JP3209418B2 - 集中定数型アイソレータ用ダミー抵抗 - Google Patents
集中定数型アイソレータ用ダミー抵抗Info
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- JP3209418B2 JP3209418B2 JP09862198A JP9862198A JP3209418B2 JP 3209418 B2 JP3209418 B2 JP 3209418B2 JP 09862198 A JP09862198 A JP 09862198A JP 9862198 A JP9862198 A JP 9862198A JP 3209418 B2 JP3209418 B2 JP 3209418B2
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Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、ＶＨＦ、ＵＨＦ及
びマイクロ波帯などにおいて使用される集中定数型アイ
ソレータのダミー抵抗に関するものである。
びマイクロ波帯などにおいて使用される集中定数型アイ
ソレータのダミー抵抗に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の集中定数型アイソレータの一例の
分解斜視図を図５に示す。この従来例は、下ケース６５
上にパターン電極の形成された誘電体基板６３を配置
し、ガーネット６４と互いに絶縁状態で重ね合わされた
中心導体６６とからなる中心導体部を誘電体基板に形成
された穴に配置し、各中心導体と誘電体基板上の所定の
パターン電極とを接続し、磁石６７の装着された上ケー
ス６８を被せて構成されている。この誘電体基板６３の
６９はダミー抵抗であり、７０はアース電極である。こ
のアース電極に接続されたダミー抵抗により、中心導体
の一つの端子が終端されている。
分解斜視図を図５に示す。この従来例は、下ケース６５
上にパターン電極の形成された誘電体基板６３を配置
し、ガーネット６４と互いに絶縁状態で重ね合わされた
中心導体６６とからなる中心導体部を誘電体基板に形成
された穴に配置し、各中心導体と誘電体基板上の所定の
パターン電極とを接続し、磁石６７の装着された上ケー
ス６８を被せて構成されている。この誘電体基板６３の
６９はダミー抵抗であり、７０はアース電極である。こ
のアース電極に接続されたダミー抵抗により、中心導体
の一つの端子が終端されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の集中定数型アイ
ソレータでは、ダミー抵抗は、静電容量成分を構成する
誘電体基板上の一部に、印刷された抵抗により形成され
ている。この誘電体基板は、静電容量を得ることを主目
的としているので、放熱性が良くなく、スペース的にも
余裕がなかった。このため、ダミー抵抗部における耐電
力が小さく、せいぜい１Ｗ程度の耐電力しか実現出来な
かった。
ソレータでは、ダミー抵抗は、静電容量成分を構成する
誘電体基板上の一部に、印刷された抵抗により形成され
ている。この誘電体基板は、静電容量を得ることを主目
的としているので、放熱性が良くなく、スペース的にも
余裕がなかった。このため、ダミー抵抗部における耐電
力が小さく、せいぜい１Ｗ程度の耐電力しか実現出来な
かった。
【０００４】従って、耐電力を上げるためにスペースを
広げると小型化の流れに逆行することとなり、耐電力の
比較的小さい用途では良いが、比較的大きな耐電力を必
要とする用途では、小型の集中定数型アイソレータを構
成することが困難であった。
広げると小型化の流れに逆行することとなり、耐電力の
比較的小さい用途では良いが、比較的大きな耐電力を必
要とする用途では、小型の集中定数型アイソレータを構
成することが困難であった。
【０００５】本発明は、上記のことを鑑みて、小型でし
かも耐電力の大きい集中定数型アイソレータを構成する
ことができるダミー抵抗を提供する事を目的とする。
かも耐電力の大きい集中定数型アイソレータを構成する
ことができるダミー抵抗を提供する事を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、集中定数型ア
イソレータ用ダミー抵抗において、前記ダミー抵抗は、
基板の一面の中央部に中心導体が接続される電極パター
ンを有し、該基板の一面の両端端部にアース電極パター
ンを有し、該アース電極パターンは該基板の裏面に形成
されたアース電極パターンに導通し、前記中心導体が接
続される電極パターンと端部のアース電極パターンの間
にそれぞれ抵抗パターンが形成され、前記基板中央部の
電極パターンに前記中心導体が接続され、前記基板の裏
面のアース電極パターンが前記ケース内側側面に接続さ
れ、２つの抵抗が並列に接続される構成となっているこ
とを特徴とする集中定数型アイソレータ用ダミー抵抗で
ある。
イソレータ用ダミー抵抗において、前記ダミー抵抗は、
基板の一面の中央部に中心導体が接続される電極パター
ンを有し、該基板の一面の両端端部にアース電極パター
ンを有し、該アース電極パターンは該基板の裏面に形成
されたアース電極パターンに導通し、前記中心導体が接
続される電極パターンと端部のアース電極パターンの間
にそれぞれ抵抗パターンが形成され、前記基板中央部の
電極パターンに前記中心導体が接続され、前記基板の裏
面のアース電極パターンが前記ケース内側側面に接続さ
れ、２つの抵抗が並列に接続される構成となっているこ
とを特徴とする集中定数型アイソレータ用ダミー抵抗で
ある。
【０００７】
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明は、ダミー抵抗を、基板上
に形成したチップ抵抗とし、そのチップ抵抗を集中定数
型アイソレータのケース内面の側面に配設することによ
り、スペースを有効利用して、耐電力の大きなダミー抵
抗を構成するものである。しかも、小型のまま集中定数
型アイソレータを構成することが出来る。
に形成したチップ抵抗とし、そのチップ抵抗を集中定数
型アイソレータのケース内面の側面に配設することによ
り、スペースを有効利用して、耐電力の大きなダミー抵
抗を構成するものである。しかも、小型のまま集中定数
型アイソレータを構成することが出来る。
【０００９】また、基板上に印刷してダミー抵抗を構成
しているため、ダミー抵抗を薄型に形成できるととも
に、基板をケースに固定すると同時に、ダミー抵抗の一
端をアース接続する事ができる。このとき、ケースに固
定される面には、ほぼ全面に電極パターンを形成し、ほ
ぼ全面でケースと接続されることにより、放熱性を高め
ることが出来る。また基板としては、アルミナ基板を用
いる事が望ましい。このアルミナ基板では、放熱性が高
く、耐電力の大きいダミー抵抗を構成できる。もちろ
ん、このダミー抵抗の形成される基板は、静電容量の形
成される誘電体基板とは、別のものである。また、基板
の一面の端部のアース電極パターンと基板裏面のアース
電極パターンとは、側面のスルーホールで接続すること
ができる。もちろん、他の接続方法であっても良い。ま
た、ダミー抵抗を２つの抵抗を並列に接続する構成とす
る事により、耐電力の大きいダミー抵抗を構成できる。
しているため、ダミー抵抗を薄型に形成できるととも
に、基板をケースに固定すると同時に、ダミー抵抗の一
端をアース接続する事ができる。このとき、ケースに固
定される面には、ほぼ全面に電極パターンを形成し、ほ
ぼ全面でケースと接続されることにより、放熱性を高め
ることが出来る。また基板としては、アルミナ基板を用
いる事が望ましい。このアルミナ基板では、放熱性が高
く、耐電力の大きいダミー抵抗を構成できる。もちろ
ん、このダミー抵抗の形成される基板は、静電容量の形
成される誘電体基板とは、別のものである。また、基板
の一面の端部のアース電極パターンと基板裏面のアース
電極パターンとは、側面のスルーホールで接続すること
ができる。もちろん、他の接続方法であっても良い。ま
た、ダミー抵抗を２つの抵抗を並列に接続する構成とす
る事により、耐電力の大きいダミー抵抗を構成できる。
【００１０】また本発明の集中定数型アイソレータの好
ましい構成は、ケース、誘電体基板、ガーネット、中心
導体、永久磁石、ダミー抵抗である。ケースは、アース
接続されるとともに、アイソレータ全体を包む様に構成
され、シールドケースとしての効果も有り、上下に分割
されている。誘電体基板は、静電容量を形成するもので
あり、ケース上に配置され、ガーネットが収納される穴
を有している。中心導体は、ガーネット上に、互いに絶
縁された少なくとも３つの中心導体を有し、一端は前記
の静電容量に接続され、他端はアース接続される。永久
磁石は、ガーネットに直流磁界を印加するためのもので
ある。そして、ダミー抵抗はケース側面に配置され、一
つの中心導体が接続される。又、ケースと誘電体基板の
間にアース板を配置してもよく、ケースの下に、実装用
のプリント基板を配置しても良い。
ましい構成は、ケース、誘電体基板、ガーネット、中心
導体、永久磁石、ダミー抵抗である。ケースは、アース
接続されるとともに、アイソレータ全体を包む様に構成
され、シールドケースとしての効果も有り、上下に分割
されている。誘電体基板は、静電容量を形成するもので
あり、ケース上に配置され、ガーネットが収納される穴
を有している。中心導体は、ガーネット上に、互いに絶
縁された少なくとも３つの中心導体を有し、一端は前記
の静電容量に接続され、他端はアース接続される。永久
磁石は、ガーネットに直流磁界を印加するためのもので
ある。そして、ダミー抵抗はケース側面に配置され、一
つの中心導体が接続される。又、ケースと誘電体基板の
間にアース板を配置してもよく、ケースの下に、実装用
のプリント基板を配置しても良い。
【００１１】
【実施例】本発明に係る一実施例の構成分解斜視図を図
１に示す。この実施例の構造を説明する。まず、ニッケ
ルメッキが施された上ケース１と、永久磁石２と、中心
導体部３と、誘電体基板７と、アース板１０と、ニッケ
ルメッキされた下ケース１２と、プリント基板１３とか
ら構成されている。この中心導体部３は、円板状のフェ
ライトコア（ガーネット）４を包むように中心導体５が
折り重ねられて、その先端が端子６ａ、６ｂ、６ｃとし
て形成されている。そして、下ケース１２の上にアース
板１０、誘電体基板７を重ねて配置し、その誘電体基板
７の中央の穴８に中心導体部３のフェライトコア４が挿
入されるように配置される。
１に示す。この実施例の構造を説明する。まず、ニッケ
ルメッキが施された上ケース１と、永久磁石２と、中心
導体部３と、誘電体基板７と、アース板１０と、ニッケ
ルメッキされた下ケース１２と、プリント基板１３とか
ら構成されている。この中心導体部３は、円板状のフェ
ライトコア（ガーネット）４を包むように中心導体５が
折り重ねられて、その先端が端子６ａ、６ｂ、６ｃとし
て形成されている。そして、下ケース１２の上にアース
板１０、誘電体基板７を重ねて配置し、その誘電体基板
７の中央の穴８に中心導体部３のフェライトコア４が挿
入されるように配置される。
【００１２】この下ケース１２の側面には、チップ抵抗
１７が半田付けされている。このチップ抵抗１７の正面
図を図２に、裏面図を図３に示す。このチップ抵抗１７
は、中心導体に接続される電極パターン１８が基板の一
面の中央に２つ形成されており、この電極パターン１８
と両側の端部のアース電極パターン２０との間に抵抗パ
ターン１９が形成され、この抵抗パターン１９はオーバ
ーガラスにより絶縁されている。また、このチップ抵抗
１７の裏面は、全面にアース電極パターン２１が形成さ
れており、側面のスルーホール２２で前記一面の両端端
部のアース電極パターンと接続されている。そして、中
心導体５から伸びる端子６ａを誘電体基板７に形成され
ている静電容量形成用の電極９ａに接合させ、更にチッ
プ抵抗１７の電極パターン１８に接合する。このチップ
抵抗１７は、２つの抵抗を並列に接続して構成されてい
る。それぞれ１００Ωであり、並列接続で、５０Ωとし
ている。また、この中央の中心導体に接続される電極パ
ターンは、各抵抗パターン毎に別れていることが好まし
い。
１７が半田付けされている。このチップ抵抗１７の正面
図を図２に、裏面図を図３に示す。このチップ抵抗１７
は、中心導体に接続される電極パターン１８が基板の一
面の中央に２つ形成されており、この電極パターン１８
と両側の端部のアース電極パターン２０との間に抵抗パ
ターン１９が形成され、この抵抗パターン１９はオーバ
ーガラスにより絶縁されている。また、このチップ抵抗
１７の裏面は、全面にアース電極パターン２１が形成さ
れており、側面のスルーホール２２で前記一面の両端端
部のアース電極パターンと接続されている。そして、中
心導体５から伸びる端子６ａを誘電体基板７に形成され
ている静電容量形成用の電極９ａに接合させ、更にチッ
プ抵抗１７の電極パターン１８に接合する。このチップ
抵抗１７は、２つの抵抗を並列に接続して構成されてい
る。それぞれ１００Ωであり、並列接続で、５０Ωとし
ている。また、この中央の中心導体に接続される電極パ
ターンは、各抵抗パターン毎に別れていることが好まし
い。
【００１３】また、下ケース１２の下側には、アース電
極１４が形成されているプリント基板１３が接合され
る。そして、中心導体５から伸びる端子６ｂ、６ｃを誘
電体基板７に形成されている静電容量形成用の電極９
ｂ、９ｃに接合させ、更に折り曲げてプリント基板１３
の裏側へ折り返されている。また、アース板１０にも突
片１１が形成されており、更に折り曲げてプリント基板
１３の裏側へ折り返されている。このプリント基板１３
の裏面の平面図を図４に示す。このプリント基板１３の
裏面には、各中心導体５から伸びる端子６ｂ、６ｃを接
続する電極部１５とアース板１０の突片１１を接続する
アース用電極部１６とが形成されており、各端子の固定
と面実装化を可能としている。そして、永久磁石２が固
定された上ケース１を下ケース１２にはめ込んで、集中
定数型アイソレータを構成している。この構成により、
外形が７ｍｍ角の小型のアイソレータを構成できた。
極１４が形成されているプリント基板１３が接合され
る。そして、中心導体５から伸びる端子６ｂ、６ｃを誘
電体基板７に形成されている静電容量形成用の電極９
ｂ、９ｃに接合させ、更に折り曲げてプリント基板１３
の裏側へ折り返されている。また、アース板１０にも突
片１１が形成されており、更に折り曲げてプリント基板
１３の裏側へ折り返されている。このプリント基板１３
の裏面の平面図を図４に示す。このプリント基板１３の
裏面には、各中心導体５から伸びる端子６ｂ、６ｃを接
続する電極部１５とアース板１０の突片１１を接続する
アース用電極部１６とが形成されており、各端子の固定
と面実装化を可能としている。そして、永久磁石２が固
定された上ケース１を下ケース１２にはめ込んで、集中
定数型アイソレータを構成している。この構成により、
外形が７ｍｍ角の小型のアイソレータを構成できた。
【００１４】この実施例では、８００ＭＨｚ用の集中定
数型アイソレータであり、挿入損失が０．７ｄＢ、アイ
ソレーションが１５ｄＢで、耐電力２Ｗの特性を達成で
きた。また、本発明と同様の構成にて、７ｍｍ角の１．
９ＧＨｚ用の集中定数型アイソレータであり、挿入損失
が０．６ｄＢ、アイソレーションが１５ｄＢで、耐電力
２Ｗの特性を達成できた。
数型アイソレータであり、挿入損失が０．７ｄＢ、アイ
ソレーションが１５ｄＢで、耐電力２Ｗの特性を達成で
きた。また、本発明と同様の構成にて、７ｍｍ角の１．
９ＧＨｚ用の集中定数型アイソレータであり、挿入損失
が０．６ｄＢ、アイソレーションが１５ｄＢで、耐電力
２Ｗの特性を達成できた。
【００１５】本発明では、チップ抵抗をケース内側側面
に半田付けで固定し、チップ抵抗を固定することと、ダ
ミー抵抗のアース接続を同時に行う事が出来る。また、
従来使用されていなかったケース側面を使用することに
より、従来よりも大きなダミー抵抗を集中定数型アイソ
レータ内部に構成でき、しかも従来の誘電体基板上に形
成するよりもはるかに放熱性の高いアルミナ基板上にチ
ップ抵抗を配設するが可能となり、耐電力の大きいダミ
ー抵抗を構成できた。しかも集中定数型を小型のままで
行なうことが出来た。また、上記実施例では、７ｍｍ角
の集中定数型アイソレータを構成したが、本発明では、
特に小型（１０ｍｍ角以下）の集中定数型アイソレータ
において有効である。
に半田付けで固定し、チップ抵抗を固定することと、ダ
ミー抵抗のアース接続を同時に行う事が出来る。また、
従来使用されていなかったケース側面を使用することに
より、従来よりも大きなダミー抵抗を集中定数型アイソ
レータ内部に構成でき、しかも従来の誘電体基板上に形
成するよりもはるかに放熱性の高いアルミナ基板上にチ
ップ抵抗を配設するが可能となり、耐電力の大きいダミ
ー抵抗を構成できた。しかも集中定数型を小型のままで
行なうことが出来た。また、上記実施例では、７ｍｍ角
の集中定数型アイソレータを構成したが、本発明では、
特に小型（１０ｍｍ角以下）の集中定数型アイソレータ
において有効である。
【００１６】
【発明の効果】本発明により、耐電力が大きく、小型の
集中定数型アイソレータを得ることができ、例えば携帯
電話等においてミスマッチングによる耐反射電力の増加
によるアンプの保護に、極めて有効なものである。
集中定数型アイソレータを得ることができ、例えば携帯
電話等においてミスマッチングによる耐反射電力の増加
によるアンプの保護に、極めて有効なものである。
【図１】本発明に係る一実施例の構成分解斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明に係る一チップ抵抗の正面図である。
【図３】本発明に係る一チップ抵抗の裏面図である。
【図４】本発明に係る一実施例のプリント基板の裏面の
平面図である。
平面図である。
【図５】従来例の分解斜視図である。
１ 上ケース ２ 永久磁石 ３ 中心導体部 ４ フェライトコア ５ 中心導体 ６ 端子 ７ 誘電体基板 ９ 静電容量形成用電極 １０ アース板 １２ 下ケース １３ プリント基板 １７ チップ抵抗 １８ 電極パターン １９ 抵抗パターン ２０、２１ アース電極パターン ２２ スルーホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 1/16 Ｈ０５Ｋ 1/16 Ｃ
Claims (1)
- 【請求項１】 集中定数型アイソレータ用ダミー抵抗に
おいて、前記ダミー抵抗は、基板の一面の中央部に中心
導体が接続される電極パターンを有し、該基板の一面の
両端端部にアース電極パターンを有し、該アース電極パ
ターンは該基板の裏面に形成されたアース電極パターン
に導通し、前記中心導体が接続される電極パターンと端
部のアース電極パターンの間にそれぞれ抵抗パターンが
形成され、前記基板中央部の電極パターンに前記中心導
体が接続され、前記基板の裏面のアース電極パターンが
前記ケース内側側面に接続され、２つの抵抗が並列に接
続される構成となっていることを特徴とする集中定数型
アイソレータ用ダミー抵抗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09862198A JP3209418B2 (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 集中定数型アイソレータ用ダミー抵抗 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09862198A JP3209418B2 (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 集中定数型アイソレータ用ダミー抵抗 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15733395A Division JPH098509A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 集中定数型アイソレータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261904A JPH10261904A (ja) | 1998-09-29 |
| JP3209418B2 true JP3209418B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=14224631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09862198A Expired - Lifetime JP3209418B2 (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 集中定数型アイソレータ用ダミー抵抗 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3209418B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3438683B2 (ja) * | 1999-11-30 | 2003-08-18 | 株式会社村田製作所 | 非可逆回路素子、通信装置および非可逆回路素子の製造方法 |
| US6765453B2 (en) | 2001-04-04 | 2004-07-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Non-reciprocal circuit device having a thermal conductor |
| JP4507436B2 (ja) * | 2001-04-04 | 2010-07-21 | パナソニック株式会社 | 非可逆回路素子 |
| KR20040013730A (ko) * | 2002-08-08 | 2004-02-14 | 셀레콤 주식회사 | Ｒｆ 케이블을 이용한 광대역 대전력용 터미네이션 및저항기 |
-
1998
- 1998-04-10 JP JP09862198A patent/JP3209418B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10261904A (ja) | 1998-09-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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