体パターンを終端する際の特性が良好な終
端装置を提供することを目的とする。 【構成】上下面間において所定抵抗値を有する抵抗体６
の上下面に電極７，８を設けてなる抵抗素子５を、導体
パターンと導体パターン下部の誘電体基板とを貫通して
設けた孔に挿入して、上面の電極７を導体パターン２に
接続し、下面の電極８を誘電体基板下面の接地導体３に
接続する。または、上下面間において所定抵抗値を有す
る筒状抵抗体の上面に金属ブッシュを設け下面に金属筒
を設けてなる抵抗付きアースブッシュを、導体パターン
と導体パターン下部の誘電体基板とを貫通して設けた孔
に挿入し、抵抗付きアースブッシュの孔に挿入したネジ
によって締めつけることによって、抵抗付きアースブッ
シュを誘電体基板上の導体パターン２と誘電体基板下部
の筐体４との間に接続することで構成する。
体基板上の導体パターンを終端する際の特性が良好な終
端装置を提供することを目的とする。 【構成】上下面間において所定抵抗値を有する抵抗体６
の上下面に電極７，８を設けてなる抵抗素子５を、導体
パターンと導体パターン下部の誘電体基板とを貫通して
設けた孔に挿入して、上面の電極７を導体パターン２に
接続し、下面の電極８を誘電体基板下面の接地導体３に
接続する。または、上下面間において所定抵抗値を有す
る筒状抵抗体の上面に金属ブッシュを設け下面に金属筒
を設けてなる抵抗付きアースブッシュを、導体パターン
と導体パターン下部の誘電体基板とを貫通して設けた孔
に挿入し、抵抗付きアースブッシュの孔に挿入したネジ
によって締めつけることによって、抵抗付きアースブッ
シュを誘電体基板上の導体パターン２と誘電体基板下部
の筐体４との間に接続することで構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波回路におけ
る終端装置に関し、特に誘電体基板上に形成された導体
パターンを終端するための、より良好な特性を有する終
端装置に関するものである。
る終端装置に関し、特に誘電体基板上に形成された導体
パターンを終端するための、より良好な特性を有する終
端装置に関するものである。
【０００２】誘電体基板上に形成されたマイクロ波回路
においては、線路の終端部において、インピーダンスを
整合してマイクロ波信号の反射を防止するために、抵抗
からなる終端装置が用いられる。
においては、線路の終端部において、インピーダンスを
整合してマイクロ波信号の反射を防止するために、抵抗
からなる終端装置が用いられる。
【０００３】マイクロ波回路における終端装置は、マイ
クロ波回路の性能向上のために、極力、理想的な特性を
有するものが必要である。そのため種々の考案，工夫が
提案されているが、必ずしも十分には解決されず、より
良好な特性を有する終端装置が要望されている。
クロ波回路の性能向上のために、極力、理想的な特性を
有するものが必要である。そのため種々の考案，工夫が
提案されているが、必ずしも十分には解決されず、より
良好な特性を有する終端装置が要望されている。
【０００４】
【従来の技術】図５は、従来の終端装置の一例を示した
ものであって、スルーホールを用いたものを示し、(a)
は上面図、(b) はＡ−Ａ’断面図である。１１はマイク
ロ波回路における誘電体基板、１２は誘電体基板１１上
に設けられた導体パターン、１３は導体パターン１２を
終端するための導体パターン、１４は誘電体基板１１の
裏面に設けられた接地導体、１５はアースとなる筐体、
１６は導体パターン１３と接地導体１４とを接続するス
ルーホール導体、１７は終端装置となるインピーダンス
５０Ωの抵抗体である。
ものであって、スルーホールを用いたものを示し、(a)
は上面図、(b) はＡ−Ａ’断面図である。１１はマイク
ロ波回路における誘電体基板、１２は誘電体基板１１上
に設けられた導体パターン、１３は導体パターン１２を
終端するための導体パターン、１４は誘電体基板１１の
裏面に設けられた接地導体、１５はアースとなる筐体、
１６は導体パターン１３と接地導体１４とを接続するス
ルーホール導体、１７は終端装置となるインピーダンス
５０Ωの抵抗体である。
【０００５】図５において、スルーホール導体１６は、
誘電体基板１１上の導体パターン１３と、誘電体基板１
１の裏面に設けられた接地導体１４とを接続することに
よって、誘電体基板１１におけるスルーホールを形成し
ている。導体パターン１２を終端する際には、誘電体基
板１１上の導体パターン１２と、導体パターン１３と
を、抵抗体１７を介して接続することによって、導体パ
ターン１２がインピーダンス５０Ωで終端される。
誘電体基板１１上の導体パターン１３と、誘電体基板１
１の裏面に設けられた接地導体１４とを接続することに
よって、誘電体基板１１におけるスルーホールを形成し
ている。導体パターン１２を終端する際には、誘電体基
板１１上の導体パターン１２と、導体パターン１３と
を、抵抗体１７を介して接続することによって、導体パ
ターン１２がインピーダンス５０Ωで終端される。
【０００６】図６は、従来の終端装置の他の例を示した
ものであって、アースブッシュを用いたものを示し、
(a) は上面図、(b) はＡ−Ａ’断面図である。図５にお
けると同じものを同じ番号で示し、１８は上部が鍔状に
拡大した金属製のアースブッシュ、１９はネジである。
ものであって、アースブッシュを用いたものを示し、
(a) は上面図、(b) はＡ−Ａ’断面図である。図５にお
けると同じものを同じ番号で示し、１８は上部が鍔状に
拡大した金属製のアースブッシュ、１９はネジである。
【０００７】図６において、導体基板１１上の導体パタ
ーン１２と導体パターン１３とは、予め抵抗体１７を介
して接続されている。導体パターン１２を終端する場合
には、誘電体基板１１と、誘電体基板１１上の導体パタ
ーン１３とに設けられた孔を貫通して、アースブッシュ
１８を挿入し、ネジ１９を筐体１５にねじ込んで締めつ
けることによって、導体パターン１３と筐体１５とをア
ースブッシュ１８によって接続する。これによって、誘
電体基板１１上の導体パターン１２は、抵抗体１７を介
して筐体１５に接続されるので、、導体パターン１２
は、インピーダンス５０Ωで終端される。
ーン１２と導体パターン１３とは、予め抵抗体１７を介
して接続されている。導体パターン１２を終端する場合
には、誘電体基板１１と、誘電体基板１１上の導体パタ
ーン１３とに設けられた孔を貫通して、アースブッシュ
１８を挿入し、ネジ１９を筐体１５にねじ込んで締めつ
けることによって、導体パターン１３と筐体１５とをア
ースブッシュ１８によって接続する。これによって、誘
電体基板１１上の導体パターン１２は、抵抗体１７を介
して筐体１５に接続されるので、、導体パターン１２
は、インピーダンス５０Ωで終端される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図５または図６に示さ
れた従来の終端装置では、抵抗体１７からアースまでの
導体の長さが長くなる。すなわち、図５に示された従来
技術では、抵抗体１７の末端は、導体パターン１３とス
ルーホール導体１６とを経て接地導体１４に接続され
て、アースされる。また、図６に示された従来技術で
は、抵抗体１７の末端は、導体パターン１３とアースブ
ッシュ１８とを経て筐体１５に接続されて、アースされ
る。
れた従来の終端装置では、抵抗体１７からアースまでの
導体の長さが長くなる。すなわち、図５に示された従来
技術では、抵抗体１７の末端は、導体パターン１３とス
ルーホール導体１６とを経て接地導体１４に接続され
て、アースされる。また、図６に示された従来技術で
は、抵抗体１７の末端は、導体パターン１３とアースブ
ッシュ１８とを経て筐体１５に接続されて、アースされ
る。
【０００９】このように従来の終端装置では、誘電体基
板上の導体パターンを終端するための抵抗体からアース
までの導体長が長くなることを避けられない。そのた
め、この部分が高周波的に終端装置の特性に影響し、イ
ンピーダンスが５０Ωからずれてしまって、良好な終端
装置を得ることは困難であり、特に使用周波数が高くな
った場合、その影響が顕著に現れるという問題があっ
た。
板上の導体パターンを終端するための抵抗体からアース
までの導体長が長くなることを避けられない。そのた
め、この部分が高周波的に終端装置の特性に影響し、イ
ンピーダンスが５０Ωからずれてしまって、良好な終端
装置を得ることは困難であり、特に使用周波数が高くな
った場合、その影響が顕著に現れるという問題があっ
た。
【００１０】本発明はこのような従来技術の課題を解決
しようとするものであって、終端装置において、抵抗体
からアースまでの導体長を短くすることができ、従って
この導体長に基づくインピーダンス特性の劣化が少な
く、特性の良好な終端装置を提供することを目的として
いる。
しようとするものであって、終端装置において、抵抗体
からアースまでの導体長を短くすることができ、従って
この導体長に基づくインピーダンス特性の劣化が少な
く、特性の良好な終端装置を提供することを目的として
いる。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の終端装置は、図
１にその実施例を示されるように、誘電体基板１上に形
成された導体パターン２を抵抗によって終端する終端装
置において、上下面間において所定抵抗値を有する抵抗
体６の上下面に電極７，８を設けてなる抵抗素子５を、
導体パターンと導体パターン下部の誘電体基板とを貫通
して設けた孔に挿入して、上面の電極７を導体パターン
２に接続するとともに、下面の電極８を誘電体基板下面
の接地導体３に接続するものである。
１にその実施例を示されるように、誘電体基板１上に形
成された導体パターン２を抵抗によって終端する終端装
置において、上下面間において所定抵抗値を有する抵抗
体６の上下面に電極７，８を設けてなる抵抗素子５を、
導体パターンと導体パターン下部の誘電体基板とを貫通
して設けた孔に挿入して、上面の電極７を導体パターン
２に接続するとともに、下面の電極８を誘電体基板下面
の接地導体３に接続するものである。
【００１２】また本発明の終端装置は、図３にその実施
例を示されるように、誘電体基板１上に形成された導体
パターン２を所定抵抗値を有する抵抗によって終端する
終端装置において、上下面間において所定抵抗値を有す
る筒状抵抗体の上面に金属ブッシュを設け下面に金属筒
を設けてなる抵抗付きアースブッシュ９を、導体パター
ンと導体パターン下部の誘電体基板とを貫通して設けた
孔に挿入し、抵抗付きアースブッシュ９の孔に挿入した
ネジ１０によって締めつけることによって、この抵抗付
きアースブッシュを、誘電体基板上の導体パターン２と
誘電体基板下部の筐体４との間に接続するものである。
例を示されるように、誘電体基板１上に形成された導体
パターン２を所定抵抗値を有する抵抗によって終端する
終端装置において、上下面間において所定抵抗値を有す
る筒状抵抗体の上面に金属ブッシュを設け下面に金属筒
を設けてなる抵抗付きアースブッシュ９を、導体パター
ンと導体パターン下部の誘電体基板とを貫通して設けた
孔に挿入し、抵抗付きアースブッシュ９の孔に挿入した
ネジ１０によって締めつけることによって、この抵抗付
きアースブッシュを、誘電体基板上の導体パターン２と
誘電体基板下部の筐体４との間に接続するものである。
【００１３】
【作用】抵抗素子５は、上下面間において所定抵抗値を
有する抵抗体６の上下面に電極７，８を設けたものであ
る。このような抵抗素子を、導体パターンと導体パター
ン下部の誘電体基板とを貫通して設けた孔に挿入する。
そして、上面の電極７を導体パターン２に接続するとと
もに、下面の電極８を誘電体基板下面の接地導体３に接
続することによって、誘電体基板１上に形成されている
導体パターン２を所定インピーダンスによって終端す
る。
有する抵抗体６の上下面に電極７，８を設けたものであ
る。このような抵抗素子を、導体パターンと導体パター
ン下部の誘電体基板とを貫通して設けた孔に挿入する。
そして、上面の電極７を導体パターン２に接続するとと
もに、下面の電極８を誘電体基板下面の接地導体３に接
続することによって、誘電体基板１上に形成されている
導体パターン２を所定インピーダンスによって終端す
る。
【００１４】また、抵抗付きアースブッシュ９は、上下
面間において所定抵抗値を有する筒状抵抗体の上面に金
属ブッシュを設け下面に金属筒を設けたものである。こ
のようなアースブッシュを導体パターンと導体パターン
下部の誘電体基板とを貫通して設けた孔に挿入し、抵抗
付きアースブッシュ９の孔に挿入したネジ１０によって
締めつけることによって、抵抗付きアースブッシュを誘
電体基板上の導体パターン２と誘電体基板下部の筐体４
との間に接続して、誘電体基板１上に形成された導体パ
ターン２を所定インピーダンスによって終端する。
面間において所定抵抗値を有する筒状抵抗体の上面に金
属ブッシュを設け下面に金属筒を設けたものである。こ
のようなアースブッシュを導体パターンと導体パターン
下部の誘電体基板とを貫通して設けた孔に挿入し、抵抗
付きアースブッシュ９の孔に挿入したネジ１０によって
締めつけることによって、抵抗付きアースブッシュを誘
電体基板上の導体パターン２と誘電体基板下部の筐体４
との間に接続して、誘電体基板１上に形成された導体パ
ターン２を所定インピーダンスによって終端する。
【００１５】従って本発明の終端装置では、導体パター
ン２に接続された上記の抵抗素子５における抵抗体また
はアースブッシュ９における筒状抵抗体の末端から、接
地導体３または筐体４までの導体長を十分短くすること
ができるので、この部分が高周波的に終端装置の特性に
影響することが少なく、インピーダンスが正しく所定値
に保たれるので、良好な終端装置を実現することができ
る。
ン２に接続された上記の抵抗素子５における抵抗体また
はアースブッシュ９における筒状抵抗体の末端から、接
地導体３または筐体４までの導体長を十分短くすること
ができるので、この部分が高周波的に終端装置の特性に
影響することが少なく、インピーダンスが正しく所定値
に保たれるので、良好な終端装置を実現することができ
る。
【００１６】
【実施例】図１は、本発明の一実施例を示したものであ
って、(a) は上面図、(b) はＡ−Ａ’断面図を示し、１
はマイクロ波回路における誘電体基板、２は誘電体基板
１上に設けられた導体パターン、３は誘電体基板１１の
裏面に設けられた接地導体、４は金属製の筐体、５は導
体パターン２を接地導体３に対して高周波的に終端する
抵抗素子である。
って、(a) は上面図、(b) はＡ−Ａ’断面図を示し、１
はマイクロ波回路における誘電体基板、２は誘電体基板
１上に設けられた導体パターン、３は誘電体基板１１の
裏面に設けられた接地導体、４は金属製の筐体、５は導
体パターン２を接地導体３に対して高周波的に終端する
抵抗素子である。
【００１７】図２は、抵抗素子の詳細を示す図であっ
て、(a) は組み立てた状態を示し、(b) は組み立て前の
状態を示している。抵抗素子５において、６は抵抗体、
７，８は抵抗体６の上下両面に設けられる金属電極であ
る。２１は抵抗体６の上下両面に設けられた金属膜であ
る。
て、(a) は組み立てた状態を示し、(b) は組み立て前の
状態を示している。抵抗素子５において、６は抵抗体、
７，８は抵抗体６の上下両面に設けられる金属電極であ
る。２１は抵抗体６の上下両面に設けられた金属膜であ
る。
【００１８】抵抗素子５は、抵抗体６の上下両面に、そ
れぞれ電極７，８を付着して、一体化した構成を有し、
電極７，８間において、使用周波数でインピーダンス５
０Ωとなるように構成されている。抵抗体６は、例え
ば、その上下両面に予め軟質金属をスパッタリング等の
手段で被着して金属膜２１を形成しておき、電極７，８
を重ね合わせた状態で、加圧，加熱することによって一
体化して、抵抗素子５を形成する。
れぞれ電極７，８を付着して、一体化した構成を有し、
電極７，８間において、使用周波数でインピーダンス５
０Ωとなるように構成されている。抵抗体６は、例え
ば、その上下両面に予め軟質金属をスパッタリング等の
手段で被着して金属膜２１を形成しておき、電極７，８
を重ね合わせた状態で、加圧，加熱することによって一
体化して、抵抗素子５を形成する。
【００１９】このような抵抗素子５を、導体パターン２
と誘電体基板１とを貫通し設けられた孔に挿入し、上面
の電極７をハンダ付け等によって導体パターン２に接続
し、下面の電極８をハンダ付け等によって接地導体３に
接続する。そして、電極８と接地導体３の面を平滑に加
工したのち、筐体４に取り付けてアースする。
と誘電体基板１とを貫通し設けられた孔に挿入し、上面
の電極７をハンダ付け等によって導体パターン２に接続
し、下面の電極８をハンダ付け等によって接地導体３に
接続する。そして、電極８と接地導体３の面を平滑に加
工したのち、筐体４に取り付けてアースする。
【００２０】図１の構成によれば、抵抗素子５を誘電体
基板１に取り付けた状態で、抵抗体６の末端からアース
までの導体長が十分短くなるので、この部分が高周波的
に終端装置の特性に影響することが少なく、インピーダ
ンスが正しく５０Ωに保たれるので、良好な終端装置を
実現することができる。
基板１に取り付けた状態で、抵抗体６の末端からアース
までの導体長が十分短くなるので、この部分が高周波的
に終端装置の特性に影響することが少なく、インピーダ
ンスが正しく５０Ωに保たれるので、良好な終端装置を
実現することができる。
【００２１】図３は、本発明の他の実施例を示したもの
であって、(a) は上面図、(b) はＡ−Ａ’断面図を示し
ている。図１におけると同じものを同じ番号で示し、９
は誘電体基板１および導体パターン２を貫通して設けら
れた孔に挿入された抵抗付きアースブッシュ、１０はネ
ジである。
であって、(a) は上面図、(b) はＡ−Ａ’断面図を示し
ている。図１におけると同じものを同じ番号で示し、９
は誘電体基板１および導体パターン２を貫通して設けら
れた孔に挿入された抵抗付きアースブッシュ、１０はネ
ジである。
【００２２】図４は、抵抗付きアースブッシュの詳細を
示す図であって、(a) は組み立てた状態を示し、(b) は
組み立て前の状態を示している。抵抗付きアースブッシ
ュ９において、２２は円筒形の抵抗体、２３は抵抗体２
２の上部に設けられる金属ブッシュ、２４は抵抗体２２
の下部に設けられる金属円筒、２５は抵抗体２２の上下
両面に設けられた金属膜である。
示す図であって、(a) は組み立てた状態を示し、(b) は
組み立て前の状態を示している。抵抗付きアースブッシ
ュ９において、２２は円筒形の抵抗体、２３は抵抗体２
２の上部に設けられる金属ブッシュ、２４は抵抗体２２
の下部に設けられる金属円筒、２５は抵抗体２２の上下
両面に設けられた金属膜である。
【００２３】抵抗付きアースブッシュ９は、抵抗体２２
の上下両面に、それぞれ金属ブッシュ２３と、金属円筒
２４とを付着して、一体化した構成を有し、金属ブッシ
ュ２３の上面と、金属円筒２４の下面との間において、
使用周波数でインピーダンス５０Ωとなるように構成さ
れている。抵抗体２２は、例えば、その上下両面に予め
軟質金属をスパッタリング等の手段で被着して金属膜２
５を形成しておき、金属ブッシュ２３と抵抗体２２と金
属円筒２４を重ね合わせた状態で、加圧，加熱すること
によって一体化して、抵抗付きアースブッシュ９を形成
する。
の上下両面に、それぞれ金属ブッシュ２３と、金属円筒
２４とを付着して、一体化した構成を有し、金属ブッシ
ュ２３の上面と、金属円筒２４の下面との間において、
使用周波数でインピーダンス５０Ωとなるように構成さ
れている。抵抗体２２は、例えば、その上下両面に予め
軟質金属をスパッタリング等の手段で被着して金属膜２
５を形成しておき、金属ブッシュ２３と抵抗体２２と金
属円筒２４を重ね合わせた状態で、加圧，加熱すること
によって一体化して、抵抗付きアースブッシュ９を形成
する。
【００２４】このような抵抗付きアースブッシュ９を、
導体パターン２と誘電体基板１とを貫通し設けられた孔
に挿入し、ネジ１０を抵抗付きアースブッシュ９を介し
て、筐体４にねじ込んで締めつけることによって、導体
パターン２と筐体４とを抵抗付きアースブッシュ９によ
って接続する。これによって、誘電体基板１上の導体パ
ターン２が、抵抗体２２を介して筐体４に接続されるこ
とによって、導体パターン２がインピーダンス５０Ωで
終端される。
導体パターン２と誘電体基板１とを貫通し設けられた孔
に挿入し、ネジ１０を抵抗付きアースブッシュ９を介し
て、筐体４にねじ込んで締めつけることによって、導体
パターン２と筐体４とを抵抗付きアースブッシュ９によ
って接続する。これによって、誘電体基板１上の導体パ
ターン２が、抵抗体２２を介して筐体４に接続されるこ
とによって、導体パターン２がインピーダンス５０Ωで
終端される。
【００２５】図３の構成によれば、抵抗付きアースブッ
シュ９を誘電体基板１に取り付けた状態で、抵抗体２２
の末端からアースまでの導体長が十分短くなるので、こ
の部分が高周波的に終端装置の特性に影響することが少
なく、インピーダンスが正しく５０Ωに保たれるので、
良好な終端装置を実現することができる。
シュ９を誘電体基板１に取り付けた状態で、抵抗体２２
の末端からアースまでの導体長が十分短くなるので、こ
の部分が高周波的に終端装置の特性に影響することが少
なく、インピーダンスが正しく５０Ωに保たれるので、
良好な終端装置を実現することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、誘
電体基板上に形成されるマイクロ回路を終端するための
終端装置において、抵抗体からアースまでの導体長を短
くすることができるので、この導体長に基づくインピー
ダンス特性の劣化を少なくすることができ、より良好な
特性を有する終端装置を実現することが可能となる。
電体基板上に形成されるマイクロ回路を終端するための
終端装置において、抵抗体からアースまでの導体長を短
くすることができるので、この導体長に基づくインピー
ダンス特性の劣化を少なくすることができ、より良好な
特性を有する終端装置を実現することが可能となる。
【図１】本発明の一実施例を示す図であって、(a) は上
面図、(b)はＡ−Ａ’断面図を示す。
面図、(b)はＡ−Ａ’断面図を示す。
【図２】抵抗素子の詳細を示す図であって、(a) は組み
立てた状態を示し、(b) は組み立て前の状態を示す。
立てた状態を示し、(b) は組み立て前の状態を示す。
【図３】本発明の他の実施例を示す図であって、(a) は
上面図、(b) はＡ−Ａ’断面図を示す。
上面図、(b) はＡ−Ａ’断面図を示す。
【図４】抵抗付きアースブッシュの詳細を示す図であっ
て、(a) は組み立てた状態を示し、(b) は組み立て前の
状態を示す。
て、(a) は組み立てた状態を示し、(b) は組み立て前の
状態を示す。
【図５】従来の終端装置の一例を示す図である。
【図６】従来の終端装置の他の例を示す図である。
１ 誘電体基板 ２ 導体パターン ３ 接地導体 ４ 筐体 ５ 抵抗素子 ６ 抵抗体 ７，８ 電極 ９ 抵抗付きアースブッシュ １０ ネジ
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体基板（１）上に形成された導体パ
ターン（２）を抵抗によって終端する終端装置におい
て、 上下面間において所定抵抗値を有する抵抗体（６）の上
下面に電極（７，８）を設けてなる抵抗素子（５）を、
該導体パターンと該導体パターン下部の誘電体基板とを
貫通して設けた孔に挿入して、上面の電極（７）を導体
パターン（２）に接続するとともに、下面の電極（８）
を該誘電体基板下面の接地導体（３）に接続することを
特徴とする終端装置。 - 【請求項２】 誘電体基板（１）上に形成された導体パ
ターン（２）を所定抵抗値を有する抵抗によって終端す
る終端装置において、 上下面間において所定抵抗値を有する筒状抵抗体の上面
に金属ブッシュを設け下面に金属筒を設けてなる抵抗付
きアースブッシュ（９）を、該導体パターンと該導体パ
ターン下部の誘電体基板とを貫通して設けた孔に挿入
し、該抵抗付きアースブッシュ（９）の孔に挿入したネ
ジ（１０）によって締めつけることによって、該抵抗付
きアースブッシュ（９）を該誘電体基板上の導体パター
ン（２）と該誘電体基板下部の筐体（４）との間に接続
することを特徴とする終端装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30464691A JPH05145306A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 終端装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30464691A JPH05145306A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 終端装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05145306A true JPH05145306A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17935541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30464691A Withdrawn JPH05145306A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | 終端装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05145306A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6104258A (en) * | 1998-05-19 | 2000-08-15 | Sun Microsystems, Inc. | System and method for edge termination of parallel conductive planes in an electrical interconnecting apparatus |
| JP2007234300A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | アース端子の取付構造 |
-
1991
- 1991-11-20 JP JP30464691A patent/JPH05145306A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6104258A (en) * | 1998-05-19 | 2000-08-15 | Sun Microsystems, Inc. | System and method for edge termination of parallel conductive planes in an electrical interconnecting apparatus |
| JP2007234300A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | アース端子の取付構造 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |